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Dokumentenidentifikation DE19983426T1 13.06.2001
Titel Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit getrennten Schaltungselementausbildungsschichten unterschiedlicher Dicke
Anmelder Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Kawano, Michihiro, Nobeoka, Miyazaki, JP
Vertreter Blumbach, Kramer & Partner GbR, 81245 München
DE-Aktenzeichen 19983426
Vertragsstaaten DE, KR, SG, US
WO-Anmeldetag 03.06.1999
PCT-Aktenzeichen JP9902981
WO-Veröffentlichungsnummer 0075981
WO-Veröffentlichungsdatum 14.12.2000
Date of publication of WO application in German translation 13.06.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 13.06.2001
IPC-Hauptklasse H01L 21/764








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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