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Dokumentenidentifikation DE19527683A1 01.02.1996
Titel Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung
Anmelder Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon, Kyoungki, KR
Erfinder Hwang, Joon, Kyonggi, KR
Vertreter Schmidt H. und Kollegen, 80803 München
DE-Anmeldedatum 28.07.1995
DE-Aktenzeichen 19527683
Offenlegungstag 01.02.1996
Veröffentlichungstag im Patentblatt 01.02.1996
IPC-Hauptklasse G03F 1/08
IPC additional class // H01L 21/18  
Zusammenfassung Ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung ermöglicht die Bildung eines Fotolackmusters mit der gleichen Breite wie das Chrommuster der Fotomaske und verbessert die Ausbeute an Vorrichtungen infolge Minimierung des Auftretens qualitativ schlechter Muster. Ein Scheinmuster (2) mit einer gewissen Breite in der gleichen Richtung wie das Chrommuster (1) wird an Stellen gebildet, die in einem gewissen Abstand von beiden Seiten eines Isolierbereiches des Chrommusters stehen, um eine Variation der Breite des auf einem Wafer zu bildenden Fotolackmusters zu vermeiden. Die Breitenvariation kann durch eine Nahwirkung hervorgerufen werden, die durch Unterschiede in der Lichtmenge beim Belichtungsvorgang bedingt ist.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung, und insbesondere bezieht sie sich auf ein Verfahren, mit dem es möglich ist, ein Fotolackmuster mit gleichförmiger Musterbreite vorzusehen, indem der Naheffekt bedingt durch Unterschiede in der Lichtmenge zum Zeitpunkt der Belichtung minimiert wird. Dies erfolgt durch die Bildung eines Scheinmusters mit einer bestimmten Breite in der gleichen Richtung wie ein Chrommuster und in einem gewissen Abstand von beiden Seiten eines Isolierbereiches des Chrommusters.

Im allgemeinen werden ein fotolithografisches Verfahren und ein Ätzverfahren zur Strukturierung einer bestimmten Schicht bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung angewandt. Das fotolithografische Verfahren besteht im Aufgeben eines Fotolackes, einer Belichtung unter Verwendung einer bestimmten Fotomaske und einem anschließenden Entwickeln. Zum Zeitpunkt der Belichtung wird ein Naheffekt, d. h. die Musterbreitenänderung an einem Isolierbereich des Musters aufgrund von Unterschieden in der Belichtungslichtmenge zwischen einer dichten Zone und der Isolierzone des Musters hervorgerufen. Eine Erläuterung eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung wird nachfolgend mit Bezug auf Fig. 1A und 1C gegeben.

Bei dem konventionellen Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske gemäß Fig. 1A wird ein Chrommuster 1 mit einer Musterbreite von z. B. "A" gebildet, indem ein nicht gezeigter Fotolack auf ein Quarzsubstrat 5 aufgegeben wird, auf dem Chrom aufgeschichtet ist, und indem das Chrom unter Verwendung einer bestimmten Maske strukturiert wird. Eine, wie vorbeschrieben, gefertigte Fotomaske 10 wird auf einen mit einem Fotolack beschichteten Wafer aufgesetzt. Eine Belichtung wird vorgenommen und eine Entwicklung durchgeführt, so daß ein Fotolackmuster 3 gemäß Fig. 2B auf dem Wafer 20 gebildet wird. Die Breite des Fotolackmusters 3 an einem dichten Bereich wird so gebildet, daß sie gleich der Breite "A" des Chrommusters 1 der Fotomaske 10 wird; das Fotolackmuster 3 eines Isolierbereiches z. B. des "X" Bereiches wird jedoch an seinen beiden Seiten geschädigt, was die Breite auf den Wert "AA" verringert.

Dies ist Folge des Naheffektes, wie er durch die unterschiedliche Lichtmenge zum Zeitpunkt der Belichtung hervorgerufen wird. Wenn ferner der Grad der Integration der Halbleitervorrichtung heraufgesetzt werden soll, wird die Änderung der Musterbreite weiter verstärkt, was wesentlich die Stabilität des Verfahrens und die sich ergebende Ausbeute an Vorrichtungen verringert.

Ziel der Erfindung ist daher die Schaffung eines Verfahrens zum Herstellen einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung, mit dem die vorerwähnten Schwierigkeiten beseitigt werden können, indem ein Scheinmuster mit einer gewissen Breite in der gleichen Weise wie das Chrommuster in einem gewissen Abstand von beiden Seiten des Isolierbereiches des Chrommusters ausgebildet wird.

Zur Lösung des vorerwähnten Zieles wird demzufolge ein Scheinmuster gebildet, das in einem gewissen Abstand von beiden Seiten eines Isolierbereiches eines Chrommusters gehalten ist, um eine Änderung der Musterbreite eines auf einem Wafer zu bildenden Fotolackmusters zu verhindern.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand einer Ausführungsform unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1A in Draufsicht eine herkömmliche Fotomaske,

Fig. 1B in Draufsicht ein Fotolackmuster, welches unter Verwendung der Fotomaske nach Fig. 1A gebildet wurde,

Fig. 2A in Draufsicht eine erfindungsgemäß hergestellte Fotomaske,

Fig. 2B in Draufsicht ein Fotolackmuster, welches unter Verwendung der Fotomaske nach Fig. 2A gebildet wurde.

In der Zeichnung tragen gleiche Teile durchgehend die gleichen Bezugszeichen.

Ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf Fig. 2A und 2B beschrieben.

Wie in Fig. 2A gezeigt ist, ist ein Chrommuster 1 mit einer Musterbreite von z. B. "A" durch Beschichten eines mit Chrom beschichteten Quarzsubstrates 5 mit einem nicht gezeigten Fotolack und durch Strukturieren des Chroms mittels einer Maske gebildet. Zusätzlich wird ein Scheinmuster 2 mit einer Breite "C" in der gleichen Richtung wie das Chrommuster 1 an einer Stelle gebildet, die in einem Abstand "B" von beiden Seiten des isolierten Bereiches des Chrommusters 1 steht. Danach wird eine Fotomaske 10A, die, wie zuvor beschrieben, gefertigt wurde, auf einen mit dem Fotolack beschichteten Wafer aufgesetzt. Eine Belichtung wird vorgenommen und der Fotolack entwickelt, so daß das Fotolackmuster auf dem Wafer 20A gemäß Fig. 2B gebildet wird. Zu diesem Zeitpunkt beträgt die Breite "C" des Scheinmusters 2 beispielweise 0,05 bis 0,2 µm und der Abstand etwa 0,3 bis 0,8 µm.

Die Erfindung dient zur Bildung eines Musters, z. B. einer Gateelektrode, da es möglich ist, ein Fotolackmuster mit der gleichen Breite wie das Chrommuster der Fotomaske auszubilden, indem der Naheffekt, hervorgerufen durch unterschiedliche Lichtmengen zum Zeitpunkt der Belichtung minimiert wird und dadurch die Ausbeute an Vorrichtungen infolge Minimierung des Auftretens qualitativ minderwertiger Muster verbessert wird.


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Scheinmuster gebildet wird, das in einem gewissen Abstand von beiden Seiten eines Isolierbereiches eines Chrommusters gehalten wird, um eine Änderung der Musterbreite eines Fotolackfilmmusters, welches auf einem Wafer zu bilden ist, zu verhindern.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Scheinmuster von dem Isolierbereich des Chrommusters in einem Abstand von 0,3 bis 0,8 µm gebildet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Scheinmuster und der Isolierbereich so gebildet werden, daß sie parallel zueinander liegen.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Scheinmuster eine Breite von 0,05 bis 0,2 µm hat.






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