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Dokumentenidentifikation DE69323101T2 02.06.1999
EP-Veröffentlichungsnummer 0556744
Titel Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter im Fernsprechwesen
Anmelder STMicroelectronics S.r.l., Agrate Brianza, Mailand/Milano, IT
Erfinder Andreini, Antonio, I-20148 Milano, IT;
Consiglio, Pietro, I-20100 Milano, IT;
Erratico, Pietro, I-20133 Milano, IT;
Ravanelli, Enrico Maria Alfonso, I-20052 Monza, IT
Vertreter Eisenführ, Speiser & Partner, 20095 Hamburg
DE-Aktenzeichen 69323101
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument En
EP-Anmeldetag 12.02.1993
EP-Aktenzeichen 931022404
EP-Offenlegungsdatum 25.08.1993
EP date of grant 20.01.1999
Veröffentlichungstag im Patentblatt 02.06.1999
IPC-Hauptklasse H04M 1/74
IPC-Nebenklasse H04M 1/08   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik.

Wie bekannt ist, wird in Telefonen ein Schalter, technisch als "Gabel" bezeichnet, verwendet, um das Telefon selbst mit der Telefonleitung zu verbinden, wenn das Handstück abgehoben wird. Diese Gabel trägt, wenn aktiviert, einen Leitungsstrom, welcher in einigen Fällen einen Wert von 120 Milliampere erreicht.

Traditionell enthält die Gabel in elektromechanischen Vorrichtungen tatsächlich einen mechanischen Schalter, wie im folgenden besser erklärt werden wird. In letzter Zeit wurden die mechanischen Schalter vollständig oder teilweise durch elektronische Schalter ersetzt, wie etwa bipolare Transistoren oder MOSFET- Transistoren, aufgrund sowohl ihrer niedrigeren Kosten als auch ihrer höheren Zuverlässigkeit, welche das Ergebnis der Eliminierung von Problemen sind, die zu der Oxidation der Kontakte des Schalters aufgrund von Funkenbildung und anderen kleineren Problemen in Beziehung standen.

Um diese elektronischen Schalter jedoch anzutreiben, ist es immer noch notwendig, einen mechanischen oder magnetischen Schalter zu verwenden, um das Abheben des Handstückes von seinem normalen aufgelegten Zustand zu erfassen.

In diesem Fall erhält man die Vereinfachung des mechanischen Schalters des Typs mit einfachem Kontakt, sowie die Reduzierung der Ströme, die durch den Schalter selbst fließen, die auf eine Größe von einigen wenigen Mikroampere abgeschätzt werden können.

Die Spannung, die in jedem Fall über diesen Schaltern anliegt, wenn der Schalter offen ist, ist gleich der Spannung, die auf der Telefonleitung liegt. In einigen Fällen kann diese Leitungsspannung einige 100 Volt betragen, bspw. in dem Fall eines Anrufes als Signal für die Klingel oder während Tests, die auf den Telefonleitungen ausgeführt werden, und sie ist nur durch den Wert beschränkt, der durch den Schaltkreis gesetzt wird, welcher gegen atmosphärische Entladungen, d. h. Blitze schützt.

Bei dem Vorhandensein derartiger hoher Spannungswerte ist es normalerweise notwendig, Vorsichtsmaßnahmen zu treffen, da die Feuchtigkeit der Luft das falsche Schließen aufgrund einer erheblichen Reduzierung der Isolation verursachen kann, und somit eine falsche Erfassung des Geschlossenseins erzeugen kann, die widerum ein damit verbundenes Schließen des elektronischen Leitungsschalters verursacht.

Aus der DE-A-36 23 017 ist eine Vorrichtung bekannt, die ausgelegt ist, um einen Abhebe-/Auflegeschalter eines Telefons anzutreiben. Ein Transistor ist vorgesehen, um das Schließen der Schleife zu ermöglichen; der Transistor wird durch ein Signal mit niedrigem Widerstand angeregt, welches bei dem Abheben des Telefonhandstücks zur Verfügung gestellt wird. Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, die oben beschriebenen Probleme zu eliminieren oder erheblich zu reduzieren, in dem eine Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Telefontechnik vorgesehen wird, wobei die Vorrichtung die Spannung über den mechanischen Schaltern, die in elektronischen Anlagen vorhanden sind, begrenzt, um falsche Schließsignale zu eliminieren.

Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein begrenzendes Gerät vorzusehen, welches die Verwendung von Nieder-Spannungs-/Strom-Schaltern ermöglicht.

Noch ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein begrenzendes Gerät zur Verfügung zu stellen, welches sehr zuverlässig ist, relativ einfach herzustellen ist, und konkurrenzfähige Kosten aufweist.

Die erwähnten Ziele und andere, die im folgenden klar werden, werden durch eine Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik gemäß Anspruch 1 erreicht.

Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden aus der Beschreibung einiger bevorzugter aber nicht ausschließlicher Ausführungsformen einer Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik gemäß der Erfindung klar, welche nur im Wege eines nicht beschränkenden Beispiels in den begleitenden Zeichnungen illustriert sind.

Fig. 1a ist ein bekanntes Schaltkreisdiagramm eines elektromechanischen Schaltkreises mit einem mechanischen Verbindungsschalter für die Fernsprechtechnik;

die Fig. 1b ist ein bekanntes Schaltkreisdiagramm eines Schaltkreises mit einem elektronischen Verbindungsschalter für die Fernsprechtechnik;

Fig. 2 ist ein Schaltkreisdiagramm einer ersten Ausführungsform einer Begrenzungsvorrichtung gemäß der Erfindung;

Fig. 3 ist ein Schaltkreisdiagramm einer zweiten Ausführungsform einer Begrenzungsvorrichtung gemäß der Erfindung; und

Fig. 4 ist ein Querschnitt von vorne eines Abschnittes eines MOSFET-Verarmungstransistors.

Ein mechanischer Schalter 1 gemäß den Fig. 1a und 1b wurde herkömmlicherweise für die Gabel eines Telefons verwendet; dieser Schalter wählte alternativ die Verbindung zwischen den Anschlüssen 2 und 3 einer Telefonleitung oder den Anschlüssen 4 und 5 einer Sprechschaltung oder zu einer Klingel 6. Wie in der Fig. 1b dargestellt ist, ist die Telefonleitung unter Verwendung elektronischer Schalter gekoppelt mit einfachen mechanischen Schaltern, an den Anschlüssen 2 und 3 mit einem "Start"-Schaltkreis 60 verbunden, mittels eines einfachen Schalters 7, welcher durch einen einfachen Schalter 9, welcher mit einem Kontrollschaltkreis 8 kooperiert, die Verbindung der Sprechschaltung an den Anschlüssen 4 und 5 ermöglicht.

Gemäß Fig. 2 enthält eine Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung Anschlüsse 20 und 21 zum Verbinden einer Telefonleitung, und Anschlüsse 22 und 23 zum Verbinden einer Sprechschaltung.

Ein Verbindungs- und Energiezuführzweig für einen Kontrollschaltkreis 24 erstreckt sich von einem ersten Anschluß 21, und weist einen ersten Schalter 25 auf. Der Kathodenanschluß einer ersten Zenerdiode 26 und der Sourceanschluß eines ersten MOSFET-Transistors 27 sind mit dem Ausgangsanschluß des ersten Schalters 25 verbunden. Der Gateanschluß des ersten MOSFET-Transistors ist durch den Anodenanschluß der ersten Zenerdiode 26 mit dem ersten Anschluß 21 verbunden. Es sind Mittel vorgesehen zum Anpassen des durch die Vorrichtung verbrauchten Stromes, wie im folgenden klar werden wird.

Der erste MOSFET-Transistor 27 ist ein Verarmungstransistor, welcher technisch als "Verarmungs-MOSFET" bezeichnet wird. Es werden im folgenden die gleichen Bezugszeichen für identische Komponenten verwendet.

In der ersten in der Fig. 2 dargestellten Ausführungsform enthalten die Mittel zum Anpassen des verbrauchten Stromes einen ersten Widerstand 28, welcher in Serie mit dem Drainanschluß des ersten Transistors 27 gekoppelt ist und einen zweiten Widerstand 29, welcher in Serie mit dem ersten Widerstand 28 gekoppelt ist und mit einem zweiten Anschluß 20 der Telefonleitung verbunden ist.

Der Anodenanschluß einer zweiten Zenerdiode 30 ist verbunden mit dem ersten Widerstand 28 und dem zweiten Widerstand 29, und der Kathodenanschluß der Zenerdiode 30 ist mit dem zweiten Anschluß 20 der Telefonleitung verbunden.

Der Gateanschluß eines zweiten MOSFET-Transistors 31 ist mit dem Anodenanschluß der zweiten Zenerdiode 30 verbunden und ein Anschluß des Kontrollschaltkreises 24 ist mit dem Drainanschluß des zweiten MOSFET-Transistors verbunden. Der Kontrollschaltkreis 24 kontrolliert einen zweiten Schalter 32, welcher einen angemessenen verbundenen Transistor enthält.

Der erste Schalter 25, welcher mechanisch ist, ist - wenn geöffnet - ausgelegt für eine Arbeitsspannung, die durch die erste Zenerdiode 26 vorgegeben wird, und es kann kein Strom in den ersten Transistor 27 fließen, so daß der zweite Transistor 31 ausgeschaltet ist. Diese Situation ist optimal, da im aufgelegten Zustand keine Absorption tolerierbar ist.

Der Wert der ersten Zenerdiode 26 muß derart sein, um den Aus-Zustand des ersten Transistors 27 sicherzustellen.

Wenn der erste Schalter 25 geschlossen ist, d. h. wenn das Handstück abgehoben ist, d. h. in dem abgehobenen Zustand, beginnt der erste Transistor 27 zu leiten, und verursacht einen Abfall in der Spannung über dem zweiten Widerstand 29 und daher das Leiten des zweiten Transistors 31. Diese Situation - einmal durch die Kontrollschaltung 24 prozessiert, verursacht das Leiten des zweiten Schalters 32, welcher - wie zuvor erwähnt - einen Transistor enthält.

Der Wert des durch die Telefonleitung verbrauchten Stromes wird hauptsächlich durch die Spannung bestimmt, die an die Leitung angelegt wird, und durch den Wert der Summe der Widerstände des ersten Widerstands 28 und des zweiten Widerstands 29, im Anfangszustand, und anschließend im Gleichgewichtszustand durch den Wert des Widerstands des ersten Widerstands 28 alleine. Der Strom ist praktisch nicht begrenzt durch den zweiten Transistor 31, außer durch den Wert des Spannungsabfalls über dem zweiten Widerstand 29 und durch die konstruktiven Eigenschaften des zweiten Transistors 31. Aus praktischer Sicht agiert der zweite Transistor 31 als ein Schalter.

In einer zweiten Ausführungsform kann der zweite Transistor 31, welcher zwischen den Anschlüssen A, B und C der Schaltung der Fig. 2 angeordnet ist, durch einen ersten bipolaren PNP-Transistor 33 ersetzt werden, ohne die oben beschriebenen Funktionen der Schaltung zu verändern.

In einer dritten Ausführungsform gemäß Fig. 3 ist ein dritter Widerstand 34 in Serie mit dem Sourceanschluß des ersten Transistors 27 und dem Kathodenanschluß der ersten Zenerdiode 26 geschaltet, und ist mit dem ersten Schalter 25 verbunden. In dieser Situation ist es möglich, den ersten Widerstand 28 und den zweiten Widerstand 29 zu eliminieren, diese vorteilhafterweise mit einem dritten MOSFET-Transistor 35 zu ersetzen, wobei der Drainanschluß mit dem Drainanschluß des ersten Transistors 27 verbunden wird, der Source-Anschluß mit dem zweiten Anschluß der Telefonleitung verbunden wird, und der Gateanschluß mit dem Drainanschluß und dem Gateanschluß des zweiten Transistors 31 verbunden wird.

In diesem Fall, fließt der Strom, welcher in dem ersten Transistor 27 fließt, welcher eine Funktion der Threshold-Spannung des ersten Transistors und des Widerstands des dritten Widerstands 34 ist, auch in dem zweiten Transistor 31 und in dem dritten Transistor 35, und erreicht - außer für mögliche unterschiedliche Flächenverhältnisse unter den Transistoren, einen im wesentlichen konstanten Stromverbrauch, d. h. einen verbrauchten Energielevel, der Telefonleitung für jeden Wert der an den Anschlüssen 20 und 21 vorhandenen Spannung.

Ohne den Verlust der Allgemeinheit kann der zweite MOSFET-Transistor 31 an den Anschlüssen A, B und C durch den erten bipolaren PNP-Transistor 33 ersetzt werden, während der dritte MOSFET-Transistor 35 an den Anschlüssen D, E und F durch den zweiten bipolaren PNP-Transistor 36 ersetzt werden kann, während die oben beschriebenen Funktionen aufrechterhalten werden.

Insbesondere kann der erste MOSFET-Transistor 27 derart hergestellt, daß er mit den anderen, oben beschriebenen Komponenten integriert wird, bspw. durch den Multipower BCD250-Prozeß, der ihn von einem lateralen Leistungs-MOSFET- Transistor ableitet, technisch als "LDMOS" bezeichnet, bei dem die Dotierung mit einem Dotierstoff, vorzugsweise Arsen, vor der Gateoxidation in einer angemessenen Dosis ausgeführt wird, um eine negative Threshold-Kontrolle des Transistors 27 zur Verfügung zu stellen.

Gemäß Fig. 4 ist die Dotierung in der Standardstruktur des LDMOS durch das Bezugszeichen 38 bezeichnet. Genaue Kontrolle der Dosis der Dotierung, die normalerweise durch Implantation ausgeführt wird, und der Diffusion in dem Körper des Elementes ist notwendig, um negative Threshold-Spannungen in dem Bereich einiger weniger Volt zu erzielen, ohne die Durchbruchsspannung des ersten Transistors 27 zu beeinträchtigen.

Die Treshold-Spannung des ersten Transistors 27 muß absolut gesehen kleiner sein als die Zenerspannung der ersten Diode 26, um einen richtige Funktion der zuvor mit Bezug auf die Fig. 2 und 3 beschriebenen Schaltkreise sicherzustellen. Insbesondere wurde die sogenannte "P-Damm"-Diffusion 40 des BCD250-Prozesses als Diffusion gewählt. Diese Diffusion wird vor der Ablagerung einer Schicht 39 aus Polysilizium hergestellt, welche den Gateanschluß des ersten Transistors 27 bildet.

Der erste Transistor 27 weist daher eine Körperdiffusion 40 auf, die nicht selbst ausgerichtet mit der Schicht 39 des Gateanschlusses ist. Diese Diffusion, die sich von der herkömmlichen Diffusion von Transistoren, die mit dem BCD250-Prozeß hergestellt wurden, unterscheidet, niedrige Arsendotierdosen, um niedrige Thresholdwerte zu kontrollieren. Dies führt zu besonders hohen Durchbruchsspannungen des Transistors, sogar für negative Thresholdwerte in dem Bereich einiger weniger Volt.

Praktische Tests haben gezeigt, daß die Erfindung das angestrebte Ziel und die Aufgaben unabhängig von der über den Anschlüssen 20 und 21 der Telefonleitung liegenden Spannung erreicht, wobei sie die verbrauchte Energie praktisch konstant hält, und wobei darüber hinaus ein richtiger Betrieb bei einem Vorhandensein jeglicher Vorspannung auf der Telefonleitung möglich ist.

Wenn technische Eigenschaften, die in einem Anspruch erwähnt sind, von Bezugs zeichen gefolgt sind, wurden diese Bezugszeichen für den einzigen Zweck des Erhöhens der Lesbarkeit der Ansprüche eingefügt, und daher haben derartige Bezugszeichen keinen beschränkenden Effekt des Bereichs jedes Elementes, welches beispielhaft durch derartige Bezugszeichen bezeichnet ist.


Anspruch[de]

1. Vorrichtung zum Beschränken der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik, mit ersten und zweiten Anschlüssen (20, 21) zum Anschließen an eine Telefonleitung, dritten und vierten Anschlüssen (22, 23) zum Anschließen an eine Sprechschaltung, einem ersten mechanischen Schalter (25), welcher angepaßt ist, um eine aufgelegt- oder abgenommen-Bedingung eines Handapparates zu reflektieren, und welcher zwischen den Anschlüssen (20, 21) angeschlossen ist, wobei die Vorrichtung weiterhin einen elektronischen Schalter (32) enthält, welcher zwischen den ersten und dritten Anschlüssen (20, 22) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kathodenanschluß einer ersten Zenerdiode (26) und ein Source-Anschluß eines ersten MOSFET-Transistors (27) mit einem Ausgangsanschluß des ersten Schalters (25) verbunden sind, ein Gateanschluß des ersten MOSFET-Transistors (27) durch einen Anodenanschluß der Zeherdiode (26) mit einem ersten Anschluß (21) verbunden ist, und dadurch, daß ein zweiter Transistor (31) mit seinen Anschlüssen mit dem ersten Anschluß (20) bzw. mit einer Steuerschaltung (24) verbunden ist, wobei die Steuerschaltung ausgelegt ist, um den elektronischen Schalter (32) zu steuern, Begrenzungsmittel (28, 29, 30; 35, 36) für den aufgenommenen Strom, welche zwischen dem Grundsteueranschluß des zweiten Transistors (31) und dem Drainanschluß des ersten MOSFET- Transistors (27) und zwischen dem Grundsteueranschluß des zweiten Transistors (31) und dem ersten Anschluß (20) angeschlossen sind.

2. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor (31) ein MOSFET-Transistor ist, wobei die Drain- und Source-Anschlüsse desselben mit dem ersten bzw. dem zweiten Anschluß (21, 20) verbunden sind, wobei der Gateanschluß desselben mit den Begrenzungsmitteln (28, 29, 30; 35, 36) für den aufgenommenen Strom verbunden ist.

3. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor (31) ein bipolarer Transistor ist, daß die Kollektor- und Emitteranschlüsse desselben mit dem ersten Anschluß (21) bzw. der Steuerschaltung (24) verbunden sind, wobei der Basisanschluß desselben mit den Begrenzungsmitteln (28, 29, 30; 35, 36) für den aufgenommenen Strom verbunden ist.

4. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsmittel für den aufgenommenen Strom einen ersten Widerstand (28) enthalten, welcher mit dem Drainanschluß und dem ersten Transistor (27) in Serie geschaltet ist und einen zweiten Widerstand (29) enthalten, welcher mit dem ersten Widerstand (28) in Serie geschaltet ist, und welcher mit einem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist, wobei der Anodenanschluß einer zweiten Zenerdiode (30) zwischen dem ersten Widerstand (28) und dem zweiten Widerstand (29) angeschlossen ist, wobei der Kathodenanschluß der zweiten Zenerdiode (30) mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist, wobei der Gateanschluß eines zweiten MOSFET- Transistors (31) mit dem Anodenanschluß verbunden ist, wobei ein Anschluß der Steuerschaltung (24) mit dem Drainanschluß des zweiten MOSFET-Transistors (31) verbunden ist, wobei der Source-Anschluß des zweiten MOSFET-Transistors (31) mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist.

5. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsmittel für den aufgenommenen Strom einen ersten Widerstand (28) enthalten, welcher mit dem Drainanschluß des ersten Transistors (27) in Serie geschaltet ist, und einen zweiten Widerstand (25) enthalten, welcher in Serie mit dem ersten Widerstand (28) geschaltet ist, und welcher mit einem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist, wobei der Anodenanschluß einer zweiten Zenerdiode (30) zwischen dem ersten Widerstand (28) und dem zweiten Widerstand (29) angeschlossen ist, wobei der Kathodenanschluß der zweiten Zenerdiode (30) mit dem zweiten Anschluß der Telefonleitung verbunden ist, wobei der Basisanschluß eines ersten bipolaren Transistors (33) mit dem Anodenanschluß verbunden ist, wobei ein Anschluß der Steuerschaltung (24) mit dem Kollektoranschluß des ersten bipolaren Transistors (33) verbunden ist, wobei der Emitteranschluß des ersten bipolaren Transistors (33) mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist.

6. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsmittel für den aufgenommenen Strom einen dritten MOSFET-Transistor (35) enthalten, wobei der Drainanschluß mit dem Drainanschluß des ersten MOSFET-Transistors (27) verbunden ist, wobei der Source-Anschluß mit dem zweiten Anschluß der Telefonleitung verbunden ist, und die Gate- und Drainanschlüsse mit dem Gateanschluß eines zweiten MOSFET- Transistors (31) verbunden sind, wobei der Drainanschluß mit der Steuerschaltung (24) verbunden ist, und wobei der Sourceanschluß mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist.

7. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungsmittel für den aufgenommenen Strom einen zweiten bipolaren Transistor (36) enthalten, wobei der Kollektoranschluß mit dem Drainanschluß des ersten MOSFET-Transistors (27) verbunden ist, wobei der Emitteranschluß mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist, und wobei die Basis- und Kollektoranschlüsse mit dem Basisanschluß des ersten bipolaren Transistor (33) verbunden sind, wobei der Kollektoranschluß mit der Steuerschaltung (24) verbunden ist, und wobei der Emitteranschluß mit dem zweiten Anschluß (20) der Telefonleitung verbunden ist.

8. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Widerstand (34) zwischen dem Kathodenanschluß der Zenerdiode (26) und dem Ausgangsanschluß des ersten Schalters (25) angeschlossen ist.

9. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste MOSFET-Transistor (27) ein Verarmungstransistor ist.

10. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste MOSFET-Transistor (27) mit dem Multipower-BCD250-Verfahren hergestellt ist, in welchem vor der Gateoxidation eine Dotierung mit einem N-Typ-Dotiermittel (38) ausgeführt wird, um eine negative Theshold-Steuerung des Transistors (27) zur Verfügung zu stellen.

11. Vorrichtung zum Begrenzen der Arbeitsspannung für mechanische Schalter in der Fernsprechtechnik nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste MOSFET-Transistor (27) ein Verarmungstransistor ist, welcher in der Lage ist zu arbeiten, ohne seine maximale Arbeitsspannung zu beeinträchtigen.







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