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Dokumentenidentifikation DE69130293T3 02.05.2002
EP-Veröffentlichungsnummer 0562035
Titel MINIMIERUNG DER PARTIKELERZEUGUNG IN CVD-REAKTOREN UND VERFAHREN
Anmelder Lam Research Corp., Fremont, Calif., US
Erfinder TAPPAN, James, E., Milpitas, CA 95035, US;
YASUDA, Arthur, K., San Francisco, CA 94107, US;
DENISON, Dean, R., San Jose, CA 95125, US;
MUNDT, Randall, S., Pleasanton, CA 94566, US
Vertreter Dr. Weitzel & Partner, 89522 Heidenheim
DE-Aktenzeichen 69130293
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 11.12.1991
EP-Aktenzeichen 929038552
WO-Anmeldetag 11.12.1991
PCT-Aktenzeichen US9109407
WO-Veröffentlichungsnummer 9210308
WO-Veröffentlichungsdatum 25.06.1992
EP-Offenlegungsdatum 29.09.1993
EP date of grant 30.09.1998
EPO date of publication of amended patent 05.09.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 02.05.2002
IPC-Hauptklasse B05D 3/06
IPC-Nebenklasse B44C 1/22   C03C 15/00   C23C 16/00   C23C 16/44   C23C 16/50   

Beschreibung[de]
Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Reaktionskammer sowie ein Verfahren zum Minimieren der Artikelerzeugung bei einem Reaktor zur plasma-gestützten chemischen Bedampfung (CB).

Hintergrund der Erfindung

Eine CB-Vorrichtung wird in herkömmlicher Weise dazu verwendet, verschiedene dünne Filme bei einer integrierten Halbleiterschale zu bilden. Die CB-Vorrichtung kann dünne Filme wie Sio&sub2;, Si&sub3;N&sub4;, Si oder dergleichen bei hoher Reinheit und hoher Qualität bilden. Beim Reaktionsverfahren zum Bilden eines dünnen Filmes kann ein Reaktionsgefäß, in welchem Halbleitersubstrate angeordnet werden, auf hohe Temperaturen von 500-1000º C erhitzt werden. Niederzuschlagende Rohstoffe können dem Gefäß in Form von gasförmigen Bestandteilen zugeführt werden, so daß Gasmoleküle thermisch disoziert und im Gas kombiniert, und auf der Fläche der Probe niedergeschlagen werden, um einen dünnen Film zu bilden.

US 4 962 727 ("das '727-Patent") beschreibt eine CB-Vorrichtung, bei welcher ein Film aus Siliciumoxid gebildet wird. Das '727-Patent führt jedoch aus, daß Siliciumoxidmoleküle an der Innenwand des Gefäßes haften, und daß sich der Niederschlag abschälen und sogar an einer Wafer-Fläche anhaften kann und somit Mängel in dem gebildeten SiO&sub2; Film hervorrufen kann.

Eine plasma-gestützte CB-Vorrichtung wendet eine Plasma-Reaktion an, um eine Reaktion ähnlich jener der oben beschriebenen CB-Vorrichtung zu erzeugen, jedoch bei einer relativ niedrigen Temperatur, um einen dünnen Film zu bilden. Die Plasma-CB-Vorrichtung beinhaltet eine Probenkammer, ein Gaseinführsystem und ein Abführsystem. Eine solche plasma-gestützte CB- Vorrichtung ist beispielsweise in US 4 401 054 beschrieben, worauf hiermit Bezug genommen wird. In einer solchen Vorrichtung wird Plasma mittels einer Mikrowellenabgabe durch Elektronen-Zyklotron-Resonanz (ECR) erzeugt. In der Probenkammer wird ein Probentisch vorgesehen; in der Plasmabildungskammer wird Plasma erzeugt und tritt durch eine Pläsma- Extraktions-Bohrung, um einen Plasmastrom in der Probenkammer zu erzeugen. Der Probentisch kann einen Kühlmechanismus aufweisen, um einen Temperaturanstieg der Probe während der Plasmabildung zu verhindern.

Eine Plasma-Vorrichtung, die ECR für eine CB-Vorrichtung verwendet, eine Ätzvorrichtung, eine Sprühvorrichtung und dergleichen zum Herstellen von Halbleiterkomponenten ist in US 4 902 934 beschrieben, worauf hiermit Bezug genommen wird. Eine solche Plasma-Vorrichtung umfaßt eine Probenunterlage in einer Reaktionskammer mit einem elektrostatischen Futter zum Halten der Probe (wie eine Sificiumwafer) in gutem thermischen Kontakt und vertikal ausgerichtet. Die Probenunterlage kann auch mit einem Kühl- und Heizmittel versehen sein. Solche Reaktionskammern lassen sich bei Vakuum betreiben; die Plasma-Erzeugungskammer kann von Wänden gebildet sein, die wassergekühlt sind.

Elektrostatische Futtervorrichtungen sind in US 3 993 509, 4 184 188 und 4 384 918 beschrieben, worauf hiermit Bezug genommen wird. Bei solchen Systemen wird eine Probe oder Wafer üblicherweise auf einer dielektrischen Lage angeordnet, und die Wafer-Tragfläche eines solchen elektrostatischen Futters kann größer oder kleiner sein als die hiervon getragene Probe oder Wafer.

EP 380 119 beschreibt eine Mikrowellen-Plasma-Verarbeitungsvorrichtung. Dabei ist ein Plasmaschild vorgesehen. Das Plasmaschild umfaßt ein Element mit einer Sichtlinienfläche sowie eine durch diese sich hindurch erstreckende Plasma-ExtraktionsBohrung. Es sind Mittel zum Tragen einer Probe vorgesehen.

US 4 709 655 ("das '655-Patent") beschreibt, daß die zur chemischen Bedampfung verwendeten Reaktionskammern im allgemeinen als Kaltwand- oder Heißwand-Systeme eingestuft werden. Das '655-Patent beschreibt weiterhin, daß bei den Kaltwand-Systemen das Substrat (die Wafer) durch induktives Koppeln, Strahlungsheizung oder direkte elektrische Widerstandsheizung innerer Tragelemente aufgeheizt werden kann. Das '655- Patent stellt fest, daß dann, wenn Wafern auf einem zum Aufheizen durch RF- Energie gelagert sind, Wärme auf die unmittelbare Halbleiter-Waferfläche lokalisiert wird, so daß erstens die chemische Bedampfung auf die erhitzten Bereiche beschränkt wird und sich zweitens die nicht-erhitzten Wände unterhalb der CB-Temperaturen liegen und damit die Ablagerungen auf den Wänden verringern. Bei plasma-gestützten CB-Reaktoren findet jedoch das Niederschlagen eines Filmes selbst auf kalten Wänden statt, da die Wärme des Plasmas eine Reaktion hervorruft; ungeachtet der Reaktionsflächentemperatur.

Bei plasma-gestützten CB-Vorrichtungen besteht ein Problem darin, daß die Ablagerungen auf der Wafer sowie auf allen anderen Flächen in der Reaktionskammer stattfinden. Der abgelagerte Film kann abspringen und abblättern, was zu Partikeln auf der Wafer führt. Oxidfilmen sind beim Niederschlagen Spannungen eigen. Die Energie im Film nimmt mit zunehmender Filmstärke zu. Unterschiedliche thermische Expansion zwischen dem niedergeschlagenen Film und dem Basismaterial führt zu zusätzlichen Spannungen. Obgleich es aus dem Stande der Technik bekannt ist, Niederschlagsflächen in einer Reaktionskammer trocken zu ätzen, wie in US 4 910 042 beschrieben, besteht eine Notwendigkeit im Stande der Technik zum Verbessern der Integrität und des Anhaftens von niedergeschlagenen Filmen auf Flächen in der Reaktionskammer, insbesondere auf Sichtlinienflächen und Zielflächen. Der hier verwendete Ausdruck "Sichtlinienflächen" bezeichnet Flächen, von welchem eine gerade Linie direkt zu einer in der Reaktionskammer angeordneten Probe gezogen werden kann. Der Ausdruck "Zielflächen", so wie hier verwendet, bedeutet Flächen, die die in der Reaktionskammer angeordnete Probe umgeben und die mit dem Plasmastrom unmittelbar in Kontakt gelangen. Der Ausdruck "Probe", so wie hier verwendet, bezeichnet ein Halbleitersubstrat wie eine Wafer aus Silicium oder anderem Material mit einer ebenen oder einer nicht-ebenen Fläche, auf welcher ein Film durch Plasmareaktion gebildet wird.

Zusammenfassung der Erfindung

Die Erfindung gibt ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Minimieren der Partikelerzeugung bei CB-Reaktoren an, um die Qualität eines auf einer Probe niedergeschlagenen Filmes zu verbessern. Die Erfindung erlaubt insbesondere das Überwachen der Niederschlagsqualität von Sichtlinien- und Zielflächen. Durch Überwachen der Niederschlagsqualität von Sichtlinien- und Zielflächen lassen sich die Adhäsion eines hierauf während eines Ablagerungsschrittes gebildeten Films sowie die Unversehrtheit des Filmes verbessern. Gemäß der Erfindung wird ein Plasmaschirm in einer Reaktionskammer einer plasma-gestützten chemischen Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, umfassend:

ein Element, das eine Sichtlinienfläche aufweist sowie eine in axialer Richtung hindurchgehende konische Plasma-Extraktionsvorrichtung; dabei ist die Bohrung durch die Sichtlinienfläche auf dem Element gebildet;

ein Überwachungsmittel zum Überwachen der Niederschlagsqualität der Sichtlinienfläche, um die Adhäsion und Unversehrtheit eines hierauf gebildeten Filmes dann zu überwachen, wenn ein Film auf einer Probe in der Reaktionskammer angeordnet wird, als Ergebnis einer Reaktion mit Plasmagas; das Überwachungsmittel umfaßt Einstellmittel zum Einstellen der Temperatur der Sichtlinienfläche; und

Mittel zum Tragen des Elementes in der Reaktionskammer, so daß der Plasma-Reaktionsbereich zwischen der Sichtlinienfläche und einer zur Behandlung in der Reaktionskammer angeordneten Probe lokalisiert wird.

Gemäß der Erfindung wird ein die Probe umgebendes Element in einer Reaktionskammer einer plasma-gestützten chemischen Bedampfungsvorrichtung vorgesehen; das die Probe umgebende Element umfaßt:

ein Element mit einer proben-umgebenden Fläche, die mit einem Plasmagas in Kontakt gelangt;

ein Überwachungsmittel zum Überwachen der Ablagerungsqualität der proben-umgebenden Fläche, um die Adhäsion und Unversehrtheit eines hierauf gebildeten Filmes dann zu verbessern, wenn ein Film auf einer Probe niedergeschlagen wird, die auf einer proben-tragenden Fläche in der Reaktionskammer angeordnet ist, als Ergebnis einer Reaktion mit Plasmagas;

das Überwachungsmittel umfaßt Einstellmittel zum Einstellen der Temperatur der proben-umgebenden Fläche; und

Mittel zum Tragen des Elementes in der Reaktionskammer, so daß die die proben-umgebende Fläche die proben-tragende Fläche umgibt, so daß das Element die Temperatur der proben-umgebenden Fläche dann nicht thermisch beeinflußt, wenn das Plasmagas mit der proben-umgebenden Fläche und der proben-tragenden Fläche in Kontakt gelangt.

Werden die Sichtlinien- und die Zielflächen während des Niederschlagsvorgangs auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur gehalten, so werden die Spannungen im niedergeschlagenen Film zufolge unterschiedlicher thermischer Ausdehnung minimiert. Die Sichtlinien- und die Zielflächen können beispielsweise im wesentlichen auf Umgebungstemperatur gehalten werden, wobei die thermische Expansion eines niedergeschlagenen Filmes vermieden werden kann, selbst dann, wenn die Einrichtung nicht in Gebrauch ist oder gewartet wird. Bei einigen Ausführungsformen der Erfindung wird die Geometrie der Sichtlinien- und der Zielflächen derart gestaltet, daß die Flächen im wesentlichen glatt und kontinuierlich sind, ohne freie Kanten, die im niedergeschlagenen -Film eine Spannung hervorrufen. Ein weiteres Merkmal der Ausführungsformender Erfindung ist die Anwendung eines solchen Materiales für die Sichtlinien- und Zielflächen, das die Adhäsion des niedergeschlagenen Filmes verbessert.

Die Vorrichtung einer weiteren Ausführungsform der Erfindung besteht aus einer plasma-gestützten chemischen Bedämpfungsvorrichtung gemäß Anspruch 22, umfassend einen Plasmaschirm sowie ein proben-umgeberides Element. Der Plasmaschirm weist ein Element mit einer hierauf befindlichen Sichtlinienfläche auf. Das Element umfaßt Mittel zum Überwachen der Niederschlagsqualität der Sichtlinienfläche, um die Adhäsion eines hierauf gebildeten Films dann zu verbessern, wenn der Plasmaschirm in einer Reaktionskammer einer plasma-gestützten CB-Vorrichtung angeordnet und ein Film auf einer Probe in der Reaktionskammer zufolge einer Reaktion mit Plasmagas niedergeschlagen wird. Das Element beinhaltet ferner Mittel zum Anordnen des Elementes in einer plasma-gestützten CB-Vorrichtung, so daß sich der Plasma-Reaktionsbereich zwischen der Sichtlinienfläche und einer zur Behandlung in der Reaktionskammer angeordneten Probe befindet.

Der Plasmaschirm umfaßt ein Element mit einer durchgehenden Plasma- ExtraktionsBohrung, die definiert ist durch eine Sichtlinienfläche am Element. Zum Halten der Sichtlinienfläche auf im wesentlichen konstanter Temperatur wird ein Einstellmittel vorgesehen. Das Mittel beinhaltet ferner Mittel zum Tragen des Elementes in einer chemischen Bedampfungsvorrichtung; so daß das Plasma von der Plasmakammer durch die Bohrung und in eine Reaktionskammer der Vorrichtung tritt. Das Element kann ferner ein Gas- Injektionsmittel zum Einführen von Gas in die Bohrung aufweisen; das Gas- Injektionsmittel umfaßt eine Mehrzahl von Öffnungen, die einen gegenseitigen Abstand in Umfangsrichtung um das Element herum aufweisen. Die Öffnungen können derart ausgerichtet sein, daß das Gas in stromabwärtiger Richtung in Bezug auf die Bewegungsrichtung des Plasmas durch die Bohrung injiziert wird. Das Horn kann ferner Aussparungen aufweisen, die sich radial durch den äußeren Umfang des Hornes erstrecken, um eine Probe hindurchführen zu können.

Das die Probe umgebende Element umfaßt ein Element mit einer probenumgebenden Fläche, die dann mit einem Plasmagas in Kontakt gelangt, wenn die proben-umgebende Fläche in einer Reaktionskammer einer plasmagestützten CB-Vorrichtung angeordnet ist. Das Element beinhaltet Mittel zum Überwachen der Ablagerungsqualität der proben-umgebenden Fläche, um die Adhäsion eines hierauf gebildeten Films dann zu verbessern, wenn das proben-umgebende Element in der Reaktionskammer angeordnet und ein Film auf einer Probe niedergeschlagen wird, die auf einer proben-tragenden Fläche in der Reaktionskammer angeordnet ist, zufolge einer Reaktion mit Plasmagas. Das Element beinhaltet ferner Mittel zum Tragen des Elementes in der Reaktionskammer, so daß die proben-umgebende Fläche die probentragende Fläche umgibt, und so daß das Element die Temperatur der probentragenden Fläche dann nicht beeinträchtigt, wenn Plasmagas mit der probenumgebenden Fläche und der proben-tragenden Fläche in Kontakt gelangt.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt das proben-umgebende Element ein Element mit einer proben-umgebenden Fläche, die mit einem Plasmastrom in unmittelbaren Kontakt gelangt. Zum Haften der probenumgebenden Fläche auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur ist ein Einstellmittel vorgesehen. Das Mittel beinhaltet Mittel zum Tragen des Elementes in einer Reaktionskammer einer CB-Vorrichtung, so daß die proben-umgebende Fläche eine proben-tragende Fläche in der Reaktionskammer umgibt, und so daß das Element die Temperatur der proben-tragenden Fläche dann nicht thermisch beeinflußt, wenn ein Plasmastrom gleichzeitig die proben-umgebende und die proben-tragende Fläche berührt.

Das Verfahren gemäß Anspruch 29 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung.

Kurzbeschreibung der Zeichnung

Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung beschrieben:

Fig. 1a zeigt eine Ausführungsform einer plasma-gestützten CB- Vorrichtung gemäß der Erfindung.

Fig. 1b zeigt eine weitere Ausführungsform einer plasma-gestützten CB- Vorrichtung gemäß der Erfindung.

Fig. 2 zeigt einen Plasmaschirm gemäß der Erfindung.

Fig. 3 zeigt eine Abwandlung des in Fig. 2 gezeigten Plasmaschirmes.

Fig. 4 zeigt eine Frontansicht eines Gas-Injektionsringes gemäß der Erfindung.

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie V-V in Fig. 4.

Fig. 6 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 4.

Fig. 7 zeigt eine Frontansicht eines proben-umgebenden Elementes gemäß der Erfindung.

Fig. 8 zeigt eine Seitenansicht des proben-umgebenden Elementes in Fig. 7.

Fig. 9 ist eine Bodenansicht des proben-umgebenden Elementes von Fig. 7.

Fig. 10 ist ein Querschnitt eines Teiles des proben-umgebenden Elementes von Fig. 8.

Fig. 11 ist eine Frontansicht eines Teiles eines proben-umgebenden Elementes gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.

Fig. 12 ist eine Seitenansicht des in Fig. 11 gezeigten Teiles.

Fig. 13 ist eine Frontansicht des zweiten Teiles des in Fig. 11 gezeigten proben-umgebenden Elementes.

Fig. 14 ist eine Seitenansicht des in Fig. 13 gezeigten Teiles.

Einzelbeschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Die Erfindung gibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Verbessern der Adhäsion und der Unversehrtheit eines auf einer Sichtlinienfläche und einer proben-umgebenden Fläche niedergeschlagenen Filmes in einer plasmagestützten CB-Vorrichtung an. Insbesondere läßt sich die Niederschlagsqualität der Sichtlinienfläche und der proben-umgebenden Fläche gemäß der Erfindung überwachen.

Gemäß einem Gedanken der Erfindung werden die Sichtlinien- und die proben-umgebende Fläche während der Niederschlagsphase eines Filmes auf einer Probe wie einer Siliciumprobe im wesentlichen konstant gehalten. Demzufolge wird eine unterschiedliche thermische Expansion zwischen dem niedergeschlagenen Film und dem Basismaterial vermieden, und damit werden Spannungen auf dem niedergeschlagenen Film minimiert. Durch Verbessern der Adhäsion des Filmes besteht in geringerem Maße die Gefahr, daß der niedergeschlagene Film reißt oder abblättert, wodurch die Partikelerzeugung minimiert und die Menge von Partikeln auf der Probe reduziert wird.

Gemäß einem weiteren Gedanken der Erfindung wird die Geometrie des Sichtlinien- und der proben-umgebenden Fläche derart gestaltet, daß Kanten vermieden werden, die im niedergeschlagenen Film Spannungen erzeugen würden. Gemäß einem weiteren Gedanken der Erfindung werden die Sichtlinien- und die proben-umgebende Fläche aus einem Material gebildet, das eine starke Adhäsion des niedergeschlagenen Filmes gewährleistet.

Die Sichtlinien- und die Proben-umgebende Fläche lassen sich auf jeglicher im wesentlichen konstanter Temperatur halten. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform werden diese Flächen jedoch auf Umgebungstemperatur gehalten. Befindet sich die Vorrichtung nicht im Gebrauch oder wird gewartet, so daß sich die Flächen in der Reaktionskammer auf Umgebungstemperatur befinden, wird demgemäß eine unterschiedliche thermische Ausdehnung des Filmes der Sichtlinien- und der Proben-umgebenden Fläche minimiert. Die Sichtlinien- und die Proben-umgebende Fläche lassen sich alternativ auf einer erhöhten Temperatur wie z. B. wenigstens 300ºC halten. Diese Flächen könnten aber auch auf einer Temperatur unterhalb Umgebungstemperatur gehalten werden.

Gemäß einem weiteren Gedanken der Erfindung können die Sichtlinien- und die Proben-umgebende Fläche vor der Ablagerungsphase konditioniert werden. Die Konditionierstufe umfaßt das Beseitigen von auf der Sichtlinien- und Proben-umgebenden Fläche absorbierten Lagen, die sonst dazu neigen, die Adhäsion des Filmes hierauf zu verringern. Die Konditionierstufe kann beispielsweise das Beaufschlagen dieser Flächen mit Sauerstoffplasma, Argonplasma oder einer Kombination aus Sauerstoff- und Argonplasma beinhalten.

Gemäß der Erfindung wurde festgestellt, daß SiO&sub2; Filme eine gute Adhäsion gegenüber blankem Aluminium haben. Demgemäß können die Sichtlinien- und die Proben-umgebende Fläche ausgesetzt Aluminiumflächen aufweisen, um eine gute Adhäsion des zuerst niedergeschlagenen Filmes zu erzielen. Vor einem jeden Niederschlagen können außerdem Sauerstoff oder Argon oder eine Kombination von Sauerstoff- und Argonplasma verwendet werden, um die Sichtlinien- und die Proben-umgebende Fläche zu konditionieren. Es ist anzunehmen, daß eine solche Konditionierbehandlung adsorbierte Lagen eliminiert, die sonst die Filmadhäsion verringern.

Bei einigen Ausführungsformen der Erfindung werden scharfe Kanten und Ecken der Sichtlinien- und der Zielflächen vermieden. Gemäß einiger Ausführungsformen der Erfindung können diese Flächen aus einem Material wie blankes Aluminium hergestellt werden, das eine starke Adhäsion des niedergeschlagenen Filmes gewährleistet. Durch Kombinieren dieser Merkmale ist es möglich, die Unversehrtheit des Filmes und die Adhäsion an den Sichtlinien- und Zielflächen zu maximieren.

Die Einstellmittel können verwendet werden, um ein thermisches Cycling der Sichtlinien- und der Zielflächen auf ± 5ºC während des thermischen Cycling der CB-Vorrichtung aufgrund von Plasma-Ein-Aus-Zyklen zu beschränken. Die Einstellmittel können beispielsweise Fluidkanäle in Komponenten aufweisen, die Sichtlinien- und Zielflächen haben, um derartige Flächen auf Zimmertemperatur zu halten, womit das thermische Cycling auf Umgebungstemperatur dann beschränkt wird, wenn Teile aus der Vorrichtung herausgenommen werden. Alternativ lassen sich diese Flächen auf einer hohen Temperatur von 300-400ºC halten. Solche Flächen können ferner ausgesetzte Flächen aus Aluminium oder Aluminiumverbindungen, Nickel oder Nickelverbindungen, rostfreiem Stahl oder Molybdän umfassen. Derartige Flächen können auf verschiedene Weise oberflächenbehandelt sein, wie durch Sandstrahlen.

Fig. 1a zeigt eine plasmagestützte ECR-CB-Vorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Wie gezeigt, ist eine behandelte Fläche S einer Halbleiterprobe vertikal ausgerichtet auf einer Tragfläche 5 in einer Reaktionskammer 3 gehalten. Die Proben-tragende Fläche 5 ist in horizontaler Richtung gegen die Plasmakammer 2 hin sowie von dieser hinweg beweglich in der Plasmakammer 2 erzeugtes Plasma tritt durch eine Öffnung 4 in einem Plasmaöffnungsring hindurch und bildet einen Plasmareaktionsbereich in der Nähe der Plasma-tragenden Fläche 5.

Gemäß einem Gedanken der Erfindung ist ein Plasmaschirm 6 vorgesehen, der wenigstens eine Sichtlinienfläche aufweist, die sich innerhalb der Innenwände der Reaktionskammer 3 befindet, derart, daß sich der Plasmareaktionsbereich zwischen der Sichtlinienfläche am Plasmaschirm 6 und einer Probe befindet, die in der Reaktionskammer zur Behandlung angeordnet ist. Wird der Plasmaschirm weggelassen, so beinhalten die Innenwände der Reaktionskammer 3 Sichtlinienflächen 3a, von denen eine gerade Linie direkt zur behandelten Fläche der Halbleiterprobe gezogen werden kann.

Durch den in Fig. 1a gezeigten Plasmaschirm 6 verläuft eine Bohrung. Die Plasmakammer 2 könnte weggelassen, und Plasma könnte auf andere Waise erzeugt werden. So könnte beispielsweise der Probenhalter Mittel zum Erzeugen des Plasmas aufweisen. In einem solchen Falle wäre die Sichtlinienfläche nahe dem Plasmareaktionsbereich anzuordnen. Es wäre jedoch vorteilhaft, die Größe der Sichtlinienflächen zu minimieren, um deren Reinigen durch eine Sprühbehandlung zu erleichtern.

Fig. 1b zeigt eine weitere Ausführungsform einer Plasma-gestützten ECR-CB- Vorrichtung 1a gemäß der Erfindung. In diesem Falle ist die behandelte Fläche einer Halbleiterprobe horizontalausgerichtet auf einer Probentragenden Fläche 5 gehalten. Die Proben-tragende Fläche ist vertikal gegen die Plasmakammer 2 und von dieser hinweg beweglich. Wie bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform tritt in der Plasmakammer 2 erzeugtes Plasma durch die Öffnung 4 in einen Plasmaöffnungsring und bildet einen Plasmareaktionsbereich in der Nähe der Proben-tragenden Fläche 5. Die Innenwände der Reaktionskammer 3 beinhalten ferner Sichtlinienflächen 3a.

Der in Fig. 1b gezeigte Plasmaschirm 6a unterscheidet sich von dem in Fig. 1a gezeigten Plasmaschirm 6 darin, daß er eine entfernbare innere Auskleidung im oberen Bereich der Reaktionskammer 3 bildet. Plasmaschirm 6 von Fig. 1a läßt sich jedoch anstelle von Plasmaschirm 6a verwenden, falls gewünscht. In beiden Fällen kann die Plasma-tragende Fläche 5 geringfügig jenseits des äußeren Endes des Plasmaschirmes angeordnet werden (wie in Fig. 1a gezeigt), oder die Plasma-tragende Fläche 5 läßt sich derart bewegen, daß die Probe während ihrer Behandlung innerhalb der Bohrung des Plasmaschirmes angeordnet ist.

Die in den Fig. 1a und 1b gezeigten Ausführungsformen umfassen ferner ein Proben-umgebendes Element 7. Das Proben-umgebende Element 7 beinhaltet eine Proben-umgebende Fläche, die mit einem Plasmastrom während der Behandlung der Probe in unmittelbaren Kontakt gelangt.

Die Fig. 2 bis 6 zeigen Merkmale des Plasmaschirmes 6. Die Fig. 7 bis 14 zeigen Merkmale des Plasma-umgebenden Elementes 7.

Plasmaschirm 6 umfaßt ein Element 8, das vorzugsweise Metall enthält wie Aluminium oder eine Aluminiumverbindung. Durch das Element verläuft eine Bohrung 9 in axialer Richtung A; Bohrung 9 ist gebildet durch die Sichtlinienfläche 10 an Element 8. Die Sichtlinienfläche kann nahe beim Plasmastrom angeordnet werden, der durch die Bohrung 9 hindurchtritt, um die Größe der Sichtlinienfläche zu verringern. Die Sichtlinienfläche sollte jedoch nicht den Plasmastrom schneiden. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umgibt die Sichtlinienfläche vollständig den Plasmastrom und divergiert von einem Zentrum des Plasmastromes aus, um in Richtung gegen die Fläche der Probe weiter zu werden.

Plasmaschirm 6 beinhaltet ferner Einstellmittel zum Halten der Sichtlinienfläche 10 auf im wesentlichen konstanter Temperatur. Plasmaschirm 6 beinhaltet ferner Mittel zum Tragen von Element 8 in einer CB-Vorrichtung, so daß Plasma von der Plasmakammer 2 durch die Bohrung 9 hindurchtritt und in die Reaktionskammer 3 der Vorrichtung, so wie in Fig. 1a gezeigt. Der Plasmaschirm 6 kann ein Gasinjektionsmittel 13 zum Injizieren von Gas in oder aus einem Auslaßende von Bohrung 9 aufweisen.

Plasmaschirm 6 kann ein Horn 14 umfassen, so wie in Fig. 13 gezeigt. Bohrung 9 ist konisch, und ihr Einlaßende 15 ist kleiner als ihr Auslaßende 16. Horn 14 geht vom Auslaßende 16 der Bohrung aus. Durch Horn 14 kann eine konische Öffnung 17 hindurchlaufen. Die Öffnung 17 ist derart gestaltet, daß ihr Einlaßende 18 kleiner als ihr Auslaßende 19 ist. Die Öffnung 17 ist von einer Sichtlinienfläche an Horn 14 gebildet. Die die Bohrung 9 und die Öffnung 17 bildenden Flächen sind somit direkt einer Probe zugewandt, die auf einer Proben-tragenden Fläche 5, gezeigt in Fig. 1a, angeordnet ist, wenn Plasmaschirm 6 in der CB-Vorrichtung 1 angeordnet ist. Die Öffnung 17 kann einen größeren Neigungswinkel als die Öffnung 9 oder die Öffnung 17 aufweisen. Die Bohrung 9 kann aus einer glatten, kontinuierlichen, geradlinigen Fläche gebildet sein. Alternativ kann die Sichtlinienfläche gekrümmt sein.

Wie in Fig. 3 gezeigt, kann Horn 14 eine Aussparung 20 umfassen, die sich radial zwischen Öffnung 17 und einem Außenumfang von Horn 14 erstreckt, so daß eine Probe hindurchgeführt werden kann, wenn sie auf die Ptobentragende Fläche gelegt wird. Die Aussparung 20 kann jedoch auch entfallen, so wie in Fig. 2 gezeigt.

Zwischen Element 8 und Horn 14 kann eine Aussparung 21 vorgesehen werden, wie in Fig. 3 gezeigt. Ein Gasinjektionsmittel 13 kann einen Ring 24 umfassen, so wie in Fig. 4 gezeigt, der in der Aussparung 21 entfernbar montiert ist. Gasinjektionsmittel 13 kann auch eine Mehrzahl von Öffnungen 22 aufweisen, die in gegenseitigem Abstand in Umfangsrichtung um Ring 24 herum angeordnet sind. Ein Querschnitt entlang der Linie VI-VI in Fig. 4 einer der Öffnungen 22 ist in Fig. 6 gezeigt. Ring 24 kann ferner eine Temperatursonde 23 aufweisen (wie in Fig. 5 gezeigt), umfassend eine Bohrung zum Tragen eines Thermoelementes. Ein Querschnitt entlang der Linie V-V in Fig. 4 der Temperatursonde 23 ist in Fig. 5 gezeigt.

Wie in Fig. 3 gezeigt, kann Horn 14 eine konische Öffnung 17 aufweisen, die einen größeren Öffnungswinkel als Bohrung 9 hat. Gasring 24 kann eine erste Fläche 27 umfassen, die denselben Öffnungswinkel wie Bohrung 9 hat, und Ring 24 kann eine zweite Fläche 28 aufweisen, die denselben Öffnungswinkel wie Öffnung 17 hat. Eine erste Fläche 27 kann mit der die Bohrung 9 bildenden Sichtlinienfläche gemeinsam enden, und eine zweite Fläche 28 kann mit der die Öffnung 17 bildenden Sichtlinienfläche gemeinsam enden. Somit wird eine sanfte Fläche durch den Plasmaschirm 6 geschaffen, frei von Kanten, die im niedergeschlagenen Film Spannungen hervorrufen könnten.

Das Einstellmittel umfaßt einen Fluidkanal 11 in Element 8; ein geeignetes Fluid wie Wasser kann durch Kanal 11 hindurchgeführt werden, um die Sichtlinienfläche auf im wesentlichen konstanter Temperatur zu halten. Wie in Fig. 3 gezeigt, erstreckt sich Fluidkanal 11 in Umfangsrichtung um Element 8 an einer Stelle zwischen dem Innenumfang und dem Außenumfang von Element 8. Das Einstellmittel beinhaltet ferner einen Einlaß und einen Auslaß 25 zum Umwälzen des Fluids im Fluidkanal 11.

Element 8 kann eine sich in Umfangsrichtung erstreckende Nut 26 aufweisen, die einen radialen Abstand außerhalb Bohrung 9 aufweist. Ring 24 kann entfernbar an Element 8 derart montiert werden, daß die Öffnungen 22 mit Nut 26 in leitender Verbindung stehen. Gasinjektor 13 kann eine Gaszufuhr aufweisen, so wie in Fig. 2 gezeigt. Wird Sauerstoffplasma in der Vorrichtung verwendet, so kann die Gasinjektionseinrichtung 13 SiH&sub4; liefern, um einen SiO&sub2; Film niederzuschlagen.

Wie in Fig. 6 gezeigt, kann jede der Öffnungen 22 zum Ausstoßen von Gas eine zentrale Achse B an einem Außenende aufweisen; die Zentralachse B ist derart ausgerichtet, daß Gas aus der Öffnung 22 gegen eine zentrale Achse von Bohrung 9 ausgestoßen wird. Die zentrale Achse B kann in Bezug auf die Axialrichtung A geneigt sein derart, daß ein Ende der Öffnung 22, das der Bohrung 9 zugewandt ist, weiter stromabwärts in Bezug auf die Bewegungsrichtung des Plasmas durch die Bohrung 9 angeordnet ist als andere Bereiche der Öffnung. Die Zentralachse B kann einen Winkel wie etwa 15º mit einer Ebene senkrecht zur Axialrichtung A bilden. Die Zentralachse B könnte auch derart ausgerichtet sein, daß Gas aus den Öffnungen 22 in einem Spiralmuster um die Zentralachse der Bohrung 9 ausgestoßen wird.

Ein Proben-umgebendes Element 7 umfaßt ein Element 29 mit einer Probenumgebenden Fläche 30, wie in den Fig. 7 bis 12 gezeigt. Das Probenumgebende Element 7 beinhaltet Einstellmittel zum Halten der Probenumgebenden Fläche 30 auf im wesentlichen konstanter Temperatur. Das Proben-umgebende Element 7 beinhaltet ferner Mittel 32 zum Halten von Element 29 in einer Reaktionskammer der CB-Vorrichtung, so daß die Probenumgebende Fläche 30 eine Proben-tragende Fläche in der Reaktionskammer umgibt, und so daß Element 29 die Temperatur der Proben-tragenden Fläche dann nicht beeinträchtigt, wenn ein Plasmastrom gleichzeitig die Probenumgebende Fläche 30 und die Probenfläche und/oder die Proben-tragende Fläche berührt. Das Proben-umgebende Element 7 läßt sich daher bei den Ausführungsformen der Fig. 1a und 1b derart anordnen, daß die Probenumgebende Fläche die Proben-tragende Fläche 5 umgibt. Bei der in Fig. 1a gezeigten Ausführungsform ist die Proben-tragende Fläche 5 vertikal ausgerichtet. Das Proben-umgebende Element 7 gemäß der Erfindung ist daher wirksam bezüglich des Verringerns der Menge von niedergeschlagenen Filmpartikeln, die vom oberen Bereich des Proben-umgebenden Elementes 7 auf die Proben-tragende Fläche fallen.

Die Fig. 7 bis 10 zeigen eine Ausführungsform des Proben-umgebenden Elementes 7, und die Fig. 11 bis 14 zeigen eine weitere Ausführungsform des Proben-umgebenden Elementes 7. Die in den Fig. 7 bis 10 gezeigte Anordnung ist eine einteilige Anordnung, während die in den Fig. 11 bis 14 gezeigte Anordnung eine zweiteilige Anordnung ist.

Wie in den Fig. 11 bis 14 gezeigt, kann Element 29 ein erstes und ein zweites Teil aufweisen. Das erste Teil umfaßt eine Platte 33, und die Probenumgebende Fläche 30 umfaßt eine erste Seite von Platte 33. Das zweite Teil umfaßt ein Ringelement 34, montiert auf einer zweiten Seite der Platte 33. Das Proben-umgebende Element beinhaltet vorzugsweise eine entsprechende Dichtung aus einem Material, das die thermische Leitung zwischen Platte 33 und Ringelement 34 steigert. So könnte beispielsweise ein weiches, anschmiegsames Material wie Indium oder Blei als Dichtungsmaterial verwendet werden.

Das Einstellmittel umfaßt einen Fluidkanal 31 im Ringelement 34. Fluidkanal 31 erstreckt sich in Umfangsrichtung um das Ringelement 34 an einer Stelle zwischen dem Innen- und dem Außenumfang von Ringelement 34. Das Einstellelement beinhaltet ferner einen Fluideinlaß 36 und einen Fluidauslaß 37 in leitender Verbindung mit Fluidkanal 31. Die in den Fig. 11 und 12 gezeigte Platte 33 läßt sich entfernbar an dem in den Fig. 13 und 14 gezeigten Ringelement montieren. Platte 33 wird vorzugsweise derart montiert, daß sie auf im wesentlichen konstanter Temperatur gehalten wird durch thermische Leitung zwischen einem radial äußeren Bereich von Platte 33 und Ringelement 34.

Bei der in den Fig. 7 bis 10 gezeigten Ausführungsform beinhaltet Element 29 einen Nabe 38, die sich von der Proben-umgebenden Fläche 30 hinweg erstreckt. Das Einstellmittel kann konzentrische Fluidkanäle 39 aufweisen, die sich in Umfangsrichtung um Element 29 an einer Stelle zwischen Nabe 38 und einem Außenumfang von Element 29 erstrecken. Das Einstellelement kann ferner einen Fluideinlaß und einen Fluidauslaß 36 bzw. 37 aufweisen, die mit den Fluidkanälen 39 in leitender Verbindung stehen. Um scharfe Kanten und Ecken zu vermeiden, beinhaltet Nabe 38 eine zylindrische Fläche 40, die sich von der Proben-umgebenden Fläche aus senkrecht erstreckt; eine geneigte Fläche 41 erstreckt sich radial einwärts der zylindrischen Fläche 40. Eine geneigte Fläche 41 liegt näher bei einer die Proben-umgebende Fläche 30 enthaltenden Ebene an Stellen, die von einer Zentralachse der Nabe 38 entfernt sind. Die zylindrische Fläche 40 ist an die Proben-umgebende Fläche 30 durch eine erste gekrümmte Fläche 42 angeschlossen; eine äußerste Kante der Proben-umgebenden Fläche umfaßt eine zweite gekrümmte Fläche 43.

Bei beiden Ausführungsformen des Proben-umgebenden Elementes 7 kann durch Element 29 eine Öffnung 44 hindurchgeführt werden, die groß genug ist, damit eine Proben-tragende Fläche eines Proben-tragenden Futters hindurchgeführt werden kann. Bei der in Fig. 1 gezeigten Anordnung würde Öffnung 44 ausreichen, daß eine Fläche eines elektrostatischen Futters hindurchpaßt, um eine Probe auf einer Probe-tragenden Fläche zu halten, die zur Proben-umgebenden Fläche 30 koplanar ist. Alternativ könnte die Probe derart gehalten werden, daß die Proben-tragende Fläche des Futters zu einer Kante der der Öffnung 44 nächsten geneigten Fläche 41 koplanar ist. Die Probe kann einen größeren Durchmesser als die Öffnung 44 aufweisen, so daß der Außenumfang der Probe die Proben-umgebende Fläche 30 der Platte 33 überlappt oder einen Abstand zur Proben-umgebenden Fläche 30 des einteiligen Proben-umgebenden Elementes gemäß der Fig. 7 bis 10 aufweist.


Anspruch[de]

1. . Vorrichtung (1) zur plasma-gestützten chemischen Bedampfung, mit einem Plasma-Schirm (6), der in einer Reaktionskammer hiervon angeordnet ist und die folgenden Elemente umfaßt:

ein Element (8) mit einer hierauf befindlichen Sichtlinienfläche (10) und einer konischen Plasma-Extraktionsbohrung (9), die sich in axialer Richtung hindurcherstreckt und die durch die Sichtlinienfläche (10) am Element (8) definiert ist;

eine Regeleinrichtung zum Regeln der Ablagequalität der Sichtlinienfläche zwecks Verbesserung der Adhäsion und Integrität eines hierauf gebildeten Films, wenn ein Film auf einer Probe in der Reaktionskammer zufolge einer Reaktion mit Plasmagas abgelagert wird, umfassend eine Einstelleinrichtung zum Einstellen der Temperatur der Sichtlinienfläche (10); und

Mittel zum Montieren des Elementes (8) in der Reaktionskammer (3) derart, daß ein Plasma-Reaktionsbereich zwischen der Sichtlinienfläche (10) und einer zwecks Behandlung in der Reaktionskammer (3) angeordneten Probe plaziert wird;

wobei die Einstelleinrichtung die Sichtlinienfläche (10) auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur hält; und

wobei die Einstelleinrichtung im Element (8) einen Fluid-Kanal (11) aufweist, der sich in Umfangsrichtung um das Element (8) an einer Stelle zwischen dem inneren und dem äußeren Umfang des Elementes (8) herumerstreckt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Element (8) ein Horn (14) aufweist, das sich von einem Auslaßende (16) der Bohrung (9) aus erstreckt und das eine konische Durchgangsöffnung (17) aufweist, die sich derart erweitert, daß ein Auslaßende (19) der Öffnung größer als deren Einlaßende (18) ist, und daß die Öffnung durch eine Sichtlinienfläche am Horn definiert ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diese weiterhin eine Gasejektionseinrichtung (13) zum Ausstoßen von Gas in die Bohrung (9) aufweist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasejektionseinrichtung (13) eine Mehrzahl von Öffnungen (22) aufweist, die in gegenseitigem Abstand in Umfangsrichtung um das Element herum angeordnet sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Element ein erstes und ein zweites Teil aufweist, daß das zweite Teil einen Ring (24) umfaßt, der am ersten Teil am Auslaßende der Bohrung angeordnet ist, und daß der Ring (24) eine Mehrzahl von Öffnungen (22) aufweist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede Öffnung (22) eine zentrale Achse B an ihrem Auslaßende aufweist, daß die zentrale Achse B in bezug auf die axiale Richtung derart geneigt ist, daß ein Ende der Öffnung, das der Bohrung (9) zugewandt ist, in bezug auf eine Bewegungsrichtung des Plasmas durch die Bohrung weiter stromabwärts angeordnet ist, als andere Bereiche der Öffnung.

7. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Horn Aussparungen (20) aufweist, die sich radial zwischen der Öffnung und einem Außenumfang des Hornes (14) erstreckt, damit eine Probe hindurchgeführt werden kann.

8. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Bohrung (9) und die Öffnung (17) derart bemessen sind, um einen direkten Kontakt mit einem durch die Bohrung (9) und die Öffnung (17) hindurchtretenden Plasmastrom dann zu vermeiden, wenn Plasma durch die Bohrung (9) abgezogen wird.

9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Element (8) Aluminium umfaßt und die Sichtlinienfläche (10) eine ausgesetzte Aluminiumfläche, und daß die Sichtlinienfläche frei von Kanten ist, die in einem auf der Sichtlinienfläche abgelagerten Film mittels einer Reaktion mit Plasmagas Spannungen erzeugen würde.

10. Vorrichtung (1a) zum plasma-gestützten chemischen Bedampfen, umfassend in einer Reaktionskammer hiervon ein eine Probe umgebendes Element, das die folgenden Elemente umfaßt: ein Element (29) mit einer eine Probe umgebenden Fläche, die mit einem Plasmagas in Kontakt gelangt;

eine Regeleinrichtung zum Regeln der Ablagerungsqualität der probenumgebenden Fläche (30) zwecks Verbesserns der Adhäsion und Integrität eines hierauf gebildeten Films, wenn ein Film auf einer Probe niedergeschlagen wird, die auf einer proben-tragenden Fläche (5) in der Reaktionskammer (3) angeordnet ist, zufolge einer Reaktion mit Plasmagas, wobei die Regeleinrichtung eine Einstelleinrichtung zum Einstellen der Temperatur der die Probe umgebenden Fläche aufweist; und

Mittel zum Montieren des Elementes in der Reaktionskammer derart, daß die proben-umgebende Fläche (30) die proben-tragende Fläche (5) umgibt, und daß das Element die Temperatur der proben-tragende Fläche dann nicht thermisch beeinflußt, wenn Plasmagas mit der proben-umgebenden Fläche und der proben-tragenden Fläche (5) in Kontakt gelangt;

wobei die Einstelleinrichtung die proben-umgebende Fläche auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur hält;

und wobei

das Element (29) ein erstes und ein zweites Teil aufweist,

das erste Teil eine Platte (33) aufweist,

die proben-umgebende Fläche (30) eine erste Seite der Platte (33) umfaßt,

das zweite Teil ein ringförmiges Element (34) umfaßt, das an einer zweiten Seite der Platte (33) angeordnet ist,

das Einstellmittel einen Fluid-Kanal (31) im ringförmigen Element (34) umfaßt,

sich der Fluid-Kanal (31) in Umfangsrichtung um das ringförmige Element (34) an einer Stelle zwischen dem inneren und dem äußeren Umfang des ringförmigen Elementes erstreckt,

und die Einstelleinrichtung weiterhin einen Fluid-Einlaß (36) und einen -Auslaß (37) aufweist, die mit dem Fluid-Kanal (31) in leitender Verbindung stehen.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (33) am ringförmigen Element (34) unter Zwischenfügung einer Dichtung entfernbar montiert ist, derart, daß die Platte durch thermische Leitung zwischen einem radial äußeren Bereich der Platte und dem ringförmigen Element auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur gehalten wird, und daß die Dichtung ein Material umfaßt, das die thermische Leitung zwischen Platte und ringförmigem Element (34) begünstigt.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Element (29) eine Nabe (38) aufweist, die sich von der probenumgebenden Fläche (30) hinwegerstreckt, daß die Einstelleinrichtung einen Fluid-Kanal (39) aufweist, der sich in Umfangsrichtung um das Element an einer Stelle zwischen der Nabe (39) und dem Außenumfang des Elementes erstreckt, und daß die Einstelleinrichtung weiterhin einen Fluid-Einlaß (36) und einen Fluid-Auslaß (37) aufweist, die mit dem Fluid-Kanal (39) in leitender Verbindung stehen.

13. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Element (29) Aluminium und die proben-umgebende Fläche (30) eine ausgesetzte Aluminiumfläche umfassen.

14. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die proben-umgebende Fläche (30) eine glatte, kontinuierliche Fläche umfaßt und frei von Kanten ist, die Spannungen erzeugen in einem Film, der auf der proben-umgebenden Fläche (30) zufolge einer Reaktion mit Plasmagas gebildet ist.

15. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Nabe (38) eine zylindrische Fläche (40) umfaßt, die sich von der probenumgebenden Fläche (30) aus senkrecht erstreckt, sowie eine sich verjüngende Fläche (41), die sich radial einwärts der zylindrischen Fläche (40) erstreckt und die näher an einer Ebene liegt, die die proben-umgebende Fläche (30) enthält an Stellen, die von einer zentralen Achse der Nabe (38) weiter entfernt sind.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die proben-umgebende Fläche in einer Ebene senkrecht zu einer Mittelachse der Nabe angeordnet ist, daß eine Außenfläche der Nabe an die proben-umgebende Fläche (30) mittels einer ersten bogenförmigen Fläche (42) angeschlossen ist, und daß eine äußerste Kante der proben-umgebenden Fläche eine zweite bogenförmige Fläche (43) umfaßt.

17. Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei das Element eine Durchgangsöffnung aufweist, die groß genug ist, um eine probentragende Fläche eines proben-tragenden Futters hindurchzuführen.

18. Verfahren zum Verbessern der Qualität eines auf einer Probe niedergeschlagenen Films bei einer Vorrichtung (1) zur plasmagestützten chemischen Bedampfung durch Minimierung der Partikelerzeugung in einer Reaktionskammer (3) der Vorrichtung, umfassend:

den Schritt des Erzeugens von Plasma in einer Plasmakammer (2), einer Vorrichtung (1) zur chemischen Bedampfung und zum Kontaktieren einer Fläche einer Probe in einer Reaktionskammer (3) der Vorrichtung mit einem Plasmastrom, um einen Film hierauf niederzuschlagen; und

den Schritt des Regelns der Niederschlagsqualität einer Sichtlinienfläche (10), die der Fläche der Probe zugewandt ist, um die Adhäsion und Integrität eines hierauf gebildeten Films während des Niederschlagens zu verbessern, um die Partikelerzeugung in der Reaktionskammer (3) zu minimieren, wobei die Sichtlinienfläche (10) eine konische Plasmaextraktionsbohrung (9) umfaßt, die den Plasmastrom vollständig umgibt und von einem Zentrum des Plasmastromes abweicht, um in einer Richtung gegen die Fläche der Probe weiterzuwirken, wobei der Regelschritt das Regeln der Temperatur der Sichtlinienfläche (10) umfaßt;

wobei der Regelschritt das Halten der Sichtlinienfläche (10) auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur umfaßt;

das gesagte Verfahren umfaßt weiterhin das Regeln der Niederschlagsqualität einer proben-umgebenden Fläche (30), die die Probe umgibt und die mit dem Plasma in Berührung gelangt, um die Adhäsion und Integrität eines während des Niederschlagsschrittes hierauf gebildeten Films zu verbessern, um die Partikelerzeugung in der Reaktionskammer (3) zu minimieren, wobei der Regelschritt das Halten der proben-umgebenden Fläche (30) auf einer im wesentlichen konstanten Temperatur umfaßt;

wobei der Regelschritt das Halten der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) auf Umgebungstemperatur beinhaltet.

19. Verfahren nach Anspruch 18, weiterhin umfassend einen Schritt des Konditionierens der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) vor dem Niederschlagschritt, und die Konditionierung das Eliminieren absorbierter Lagen auf der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) umfaßt, was zu einer Verringerung der Adhäsion des Filmes hieräufführen würde.

20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Konditionierschritt das in Kontaktbringen der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) mit Sauerstoffplasma beinhaltet.

21. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Konditionierschritt das in Berührungbringen der Sichtlinienfläche (10) und der probenumgebenden Fläche (30) mit Argonplasma beinhaltet.

22. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Konditionierschritt das in Berührungbringen der Sichtlinienfläche (10) und der probenumgebenden Fläche (30) mit Sauerstoff und Argonplasma beinhaltet.

23. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Sichtlinienfläche (10) und die proben-umgebende Fläche (30) Aluminium zur Steigerung der Adhäsion eines hierauf niedergeschlagenen Films umfaßt.

24. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Sichtlinienfläche (10) und die proben-umgebende Fläche (30) aus einem Material besteht, das die Adhäsion eines hierauf niedergeschlagenen Films begünstigt und die Geometrie der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) frei von Kanten ist, die Spannung erzeugen würden in einem auf der Sichtlinienfläche (10) und der proben-umgebenden Fläche (30) niedergeschlagenen Film.







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