PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE19633367A1 26.03.1998
Titel Ansteuerschaltung für ein Feldeffekt gesteuertes Halbleiterbauelement
Anmelder Siemens AG, 80333 München, DE
Erfinder Zitta, Heinz, Dipl.-Ing., Drobollach, AT;
Strauss, Silvester, Dipl.-Ing., St. Egyden, AT
DE-Anmeldedatum 19.08.1996
DE-Aktenzeichen 19633367
Offenlegungstag 26.03.1998
Veröffentlichungstag im Patentblatt 26.03.1998
IPC-Hauptklasse H03K 17/042
IPC-Nebenklasse H03K 17/082   H03K 17/687   H02M 1/08   
Zusammenfassung Der Ladestrom zum Ansteuern eines Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes wird beim Ansprechen der Laststrombegrenzung reduziert. Damit wird ein Ansteigen der Stromaufnahme der Ansteuerschaltung verhindert unter Beibehaltung einer kurzen Schaltzeit.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Laststrom IL führenden, durch Feldeffekt steuerbaren Halbleiterbauelementes mit einer ersten Quellenschaltung, die mit dem Steuereingang des Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes verbunden ist, und mit einem steuerbaren Widerstand, der zum Steuereingang des Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes parallel geschaltet ist und mit Mitteln steuerbar ist, die einen Teil des Laststroms IL, der dem Laserstrom IL proportional ist, erfassen.

Eine solche Schaltungsanordnung ist allgemein bekannt und z. B. in der deutschen Patentschrift DE 44 29 716 C1 beschrieben worden.

Die Gateansteuerung des Halbleiterbauelementes erfolgt hier über einen Stromspiegel. Der steuerbare Widerstand ist ein Transistor. Überschreitet der am Sourceanschluß des Halbleiterbauelementes gemessene Laststrom IL einen festgelegten Werte wird der Transistor eingeschaltet und damit die Gatespannung des Halbleiterbauelementes reduziert. Der Laststrom IL wird dadurch begrenzt.

Nachteil dieser Schaltungsanordnung ist, daß sich bei geschaltetem Transistor die Stromaufnahme der Ansteuerschaltung über den Eingangsanschluß erhöht.

Wird, um dies zu verhindern, der das Gate entladende Strom durch einen Widerstand begrenzt, so vergrößert sich die Schaltzeit des Halbleiterbauelementes.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der beschriebenen Art so weiterzubilden, daß kurze Schaltzeiten erreicht werden und gleichzeitig bei ansprechender Strombegrenzung die Stromaufnahme der Ansteuerschaltung nicht ansteigt.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß zur ersten Quellenschaltung über einen Schalter eine zur ersten Quellenschaltung unabhängige zweite Quellenschaltung hinzuschaltbar ist, wobei der Schalter ebenfalls von den Mitteln derart ansteuerbar ist, daß er beim Überschreiten eines vorgegebenen Stroms öffnet.

Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung wird schaltungs-technisch besonders einfach, wenn als Quellenschaltungen Stromquellenschaltungen verwendet werden, die bei geschlossenem Schalter parallel geschaltet sind und sich die Ströme der Stromquellenschaltungen somit addieren.

Um die Funktionssicherheit der Ansteuerschaltung zu erhöhen, wird der Schalter nicht direkt, sondern über einen Inverter angesteuert. Der Inverter wandelt das analoge Schaltsignal für den Schalter in ein Signal mit nahezu nur zwei möglichen Zuständen (High und Low). Der Schalter, der vorteilhaft als MOSFET ausgebildet wird, sperrt somit vollkommen oder schaltet ganz durch.

Der Inverter ist in CMOS-Technik aufgebaut und besitzt daher eine geringe Leistungsaufnahme.

Da die Stromversorgung der Ansteuerschaltung ausschließlich über ihren Eingangsanschluß erfolgt, muß keine externe Betriebsspannung zur Verfügung gestellt werden.

Da die Stromspiegel zur Bereitstellung des Stroms für den Inverter und die der Stromquellenschaltungen zu einer Strombank zusammengefaßt sind, können Transistoren eingespart werden. Mit Ausnahme der zwei Bipolartransistoren sind alle Transistoren MOSFETs, so daß die Ansteuerschaltung vorzugsweise in integrierter Technik hergestellt wird.

Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Fig. 1 und 2 näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 ein Prinzipschaltbild der Erfindung und

Fig. 2 ein Ausführungsbeispiel.

Die Schaltungsanordnung nach Fig. 1 enthält ein Feldeffekt gesteuertes Halbleiterbauelement 8, das hier ein Leistungs-MOSFET ist. Sein Drainanschluß ist mit D, sein Sourceanschluß mit S und sein Gateanschluß mit G bezeichnet. Durch den Leistungs-MOSFET fließt ein Laststrom IL. Zwischen dem Sourceanschluß und Masse (GND) liegt ein Meßwiderstand 9. Der Sourceanschluß ist mit Mitteln 6 verbunden, die einen Teil des Laststroms IL, der dem Laststrom IL proportional ist, erfassen.

Zwischen dem Gateanschluß und dem Eingangsanschluß 1 der Schaltungsanordnung liegt eine Parallelschaltung aus einer Stromquellenschaltung 2 und einer mit einem Schalter 4 in Serie geschalteten Stromquellenschaltung 3. Die Stromquellenschaltung 2 ist unabhängig von der Stromquellenschaltung 3. Der Steuerkontakt des Schalters 4 ist mit einem ersten Ausgang der Mittel 6 verbunden. Zwischen dem Gateanschluß und Masse befindet sich ein steuerbarer Widerstand 5, dessen Steuereingang mit einem weiteren Ausgang der Mittel 6 verbunden ist.

Liegt der Laststrom IL unterhalb einer Schwelle, die durch die Dimensionierung des Meßwiderstandes 9 und der Dimensionierung der Mittel 6 bestimmt wird, so ist der Schalter 4 geschlossen und der Transistor 5 sperrt. Es steht genügend Strom für eine kurze Schaltzeit des Leistungs-MOSFET 8 zur Verfügung. Beim Überschreiten dieser Schwelle wird der Schalter 4 durch die Mittel 6 geöffnet und der Transistor 5 durch die Mittel 6 eingeschaltet. Damit wird der Ladestrom zum Gateanschluß des Leistungs-MOSFET 8 reduziert. Der Eingangsstrom am Eingangsanschluß 1 wird dann nur noch durch die Quellenschaltung 2 bestimmt. Die Stromaufnahme der Ansteuerschaltung wird nicht erhöht.

Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 finden sich der Leistungs-MOSFET 8, der Meßwiderstand 9 und der Transistor 5 wieder. Die Stromquellenschaltung 2 besteht hier aus einem Stromspiegel aus Transistoren 10 und 13, die Stromquellenschaltung 3 besteht aus einem Stromspiegel aus Transistoren 10 und 12. Beide Stromspiegel spiegeln den Referenzstrom einer Stromquelle IQ1 die sich zwischen Masse und dem Drainanschluß des Transistors 10 befindet.

Der Schalter 4 besteht hier aus einem MOSFET 16. Das Gate des MOSFET 16 liegt am Ausgang eines Inverters, der aus einem p-Kanal MOSFET 17 und einem n-Kanal MOSFET 18 besteht. Die Drainanschlüsse der FETs 17 und 18 sind miteinander verbunden und bilden den Ausgang des Inverters. FET 17 liegt mit seinem Sourceanschluß am Eingangsanschluß 1. Der Sourceanschluß von FET 18 liegt auf Masse. Die beiden zusammengeschalteten Gateanschlüsse der FETs 17 und 18 bilden den Eingang des Inverters. Der Eingang ist zum einen mit dem Drainanschluß des Transistors 11 verbunden, der mit dem Transistor 10 einen Stromspiegel bildet, zum anderen mit dem Drainanschluß eines Transistors 19. Der Sourceanschluß des Transistors 19 liegt auf Masse. Der Gateanschluß ist mit dem Gateanschluß des Transistors 5 verbunden. Die Sourceanschlüsse der Transistoren 10 bis 15 sind mit dem Eingangsanschluß 1 verbunden.

Beim Anlegen einer Spannung an den Eingangsanschluß 1 ist, solange der Laststrom IL unterhalb der vorgegebenen Strombegrenzungsschwelle liegt, der MOSFET 16 leitend und der Transistor 5 sperrt. Damit steht über die Transistoren 12 und 13 genügend Strom am Gateanschluß des Leistungs-MOSFET 8 zur Verfügung, und er schaltet schnell.

Die Transistoren 14 und 15 liefern die betragsgleichen Ströme I14 und I15. Der npn-Transistor 21 hat eine größere Emitterfläche als der npn-Transistor 22. Damit der Kollektorstrom von Transistor 21 dem Betrage nach gleich dem Kollektorstrom des Transistors 22 ist, muß die Basis-Emitterspannung des npn-Transistors 21 kleiner als die des npn-Transistors 22 sein. Steigt der Laststrom IL nun an, so wird der Spannungsabfall am Meßwiderstand 9 größer und die Basis-Emitterspannung an dem npn-Transistor 21 sinkt. Damit wird sein Kollektorstrom kleiner. Der Anteil des Stroms I14, der nicht über den npn-Transistor 21 fließt, wird über den Stromspiegel aus den Transistoren 5 und 20 verstärkt, und das Gate des Leistungs-MOSFET 8 wird entladen. Der Laststrom IL wird begrenzt. Über den Transistor 5 würde nun auch ein größerer Strom I5 gegen Masse abfließen und somit den Eingangsstrom am Eingangsanschluß 1 erhöhen. Dies wird dadurch verhindert, daß der Transistor 19 durchschaltet, sobald Transistor 5 leitend wird. Der Eingang des Inverters geht auf Masse (Schaltzustand Low) und damit der Ausgang auf ein Potential, so daß der MOSFET 16 sperrt. Der Strom I12 trägt nun keinen Anteil mehr am Eingangsstrom am Eingangsanschluß 1.


Anspruch[de]
  1. 1. Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines einen Laststrom IL führenden, Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes, insbesondere eines Feldeffekt gesteuerten Leistungs-Halbleiterbauelementes, mit einer ersten Quellenschaltung (2), die mit dem Steuereingang des Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes verbunden ist und mit einem steuerbaren Widerstand, der zu dem Steuereingang des Feldeffekt gesteuerten Halbleiterbauelementes parallel geschaltet ist und mit Mitteln (6) steuerbar ist, die einen Teil des Laststroms IL, der dem Laststrom IL proportional ist, erfassen, dadurch gekennzeichnet, daß zur ersten Quellenschaltung (2) über einen Schalter (4) eine zur ersten Quellenschaltung (2) unabhängige zweite Quellenschaltung (3) hinzuschaltbar ist, wobei der Schalter (4) ebenfalls von den Mitteln (6) derart ansteuerbar ist, daß er beim Überschreiten eines vorgegebenen Stroms öffnet.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Quellenschaltungen Stromquellenschaltungen (2, 3) vorgesehen sind und daß die erste Stromquellenschaltung (2) und die zweite Stromquellenschaltung (3) im geschlossenen Zustand des Schalters (4) parallel geschaltet sind.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (4) und die Mittel (6) die das Schaltsignal für die Ansteuerung des Schalters (4) liefern, aus einem Schalter, der im Ruhezustand geschlossen ist, am Ausgang eines Inverters bestehen.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromversorgung der Ansteuerschaltung ausschließlich über ihren Eingangsanschluß (1) erfolgt.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingang des Inverters über einen Stromspiegel bestehend aus Transistoren (10) und (11) am Eingangsanschluß (1) und über einen Transistor (19) an Masse liegt.
  6. 6. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus einem p-Kanal MOSFET und einem n-Kanal MOSFET, die gateseitig und drainseitig miteinander verbunden sind, besteht und die Gateseite den Eingang und die Drainseite den Ausgang des Inverters bilden.
  7. 7. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter (4) ein MOSFET ist.
  8. 8. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (10) mit einem Transistor (12) einen Stromspiegel und mit einem Transistor (13) einen weiteren Stromspiegel bildet und die beiden Stromspiegel die Stromquellenschaltungen (2) und (3) bilden.
  9. 9. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquellenschaltungen (2) und (3) aus MOSFETs bestehen.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com