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Dokumentenidentifikation DE19812199C1 04.11.1999
Titel Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und eine mindestens zwei Halbleiterelemente umfassende Halbleiteranordnung
Anmelder Siemens AG, 80333 München, DE
Erfinder Lell, Alfred, Dipl.-Phys., 93142 Maxhütte-Haidhof, DE
DE-Anmeldedatum 19.03.1998
DE-Aktenzeichen 19812199
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 04.11.1999
Veröffentlichungstag im Patentblatt 04.11.1999
IPC-Hauptklasse H01L 21/764
Zusammenfassung Bei einem Verfahren zur Herstellung einer mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfassenden Halbleiteranordnung werden auf einem Halbleitersubstrat (1) an dessen Oberseite zumindest zwei unterschiedlich dotierte Oberflächenbereiche (2, 3) ausgebildet. Nachfolgend wird auf jedem der Oberflächenbereiche eine aus mehreren Schichten (4, 5, 6, 7) bestehende aktive Schichtstruktur (9; 10) aufgebaut, wobei jede Schichtstruktur einem der Halbleiterbauelemente (12; 13) zugeordnet ist. Die jeweils substratseitig untersten elektrisch leitfähigen Schichten (4) der aktiven Schichtstrukturen sind elektrisch voneinander getrennt.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfassenden Halbleiteranordnung sowie eine derartige Halbleiteranordnung.

Es ist bereits bekannt, Halbleiterbauelemente wie beispielsweise Optohalbleiterbauelemente durch epitaktisches Aufwachsen einer Schichtstruktur auf einem n- oder p-dotierten Halbleitersubstrat herzustellen. Dabei werden auf dem Halbleitersubstrat (Wafer) mehrere Einzelbauelemente mit gleicher Schichtstruktur aufgebaut und nachfolgend durch Auseinandersägen des Substrats in einzelne Bauteilchips getrennt. Eine aus mehreren Bauelementen aufgebaute Halbleiteranordnung (beispielsweise eine optoelektronische Sende- und Empfangsanordnung) wird dann durch eine Montage der entsprechenden Bauteilchips realisiert.

Ferner ist es bereits bekannt, im Rahmen von CMOS-Prozessen lokal n- oder p-dotierte Oberflächenbereiche auf einem Halbleitersubstrat aufzubringen. Diese lokale oder bereichsweise Dotierung des Halbleitersubstrats wird durch Ionenimplantation oder thermische Dotierung erreicht, wobei die zu dotierenden lokalen Bereiche - beispielsweise die Source/Drain- Bereiche eines MOSFETs - mittels einer zuvor aufgebrachten Maske festgelegt werden.

Die Patentschrift US 4 614 958 beschreibt ein optoelektronisches Bauelement, das einen Lichtsender und einen Lichtempfänger aufweist, die auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat aufgebaut sind. Die jeweils substratseitig unterste elektrisch leitfähige Schicht des Lichtsenders und des Lichtempfängers stehen über das Substrat elektrisch miteinander in Verbindung.

Weitere Bauelementstrukturen, die zwei oder mehr über ein gemeinsames Halbleitersubstrat elektrisch miteinander verbundene Halbleiterbauelemente umfassen, sind in der internationalen Patentanmeldung WO 91-18421 A1 und in der deutschen Patentanmeldung DE 42 05 324 A1 beschrieben.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, das es ermöglicht, mit geringem Aufwand eine mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfassende Halbleiteranordnungen herzustellen. Ferner zielt die Erfindung darauf ab, eine aus zumindest zwei Halbleiterbauelementen aufgebaute kostengünstig herstellbare Halbleiteranordnung zu schaffen.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 12 gelöst.

Durch die Ausbildung der zwei unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche an der Oberseite des Halbleitersubstrats wird erreicht, daß die beiden aktiven Schichtstrukturen, von denen jeweils eine auf einem der dotierten Oberflächenbereiche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, aufgrund der unterschiedlichen Dotierung dieser Oberflächenbereiche nicht über das Halbleitersubstrat elektrisch kurzgeschlossen sind. Dies ermöglicht es, die beiden Schichtstrukturen getrennt elektrisch anzusteuern und somit auf ein und demselben Halbleitersubstrat unabhängig voneinander betreibbare Halbleiterbauelemente auszubilden.

Durch die erfindungsgemäß geschaffene elektrische Entkopplung der Halbleiterbauelemente lassen sich in einfacher Weise auch integrierte Halbleiteranordnungen mit wesentlich mehr als zwei Halbleiterbauelementen aufbauen. Das bisher erforderliche Zersägen des Halbleitersubstrats zur Vereinzelung der Halbleiterbauelemente und der nachfolgende Montageschritt, in dem die einzelnen Halbleiterbauelemente zu der gewünschten Halbleiteranordnung aus mehreren Bauelementen zusammengesetzt werden, kann somit entfallen.

Der hier verwendete Begriff "Halbleiterbauelement" ist in einem weiten Sinne zu verstehen. Er umfaßt sämtliche einzelfunktionsfähige Halbleiterstrukturen wie beispielsweise Laserdioden, Empfangsdioden usw.

Die Ausbildung der unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche an der Oberseite des Halbleitersubstrats kann auf verschiedene Weise erfolgen. Nach einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Halbleitersubstrat zunächst vollständig n- oder p-dotiert und die Ausbildung der unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche erfolgt über das Aufbringen einer Epitaxieschicht auf die Oberseite des Halbleitersubstrats, durch gleichzeitiges oder nachfolgendes Dotieren der Epitaxieschicht mit einer der Dotierung des Halbleitersubstrats entgegengesetzten p- oder n-Dotierung und durch bereichsweises Abtragen der entgegengesetzt dotierten Epitaxieschicht. Die Dotierung der Epitaxieschicht kann dabei vorzugsweise durch Diffusion von Dotieratomen aus der Gasphase oder aus einer zuvor abgeschiedenen Dotierschicht oder durch eine thermische Dotierung bei der Schichtabscheidung erfolgen. Der bezüglich der Substratdotierung entgegengesetzt dotierte Oberflächenbereich wird in diesem Fall von der Oberfläche der zusätzlich aufgebrachten Epitaxieschicht gebildet.

Eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens kennzeichnet sich dadurch, daß die Ausbildung der zumindest zwei unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche durch eine Umdotierung eines der Oberflächenbereiche geschaffen wird. Diese Ausführungsform umfaßt das Abscheiden einer Maskenschicht auf der Substratoberseite, das lithographische Strukturieren der Maskenschicht, derart, daß einer der auszubildenden Oberflächenbereiche von der Maskenschicht abgedeckt bleibt und der andere auszubildende Oberflächenbereich freiliegt, das Umdotieren des freiliegenden Oberflächenbereichs auf eine der Dotierung des Halbleitersubstrats entgegengesetzte p- oder n-Dotierung oder auf eine nichtleitende Dotierung und das Entfernen der Maskenschicht.

Der Schritt des Umdotierens wird dabei vorzugsweise durch Diffusion eines Dotierstoffes in den freiliegenden Oberflächenbereich des Halbleitersubstrats durchgeführt. Wird beim Umdotieren ein entgegengesetzt zur n- oder p-Dotierung des Halbleitersubstrats p- oder n-dotierter Oberflächenbereich geschaffen, können beispielsweise As- oder P-haltige Dotiergase zum Einsatz kommen. Für die Herstellung eines nichtleitend dotierten Oberflächenbereichs kann H2 als Dotierstoff eingesetzt werden.

Die zweite Ausführungsform weist den Vorteil auf, daß keine zusätzliche Epitaxieschicht auf der Substratoberseite abgeschieden werden muß, sondern der entgegengesetzt dotierte Oberflächenbereich bzw. der nichtleitend dotierte Oberflächenbereich unmittelbar auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt wird.

Grundsätzlich können die beiden Schichtstrukturen durch Anwendung photolithographischer Strukturierungsverfahren und Ätztechniken verschieden aufgebaut sein. Nach einer bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung werden die beiden Schichtstrukturen jedoch als gemeinsames Schichtsystem gleichzeitig auf dem Halbleitersubstrat aufgewachsen, wobei die nachfolgende Trennung des Schichtsystems in die beiden Schichtstrukturen durch einen Naß- und/oder Trockenätzschritt und/oder durch Sägen herbeigeführt wird. Da verschiedenartige Halbleiterbauelemente häufig ein identisch aufgebautes aktives Schichtsystem aufweisen (z. B. Sende- und Empfangsdioden in Optokopplern oder Laser- und Monitordioden bei Glasfaseranwendungen) kann auf diese Weise ein elektrisch voneinander getrenntes Bauelementepaar der genannten Art erzeugt werden. Neben der bereits angesprochenen einfachen Herstellung besteht ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen integrierten Aufbaukonzeptes darin, daß der bisher erforderliche Justageschritt der zwei oder mehr Halbleiterbauelemente nunmehr entfallen kann.

Das erfindungsgemäße Verfahren weist eine große Variabilität hinsichtlich der Anzahl und der Anordnung der unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche sowie der Strukturierung der einzelnen aktiven Schichtstrukturen auf. Nach einer bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung kann eine Vielzahl von unterschiedlich dotierten Oberflächenbereichen in Form eines Musters, beispielsweise eines Schachbrettmusters, auf der Substratoberfläche ausgebildet werden. Dies ermöglicht die Herstellung von hochintegrierten Halbleiteranordnungen, in denen die Halbleiterbauelemente in Zeilen- oder Arraystruktur selbstjustierend angeordnet sind.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Nachfolgend wird die Erfindung in beispielhafter Weise anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert; in dieser zeigt:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Halbleitersubstrats mit einem oberflächenseitig umdotierten Substratbereich;

Fig. 2 das in Fig. 1 gezeigte Halbleitersubstrat mit einem ganzflächig epitaktisch aufgewachsenen Halbleiterschichtsystem; und

Fig. 3 eine schematische Darstellung eines aus dem Schichtsystem der Fig. 2 gebildeten Bauelementepaars.

Nach Fig. 1 wird zur Herstellung einer optischen Sender- und Empfängeranordnung an einem herstellerseitig n-dotierten, beispielsweise aus GaAs, GaP, InP oder SiC bestehenden Halbleitersubstrat 1 durch partielles oberflächenseitiges Umdotieren ein p-dotierter Oberflächenbereich 2 ausgebildet. Zu diesem Zweck wird in nicht dargestellter Weise zunächst eine Diffusionsmaske aus Al2O3, SiO2 oder Si3N4 auf der Oberseite des Substrats 1 abgeschieden und anschließend phototechnisch so strukturiert, daß der Oberflächenbereich 2 freiliegt. Danach wird das Substrat 1 einer dotiergas-haltigen Atmosphäre ausgesetzt, wobei der p-Dotierstoff in dem von der Diffusionsmaske ungeschützten Bereich in das Substrat 1 eindringt und dabei die Umdotierung des Oberflächenbereichs 2 herbeiführt. Die Stärke der p-Umdotierung kann dabei über die Dotiergaskonzentration und die Temperatur des Substrats 1 nach Wunsch eingestellt werden. Die Tiefe des umdotierten Oberflächenbereichs 2 ist im wesentlichen durch die Zeitdauer gegeben, über die das Substrat 1 dem Dotiergas ausgesetzt wird.

An den substratseitigen Rändern des umdotierten Oberflächenbereichs 2 bildet sich ein pn Übergang aus, der den p-umdotierten Oberflächenbereich 2 von dem maskierten, weiterhin n- dotierten Oberflächenbereich 3 elektrisch entkoppelt.

In nicht dargestellter Weise kann anstelle einer partiellen Umdotierung des n-Substrats in einen p-leitenden Oberflächenbereich auch eine Umdotierung in einen nichtleitenden Oberflächenbereich vorgesehen sein. Dies kann durch Verwendung von H2 als Dotierstoff erfolgen, welcher im Rahmen eines Implantationsschrittes unter Verwendung einer Implantationsmaske, die der vorstehend erwähnten Diffusionsmaske entspricht, in den freiliegenden Oberflächenbereich eingebracht wird. Die H2-Dotierung bewirkt, daß der entsprechend umdotierte Oberflächenbereich elektrisch nichtleitend ist, wodurch ebenfalls eine elektrische Trennung der auf den Oberflächenbereichen 2, 3 aufzubringenden Schichtstrukturen ermöglicht wird.

Nachfolgend wird durch einen Ätzschritt in nicht dargestellter Weise die Diffusionsmaske (bzw. die Implantationsmaske) über dem Oberflächenbereich 3 entfernt.

Im Anschluß daran erfolgt nach zuvor gegebenenfalls wiederholt durchgeführten Oberflächenreinigungsschritten das ganzflächige epitaktische Aufwachsen eines aktiven Halbleiterschichtsystems. Das Aufwachsen kann durch einen MOCVD- Prozeß, beispielsweise MOVPE, ein LPE-Verfahren, ein MBE- Verfahren oder auch ein MOMBE-Verfahren bewirkt werden. Zunächst wird eine n-dotierte Epitaxieschicht 4 auf die Substratoberfläche aufgebracht. Die Stärke der Dotierung der Epitaxieschicht 4 kann der Stärke der Substratdotierung entsprechen. Beim nachfolgenden Aufwachsen einer p-dotierten Epitaxieschicht 5 bildet sich zwischen der n-dotierten Epitaxieschicht 4 und der p-dotierten Epitaxieschicht 5 ein pn- Übergang aus, der die aktive Zone 6 der entstehenden optischen Halbleiterbauelemente darstellt. Oberhalb der p- dotierten Epitaxieschicht 5 wird eine p+-dotierte Epitaxieschicht 7 mit guter elektrischer Leitfähigkeit oder auch eine Metallsilizidschicht abgeschieden, die als Anschlußstruktur für eine spätere elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente dient.

Das gemäß Fig. 2 ganzflächig aufgewachsene epitaktische Schichtsystem 4, 5, 6 und 7 wird dann durch Ausbildung eines Isolationsgrabens 8 in zwei elektrisch unabhängige Schichtstrukturen 9 und 10 getrennt. Der Isolationsgraben 8 kann durch einen Naß- oder Trockenätzschritt oder auch durch ein Ansägen des Schichtsystems 4, 5, 6 und 7 in dieses eingebracht werde. Dabei werden sämtliche Schichten 4, 5, 6 und 7 des Schichtsystems in zwei Teilschichten getrennt und elektrisch unterbrochen. Die Lage des Isolationsgrabens 8 ist so gewählt, daß die Grenzlinie 11 zwischen den beiden entgegengesetzt dotierten Oberflächenbereichen 2 und 3 innerhalb des Isolationsgrabens 8 liegt. Dies gewährleistet, daß die untersten leitfähigen Epitaxieschichten 4 der beiden Schichtstrukturen 9, 10 nicht substratseitig kurzgeschlossen sind.

In dem dargestellten Beispiel bildet die auf dem p-dotierten Oberflächenbereich 2 abgelagerte Schichtstruktur 9 eine optische Empfangsdiode 12, während die auf dem n-dotierten Oberflächenbereich 3 aufgebrachte Schichtstruktur 10 eine Sendediode 13 ausbildet.

Die elektrische Kontaktierung der Empfangsdiode 12 und der Sendediode 13 kann auf folgende Weise erfolgen.

Zur Ausbildung von p-Kontakten werden auf die Oberseiten der p+-dotierten Epitaxieschichten 7 der beiden Schichtstrukturen 9, 10 jeweils Kontaktflächen 14, 15 aufgebracht, die aus einem Metall (z. B. Al, Au oder einem Dreischichtsystem aus Ti- Pt-Au oder Cr-Pt-Au) bestehen und an denen elektrische Zuleitungen angebracht werden können. Die Kontaktflächen 14, 15 können auch bereits vor der Bildung des Isolationsgrabens 8 als eine weitere durchgängige Kontaktierungsschicht auf das Schichtsystem aufgebracht worden sein.

Die n-seitige elektrische Kontaktierung erfolgt für die Empfangsdiode 12 an einem zuvor durch einen Ätzprozeß freigelegten Stufenabschnitt 16 der n-dotierten Epitaxieschicht 4, auf welchem eine metallische Kontaktfläche 17 aufgebracht wird. Eine entsprechende für die Sendediode 13 vorgesehene Kontaktfläche 18 ist an der Rückseite 19 des Halbleitersubstrats 1 angeordnet.

Für den Fall, daß die Sendediode 13 auf einem nichtleitenden (beispielsweise H2-dotierten) Oberflächenbereich aufgebaut ist, erfolgt die n-seitige Kontaktierung der Sendediode 13 nicht an der Substratrückseite sondern - analog zur Empfangsdiode 12 - ebenfalls an einem entsprechenden Stufenabschnitt der n-dotierten Epitaxieschicht 4.

Die Fig. 3 macht deutlich, daß durch das erfindungsgemäße Verfahren eine gegenseitige lagemäßige Fehlausrichtung der Sende- und Empfangsdioden 12, 13 ausgeschlossen ist, weil deren aktive Zonen 6 stets auf gleicher Höhe liegen und parallel zueinander verlaufen und ferner die Dioden 12, 13 durch das erfindungsgemäße Verfahren unter einem definiert vorgegebenen Abstand angeordnet werden können.

Bezugszeichenliste

1Halbleitersubstrat

2p-umdotierter Oberflächenbereich

3n-dotierter Oberflächenbereich

4n-dotierte Epitaxieschicht

5p-dotierte Epitaxieschicht

6aktive Zone

7p+-Schicht

8Isolationsgraben

9Schichtstruktur

10Schichtstruktur

11Trennlinie

12Empfangsdiode

13Sendediode

14p-Kontaktfläche

15p-Kontaktfläche

16Stufenabschnitt

17n-Kontaktfläche

18n-Kontaktfläche

19Rückseite


Anspruch[de]
  1. 1. Verfahren zur Herstellung einer mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfassenden Halbleiteranordnung, das die Schritte aufweist:
    1. a) Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1);
    2. b) Ausbilden von zumindest zwei unterschiedlich dotierten Oberflächenbereichen (2, 3) an der Oberseite des Halbleitersubstrats (1); und
    3. c) Aufbauen von zumindest zwei jeweils aus mehreren Schichten (4, 5, 6, 7) bestehenden, jeweils einem Halbleiterbauelement (12; 13) zugeordneten aktiven Schichtstrukturen (9; 10) auf die unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche (2, 3), wobei die jeweils substratseitig untersten elektrisch leitfähigen Schichten (4) der aktiven Schichtstrukturen (9; 10) elektrisch voneinander getrennt sind.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) n- oder p-dotiert ist und der Schritt
    1. a) die Schritte aufweist:
      1. 1. Aufbringen einer Epitaxieschicht auf die Oberseite des Halbleitersubstrats (1);
      2. 2. Dotieren der Epitaxieschicht mit einer der Dotierung des Halbleitersubstrats (1) entgegengesetzten p- oder n- Dotierung; und
      3. 3. bereichsweises Abtragen der Epitaxieschicht zur Ausbildung der unterschiedlich dotierten Oberflächenbereiche.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt b2) durch thermische Dotierung, durch Ionenimplantation oder durch Diffusion von Dotieratomen aus der Gasphase oder einer zuvor abgeschiedenen Dotierschicht ausgeführt wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat (1) n- oder p-dotiert ist und der Schritt
    1. a) die Schritte aufweist:
      1. 1. Abscheiden einer Maskenschicht auf der Substratoberseite;
      2. 2. Lithographisches Strukturieren der Maskenschicht, derart, daß einer der auszubildenden Oberflächenbereiche (3) von der Maskenschicht abgedeckt bleibt und der andere auszubildende Oberflächenbereich (2) freiliegt;
      3. 3. Umdotieren des freiliegenden Oberflächenbereichs (2) auf eine der Dotierung des Halbleitersubstrats (1) entgegengesetzte p- oder n-Dotierung oder auf eine nichtleitende Dotierung; und
      4. 4. Entfernen der Maskenschicht;
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenschicht eine Maske aus Al2O3, SiO2 oder Si3N4 ist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Umdotierung (Schritt b3') durch Diffusion eines insbesondere P- oder As-haltigen Dotierstoffes oder durch Implantation eines Dotierstoffes, insbesondere Wasserstoff, in den freiliegenden Oberflächenbereich (2) des Halbleitersubstrats (1) erfolgt.
  7. 7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt c) die Schritte aufweist:
    1. 1. ganzflächiges Aufbringen eines aus den mehreren Schichten (4, 5, 6, 7) gebildeten Schichtsystems über den unterschiedlich dotierten Oberflächenbereichen (2, 3); und
    2. 2. Ausbilden eines Isolationsgrabens (8) in dem Schichtsystem, welcher das Schichtsystem in die aktiven Schichtstrukturen (9, 10) auftrennt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt c1) durch ein MOCVD-Verfahren, insbesondere MOVPE, ein LPE-Verfahren, ein MBE-Verfahren oder ein MOMBE-Verfahren ausgeführt wird.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt c2) durch einen Naß- und/oder Trockenätzschritt und/oder durch Ansägen des Schichtsystems herbeigeführt wird.
  10. 10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in Schritt b) eine Vielzahl von unterschiedlich dotierten Oberflächenbereichen (2, 3) in Form eines Musters auf der Substratoberfläche ausgebildet werden.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster ein regelmäßiges Muster, insbesondere ein Schachbrettmuster ist.
  12. 12. Halbleiteranordnung, die mindestens zwei Halbleiterbauelemente umfaßt,
    1. 1. mit einem Halbleitersubstrat (1), an dessen Oberseite zumindest zwei unterschiedlich dotierte Oberflächenbereiche (2, 3) ausgebildet sind, und
    2. 2. mit zumindest zwei jeweils aus mehreren Schichten (4, 5, 6, 7) aufgebauten, jeweils einem der Halbleiterbauelemente (12, 13) zugeordneten aktiven Schichtstrukturen (9, 10),
      1. 1. die auf den unterschiedlich dotierten Oberflächenbereichen (2, 3) angeordnet sind, und
      2. 2. deren jeweils substratseitig untersten elektrisch leitfähigen Schichten (4) elektrisch voneinander getrennt sind.
  13. 13. Halbleiteranordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die aktiven Schichtstrukturen (9, 10) einer optischen Sendediode (13) und einer optischen Empfangsdiode (12) zugeordnet sind.
  14. 14. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen (12, 13) umfaßt, die in Zeilen- oder Arraystruktur auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet sind.






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