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Dokumentenidentifikation DE69132849T2 13.06.2002
EP-Veröffentlichungsnummer 0563235
Titel TEMPERATURGESTEUERTE MIKROWELLENSUSZEPTORSTRUKTUR
Anmelder The Pillsbury Co., Minneapolis, Minn., US
Erfinder PERRY, R., Michael, Plymouth, US;
LENTZ, R., Ronald, Wayzata, US
Vertreter BOEHMERT & BOEHMERT, 28209 Bremen
DE-Aktenzeichen 69132849
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 30.09.1991
EP-Aktenzeichen 929025542
WO-Anmeldetag 30.09.1991
PCT-Aktenzeichen PCT/US91/07192
WO-Veröffentlichungsnummer 0009211740
WO-Veröffentlichungsdatum 09.07.1992
EP-Offenlegungsdatum 06.10.1993
EP date of grant 05.12.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 13.06.2002
IPC-Hauptklasse H05B 6/80
IPC-Nebenklasse A21D 10/02   B32B 15/04   B65D 81/34   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft Mikrowellengaren. Insbesondere liefert die vorliegende Erfindung eine Suszeptorstruktur zur Benutzung in einem Mikrowellenofen.

Die Erwärmung von Speisen in einem Mikrowellenofen unterscheidet sich bedeutend von der Erwärmung von Speisen in einem konventionellen Ofen. In einem konventionellen Ofen wird Wärmeenergie an die äußere Oberfläche der Speise angelegt und bewegt sich in die Speise hinein, bis die Speise gegart ist. Daher ist typischerweise eine konventionell gegarte Speise heiß auf der äußeren Oberfläche und warm im Zentrum.

Mikrowellengaren, auf der anderen Seite, schließt die Absorption von Mikrowellen, welche charakteristischerweise viel tiefer in die Speise eindringen, als es Infrarotstrahlung (Wärme) macht, ein. Außerdem kann beim Mikrowellengaren die Lufttemperatur im Mikrowellenofen relativ niedrig sein. Daher ist es nicht ungewöhnlich für eine Speise, die in einem Mikrowellenofen gegart wird, daß sie kalt auf den Oberflächen und viel heißer im Inneren ist.

Dennoch müssen die äußeren Oberflächen der Speise bis auf ein ausreichendes Maß erhitzt werden, so daß Feuchtigkeit auf den äußeren Oberflächen der Speise entfernt wird, um die äußeren Oberflächen der Speise braun und knusprig zu machen. Weil die äußeren Oberflächen einer in einem Mikrowellenofen gegarten Speise typischerweise kälter als das Innere der Speise sind, ist es schwierig, eine Speise in einem Mikrowellenofen zu bräunen und knusprig zu machen.

Um das Bräunen und Knusprigmachen einer Speise in einem Mikrowellenofen zu ermöglichen, sind Vorrichtungen, die als Suszeptoren bekannt sind, entwickelt worden. Suszeptoren sind Vorrichtungen, welche, wenn man sie mit Mikrowellenenergie bestrahlt, sehr heiß werden. Durch Plazierung eines Suszeptors in der Nähe eines Speisenproduktes in einem Mikrowellenofen wird die Oberfläche des Speisenprodukts, welche dem Suszeptor ausgesetzt ist, durch den Suszeptor oberflächenerhitzt. Dadurch wird Feuchtigkeit auf der Oberfläche der Speise von der Oberfläche der Speise entfernt, und die Speise wird knusprig und braun.

Viele herkömmliche Suszeptorstrukturen haben einen dünnen Metallfilm, typischerweise Aluminium, welcher auf einem Substrat wie Polyester aufgebracht ist, eingeschlossen. Die metallisierte Polyesterlage ist typischerweise zur Unterstützung mit einem Trägermaterial, wie einem Blatt Pappe oder gewelltem Papier, verbunden.

Herkömmliche Suszeptoren haben dennoch bestimmte Nachteile. Sie unterliegen einem Prozeß, der hier als Aufbrechen bezeichnet wird, in welchem die elektrische Kontinuität des dünnen Metallfilms während des Garens verloren geht. Das Ergebnis des Verlustes der elektrischen Kontinuität ist ein irreversibler Verlust der Mikrowellenempfänglichkeit des Suszeptors und eine geringere prozentuale Energieabsorption durch den Suszeptor während des Garens. Eine geringere EnergieAbsorption führt zu geringeren Suszeptorgartemperaturen und zu einem entsprechendem Rückgang der Fähigkeit des Suszeptors, die Speisen knusprig zu machen.

Die Fähigkeit des Suszeptors die Speisen knusprig zu machen, ist teilweise behindert, wenn der Suszeptor das Aufbrechen erleidet, bevor er die Temperatur erreicht, welche ausreichend ist, Feuchtigkeit von der Oberfläche der Speise zu entfernen. Die Substrate typischer Suszeptorstrukturen des Stands der Technik wurden aus Polyethylenterephthalat (PET) ausgeformt. Die metallische Lage war typischerweise Aluminium, welches auf die PET-Lage aufgebracht war. Diese Suszeptoren erlitten das Aufbrechen typischerweise bei ungefähr 200ºC. In vielen Fällen ist dies unzureichend, um eine ausreichende Oberflächenerwärmung der Speise zu erreichen, um die gewünschte Bräunung und Knusprigmachung zu erzielen.

Daher wurden andere Materialien als Substrat in Suszeptorstrukturen erprobt. Zum Beispiel wurde Polyetherimid (PET) metallisiert und als Suszeptor benutzt. Bei Kopplung dieser Suszeptoren an ein Trägermaterial, wie Pappe, verbrennt und verkohlt die Pappe, da der Suszeptor das Aufbrechen bei einer höheren Temperatur erleidet.

Die EP-A-0 344 839 offenbart einen doppelt-funktionellen, geschichteten Suszeptor, welcher einen Plastikfilm mit einer darauf befindlichen Metallage und Papier oder Pappe, welche an der Metallage haftet, umfaßt, wobei der Plastikfilm für eine Erweichungstemperatur, welche die Umwandlungstemperatur festlegt, ausgewählt ist.

"Polymer-Werkstoff" von G. W. Ehrenstein (Karl Hansser Verlag München Wien 1978) Seiten 76, 146, 147, 148, 151 und 152 beziehen sich auf die Orientierung von Polymeren durch Streckung.

Die US-A-4,391,833 bezieht sich auf eine Methode zur Herstellung eines Pappproduktes, welches resistent gegen Verfärbung und stabil bei Erhitzung ist, wobei das Produkt auf der ersten Oberfläche mit einer pigmentierten wasserundurchlässigen Schicht und auf der zweiten Oberfläche mit einer pigmentierten wasserundurchlässigen Schicht bedeckt ist.

Die WO-A-8911771 bezieht sich auf eine Methode zur Steuerung der Erwärmungsschwerpunkte von speziellen Suszeptorbeschichtungen, um die Erwärmung über eine spezielle Temperatur zu reduzieren.

Die vorangehende Diskussion zeigt, daß Suszeptoren aufgrund von zwei scheinbar gleichen aber unterschiedlichen Prinzipien funktionieren. Suszeptoren erwärmen, da sie Mikrowellenenergie absorbieren, welche in Wärmeenergie umgewandelt wird. Die Menge an Mikrowellenenergie, welche durch den Suszeptor absorbiert wird, ist abhängig von der Oberflächenimpedanz des Suszeptors.

Zusätzlich zur Erwärmung durch Absorption von Mikrowellenenergie müssen Suszeptoren ein temperaturbegrenzendes Merkmal besitzen, um zu verhindern, daß der Suszeptor Papier, Speisen oder andere Dinge, welche im Kontakt mit dem Suszeptor sind, überhitzt und verbrennt.

Aus diesen Gründen besteht ein weiterer Bedarf an der Entwicklung einer Suszeptorstruktur, welche geeignet ist, Gartemperaturen, die sich zur Bräunung und zum Knusprigmachen von Speisenprodukten eignen, zu erreichen und beizubehalten, die aber außerdem einen Temperatursteuerungsmechanismus zur Vermeidung von Überhitzungszuständen aufweisen.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Suszeptorstruktur bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte der Verbindung eines Substrats mit einer metallisierte Lage und der Bereitstellung einer Unterstützungseinrichtung zur Unterstützung der metallisierten Lage und des Substrats umfaßt, wobei das Verfahren den vorbereitenden Schritt der Konditionierung des Substrats zur physischen Größendeformation durch Aussetzen einer gewünschten Menge an Wärmeenergie umfaßt, wobei das konditionierte Substrat einen Schmelzbeginn im Bereich von etwa 260º - 300ºC aufweist, so daß Schmelzen und physische Größendeformation des Substrats eine Diskontinuität in der metallisierten Lage hervorrufen.

Die Erfindung betrifft außerdem einen Suszeptor, umfassend ein Substrat, eine metallisierte Lage verbunden mit dem Substrat, wobei die metallisierte Lage zur Erzeugung von Wärme in Reaktion auf eine Bestrahlung mit Mikrowellenenergie ausgeformt ist, und eine Unterstützungseinrichtung, zur Unterstützung des Substrats und der metallisierten Lage, wobei das Substrat physische Eigenschaften aufweist, so daß eine Größendeformation des Substrats in Reaktion auf Temperaturwechsel eintritt, welche durch die Absorption von Mikrowellenenergie hervorgerufen werden, und so daß der Schmelzbeginn des Substrats bei einer Temperatur im Bereich von etwa 260º - 300ºC auftritt.

Das Substrat kann ein halbkristalllines Substratmaterial wie Polyethylennaphthalat oder Polycyclohexylendimethylenterephthalat umfassen.

Der Schritt der Konditionierung kann eine Hitzefixierung des Substrats auf eine gewünschte Temperatur umfassen und kann den Schritt einer Orientierung des Substrats, welche durch Dehnung des Substrats erreicht werden kann, umfassen.

Bevorzugt umfaßt das Substrat ein Polymermaterial, welches so konditioniert ist, daß es in Reaktion auf erhöhte Temperaturen schrumpft, wobei das Polymer auf eine gewünschte Temperatur hitzefixiert sein kann. Bevorzugt tritt die Größendeformation des Substrats vorrangig vor dem Schmelzbeginn des Substrats ein.

Zum leichteren Verständnis der Erfindung und um die zusätzlichen Merkmale derselben leichter erkennen zu können, wird die Erfindung nun durch Beispiele, unter Bezugnahme auf die angefügten Zeichnungen, beschrieben:

Fig. 1A ist eine Seitenansicht einer Suszeptorstruktur der vorliegenden Erfindung.

Fig. 1B ist eine Aufsicht auf die Suszeptorstruktur, welche in Fig. 1A gezeigt ist, und zeigt die Entwicklung von Hotspots.

Fig. 1C ist eine Aufsicht auf die Suszeptorstruktur, welche in den Fig. 1A und 1B gezeigt ist, nachdem Diskontinuitäten an den Hotspots sich lateral ausgedehnt haben.

Fig. 2 zeigt einen Graphen der Impedanz (real und imaginär), welcher gegen die Temperatur und ºC aufgetragen ist, für eine typische Suszeptorstruktur.

Fig. 3 zeigt eine Auftragung der Impedanz (real und imaginär), aufgetragen gegen die Temperatur und ºC, für eine zweite typische Suszeptorstruktur.

Fig. 4 zeigt eine Auftragung der Impedanz (real und imaginär), aufgetragen gegen die Temperatur und ºC, für eine Suszeptorstruktur der vorliegenden Erfindung.

Fig. 1A zeigt die relative Position von Komponenten einer Suszeptorstruktur 10. Es sollte beachtet werden, daß der Suszeptor 10 nicht maßstabsgetreu in Fig. 1A gezeichnet ist. Der Klarheil wegen sind die Dicken der Lagen, welche in Fig. 1A dargestellt sind, außerordentlich übertrieben dargestellt.

Der Suszeptor 10 schließt ein Substrat 12 ein, auf welchem eine metallisierte Lage 14 aufgebracht ist. Der Suszeptor 10 schließt außerdem eine Unterstützungslage 16 ein. Das Substrat 12 ist typischerweise eine dünne Lage orientiertes und hitzefixiertes Polymermaterial, wie Polyethylenterephthalat (PET). Der metallisierte Film 14 ist typischerweise eine Aluminiumlage, welche auf das Substrat 12 durch Vakuumverdampfung, Sputtern oder eine andere geeignete Methode aufgebracht wird. Die Unterstützungslage 16, typischerweise Pappe oder gewelltes Papier, ist mit der metallisierten Lage 14 an einer Grenzfläche 18 durch die Verwendung eines Klebstoffs verbunden.

Wenn der Suszeptor 10 in einen Mikrowellenofen eingebracht und mit Mikrowellenenergie bestrahlt wird, beginnt ein Strom in der metallisierten Lage 14 des Suszeptor 10 aufgrund eines elektrischen Feldes, welches durch den Mikrowellenofen hervorgerufen wird, zu fießen. Ein Teil des Flusses, welcher in der metallisierten Lage 14 fließt, wird durch die vertikalen Pfeile, die in Fig. 1 B gezeigt sind, dargestellt. Wenn Strom fließt, beginnt sich die metallisierte Lage 14, als eine Funktion des erzeugten Stroms und der Oberflächenimpedanz (4) der Lage 14 zu erwärmen. Dennoch ist beobachtet worden, daß die metallisierte Lage 14 sich nicht gleichmäßig erwärmt. Vielmehr entstehen, wie in Fig. 1B dargestellt ist, Hotspots, wie die Spots 20 und 22.

Wenn die metallisierte Lage 14 sich weiter erwärmt und die 1-Iotspots 20 und 22 heißer werden, findet Wärmetransport überall im Suszeptor 10 statt, und die Temperatur des Substrats 12 erhöht sich ebenfalls. An den Hotspots 20 und 22 entstehen Diskontinuitäten, wie ausgedünnte Bereiche, Löcher oder Risse, in der metallisierten Lage 14.

Fig. 1C zeigt eine Aufsicht des Suszeptors 10 mit den Diskontinuitäten an den Hotspots 20 und 22, welche sich in laterale Risse oder ausgedünnte Bereiche ausgedehnt haben. Wenn die Temperatur des Suszeptor 10 weiter steigt, nähern sich mehr Punkte auf dem Suszeptor 10 der Temperatur, bei der sich zusätzliche laterale Risse im Substrat 12 bilden, wodurch die Bildung von mehr Diskontinuitäten in der metallisierten Lage 14 vorangetrieben wird. Die lateralen Risse und Diskontinuitäten, welche sich im Substrat 12 und der metallisierten Lage 14 bilden, zerstören im wesentlichen die elektrische Kontinuität in der metallisierten Lage 14. Dies reduziert die Empfänglichkeit des Suszeptor 10 für Mikrowellenenergie, und der Suszeptor 10 beginnt sich abzukühlen, ungeachtet der Tatsache, daß er weiter mit Mikrowellenenergie bestrahlt wird. Daher ist die Fähigkeit des Suszeptors 10, eine weitere Erwärmung hervorzurufen, im wesentlichen zerstört.

Es sollte berücksichtigt werden, daß das elektrische Feld in einem Mikrowellenofen eine zufällige Richtung aufweist. Daher bilden sich im allgemeinen Diskontinuitäten in vielen Richtungen auf der metallisierten Lage 14 und folgen den Positionen der Hotspots.

Desweiteren sollte berücksichtigt werden, daß das PET-Substrat 12 im allgemeinen mit der Ausbildung von Diskontinuitäten beginnt, wenn die Temperatur an den Hotspots 20 und 22 etwa bei 250ºC liegt. Dennoch ist der Hauptteil der Oberfläche des Suszeptors 10, anders als die Hotspots 20 und 22, typischerweise viel kälter (z. B. 200ºC oder sogar kälter). Daher kann der Hauptteil des Oberflächenbereichs des Suszeptors 10 lediglich eine Temperatur im Bereich von 200ºC - 220ºC erreichen, bevor er aufbricht und einen Teil seiner Fähigkeit verliert, Mikrowellenergie zu absorbieren. Das resultierende Potential des Suszeptor 10, Mikrowellenenergie zu absorbieren, ist unzureichend, um die Oberfläche von Speisen ausreichend zu erwärmen, um eine gewünschte Bräunung und Knusprigmachung zu erzielen.

Fig. 2 zeigt einen Graphen der Impedanz (real, RS, und imaginär, XS) der metallisierten Lage 14 in einer herkömmlichen PET-Suszeptorstruktur, aufgetragen gegen die Temperatur in ºC. Die Suszeptorstruktur wurde in einer Testvorrichtung mit Mikrowellenenergie bestrahlt und, während sie sich erwärmte, änderte sich die Impedanz der metallisiserten Lage. Fig. 2 zeigt, daß bei etwa 200ºC bis 210ºC die Impedanz scharf anstieg. Dies ist auf die Bildung von zahlreichen Rissen oder Diskontinuitäten in der metallisierten Lage 14 des Suszeptor zurückzuführen. Der scharfe Anstieg der Impedanz resultierte in einem geringeren Stromfluß in der metallisierten Lage 14 der PET-Suszeptorstruktur und einem entsprechenden Rückgang der Erwärmung der Suszeptorstruktur.

Fig. 3 zeigt einen Graphen der Impedanz (real, R5, und imaginär, XS), aufgetragen gegen die Temperatur in ºC, für eine Suszeptorstruktur, welche ein Substrat aufweist, welches aus amorphem, nicht orientiertem Polycyclohexylendimethylenterephthalat (PCDMT) hergestellt ist. Fig. 3 zeigt, daß das Aufbrechen in der Suszeptorstruktur bei Bestrahlung mit Mikrowellenenergie nicht auftrat, auch nicht, als die Suszeptorstruktur etwa 295ºC erreichte. Daher würde die Suszeptorstruktur Temperaturen erreichen, die Papier versengen oder verkohlen oder Speisenprodukte, welche im Kontakt mit der Suszeptorstruktur sind, verbrennen könnten.

Es wurde beobachtet, daß eine Suszeptorstruktur zur Erreichung einer höheren Gartemperatur als jene, die durch einen herkömmlichen PET-Suszeptor erreicht wird, aber einer niedrigeren Gartemperatur als jene Temperatur, die zur Versengung von Papier notwendig ist, ein Substrat mit einem Schmelzbeginn zwischen etwa 260ºC und 300ºC, mit einem bevorzugten Zielbereich von etwa 270-280ºC, aufweisen sollte, bestimmt durch Scanningkalorimetrie unter Verwendung einer I0 bis 20 mg schweren Probe und bei einer Temperaturanstiegsrate von 10ºK/min. Ferner sollte das Substrat in der bevorzugten Suszeptorstruktur Eigenschaften aufweisen, die ausreichend sind, um eine Deformation in der physischen Größe hervorzurufen, wenn die Suszeptorstruktur sich erwärmt. Die Kräfte, die die Größendeformation hervorrufen, sollten in dem Substrat der Suszeptorstruktur ausgeübt werden, wenn das Substrat die Temperatur des Schmelzbeginns erreicht. Das Substrat ist mit der metallisierten Lage verbunden, so daß ein Schmelzen und eine physische Größendeformation des Substrats eine Diskontinuität in der metallisierten Lage hervorrufen.

Das Ergebnis ist eine Suszeptorstruktur, die eine mit einem Thermoelement gemessene Aufbrechtemperatur von ungefähr 230 bis 245ºC aufweist. Diese Betriebstemperatur ist ausreichend, um die Fähigkeit der Knusprigmachung der Suszeptorstruktur zu erhöhen, während die Suszeptorstruktur sich nicht auf einen Punkt aufheizt, bei welchem sie Papier versengen könnte.

In einer bevorzugten Ausführungsform der Suszeptorstruktur der vorliegenden Erfindung wird das Substrat 12 aus einem Copolyester, PCDMT, gebildet, welches kommerziell unter der Marke Kodar Thermx PM13319, verkauft durch Eastman Cemical Products, Inc., verfügbar ist, und anschließend orientiert und hitzefixiert.

Das Substrat 12 war anfänglich ein 10,16 cm (4 Inch) großes, quadratisches Blatt amorphen PCDMT-Materials mit einer Dicke von 0,102 mm (0.004 Inches). Das Blatt wurde dann erhitzt und durch Dehnung auf einem T. M. Langdehner orientiert. Das Blatt wurde zu einem 18,41 em (7,25 Inch) großen, quadratischen Film mit einer Dicke von ungefähr 0,025 mm (0,001 Inches) gedehnt. Die tatsächliche lineare Dehnung betrug ungefähr 1,81 (d. h. 7,25/4 = 1,81). Der Film wurde dann bei einer Temperatur von ungefähr 240,6ºC (465ºF) hitzefixiert.

Das hitzefixierte, orientierte PCDMT-Substrat wurde dann metallisiert. Etwa 255 Å Chrom wurden durch Vakuumverdampfen, Dampfaufbringen oder eine andere geeignete Methode, die zu einer metallisierten Lage führen, welche idealerweise einen Oberflächenwiderstand von ungefähr 100 Ω/sq aufweist, auf das Substrat aufgebracht.

Die Unterstützungslage 16 wurde aus einer kommerziell verfügbaren Pappe mit Suszeptorqualität gebildet. Eine Klebstofflage 18 war ein wässriger Laminierklebstoff, welcher für die Mikrowellennutzung geeignet war, genauer der Klebstoff WC-3458-Y-EN von H. B. Fuller Co. aus Vadnais Heights, MN 55110.

Fig. 4 ist ein Graph der Impedanz (real, R5, und imaginär, XS) des Suszeptors der vorliegenden Erfindung, aufgetragen gegen die Temperatur in ºC. Fig. 4 zeigt, daß das Aufbrechen im Suszeptor der vorliegenden Erfindung nicht bis zu einer Temperatur zwischen ungefähr 240ºC und 250ºC begann. Daher erwärmte sich die Suszeptorstruktur der vorliegenden Erfindung auf eine beträchtlich höhere Temperatur als eine herkömmliche PET-Suszeptorstruktur, jedoch nicht so hoch wie eine amorphe PCDMT-Suszeptorstruktur. Daher ist die Suszeptorstruktur der vorliegenden Erfindung geeignet, eine gute Knusprigmachung und Bräunung von Nahrungsmitteln bereitzustellen, ohne Temperaturen zu erreichen, welche ausreichend sind, um Papier zu verkohlen.

Diese bevorzugte Ausführungsform wurde in Bezug auf eine chrommetallisierte Lage 14 und ein orientiertes und hitzefixiertes PCDMT-Substrat 12 beschrieben. Jedoch können auch andere Materialien benutzt werden. Z. B. könnte die metallisierte Lage 14 eine Aluminiumlage sein, welche auf dem Substrat 12 aufgebracht ist. Ebenfalls könnte das Substrat 12 irgendein anderes geeignetes Material sein. Z. B. beim Garen von Nahrungsmitteln könnte das Substrat 12 aus jedem anderen Material hergestellt sein, welches so beschaffen ist, daß es durch einen Schmelzbeginn im Bereich von etwa 260 bis 300ºC charakterisiert: ist, und in welchem Kräfte zur physischen Größendeformation (z. B. Schrumpfung) in dem Material ausgeübt werden, wenn das Substrat den Schmelzbeginn erreicht. Der Punkt, bei welchem physische Größendeformationskräfte ausgeübt werden, kann durch die Nutzung verschiedener Verfahren, wie der Orientierung, eingestellt werden. Halbkristalline Materialien, einschließlich Polyethylennaphthalat (PEN), sind im allgemeinen geeignet.

Obwohl die vorliegende Erfindung in Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben worden ist, werden Fachleute auf diesem Gebiet erkennen, daß Änderungen in Form und Detail gemacht werden können, ohne vom Gedanken und Umfang der Erfindung abzuweichen.


Anspruch[de]

1. Verfahren zur Herstellung einer Suszeptorstruktur (10), wobei das Verfahren die Schritte der Verbindung eines Substrats (12) mit einer metallisierten Lage (14) und der Bereitstellung einer Unterstützungseinrichtung (16) zur Unterstützung der metallisierten Lage und des Substrats umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren den vorbereitenden Schritt der Konditionierung des Substrats zur physische Größendeformation durch Aussetzen einer bestimmten Menge an Wärmeenergie umfaßt, wobei das konditionierte Substrat einen Schmelzbeginn im Bereich von 260 - 300ºC aufweist, so daß Schmelzen und physische Größendeformation des Substrats eine Diskontinuität in der metallisierten Lage hervorrufen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Konditionierung eine Hitzefixierung des Substrats (12) auf eine gewünschte Temperatur umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Konditionierung eine Orientierung des Substrats (1Z) umfaßt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Orientierung die Dehnung des Substrats (12) umfaßt.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Polyethylennaphthalat umfaßt.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Polycyclohexylendimethylenterephthalat umfaßt.

7. Suszeptor (10), umfassend ein Substrat (12), eine metallisierte Lage (14) verbunden mit dem Substrat, wobei die metallisierte Lage zur Erzeugung von Wärme in Reaktion auf eine Bestrahlung mit Mikrowellenenergie ausgeformt ist und eine Unterstützungseinreichtung (16) zur Unterstützung des Substrats in der metallisierten Lage, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat physische Eigenschaften aufweist, so daß eine physische Größendeformation des Substrats eintritt, wenn es einer bestimmten Wärmeenergie ausgesetzt ist, welche durch die Absorption von Mikrowellenenergie hervorgerufen wird, und so daß der Schmelzbeginn des Substrats bei einer Temperatur in einem Bereich von 260-300ºC auftritt.

8. Suszeptor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) ein Polymermaterial umfaßt, welches so konditioniert ist, daß es in Reaktion auf eine bestimmte Temperatur schrumpft.

9. Suszeptor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymermaterial zusätzlich ein Polymermaterial, welches auf eine bestimmte Temperatur hitzefixiert ist, umfaßt.

10. Suszeptor nach Anspruch 7, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Größendeformation des Substrats vorrangig vor dem Schmelzbeginn des Substrats eintritt.

11. Suszeptor nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein halbkristallines Substratmaterial umfaßt.

12. Suszeptor nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Polycyclohexylendimethylenterephthalat umfaßt.

13. Suszeptor nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Polyethylennaphthalat umfaßt.







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