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Dokumentenidentifikation DE69913075T2 09.09.2004
EP-Veröffentlichungsnummer 0000990686
Titel Klebefilm für Halbleitergehäuse
Anmelder Nisshinbo Industries, Inc., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Imashiro, Yasuo, 1-18-1 Nishiaraisakaecho, Tokyo, JP;
Ito, Takahiko, 1-18-1 Nishiaraisakaecho, Tokyo, JP;
Tomita, Hideshi, 1-18-1 Nishiaraisakaecho, Tokyo, JP;
Nakamura, Norimasa, 1-18-1 Nishiaraisakaecho, Tokyo, JP
Vertreter Rechts- und Patentanwälte Lorenz Seidler Gossel, 80538 München
DE-Aktenzeichen 69913075
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 29.09.1999
EP-Aktenzeichen 991193863
EP-Offenlegungsdatum 05.04.2000
EP date of grant 26.11.2003
Veröffentlichungstag im Patentblatt 09.09.2004
IPC-Hauptklasse C09J 7/00
IPC-Nebenklasse H01L 21/58  

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung (1) Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Klebefilm für Halbleitergehäuse. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Klebefilm für Halbleitergehäuse, welcher eine überlegene Wärmebeständigkeit und Zuverlässigkeit besitzt.

(2) Beschreibung des Stands der Technik

Die Patentschrift des Stands der Technik JP-A-6-016 907 (AN 1994-062140 XP-002134333) offenbart eine elektrisch leitende Zusammensetzung, welche ein Polycarbodiimidharz, Silicium-modifiziertes Epoxyharz und ein elektrisch leitendes Material umfasst. Diese elektrisch leitende Zusammensetzung ist als leitfähiger Klebstoff und leitfähiges Beschichtungsmaterial nützlich.

Das US-Patent 5 576 398 offenbart eine hitzehärtbare Harzzusammensetzung, welche ein modifiziertes Polycarbodiimid und eine Epoxyverbindung umfasst. Das Polycarbodiimid wird durch Aufpfropfen auf ein Polycarbodiimid mindestens einer Verbindung mit einer pfropfreaktiven Gruppe und einer Carbonsäureanhydridgruppe modifiziert. Das so modifizierte Polycarbodiimid wird dann mit der Epoxyverbindung und, sofern erforderlich, mit verschiedenen Additiven vermischt, um die hitzehärtbare Harzzusammensetzung zu erhalten, die unter milden Bedingungen gehärtet werden kann, wodurch ein Produkt mit einem Haftvermögen an verschiedenen Substraten zu erhalten wird.

Verschiedene Klebstoffe wurden allgemein für das Verkleben der Bauteile einer Halbleitervorrichtung verwendet, wie eine Leitungsstifts, eines Substrats für die Montierung eines Halbleiterchips, eines Radiators, Halbleiterchips und dergleichen. Diese Klebstoffe schließen zum Beispiel einen Klebstoff, umfassend ein Epoxygruppen-terminiertes modifiziertes Polyamidharz (JP-A-5-51447); einen Klebstoff, umfassend ein Epoxyharz und ein Polyimidharz mit Polysiloxaneinheiten (JP-A-6-200 216); und einen Klebstoff, umfassend ein Harz vom Imid-Typ (JP-A-10-135 248), ein.

Jedoch weisen diese Klebstoffe ihre jeweiligen Probleme auf. Der Klebstoff, welcher ein Epoxygruppen-terminiertes modifiziertes Polyamidharz umfasst, besitzt eine unzureichende Wärmebeständigkeit, weil das darin verwendete modifizierte Polyamidharz eine niedrige Glasübergangstemperatur besitzt und kein ausreichendes Haftvermögen insbesondere an der glänzenden Oberfläche einer Kupferfolie zeigt. Der Klebstoff, welcher ein Epoxyharz und ein Polyimidharz mit Polysiloxaneinheiten umfasst, ist unzureichend bezüglich des Haftvermögens von Polyimidharz und der Beständigkeit gegenüber Löthitze. Der Klebstoff, welcher ein Harz vom Imid-Typ umfasst, ist mit dem Problem behaftet, dass er dazu tendiert, Rissbildung in dem Wärmeschocktest zu bewirken, welcher für das erhaltene Halbleitergehäuse durchgeführt wird.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung zielt auf die Behebung der Probleme im Stand der Technik, d. h. der unterlegenen Wärmebeständigkeit, Haftfähigkeit, Beständigkeit gegenüber Löthitze und Beständigkeit gegenüber einem wiederholten Erwärmen und Vorsehen eines Klebefilms für Halbleitergehäuse mit überlegener Zuverlässigkeit.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Haftfilm für Halbleitergehäuse bereitgestellt, welcher ein Polycabodiimidharz, ein Epoxyharz und einen anorganischen Füllstoff umfasst, wobei das Polycarbodiimidharz ein Polystyrol-reduziertes, zahlenmittleres Molekulargewicht on 3000 bis 50.000 besitzt, wie durch Gelpermeationschromatographie gemessen, das Epoxyharz in einer Menge von 20 bis 150 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Polycarbodiimidharzes enthalten ist und der anorganische Füllstoff in einer Menge von 30 bis 70 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts enthalten ist.

Ausführliche Beschreibung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung ist unten stehend ausführlich beschrieben.

Der Klebefilm für Halbleitergehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung ist im Wesentlichen aus einem Polycarbodiimidharz, einem Epoxyharz und einem anorganischen Füllstoff zusammengesetzt. Als dieses Polycarbodiimidharz können die durch verschiedene Verfahren hergestellten verwendet werden. Es können Isocyanat-terminierte Polycarbodiimide verwendet werden, die grundsätzlich durch das herkömmliche Verfahren zur Herstellung eines Polycarbodiimids [USP-2 941 956; JP-B-47-33 279; J. Org. Chem., 28, 2069–2075 (1963); Chemical Review 1981, Bd. 81, Nr. 4, Seiten 619–621], insbesondere durch die Kohlendioxid-Entfernungs- und Kondensationsreaktion eines organischen Polyisocyanats hergestellt werden.

In dem oben stehend genannten Verfahren können als organisches Polyisocyanat, welches das Ausgangsmaterial für die Synthese der Polycarbodiimidverbindung ist, beispielsweise aromatische Polyisocyanate, aliphatische Polyisocyanate, alicyclische Polyisocyanate und Mischungen davon verwendet werden, und insbesondere können 1,5-Naphthalindiisocyanat, 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat, 4,4'-Diphenyldimethylmethandiisocyanat, 1,3-Phenylendiisocyanat, 1,4-Phenylendiisocyanat, 2,4-Tolylendiisocyanat, 2,6-Tolylendiisocyanat, eine Mischung von 2,4-Tolylendiisocyanat und 2,6-Tolylendiisocyanat, Hexamethylendiisocyanat, Cyclohexan-1,4-diisocyanat, Xylylendiisocyanat, Isophorondiisocyanat, Dicyclohexylmethan-4,4'-diisocyanat, Methylcyclohexandiisocyanat, Tetramethylxylylendiisocyanat, 2,6-Diisopropylphenyldiisocyanat und 1,3,5-Triisopropylbenzol-2,4-diisocyanat genannt werden.

Unter diesen sind die aus mindestens einem aromatischen Polyisocyanat erhaltenen als Polycarbodiimidharz, das in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, bevorzugt. Dabei bezieht sich das aromatische Polyisocyanat auf ein Isocyanat mit mindestens zwei direkt an den aromatischen Ring gebundenen Isocyanatgruppen in dem Molekül.

Als oben stehend genanntes Polycarbodiimid können auch jene Polycarbodiimide verwendet werden, deren Endgruppen mit einer Verbindung (z. B. Monoisocyanat) blockiert sind, die mit den terminalen Isocyanaten von Polycarbodiimid reaktiv ist, und deren Polymerisationsgrade auf einen geeigneten Grad einreguliert sind.

Als Monoisocyanat für das Blockieren der Enden von Polycarbodiimid zur Regulierung von dessen Polymerisationsgrad können zum Beispiel Phenylisocyanat, Tolylenisocyanat, Dimethylphenylisocyanat, Cyclohexylisocyanat, Butylisocyanat und Naphthylisocyanat genannt werden.

Als die anderen Verbindungen, die mit den terminalen Isocyanaten von Polycarbodiimid reaktiv sind, können zum Beispiel aliphatische Verbindungen, aromatische Verbindungen oder alicyclische Verbindungen mit einer -OH-Gruppen (wie Methanol, Ethanol, Phenol, Cyclohexanol, N-Methylethanolamin, Polyethylenglykolmonomethylether, Polypropylenglykolmonomethylether und dergleichen), eine =NH-Gruppe (wie Diethylamin, Dicyclohexylamin und dergleichen), eine -NH2-Gruppe (wie Butylamin, Cyclohexylamin und dergleichen), eine -COOH-Gruppe (wie Propionsäure, Benzoesäure, Cyclohexancarbonsäure und dergleichen), eine -SH-Gruppe (wie Ethylmercaptan, Allylmercaptan, Thiophenol und dergleichen), eine Epoxygruppe oder dergleichen verwendet werden.

Die Kohlendioxid-Entfernungs- und Kondensationsreaktion des oben stehenden organischen Polyisocyanats geht in Gegenwart eines Carbodiimidierungskatalysators vonstatten. Als Carbodiimidierungskatalysator können zum Beispiel Phosphorenoxide, wie 1-Phenyl-2-phosphoren-1-oxid, 3-Methyl-1-phenyl-2-phosphoren-1-oxid, 1-Ethyl-2-phosphoren-1-oxid, 3-Methyl-2-phosphoren-1-oxid, 3-Phosphorenisomere davon und dergleichen verwendet werden. Unter diesen ist 3-Methyl-1-phenyl-2-phosphoren-1-oxid vom Standpunkt der Reaktivität geeignet.

Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Polycarbodiimidharz besitzt ein Polystyrol-reduziertes zahlenmittleres Molekulargewicht von 3000 bis 50.000, von vorzugsweise 10.000 bis 30.000, und stärker bevorzugt von 15.000 bis 25.000, wie durch Gelpermeationschromatographie (GPC) gemessen, unabhängig davon, ob das oben stehend genannte End-Blockungsmittel verwendet wird oder nicht. Wenn das zahlenmittlere Molekulargewicht kleiner als 3000 ist, kann keine ausreichende Filmformbarkeit oder Wärmebeständigkeit erzielt werden. Wenn das zahlenmittlere Molekulargewicht 50.000 übersteigt, ist eine lange Zeit für die Synthese von Polycarbodiimidharz erforderlich und außerdem besitzt der Polycarbodiimidharz-Klarlack eine extrem kurze Gebrauchsdauer bzw. Topfzeit (Gebrauchsdauer). Daher sind solche zahlenmittleren Molekulargewichte nicht praktikabel.

Als das in der vorliegenden Erfindung verwendete Epoxyharz können Epoxyharze mit mindestens zwei Epoxygruppen in dem Molekül genannt werden, zum Beispiel Epoxyharze vom Glycidylether-Typ, wobei Vertreter hierfür Epoxyharze vom Bisphenol-A-Typ, Epoxyharze vom Bisphenol-F-Typ, phenolische Epoxyharze vom Novolac-Typ und Epoxyharze vom Cresol-Novolac-Typ; alicyclische Epoxyharze; Epoxyharze vom Glycidylester-Typ; heterocyclische Epoxyharze; und flüssige Kautschuk-modifizierte Epoxyharze sind. Diese werden allein oder in Vermischung von zwei oder mehreren verwendet. Bevorzugt sind Epoxyharze vom Bisphenol-A-Typ, Epoxyharze vom Bisphenol-F-Typ, phenolische Epoxyharze vom Novolak-Typ und Epoxyharze vom Cresol-Novolak-Typ. Jedoch sind die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Epoxyharze nicht auf diese beschränkt und es können alle allgemein bekannten Epoxyharze verwendet werden.

In der vorliegenden Erfindung sind die Anteile des verwendeten Polycarbodiimidharzes und des Epoxyharzes 100 Gewichtsteile für das Erstgenannte und 20 bis 150 Gewichtsteile, vorzugsweise 40 bis 130 Gewichtsteile, stärker bevorzugt 50 bis 100 Gewichtsteile für das Letztgenannte. Wenn der Anteil des Epoxyharzes kleiner als 20 Gewichtsteile ist, zeigt die Mischung der zwei Harze keine Verbesserung bezüglich der Wärmebeständigkeit. Wenn der Anteil des Epoxyharzes größer als 200 Gewichtsteile ist, besitzt die Mischung eine unterlegene Filmformbarkeit.

Der Klebefilm für Halbleitergehäuse umfasst einen anorganischen Füllstoff zusätzlich zu den oben stehenden zwei Harzen. Als anorganischer Füllstoff kann zum Beispiel Silica, ein Quarzpulver, Aluminiumoxid, Calciumcarbonat, Magnesiumoxid, ein Diamantpulver, Mica, ein Fluorharz und ein Zirkonpulver genannt werden.

In der vorliegenden Erfindung ist der anorganische Füllstoff in einer Menge von 30 bis 70 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts, d. h. der Gesamtmenge des Polycarbodiimidharzes und des Epoxyharzes, enthalten. Wenn die Menge des anorganischen Füllstoffs kleiner als 30 Gew.-% ist, hat der resultierende Klebefilm einen hohen linearen Ausdehnungskoeffzienten, was zu einer verminderten Zuverlässigkeit des erhaltenen Halbleitergehäuses führt. Wenn die Menge größer als 70 Gew.-% ist, besitzt der resultierende Klebefilm ein geringes Haftvermögen. Daher kann keine dieser Mengen das Ziel der vorliegenden Erfindung erreichen.

Bei der Herstellung des vorliegenden Klebefilms für Halbleitergehäuse, welcher das Polycarbodiimidharz, das Epoxyharz und den anorganische Füllstoff umfasst, werden diese Komponenten zuerst gemischt. Dieses Mischen kann zum Beispiel durch Mischen der Komponenten bei Raumtemperatur, oder durch deren Mischen unter Erwärmung, oder durch Lösen des Epoxyharzes in einem geeigneten Lösungsmittel und anschließendes Mischen der Lösung mit anderen Komponenten durchgeführt werden. Es gibt keine spezielle Beschränkung bezüglich des Verfahrens zum Mischen.

Die oben stehend erhaltene Mischung des Polycarbodiimidharzes, des Epoxyharzes und des anorganischen Füllstoffs wird danach durch ein gängiges Verfahren zu einem Film gebildet, zum Beispiel durch Gießen der Mischung auf eine Polyethylenterephthalat-(PET-)Folie, unterworfen einer Behandlung zur leichten Abtrennung, unter Einsatz eines Beschichters und anschließende Erwärmung des resultierenden Materials zur Entfernung des darin enthaltenen Lösungsmittels. Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich des Verfahrens zur Filmherstellung.

Die in der vorliegenden Patentbeschreibung verwendete Bezeichnung "Film" bedeutet einen Film mit einer Dicke von ungefähr 10 bis 500 &mgr;m.

Bei der Verwendung des so erhaltenen Klebefilms für Halbleitergehäuse der vorliegenden Erfindung für das Verkleben der Bauteile einer Halbleitervorrichtung, wie eines Leitungsstifts, eines Substrats für die Montierung eines Halbleiterchips, eines Radiators, Halbleiterchips und dergleichen wird der Klebefilm für Halbleitergehäuse auf eine vorbestimmte Größe geschnitten; der beschnittene Film wird zum Beispiel zwischen Halbleiterelemente und einen Leiterrahmen oder zwischen ein Keramiksubstrat und einen Leiterrahmen gelegt; und das resultierende Material wird einer Behandlung von 150 bis 300°C, 0,1 bis 5 kg/cm2 und 5 Sekunden bis 10 Minuten unterworfen.

Der Klebefilm für Halbleitergehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung ist bei Raumtemperatur flexibel, wird flexibler und darüber hinaus haftfähig, wenn er leicht erwärmt wird, und wird gehärtet und zeigt Haftvermögen, wenn er stark erwärmt wird. Die Verwendung eines anorganischen Füllstoffs kann den Wärmeausdehnungskoeffzienten des Films niedrig halten.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Die vorliegende Erfindung wird unten stehend anhand von Beispielen ausführlicher beschrieben.

Beispiel 1

In einen mit einem Rührer und einem Kühler ausgerüsteten Reaktor wurden 172 g 4,4'-Diphenylmethandiisocyanat (im Folgenden als MDI bezeichnet), 1,64 g Phenylisocyanat (im Folgenden als PI bezeichnet), 1290 g Tetrahydrofuran (im Folgenden als THF bezeichnet) als Lösungsmittel und 0,34 g 3-Methyl-1-phenyl-2-phosphoren-1-oxid als Katalysator eingespeist und wurden einer Umsetzung bei 70°C während 15 Stunden unterworfen, um einen Klarlack eines Polycarbodiimids mit einem zahlenmittleren Molekulargewicht (im Folgenden als Mn bezeichnet) von 2,0 × 104 (Polystyrol-reduzierter Wert) zu erhalten, wie durch GPC bestimmt. Diesem Klarlack wurde ein Epoxyharz [Epikote 828 (Handelsname), ein Produkt von Yuka Shell Epoxy K.K.], in einer Menge von 70 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Harzgehalts des Klarlacks und Aluminiumoxid als anorganischer Füllstoff in einer Menge von 50 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts zugegeben und diese wurden unter Rühren vermischt. Der so erhaltene Klarlack wurde auf eine PET-Folie gegossen, die einer Behandlung zur einfachen Abtrennung unterworfen worden war, getrocknet und danach abgelöst, um einen Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m zu erhalten.

Beispiel 1

Dieselbe Verfahrensweise wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, dass die Menge an PI auf 6,56 g geändert wurde (übrigens war das Mn des erhaltenen Polycarbodiimids 6,2 × 103), wodurch ein Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m erhalten wurde.

Beispiel 3

In einen mit einem Rührer und einem Kühler ausgerüsteten Reaktor wurden 174 g einer 80/20-Mischung (auf Gewichtsbasis) von 2,4'-Tolylendiisocyanat und 2,6'-Tolylendiisocyanat, 1,79 g PI, 1200 g Toluol als Lösungsmittel und 0,34 g 3-Methyl-1-phenyl-2-phosphoren-1-oxid als Katalysator eingespeist und die resultierende Mischung wurde einer Umsetzung bei 100°C während 14 Stunden unterworfen, um einen Klarlack eines Polycarbodiimids mit einem zahlenmittleren Molekulargewicht (Mn) von 1,6 × 104 (Polystyrol-reduzierter Wert), wie durch GPC bestimmt, zu erhalten. Diesem Klarlack wurden ein Epoxyharz [Epikote 828 (Handelsname), ein Produkt von Yuka Shell Epoxy K.K.] in einer Menge von 50 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Harzgehalts des Klarlacks und Quarzglas als anorganischer Füllstoff in einem Anteil von 60 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts zugegeben und diese wurden unter Rühren vermischt, um einen Klarlack zu erhalten. Dieser Klarlack wurde auf eine PET-Folie gegossen, die einer Behandlung zur einfachen Abtrennung unterworfen worden war, getrocknet und danach abgelöst, um einen Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m zu erhalten.

Beispiel 4

Dieselbe Verfahrensweise wie in Beispiel 1 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, dass die Art und Menge des anorganischen Füllstoffs zu Calciumcarbonat und 40 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts geändert wurden, wodurch ein Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m erhalten wurde.

Beispiel 5

In einen mit einem Rührer und einem Kühler ausgerüsteten Reaktor wurden 172 g MDI, 3,28 g PI, 1290 g THF als Lösungsmittel und 0,34 g 3-Methyl-1-phenyl-2-phosphoren-1-oxid als Katalysator eingespeist und wurden einer Umsetzung bei 70°C während 13 Stunden unterworfen, um einen Klarlack eines Polycarbodiimids mit einem zahlenmittleren Molekulargewicht (im Folgenden als Mn bezeichnet) von 1,0 × 104 (Polystyrolreduzierter Wert) zu erhalten, wie durch GPC bestimmt. Diesem Klarlack wurden zwei Arten von Epoxyharzen [Epikote 828 (Handelsname), ein Produkt von Yuka Shell Epoxy K.K., und YDCN-703 (Handelsname), ein Produkt von Toto Kasei] in Mengen von 50 Gewichtsteilen bzw. 20 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Harzgehalts des Klarlacks und Aluminiumoxid als anorganischer Füllstoff in einer Menge von 70 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts zugegeben und diese wurden unter Rühren vermischt. Der so erhaltene Klarlack wurde auf eine PET-Folie gegossen, die einer Behandlung zur einfachen Trennung unterworfen worden war, getrocknet und danach abgelöst, um einen Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m zu erhalten.

Vergleichsbeispiel 1

Zu 100 Gewichtsteilen eines Epoxyharzes [Epikote 828 (Handelsname), einem Produkt von Yuka Shell Epoxy K.K.] wurden 10 Gewichtsteile Dicyandiamid, 30 Gewichtsteile Methylethylketon und 20 Gewichtsteile Dimethylformamid zugegeben. Weiter wurde Aluminiumoxid in einer Menge von 40 Gew.-% auf Basis des Gesamtharzgehalts zugegeben. Die Mischung wurde umgerührt, auf eine PET-Folie gegossen, die einer Behandlung zur leichten Abtrennung unterworfen worden war, getrocknet und abgelöst, um einen Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m zu erhalten.

Vergleichsbeispiel 2

Dieselbe Verfahrensweise wie in Beispiel 3 wurde wiederholt mit der Ausnahme, dass die Menge des zugesetzten Epoxyharzes zu 200 Gewichtsteilen auf derselben Basis verändert wurde, wodurch ein Klebefilm für Halbleitergehäuse mit einer Dicke von 100 &mgr;m erhalten wurde.

Die in den Beispielen und Vergleichsbeispielen erhaltenen Klebefilme wurden bezüglich der folgenden Eigenschaften gemäß den nachstehenden Testverfahren gemessen.

(1) Filmaussehen und -festigkeit

Jeder Klebefilm wurde visuell bezüglich des Aussehens begutachtet. Ferner wurde der Film visuell bezüglich seines Zustands begutachtet, wenn er um 180° gebogen wird.

(2) Linearer Ausdehnungskoeffizient

Gemäß JIS K 7197 wurde jeder Klebefilm einer Wärmebehandlung von 200°C × 20 Minuten unterzogen; die resultierende Probe wurde hinsichtlich ihres linearen Ausdehnungskoeffizienten bei einer Temperaturerhöhungsrate von 5°C/min mit Hilfe eines TMA/SS6100 (eines Produkts von Seiko Instruments) gemessen.

(3) Wärmezyklustest

Jeder Klebefilm wurde auf eine vorbestimmte Größe zurechtgeschnitten, danach auf eine auf eine Heißpresse montierte Keramikplatte platziert und zeitweilig an der Keramikplatte unter den Bedingungen 170°C × 1 Minute × 5 kg/cm2 an. Die Keramikplatte und ein Leiterrahmen (bestehend aus einer 42-Legierung) wurden miteinander mittels des Klebefilms, der zeitweilig an der Keramikplatte adhäriert wurde, unter den Bedingungen von 180°C × 1 Minute × 10 kg/cm2 laminiert. Das erhaltene Material (eine Probe) wurde einem 500-fachen Wärmezyklustest bei –25 bis 125°C unterzogen und danach auf den Zustand der Ablösung mit Hilfe eines Ultraschallfehlerdetektor (M-700II, ein Produkt von Canon) untersucht, um die Anzahl der Ablösung zeigenden Proben/Gesamtprobenzahl (10) zu bestimmen.

(4) Ablösungsfestigkeit

Jeder Klebefilm wurde auf die glänzende Oberfläche einer 35 &mgr;m dicken elektrolytischen Kupferfolie (ein Produkt von Nikko Gould Foil) unter den Pressbedingungen von 180°C × 30 kg/cm2 × 30 Minuten laminiert, um eine Testprobe herzustellen. Die Testprobe wurde bezüglich der Ablösungsfestigkeit gemäß JIS C 6481 gemessen.

Die Resultate der Messungen sind in Tabelle 1 gezeigt.

Tabelle 1

Wie anhand der Beispielen und der Vergleichsbeispiele deutlich wird, ist der Klebefilm für Halbleitergehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung Klebrigkeits-frei und leicht zu handhaben; besitzt einen niedrigen linearen Ausdehnungskoeffizienten; besitzt eine ausreichende Beständigkeit gegenüber Löthitze, eine ausreichende Beständigkeit gegenüber einer wiederholten Erwärmung und ein ausreichendes Haftvermögen infolge der kombinierten Verwendung eines Polycarbodiimidharzes und eines Epoxyharzes, die beide eine ausgezeichnete Wärmebeständigkeit besitzen; kann geeigneter Weise für das Verkleben der Bauteile einer Halbleitervorrichtung verwendet werden, wie eines Leitungsstifts, eines Substrats für die Montierung eines Halbleiterchips, eines Radiators, Halbleiterchips und dergleichen; und ist hoch zuverlässig.


Anspruch[de]
  1. Klebefilm für Halbleitergehäuse, welcher ein Polycarbodiimidharz, ein Epoxyharz und einen anorganischen Füllstoff umfasst, wobei das Polycarbodiimidharz ein Polystyrol-reduziertes, zahlenmittleres Molekulargewicht von 3000 bis 50000, wie durch Gelpermeationschromatographie gemessen, besitzt, das Epoxyharz in einer Menge von 20 bis 150 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile des Polycarbodiimidharzes enthalten ist und der anorganische Füllstoff in einer Menge von 30 bis 70 Gew.-% enthalten ist, bezogen auf den Harzgesamtgehalt.
  2. Klebefilm für Halbleitergehäuse gemäß Anspruch 1, wobei das Polycarbodiimidharz eines ist, welches aus mindestens einer Art an aromatischem Polyisocyanat erhalten wird.
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