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Dokumentenidentifikation DE3850441T2 17.11.1994
EP-Veröffentlichungsnummer 0289277
Titel Elektronenstrahlkopf.
Anmelder Canon K.K., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Okunuki, Masahiko 182-8 Takao Itsukaichimach, Tokyo, JP;
Seki, Mitsuaki, Machida-shi Tokyo, JP
Vertreter Tiedtke, H., Dipl.-Ing.; Bühling, G., Dipl.-Chem.; Kinne, R., Dipl.-Ing.; Pellmann, H., Dipl.-Ing.; Grams, K., Dipl.-Ing.; Link, A., Dipl.-Biol. Dr., Pat.-Anwälte, 80336 München
DE-Aktenzeichen 3850441
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 27.04.1988
EP-Aktenzeichen 883037806
EP-Offenlegungsdatum 02.11.1988
EP date of grant 29.06.1994
Veröffentlichungstag im Patentblatt 17.11.1994
IPC-Hauptklasse H01J 37/073
IPC-Nebenklasse H01J 1/30   

Beschreibung[de]

Die Erfindung bezieht sich gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 auf einen Elektronenstrahlkopf, der insbesonders in einem Apparat zur Musterzeichnung unter Verwendung eines Elektronenstrahls zum Zeichnen eines gewünschten Schaltkreismusters oder andernfalls auf einem Werkstück wie einem Halbleiterwafer einsetzbar ist. Diese Erfindung bezieht sich zudem auf einen Apparat zur Musterzeichnung unter Verwendung eines Elektronenstrahls, der einen derartigen Elektronenstrahlkopf umfaßt.

Apparate zum Zeichnen eines Musters mittels Elektronenstrahls, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von kleinsten (Mikro-)Halbleiterschaltkreisen verwendet werden, umfassen eine Elektronenstrahlquelle, die einen Elektronenstrahl abgibt. Herkömmliche Elektronenstrahlquellen geben Thermoelektronen aus einer heißen Kathode ab. Dieser Typ von Elektronenstrahlquellen verursacht jedoch Probleme durch große Energieverluste aufgrund des Heizens, der Notwendigkeit, eine Heizvorrichtung bereitzustellen, usw. Unter Berücksichtigung solcher Unzulänglichkeiten wurden Studien durchgeführt, um eine Elektronenstrahlquelle zu entwickeln, die nicht auf Erwärmung, sondern auf der Elektronenemission aus einer kalten Kathode beruht, und verschiedene Vorschläge und Veröffentlichungen wurden gemacht. Nachstehend sind Beispiele für solch eine Elektronenstrahlquelle aufgeführt:

1) Ein Elektronenstrahlelement, bei dem zum Erhalt eines Lawinendurchbruchs eine invertierte Vorspannung an einen p-n Übergang angelegt wird, wodurch Elektronen aus dem Bauelement abgestrahlt werden. Dieser Typ eines Elektronenstrahlelements ist in der US-Patentschrift Nr. US-A-4259678 und in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. Sho-JP-A-54-111272 offenbart.

2) Ein Elektronenstrahlelement des MIM-Typs, bei dem ein Metall-Isolator-Metall Schichtaufbau vorgesehen ist und wobei eine elektrische Spannung zwischen zwei Metallschichten angelegt wird, wodurch Elektronen aufgrund des Tunnel-Effekts durch die Isolatorschicht wandern und von der Metallschicht an die Umgebung des Bauelements abgestrahlt werden.

3) Ein Elektronenstrahlelement vom Oberflächenleitfähigkeitstyp. Dabei wird eine elektrische Spannung senkrecht zu der Richtung einer aufgebrachten Dünnfilmschicht hohen Widerstands angelegt, wodurch Elektronen von der Oberfläche der Dünnfilmschicht an die Umgebung des Bauelements abgestrahlt werden.

4) Ein Elektronenstrahlelement vom Feld-Effekt Typ (FE Typ), in dem eine elektrische Spannung an ein Metallelement angelegt wird, das so geformt ist, daß die elektrische Feldstärke lokal stark ansteigt, wodurch Elektronen aus dem Metallelement an die Umgebung des Bauelements abgestrahlt werden.

Gewöhnlich werden in einem Apparat zur Musterzeichnung unter Verwendung eines Elektronenstrahls eine oder mehrere zur Justierung des Werkstücks vorgesehene Justiermarken erfaßt. Dies geschieht durch die Bestrahlung einer solchen Justiermarke mit einem Elektronenstrahl und durch die Erfassung von Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen, die als Folge dieser Elektronenbestrahlung entstehen. Hierzu sind ein oder mehrere Sensoren oder Detektoren, getrennt von dem Elektronenstrahlkopf, vorgesehen. Insbesondere wird solch ein Detektor in der Umgebung eines Werkstücks (Wafer) angeordnet, genauer in einer Position, die einen guten Wirkungsgrad zum Erfassen sekundärer oder reflektierter Elektronen sicherstellt.

Die Anmelderin stellte jedoch fest, daß eine derart getrennte Anordnung von Sensoren oder Detektoren, wie sie in den herkömmlichen Apparaten zur Musterzeichnung verwendet wird, Fehler in Bezug auf die Montage der Sensoren oder Detektoren ermöglicht. Solch ein Fehler verhindert leicht eine gute Erfassungsgenauigkeit. Die vorliegende Erfindung soll derartige Unzulänglichkeiten verhindern.

Demzufolge ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Erfassungssystem zu schaffen, das vorstehend beschriebene Unzulänglichkeiten nicht aufweist. Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen Elektronenstrahlkopf zu schaffen, der einen einfachen und kompakten Aufbau aufweist, aber dennoch eine hochpräzise Elektronenstrahlprojektion und zusätzlich eine präzise Erfassung von Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen gewährleistet.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit einem Elektronenstrahlkopf gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 7 und die Unteransprüche 8 bis 10 sind auf einen musterzeichnenden Apparat, der einen solchen Elektronenstrahlkopf enthält, gerichtet.

Innerhalb des Elektronenstrahlkopfs der beschriebenen Ausführungsform werden die Elektronenstrahlquelle, die einen Elektronenstrahl abstrahlt, und die Elektronenstrahlerfassungseinrichtung, die die durch das Abstrählen des Elektronenstrahls aus der Elektronenstrahlquelle ausgelösten Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen erfaßt, in einer fest vorgegebenen und unveränderlichen Position zueinander gehalten. Deshalb ist ein hochpräziser Betrieb möglich. Zudem kann der gesamte Aufbau einfach und kompakt realisiert werden, da diese beiden Teile in ein gemeinsames Basiselement integriert sind.

Weiterhin können die Elektronenabstrahlungs- und die Elektronenstrahl-Erfassungsfunktion des beschriebenen Elektronenstrahlkopfs einzeln benutzt werden. Falls der Elektronenstrahlkopf der beschriebenen Ausführungsform in einem bei der Herstellung von Mikro-Halbleiterschaltkreisen verwendeten Belichtungsapparat eingebaut ist, kann der Elektronenstrahlkopf sowohl zu Justierungszwecken, d. h. zur Justierung eines Halbleiterwafers, als auch zu Belichtungszwecken, d. h. zur Belichtung eines Halbleiterwafers, eingesetzt werden. Damit wird auf wirkungsvolle Weise die Notwendigkeit vermieden, eine zusätzliche Strahlungsquelle zu Justierungs- oder Belichtungszwecken einbauen zu müssen, und ebenso die Notwendigkeit ausgeschlossen, einige Komponenten, wie z. B. eine Lichtquelle, relativ zum Wafer bewegen zu müssen.

Diese und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.

Fig. 1 ist eine schematische Teilansicht eines Elektronenstrahlkopfs gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, in der der Elektronenstrahlkopf zur Belichtung eines Halbleiterwafers verwendet wird.

Fig. 2 ist ein Flußdiagramm über den Ablauf der Justierungsregelung bei Verwendung des Elektronenstrahlkopfs gemäß des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1.

Fig. 3 ist eine schematische Teilansicht eines Elektronenstrahlkopfs gemäß eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung, in der der Elektronenstrahlkopf innerhalb eines Belichtungsapparates zur Herstellung von Mikro-Halbleiterschaltkreisen eingebaut ist.

Fig. 1 zeigt einen Elektronenstrahlkopf gemäß eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei dem sich der Elektronenstrahlkopf innerhalb eines Belichtungsapparats zur Belichtung von Halbleiterwafern befindet.

In Fig. 1 kennzeichnet das Bezugszeichen WF einen Halbleiterwafer, der von einem von einer Elektronenstrahlquelle BG erzeugten Elektronenstrahl EB belichtet werden wird. Als Elektronenstrahlquelle BG kann ein Elektronen abstrahlendes Bauelement, in dem z. B. ein Lawinendurchbruch herbeigeführt wird und dadurch Elektronen abgestrahlt werden, benutzt werden. Dieses ist Gegenstand der vorstehend genannten US-Patentschrift Nr. US-A-4259678 und der japanischen Offenlegungsschrift Nr. Sho-JP-A-54-111272. Dieses Ausführungsbeispiel umfaßt stets eine Elektronenstrahlquelle BG mit einem Elektronen abstrahlenden Element, das auf dem Prinzip der Elektronenemission aus einer kalten Kathode beruht. Solch ein Elektronen abstrahlendes Bauelement kann wie nachstehend beschrieben einfach und präzise auf einem Basiselement unter Verwendung herkömmlicher Halbleitertechnologie gefertigt werden.

Der Elektronenstrahlkopf des vorliegenden Ausführungsbeispiels umfaßt eine einzelne Basisplatte MB, auf der mindestens eine Elektronenstrahlquelle BG enthalten ist. In diesem Ausführungsbeispiel, wie in Fig. 1 gezeigt, ist die Elektronenstrahlquelle BG in das Basiselement MB eingebettet. Als Basiselement MB kann ein scheibenähnliches Basiselement aus Glas, Halbleiter o. ä. gemäß der Offenbarung der vorstehend genannten japanischen Offenlegungsschrift Sho-JP-A-54-111272 oder Sho-JP-A-56-15529 verwendet werden.

Obwohl nicht in der Zeichnung enthalten, ist der Elektronenstrahlkopf dieses Ausführungsbeispiels mit einer Strahlablenkelektrode versehen, die in der Umgebung der Quelle BG an der Unterseite des Basiselements MB als Einheit mit diesem ausgebildet ist. Die Position dieser nicht gezeigten Ablenkelektrode ist so gewählt, daß die Ablenkelektrode den von der Elektronenstrahlquelle BG erzeugten Elektronenstrahl wirkungsvoll sowohl in x- als auch in y-Richtung ablenken kann.

Der Elektronenstrahlkopf dieses Ausführungsbeispiels kann dazu verwendet werden, eine auf einem Wafer WF ausgebildete Justiermarke WM zu erfassen. Die Erfassung einer solchen Wafermarkierung WM erfolgt an der dem Basiselement MB zugewandten Seite. Insbesondere wird dabei ein Elektronenstrahl EB von der Elektronenstrahlquelle BG auf die Wafermarkierung WM gelenkt. Als Folge der Bestrahlung der Wafermarkierung WM mit dem Elektronenstrahl EB werden von dem Wafer WF Sekundärelektronen und/oder reflektierte Elektronen, die in Fig. 1 mit 2E bezeichnet sind, erzeugt. Diese Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen werden von einem oder mehreren Sensoren PN, die auf dem Basiselement MB als Einheit mit diesem z. B. als p-n Übergänge ausgebildet sind, erfaßt. Dadurch wird die Wafermarkierung WM erfaßt.

Die Sensorposition auf dem Basiselement MB ist vorzugsweise derart, daß der Sensor die Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen 2E gut erfassen kann. Insbesondere sind bei diesem Ausführungsbeispiel ringähnliche Elektroden D1 und D2 an einer Oberfläche des Basiselements MB angebracht, um den Wirkungsgrad der Elektronenerfassung weiter zu verbessern. Zusätzlich wird eine elektrische Spannung Vex zwischen der Elektrode D1 und der Elektronenstrahlquelle BG, eine elektrische Spannung Vd an die Elektrode D2, und eine elektrische Beschleunigungsspannung Vc zwischen der Elektronenstrahlquelle BG und dem Wafer WF angelegt, wie in Fig. 1 zu sehen ist.

Demgemäß werden, wenn elektrische Spannungen (z. B.: Vex = 10-100 V; Vc = 1-10 kV; und Vd = 100 V) angelegt sind, Sekundärelektronen und/oder reflektierte Elektronen 2E wirkungsvoll gesammelt und von dem Sensor mit p-n Übergang erfaßt.

Die Sensoreinrichtung zum Erfassen von Sekundärelektronen und/oder reflektierten Elektronen kann einen Photo- oder einen Elektronensensor umfassen und, wie hier bereits beschrieben, kann ein p-n Übergang verwenden werden. Weiterhin kann ein Sensorpaar benutzt und symmetrisch, bezogen auf die x- oder y-Richtung, angeordnet werden. Alternativ können zwei Sensorpaare benutzt werden, wobei jedes Paar entlang der x- oder y-Richtung angeordnet ist. Die Sensoren können entlang eines Kreises angeordnet werden. Selbstverständlich kann auch ein zusammenhängender ringförmiger Sensor verwendet werden.

Falls Sensorpaare verwendet werden, können deren Signale abgeglichen und dann kombiniert werden. Diese Art der Signalverarbeitung ist vorzuziehen, da dadurch ungünstige Effekte wie Rauschen o. ä. minimiert werden können.

Unter Bezug auf Fig. 2 wird an einem Beispiel die Steuerung des Elektronenstrahlkopfs gemäß dem Ausführungsbeispiel aus Fig. 1 beschrieben. Fig. 2 ist ein Flußdiagramm, das den Ablauf der Justierungsregelung für den Fall veranschaulicht, in dem der Elektronenstrahlkopf gemäß dem Ausführungsbeispiel aus Fig. 1 zur Positionserfassung eines Halbleiterwafers benutzt wird.

Der von der Elektronenstrahlquelle BG abgestrahlte Elektronenstrahl EB wird durch die nicht gezeigte Ablenkelektrode abgelenkt, so daß die auf dem Wafer WF ausgebildete Wafermarkierung WM von dem abgelenkten Elektronenstrahl abgetastet wird. Sekundärelektronen und reflektierte Elektronen, die als Ergebnis der Bestrahlung der Wafermarkierung WM mit dem Elektronenstrahl entstehen, werden von dem Sensor PN erfaßt. Tastet der Elektronenstrahl die Kanten der Wafermarkierung WM ab, so liefert der Sensor PN charakteristische Ausgangssignale, die gegenüber den, bei der Abtastung des ebenen Oberflächenanteils entstehenden Ausgangssignalen unterschieden werden können. Aus den so gewonnenen, charakteristischen Ausgangssignalen und aus dem Ablenkwinkel des Elektronenstrahls kann die Position der Wafermarkierung WM erkannt werden. In Übereinstimmung mit der so erhaltenen Positionsinformation bezüglich der Wafermarkierung WM wird eine, nicht gezeigte, den Wafer WF haltende Vorrichtung und/oder das Basiselement MB des Elektronenstrahlkopfs angetrieben und verschoben, so daß der Wafer WF in bezug auf den Elektronenstrahlkopf oder jede andere Referenz justiert ist.

Fig. 3 zeigt einen Elektronenstrahlkopf gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung, bei dem der Elektronenstrahlkopf innerhalb eines Belichtungsapparats zur Belichtung eines Halbleiterwafers verwendet wird. Dabei werden die selben Bezugszeichen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1 für ähnliche oder entsprechende Bauelemente verwendet.

Wie in Fig. 3 zu sehen ist, umfaßt der Belichtungsapparat eine Steuervorrichtung CM; eine Antriebsvorrichtung DM, die es ermöglicht, die Haltevorrichtung ST des Wafers und/oder des Basiselements MB des Elektronenstrahlkopfs zu verschieben; und eine Auswahl und Antriebsvorrichtung EBDM, die in Übereinstimmung mit von der Steuervorrichtung CM zugeführten Steuersignalen betreibbar ist, um wahlweise eine Elektronenstrahlquelle BG derart anzusteuern, daß diese sowohl zu Justierzwecken als auch zur Musterzeichnung benutzt werden kann.

Wenn die Elektronenstrahlquelle BG zu Justierzwecken verwendet wird, steuert die Auswahl- und Antriebsvorrichtung EBDM die Elektronenstrahlquelle BG an, damit diese einen Elektronenstrahl erzeugt, der auf die Oberfläche des Wafers WF gelenkt wird, wodurch Sekundärelektronen und reflektierte Elektronen erzeugt werden. Die so erzeugten Sekundärelektronen und reflektierten Elektronen 2E werden von dem unter Bezug auf Fig. 1 beschriebenen Aufbau wirkungsvoll angezogen, gesammelt und dann von dem Sensor PN erfaßt. Das Ausgangssignal des Sensors PN wird der Steuervorrichtung CM zugeführt, in der das erfaßte Signal in die Positionsinformation bezüglich des Wafers (Wafer-markierung) gewandelt wird. Dann führt die Steuervorrichtung CM der Antriebsvorrichtung DM ein Steuersignal zu, wodurch diese als Reaktion auf das Steuersignal zumindest die Haltevorrichtung ST des Wafers oder das Basiselement MB bewegt und verschiebt. Dadurch wird die Justierung des Wafers erreicht.

Wird die Elektronenstrahlquelle BG zum Zeichnen von Mustern verwendet, betreibt die Auswahl- und Antriebsvorrichtung EBDM die Elektronenstrahlquelle BG derart gesteuert, daß diese, wie gewünscht, in Übereinstimmung mit einem auf den Wafer WF zu zeichnenden Muster an- bzw. abgeschaltet wird. Auf diese Weise kann ein gewünschtes Muster durch die Belichtung mit dem Elektronenstrahl der Elektronenstrahlquelle BG auf den Wafer WF gezeichnet werden.

Die vorstehend beschriebene wahlweise Verwendung der Elektronenstrahlquelle BG wird durch die Steuervorrichtung CM gesteuert.

Dabei ist zu berücksichtigen, daß die Erfindung nicht nur zum Schreiben (Zeichnen) eines Halbleiterschaltkreismusters mittels eines Elektronenstrahls, sondern ebenso zum Schreiben von Daten auf einen Datenträger, der aus einem elektronenstrahlempfindlichen Material besteht, benutzt werden kann. Ebenso ist die Erfindung verwendbar zum Lesen solcher Daten brauchbar, wenn die Erfindung in Kombination mit einem auf geladene Teilchen ansprechenden Sensor verwendet wird.

Insbesondere kann die Erfindung z. B. für die Aufzeichnung oder Spurführung im Bereich magneto-optischer Aufzeichnungsmedien, wie z. B. einer optischen Diskette, einer optischen Karte oder einem Mikrofilm angewendet werden; in solch einem Fall kann der Elektronenstrahlkopf der Erfindung wahlweise sowohl für - das Schreiben als auch für das Lesen von Daten eingesetzt werden.

Weiterhin kann der Elektronenstrahlkopf der Erfindung innerhalb eines Elektronenstrahl-Prüfkopfes für den Funktionstest von Halbleiterbauelementen verwendet werden. In solch einem Fall muß, entsprechend der Größe des Halbleiterchips oder des Meßpunkts, eine passende Elektronenstrahlquelle ausgewählt werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Rest, außer der Elektronenstrahlquelle, in einem Zustand gehalten, in dem eine Signalerzeugung verhindert ist.

In Fällen, in denen der Elektronenstrahlkopf der Erfindung in einem speziellen Apparat für mehrere Zwecke verwendet wird, kann die Ausgangsleistung des Elektronenstrahlkopfs als Ganzes variabel für jede Anwendung eingestellt werden. Zusätzlich kann die Ausgangsleistung jeder Elektronenstrahlquelle verändert werden. Dies ist einfach zu erreichen und kann in die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele eingebaut werden.

Erfindungsgemäß, und wie vorstehend beschrieben, sind die Elektronenstrahlquelle und die Elektronenstrahlerfassungseinrichtung integral auf einem gemeinsamen Basiselement ausgebildet. Demzufolge kann der Aufbau einfach und kompakt gehalten werden und die Präzision deutlich verbessert werden.

Weiterhin kann die Elektronen-Abstrahlungs- und die Elektronenstrahl-Erfassungs-Funktion im Bedarfsfall einzeln benutzt werden. Aus diesem Grund ist der erfindungsgemäße Elektronenstrahlkopf sowohl für Justier- als auch für Belichtungszwecke verwendbar, wenn er in einem Justier- und Belichtungsapparat zur Belichtung von Halbleiterwafern eingebaut ist. Dies ist sehr effektiv, um die Notwendigkeit der Verschiebung einiger Komponenten, wie z. B. einer zusätzlichen Lichtquelle, relativ zu einem Wafer, zu vermeiden. Weiterhin wird die Notwendigkeit einer zusätzlichen Strahlungsquelle, wie z. B. einer Lichtquelle, selbst vermieden. Weiterhin kann das Problem von Stauberzeugung oder das Problem der Erzeugung von Fremdpartikeln vermieden werden.

Insbesondere kann die Elektronenstrahlerfassungseinrichtung in unmittelbarer Nähe der Elektronenstrahlquelle angebracht werden. Dies ist sehr wirkungsvoll zum Erfassen von Sekundärelektronen oder von reflektierten Elektronen.

Obwohl die Erfindung unter Bezug auf die hier offengelegten Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht beschränkt auf die dargestellten Einzelheiten sondern deckt vielmehr auch die in den nachstehenden Patentansprüchen aufgeführten Modifikationen oder Änderungen mit ab.


Anspruch[de]

1. Elektronenstrahlkopf zur Projektion eines Elektronenstrahls auf ein Objekt (WF), mit einem Basiselement (MB) und einer auf dem Basiselement angeordneten Elektronenstrahlquelle (BG), gekennzeichnet durch

eine auf dem Basiselement angeordnete Erfassungseinrichtung (PN) zum Erfassen von Elektronen von dem Objekt, wenn dieses durch den Elektronenstrahl aus der Elektronenstrahlquelle bestrahlt wird;

eine erste auf dem Basiselement (MB) angeordnete Elektrodeneinrichtung (D2) zum Erzeugen eines ersten elektrischen Felds mit einem derartigen ersten elektrischen Potential, daß die von dem Objekt reflektierten Elektronen und/oder Sekundärelektronen, die durch das Auftreffen des Elektronenstrahls auf dem Objekt entstanden sind, zu der Erfassungseinrichtung gelangen; und

eine zweite auf dem Basiselement (MB) angeordnete Elektrodeneinrichtung (D1), die zwischen der Elektronenstrahlquelle (BG) und der ersten Elektrodeneinrichtung (D2) angeordnet ist, um ein zweites elektrisches Feld, dessen Potential höher ist als das erste Potential, bereitzustellen.

2. Elektronenstrahlkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung (PN) von dem Objekt ausgehende Sekundärelektronen erfassen kann.

3. Elektronenstrahlkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung (PN) von dem Objekt reflektierte Elektronen erfassen kann.

4. Elektronenstrahlkopf nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahlquelle eine kalte Kathode aufweist.

5. Elektronenstrahlkopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung einen p-n Übergang (PN) aufweist.

6. Elektronenstrahlkopf nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine elektrische Quelle (Vc) zum Beschleunigen des Elektronenstrahls aus der Elektronenstrahlquelle.

7. Elektronenstrahlkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung zwei Sensorpaare, kreisförmig angeordnete Sensoren oder einen ringförmigen Sensor aufweist.

8. Apparat zur Musterzeichnung unter Verwendung eines Elektronenstrahls zum Zeichnen eines gewünschten Musters auf ein mit einem elektronenstrahlempfindlichen Material beschichtetes Werkstück (WF), mit einem Elektronenstrahlkopf nach einem der Patentansprüche 1 bis 7.

9. Apparat zur Musterzeichnung unter Verwendung eines Elektronenstrahls zum Zeichnen eines gewünschten Musters auf ein mit einem elektronenstrahlempfindlichen Material beschichtetes Werkstück (WF), das eine Justiermarkierung (WM) hat, mit einer Haltevorrichtung (ST) zum Halten des Werkstücks, einem Stellmechanismus (DM) zum Bewegen der Haltevorrichtung in transversaler Richtung zur Elektronenstrahlachse, und einem Elektronenstrahlkopf nach einem der Patentansprüchen 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine Steuervorrichtung (CM) zum Empfangen der von der Erfassungseinrichtung abgegebenen Ausgangssignale und zum Steuern der Stellvorrichtung, wodurch in Abhängigkeit von der Anzahl der Sekundärelektronen und/oder der reflektierten Elektronen, die durch das Auftreffen des Elektronenstrahls auf das Werkstück entstehen, eine Justierung des Werkstücks vorgenommen wird.

10. Apparat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß er einen Elektronenstrahlkopf besitzt, der eine Vielzahl von Elektronenstrahlquellen und eine Vielzahl von Elektronenstrahldetektoren umfaßt, und daß die Quellen und Detektoren zusammen auf einem gemeinsamen Basiselement angeordnet sind.







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