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Spannungssteuerung mit gedämpfter Temperaturempfindlichkeit - Dokument DE69708019T2
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE69708019T2 20.06.2002
EP-Veröffentlichungsnummer 0829796
Titel Spannungssteuerung mit gedämpfter Temperaturempfindlichkeit
Anmelder Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven, NL
Erfinder Perraud, Jean-Claude, 75008 Paris, FR
Vertreter derzeit kein Vertreter bestellt
DE-Aktenzeichen 69708019
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument FR
EP-Anmeldetag 21.08.1997
EP-Aktenzeichen 972025795
EP-Offenlegungsdatum 18.03.1998
EP date of grant 07.11.2001
Veröffentlichungstag im Patentblatt 20.06.2002
IPC-Hauptklasse G05F 3/26

Beschreibung[de]

Spannungssteuerung mit gedämpfter Temperatiurempfindlichkeit Diese Erfindung betrifft eine Spannungssteuerung mit einer ersten und einer zweiten Versorgungsklemme und einer Ausgangsklemme, versehen mit einem ersten und einem zweiten Transistor zur Bildung eines Differentialpaars, mit einer Verbindung zwischen ihren Emittern, wobei die Basis des ersten Transistors dazu dient, eine sogenannte Referenzspannung zu erhalten, die Basis des zweiten Transistors dazu dient, einen vorbestimmten Bruchteil einer der ersten Versorgungsklemme zugeführten Spannung zu erhalten, die Spannungssteuerung zudem mit einem ersten und einem zweiten Stromspiegel versehen ist, die beide eine mit der ersten Versorgungsklemme verbundene Versorgungsbrücke aufweisen, ein Eingangszweig dazu dient, einen Eingangsstrom zu erhalten und ein Aus­··gangszweig dazu dient, einen Ausgangsstrom abzugeben, wobei jeder Stromspiegel so gebaut ist, damit sein Ausgangsstrom gleich K-mal seines Eingangsstroms ist, wobei K eine vorbestimmte reelle Zahl ist, die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors verbunden sind und die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des zweiten und ersten Transistors verbunden sind.

Eine solche Spannungssteuerung wird in dem Werk "201 Analog Designs", Seite 25, Absatz 64, von der Gesellschaft Interdesign veröffentlicht, beschrieben. Diese Spannungssteuerung ist insbesondere für Spannungssteuerungsanwendungen vorgesehen. Ihre Aufgabe besteht darin, eine zu steuernde Spannung mit einer Referenzspannung zu vergleichen. Um zu vermeiden, daß Oszillationsphänomene auftreten, wenn die zu steuernde Spannung im Bereich der besagten Referenzspannung oszilliert, über den Effekt aufeinanderfolgender Korrekturen, durch das Ergebnis der Vergleiche ausgelöst, weist die zuvor erwähnte Steuerung zwei Schaltschwellen auf, um die Erzeugung eines Hysteresiseffekts zu ermöglichen: Wenn die zu steuernde Spannung die erste Schwelle, die sogenannte obere Schwelle, überschreitet, wird ein sogenanntes Ausgangssignal an der Ausgangsklemme aktiviert und zeigt diese Überschreitung einer Schaltung an, die eine Änderung des Wertes der zu steuernden Spannung ermöglicht, um eine Verminderung des Wertes der besagten Spannung zu bewirken. Wenn diese soweit zurückgeht, um die zweite Schwelle, die sogenannte untere Schwelle, deren Wert unter dem der oberen Schwelle liegt, zu unterschreiten, wird das Ausgangssignal deaktiviert, was einen erneuten Anstieg der zu steuernden Spannung bewirkt. Wenn man die Referenzspannung Vref bezeichnet, sind die mit dieser Steuerung erhaltenen oberen und unteren Schwellen respektive Vref + Vt.ln(K) und Vrei Vt.ln(K), wobei Vt gleich KB. T/q und KB die Boltzmann-Konstante, T die absolute Temperatur und q die Ladung des Elektrons ist. Folglich wird ersichtlich, daß der Wert der Schwellen proportional zur Temperatur ist, was bedeutet, daß die Präzision der Steuerung stark von den Bedingungen abhängt, unter denen diese Steuerung verwendet wird. Diese Variationen können sich in Anwendungen stark bemerkbar machen, bei denen die Steuerung in ein tragbares Gerät integriert ist, wie z. B. in einem Mobiltelefon. Denn die Temperatur, der das Gerät ausgesetzt wird, variiert entsprechend der physischen Umgebung, in der sich der Anwender befindet, womit beträchtliche Variationen der Betriebsqualität des Gerätes verursacht werden, was nicht akzeptabel ist.

Ziel der Erfindung ist es folglich, diesen Nachteil weitgehend zu beheben, indem eine Spannungssteuerung vorgeschlagen wird, in der die Variationsamplitude der Schaltschwellenwerte entsprechend den Temperaturvariationen beträchtlich vermindert wird.

Tatsächlich ist nach der Erfindung eine Spannungssteuerung gemäß der Definition des einleitenden Absatzes dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand in die Verbindung zwischen den Emittern des ersten und zweiten Transistors eingefügt ist, diese Emitter mit der zweiten Versorgungsklemme über Stromquellen verbunden sind, die jeweils einen sogenannten Polarisierungsstrom abgeben, daß sie mit Injektionsmitteln versehen ist, um in den jeweiligen Kollektor des ersten und zweiten Transistors einen Strom gleich Q-mal ihres eigenen Polarisierungsstroms zu injizieren, wobei Q eine vorbestimmte reelle Zahl ist, und dadurch, daß sie mit Signalmitteln versehen ist, die es ihr ermöglichen, an ihrer Ausgangsklemme einen zum Eingangsstrom des ersten oder zweiten Stromspiegels proportionalen Strom abzugeben.

In einer solchen Spannungssteuerung kann die obere Schwelle in der Form Vref + R.x.I + Vt.ln((1 + x)/(1 - x)) ausgedrückt werden, und die untere Schwelle in der Form Vref - R.x.I - Vt.ln((1 + x)/(1 - x)) ausgedrückt werden, wobei in diesen Ausdrücken I den Wert des Polarisierungsstroms, R den in die Verbindung zwischen die Emitter des ersten und zweiten Transistors eingefügten Widerstand und x das Verhältnis des Polarisierungsstroms bezeichnet, der den besagten Widerstand in den Momenten durchquert, in dem die Schaltungen stattfinden. Dieses Verhältnis hängt exklusiv von den Parametern K und Q ab. Mit einer sorgfältigen Wahl dieser Parameter ist es folglich möglich, das Verhältnis (1 + x)/(1 - x) gegen 1 tendieren zu lassen und so den Einfluß der Temperatur auf die oberen und unteren Schwellen erheblich zu reduzieren.

Eine Durchführungsform der Erfindung weist eine Spannungssteuerung der zuvor beschriebenen Art auf, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektionsmittel einen dritten, einen vierten, einen fünften und einen sechsten Stromspiegel aufweisen, die jeweils einen Versorgungspunkt, einen Eingangszweig für den Erhalt eines Eingangsstroms und einen Ausgangszweig für die Abgabe eines Ausgangsstroms aufweisen, wobei der jeweilige Eingangszweig des dritten und vierten Stromspiegels vorgesehen ist, um respektive den Polarisierungsstrom des ersten und zweiten Transistors zu erhalten, die Versorgungspunkte des dritten und vierten Stromspiegels mit der zweiten Versorgungsklemme verbunden sind, die Eingangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels respektive mit den Ausgangszweigen des dritten und vierten Stromspiegels verbunden sind, die Ausgangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors verbunden sind, die Versorgungspunkte des fünften und sechsten Stromspiegels mit der ersten Versorgungsklemme verbunden sind, und der dritte, vierte, fünfte und sechste Stromspiegel so gebaut sind, damit die Ausgangsströme des fünften und sechsten Stromspiegels gleich Q-mal der Eingangsströme des dritten und vierten Stromspiegels, respektive, sind.

In einem besonderen Fall dieser Durchführungsform ist eine Spannungssteuerung der zuvor beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, daß der dritte und vierte Stromspiegel so gebaut sind, damit ihr Ausgangsstrom gleich Q-mal ihres Eingangsstroms ist, und daß der fünfte und sechste Stromspiegel so gebaut sind, damit ihr Ausgangsstrom gleich ihrem Eingangsstrom ist.

Eine besondere Durchführungsform der Erfindung weist eine Spannungssteuerung der zuvor beschriebenen Art auf, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor eine bestimmte Polarität haben, der dritte und vierte Stromspiegel aus Transistoren mit jeweils derselben Polarität wie der erste und zweite Transistor gebildet werden, und daß der erste, zweite, fünfte und sechste Stromspiegel aus Transistoren gebildet wird, die jeweils eine zum ersten und zweiten Transistor umgekehrte Polarität aufweisen.

In einer besonderen Durchführungsform ist eine Spannungssteuerung der zuvor beschriebenen Art dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor NPN-Transistoren sind.

Eine vorteilhafte Durchführungsform der Erfindung weist eine Spannungssteuerung der zuvor beschriebenen Art auf, in der der erste Stromspiegel aus einem dritten und einem vierten Transistor gebildet wird, und der zweite Stromspiegel wird aus einem fünften und einem sechsten Transistor gebildet, wobei der vierte und sechste Transistor respektive K-mal größer als der dritte und fünfte Transistor sind, die Basen des vierten und sechsten Transistors respektive zugleich mit den Basen und den Kollektoren des dritten und fünften Transistors verbunden sind, die Emitter des dritten und fünften Transistors respektive mit den Emittern des vierten und sechsten Transistors verbunden sind und respektive die Versorgungspunkte des ersten und zweiten Stromspiegels bilden, die Versorgungspunkte mit der ersten Versorgungsklemme verbunden sind, die Kollektoren des dritten und fünften Transistors respektive die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels bilden und die Kollektoren des vierten und sechsten Transistors respektive die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels bilden,

dadurch gekennzeichnete Spannungssteuerung, daß die Signalmittel einen siebten Transistor aufweisen, dessen Emitter mit der ersten Versorgungsklemme verbunden ist, dessen Kollektor mit der Ausgangsklemme der Spannungssteuerung verbunden ist und dessen Basis mit der Basis eines der den ersten und zweiten Stromspiegel bildenden Transistoren verbunden ist.

Die Erfindung wird besser anhand der folgenden Beschreibung verstanden, die als nicht begrenzendes Beispiel und hinsichtlich der Fig. 1 gegeben wird, die ein Schema darstellt, das eine Spannungssteuerung nach einer vorteilhaften Durchführungsform der Erfindung darstellt.

Die auf Fig. 1 dargestellte, der Erfindung entsprechende Spannungssteuerung weist eine erste und eine zweite Versorgungsklemme VDD und VSS und eine Ausgangsklemme auf. Sie ist mit einem ersten und einem zweiten Transistor T1 und T2 versehen, die ein Differentialpaar bilden, mit einer Verbindung zwischen ihren Emittern, wobei die Basis des ersten Transistors dazu dient, eine sogenannte Referenzspannung Vref zu erhalten, die Basis des zweiten Transistors dazu dient, einen vorbestimmten Bruchteil Vs einer der ersten Versorgungsklemme VDD zugeführten Spannung zu erhalten. Diese Spannung Vs wird am Zwischenknoten einer Teilerbrücke entnommen, gebildet aus zwei Widerständen R1 und R2, in Serie zwischen der ersten und zweiten Versorgungsklemme VDD und VSS angeordnet. Die Spannungssteuerung ist zudem mit einem ersten und einem zweiten Stromspiegel M1 und M2 versehen, die beide eine Versorgungsbrücke aufweisen, wobei ein Eingangszweig dazu dient, einen Eingangsstrom zu erhalten, und ein Ausgangszweig dazu dient, einen Ausgangsstrom abzugeben. Der erste Stromspiegel M1 wird aus einem dritten und einem vierten Transistor T3 und T4 gebildet, und der zweite Stromspiegel M2 wird aus einem fünften und einem sechsten Transistor T5 und T6 gebildet. Der vierte und sechste Transistor T4 und T6 sind respektive K-mal größer als der dritte und fünfte Transistor T3 und T5. Die Basen des vierten und sechsten Transistors T4 und T6 sind respektive zugleich mit den Basen und den Kollektoren des dritten und fünften Transistors T3 und T5 verbunden. Die Emitter des dritten und fünften Transistors T3 und T5 sind respektive mit den Emittern des vierten und sechsten Transistors T4 und T6 verbunden und bilden die Versorgungspunkte des ersten und zweiten Stromspiegels M1 und M2, wobei die Versorgungspunkte mit der ersten Versorgungsklemme VDD verbunden sind. Die Kollektoren des dritten und fünften Transistors T3 und T5 bilden respektive die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels M1 und M2. Die Kollektoren des vierten und sechsten Transistors T4 und T6 bilden respektive die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels M1 und M2. Die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels M1 und M2 sind respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors T1 und T2 verbunden. Die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels M1 und M2 sind respektive mit den Kollektoren des zweiten und ersten Transistors T1 und T2 verbunden. Ein Widerstand R ist zwischen den Emittern des ersten und zweiten Transistors T1 und T2 eingefügt, wobei diese Emitter mit der zweiten Versorgungsklemme VSS über Stromquellen verbunden sind, die jeweils einen sogenannten Polarisierungsstrom I abgeben. Die Spannungssteuerung enthält einen dritten, einen vierten, einen fünften und einen sechsten Stromspiegel, respektive M3, M4, M5, M6, die jeweils einen Versorgungspunkt, einen Eingangszweig für den Erhalt eines Eingangsstroms und einen Ausgangszweig für die Abgabe eines Ausgangsstroms aufweisen. Der jeweilige Eingangszweig des dritten und vierten Stromspiegels M3 und M4 ist vorgesehen, um respektive den Polarisierungsstrom I des ersten und zweiten Transistors T1 und T2 zu erhalten. Die Versorgungspunkte des dritten und vierten Stromspiegels M3 und M4 sind mit der zweiten Versorgungsklemme VSS verbunden. Die Eingangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels M5 und M6 sind respektive mit den Ausgangszweigen des dritten und vierten Stromspiegels M3 und M4 verhunden. Die Ausgangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels M5 und M6 sind respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors T1 und T2 verbunden. Die Versorgungspunkte des fünften und sechsten Stromspiegels M5 und M6 sind mit der ersten Versorgungsklemme VDD verbunden. Der dritte und vierte Stromspiegel M3 und M4 sind so gebaut, damit ihr Ausgangsstrom gleich Q-mal ihres Eingangsstroms ist. Der fünfte und sechste Stromspiegel M5 und M6 sind so gebaut, damit ihr Ausgangsstrom gleich ihrem Eingangsstrom ist. Der erste und zweite Transistor sind der Polarität NPN, der dritte und vierte Stromspiegel M3 und M4 werden aus Transistoren der Polarität NPN gebildet, und der erste, zweite, fünfte und sechste Stromspiegel, respektive M1, M2, M5, M6, werden aus Transistoren der Polarität PNP gebildet. Die Spannungssteuerung enthält schließlich einen siebten Transistor T7, der Polarität PNP, dessen Emitter mit der ersten Versorgungsklemme VDD verbunden ist, dessen Kollektor mit der Ausgangsklemme der Spannungssteuerung verbunden ist und dessen Basis mit den Basen des fünften und sechsten Transistors T5 und T6 verbunden ist, die den zweiten Stromspiegel M2 bilden.

Die Funktionsweise einer solchen Spannungssteuerung kann folgendermaßen beschrieben werden: Wenn die Referenzspannung Vref weit über Vs liegt, leitet der erste Transistor T1, und der zweite Transistor T2 ist gesperrt. Der durch den ersten Transistor T1 kommende Strom entspricht folglich zweimal dem Polarisierungsstrom, also 2.I, und der Widerstand wird von einem Strom I in u ngekehrter Richtung zu dem auf Fig. 1 dargestellten durchquert. Der Ausgangszweig des ersten Stromspiegels M1 ist folglich potentiell fähig, einen starken Strom des Wertes 2.K.I.(1 - Q) an den Kollektor des zweiten Transistors T2 zu liefern und somit den zweiten Stromspiegel M2 kurzzuschließen. Der Ausgangsstrom Iout des siebten Transistors T7, Reflex des den fünften Transistor T5 durchquerenden Strom, ist folglich Null. In dem Maße, in dem die Spannung Vs zunimmt, nähert sich das Differentialpaar (T1, T2) dem Gleichgewicht, und der Wert des den ersten Transistor T1 durchquerenden Stroms nimmt ab, während der Wert des den zweiten Transistor T2 durchquerenden Stroms zunimmt. Wenn Vs zur Referenzspannung Vref ausreichend groß wird, leitet der zweite Transistor T2 mehr als der erste Transistor T1, und der den Widerstand R durchquerende Strom ändert die Richtung auf die in Fig. 1 gezeigte Weise. Der fünfte Transistor T5 des zweiten Stromspiegels M2 beginnt zu leiten, wenn der Strom des Kollektors des zweiten Transistors T2 über den Ausgangsstrom des ersten Stromspiegels M1 ansteigt, zu dem der im besagten Kollektor mit dem sechsten Stromspiegel M6 injizierte Strom hinzukommt. Dies bildet die Bedingung, um den siebten Transistor T7 leitend zu machen, was anzeigt, daß die der ersten Versorgungsklemme VDD zugeführte Spannung die obere Schwelle der Spannungssteuerung überschritten hat. Diese Bedingung kann Q.I + K.I.(1 - x - Q) = I.(1 + x) geschrieben werden, oder auch:

x = ((K - 1).(1 - Q))/(1 + K) (Relation 1)

Zum Zeitpunkt der Schaltung hat man zudem: Vs = Vref + R.x.I + Vbe2 - Vbe1, wobei Vbe2 und Vbe1 respektive die Spannungen Basis-Emitter des ersten und zweiten Transistors T1 und T2 sind. Zudem weiß man, daß Vbe2 - Vbe1 = Vt.ln(I(T2)/(T1)), wenn I(T1) und I(T2) respektive die den ersten und zweiten Transistor T1 und T2 durchquerenden Ströme bezeichnen, in diesem Fall gleich L(1 - x) und L(1 + x), respektive. Die Schwelle S1, die Vs erreichen muß, um den siebten Transistor T7 leitend zu machen, schreibt sich dann:

S1 = Vref + R.x.I + Vt.ln((1 + x)/(1 - x))

Eine identische Überlegung führt zum Ausdruck der Schwelle S2, die Vs erreichen muß, um zu bewirken, daß der siebte Transistor T7 nichtleitend wird:

S1 = Vref - R.x.I - Vt.ln((1 + x)/(1 - x))

Die so erhaltenen Schwellen enthalten folglich eine Komponente Vref ± R.x.I, von der Temperatur unabhängig, und eine Komponente Vt.ln((1 + x)/(1 - x)), von der Temperatur abhängig, womit man den Einfluß dank einer sorgfältigen Wahl der Parameter K und Q minimieren kann. Diese Wahl bedeutet einen Kompromiß zwischen der gewünschten maximälen Steuerpräzision und einer minimalen Komplexität der Spannungssteuerung, d. h. einer minimalen Siliziumfläche für den Bau der besagten Steuerung. Wenn man z. B. K = 2 und Q = 2/3 wählt, ergibt Relation 1x = 1/9. Die Schwelle S1 schreibt sich folglich S1 = Vref + R.x.I.Vt.ln(10/8). Wenn R1 und R2 zudem dieselben nominalen Werte sind, ist VDD = 2.Vs, und der Strom Iout ist folglich Null, bis dieser VDD 2.(Vref + R.x.I + Vt.ln(10/8)) übersteigt. Der Wert von Vt.ln(10/8) ist wenig verschieden von 5,8 mV. Mit einer Referenzspannung gleich 1.2 V, einem gängigen Wert für eine Spannung aus einem Spannungsgenerator vorn Typ Bandgap; und einer Dimensionierung des Widerstands R und der jeweils einen solchen Polarisierungsstrom I abgebenden Stromquellen, damit (R. I)/9 gleich 30,2 mV, entspricht die obere Schwelle V1, die VDD erreichen muß, um den siebten Transistor T7 leitend zu machen, folglich 1,4V + 72 mV, wobei die untere Schwelle V2, die VDD erreichen muß, um den siebten Transistor T7 zu sperren, 2,4 V- 72 mV entspricht, was einer Hysteresis von 144 mV gleichkommt. Dazu hat im Rahmen dieser Hysteresis die temperaturabhängige Komponente eine Größenordnung von 24 mV, während die temperaturunabhängige Komponente der Größenordnung von 120 mV entspricht.

Ein Vergleich mit der bekannten Spannungssteuerung hebt die Vorteile der Erfindung eindeutig hervor. Tatsächlich ermöglicht es die bekannte Spannungssteuerung nur, eine Hysteresis von 72 mV mit einem Faktor K gleich 4 zu erhalten. Dazu ist diese Hysteresis dann voll temperaturabhängig. Die Variationsamplitude der Schaltschwellen entsprechend der Temperatur ist in der bekannten Steuerung folglich ca. fünfmal größer als in der Spannungssteuerung nach der zuvor beschriebenen Durchführungsform der Erfindung.


Anspruch[de]

1. Spannungssteuerung mit einer ersten und einer zweiten Versorgungsklemme und einer Ausgangsklemme, versehen mit einem ersten und einem zweiten Transistor zur Bildung eines Differentialpaars, mit einer Verbindung zwischen ihren Emittern, wobei die Basis des ersten Transistors dazu dient, eine sogenannte Referenzspannung zu erhalten, die Basis des zweiten Transistors dazu dient, einen vorbestimmten Bruchteil einer der ersten Versorgungsklemme zugeführten Spannung zu erhalten, die Spannungssteuerung zudem mit einem ersten und einem zweiten Stromspiegel versehen ist, die beide eine mit der ersten Versorgungsklemme verbundene Versorgungsbrücke aufweisen, ein Eingangszweig dazu dient, einen Eingangsstrom zu erhalten und ein Ausgangszweig dazu dient, einen Ausgangsstrom abzugeben, wobei jeder Stromspiegel so gebaut ist, damit sein Ausgangsstrom gleich K-mal seines Eingangsstroms ist, wobei K eine vorbestimmte reelle Zahl ist, die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors verbunden sind und die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des zweiten und ersten Transistors verbunden sind,

eine dadurch gekennzeichnete Spannungssteuerung, daß ein Widerstand in die Verbindung zwischen den Emittern des ersten und zweiten Transistors eingefügt ist, diese Emitter mit der zweiten Versorgungsklemme über Stromquellen verbunden sind, die jeweils einen sogenannten Polarisierungsstrom abgeben, daß sie mit Injektionsmitteln versehen ist, um in den jeweiligen Kollektor des ersten und zweiten Transistors einen Strom gleich Q-mal ihres eigenen Polarisierungsstroms zu injizieren, wobei Q eine vorbestimmte reelle Zahl ist, und dadurch, daß sie mit Signalmitteln versehen ist, die es ihr ermöglichen, an ihrer Ausgangsklemme einen zum Eingangsstrom des ersten oder zweiten Stromspiegels proportionalen Strom abzugeben.

2. Spannungssteuerung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektionsmittel einen dritten, einen vierten, einen fünften und einen sechsten Stromspiegel aufweisen, die jeweils einen Versorgungspunkt, einen Eingangszweig für den Erhalt eines Eingangsstroms und einen Ausgangszweig für die Abgabe eines Ausgangsstroms aufweisen, wobei der jeweilige Eingangszweig des dritten und vierten Stromspiegels vorgesehen ist, um respektive den Polarisierungsstrom des ersten und zweiten Transistors zu erhalten, die Versorgungspunkte des dritten und vierten Stromspiegels mit der zweiten Versorgungsklemme verbunden sind, die Eingangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels respektive mit den Ausgangszweigen des dritten und vierten Stromspiegels verbunden sind, die Ausgangszweige des fünften und sechsten Stromspiegels respektive mit den Kollektoren des ersten und zweiten Transistors verbunden sind, die Versorgungspunkte des fünften und sechsten Stromspiegels mit der ersten Versorgungsklemme verbunden sind, und der dritte, vierte, fünfte und sechste Stromspiegel so gebaut sind, damit die Ausgangsströme des fünften und sechsten Stromspiegels gleich Q-mal der Eingangsströme des dritten und vierten Stromspiegels, respektive, sind.

3. Spannungssteuerung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte und vierte Stromspiegel so gebaut sind, damit ihr Ausgangsstrom gleich Q-mal ihres Eingangsstroms ist, und daß der fünfte und sechste Stromspiegel so gebaut sind, damit ihr Ausgangsstrom gleich ihrem Eingangsstrom ist.

4. Spannungssteuerung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor eine bestimmte Polarität haben, der dritte und vierte Stromspiegel aus Transistoren mit jeweils derselben Polarität wie der erste und zweite Transistor gebildet werden, und daß der erste, zweite, fünfte und sechste Stromspiegel aus Transistoren gebildet wird, die jeweils eine zum ersten und zweiten Transistor umgekehrte Polarität aufweisen.

5. Spannungssteuerung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Transistor NPN-Transistoren sind.

6. Spannungssteuerung nach einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, in der der erste Stromspiegel aus einem dritten und einem vierten Transistor gebildet wird, und der zweite Stromspiegel aus einem fünften und einem sechsten Transistor gebildet wird, wobei der vierte und sechste Transistor respektive K-mal größer als der dritte und fünfte Transistor sind, die Basen des vierten und sechsten Transistors respektive zugleich mit den Basen und den Kollektoren des dritten und fünften Transistors verbunden sind, die Emitter des dritten und fünften Transistors respektive mit den Emittern des vierten und sechsten Transistors verbunden sind und respektive die Versorgungspunkte des ersten und zweiten Stromspiegels bilden, die Versorgungspunkte mit der ersten Versorgungsklemme verbunden sind, die Kollektoren des dritten und fünften Transistors respektive die Eingangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels bilden und die Kollektoren des vierten und sechsten Transistors respektive die Ausgangszweige des ersten und zweiten Stromspiegels bilden,

dadurch gekennzeichnete Spannungssteuerung, daß die Signalmittel einen siebten Transistor aufweisen, dessen Emitter mit der ersten Versorgungsklemme verbunden ist, dessen Kollektor mit der Ausgangsklemme der Spannungssteuerung verbunden ist und dessen Basis mit der Basis eines der den ersten und zweiten Stromspiegel bildenden Transistoren verbunden ist.







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