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Dokumentenidentifikation DE102004058133A1 08.06.2006
Titel Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens und Anordnung für ein CMP-Polierverfahren
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Rudolph, Catharina, 01324 Dresden, DE;
Loebmann, Andre, 01109 Dresden, DE;
Drummer, Heike, 01465 Langebrück, DE;
Thaldorf, Christian, 01458 Ottendorf-Okrilla, DE
Vertreter Wilhelm & Beck, 80636 München
DE-Anmeldedatum 02.12.2004
DE-Aktenzeichen 102004058133
Offenlegungstag 08.06.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 08.06.2006
IPC-Hauptklasse B24B 37/04(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/302(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens, wobei ein Substrat in einer Halterung befestigt ist, wobei ein Poliertuch auf einer Platte befestigt ist, wobei eine Oberfläche des Poliertuchs mit einer Oberfläche des Substrats in Wirkverbindung steht, wobei das Poliertuch und das Substrat gegeneinander bewegt werden, so dass Material von der Oberfläche des Substrats abgetragen wird. Es ist eine Messeinrichtung vorgesehen, die in Wirkverbindung mit der Oberfläche des Poliertuchs steht, wobei die Messeinrichtung die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs erfasst und ein von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs abhängiges Messsignal erzeugt. Das Messsignal wird zur Erkennung einer Änderung des Materials der Oberfläche des Substrats während des CMP-Polierverfahrens mit entsprechenden Referenzwerten verglichen.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und eine Anordnung zum Durchführen eines CMP-Polierverfahrens gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 7.

CMP-Polierverfahren sind sich im Bereich der Halbleitertechnologie, insbesondere bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, wie z.B. Speicherbausteinen wesentliche und wichtige Verfahren. Das CMP-Verfahren, d.h. das chemischmechanische Polieren ist ein Verfahren zum Bearbeiten einer Substratoberfläche. Das CMP-Verfahren wird beispielsweise bei der Herstellung eines Speicherbausteins eingesetzt, um eine Substratoberfläche zu ebenen oder abzutragen. Beim CMP-Verfahren wird eine rotierende Polierfläche gegen die Oberfläche des zu polierenden Substrates vorgespannt. Durch eine Relativbewegung zwischen der Polierfläche und dem Substrat wird von der Oberfläche des Substrates Material abgetragen. Während des Polierens kann eine Polierflüssigkeit mit sowohl chemischen als auch mechanisch abschleifenden Mitteln zwischen das Substrat und die Polierfläche eingebracht werden, um den Poliervorgang zu verbessern.

Ein wichtiger Parameter für ein präzises CMP-Polierverfahren ist die Erkennung eines festgelegten Endpunktes des Poliervorganges, bei dem das Substrat die gewünschte Oberfläche aufweist.

Aus DE 697 11 811 T2 ist ein Endpunktdetektor für ein chemisch-mechanisches Planiersystem bekannt, bei dem der Endpunkt des Poliervorganges durch eine abrupte Änderung des Reibungskoeffizienten an der Kontaktfläche zwischen der Polierauflage und dem Substrat erkannt wird. Mit der Änderung des Reibungskoeffizienten verändert sich auch das für die gewünschte Geschwindigkeit der Polierauflage gewünschte Drehmoment. Somit kann durch die Überwachung der Drehmomentänderung ein Endpunkt des Poliervorganges erkannt werden.

Weiterhin ist aus dem US-Patent US 6,257,953 B1 ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Steuern eines Polierverfahrens bekannt. Bei dieser Vorrichtung weist die Halterung des Poliertuches einen Sensor auf, der eine Kraft- und/oder Drehmomentänderung zwischen dem Poliertuch und dem Wafer erfasst, sodass aufgrund der Kraft- und/oder der Drehmomentänderung eine Steuerung des Polierverfahrens durchgeführt wird.

Weiterhin ist es aus dem Artikel von Norm V. Gitis „Tribology Issues in CMP, Semiconductor Fabtech, 18. Ausgabe, Seiten 125 bis 128 bekannt, eine Messanordnung bei einem CMP-Prozess vorzusehen, mit der die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuches erfasst wird. Die Messsignale der Messanordnung werden dazu verwendet, um einen Aufbereitungsprozess für das Poliertuch zu starten. Zudem wird das Messsignal der Messanordnung dazu verwendet, um die Abnutzung des Poliertuches zu erfassen.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren und eine verbesserte Anordnung zum Steuern eines CMP-Verfahrens bereitzustellen.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch die Vorrichtung gemäß Patentanspruch 7 gelöst.

Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, dass das Messsignal der Messeinrichtung, mit der die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuches erfasst wird, zur Erkennung der Änderung der Materialbeschaffenheit des Wafers verwendet wird. Versuche haben gezeigt, dass das Messsignal der Messeinrichtung auch zur Steuerung des Polierverfahrens selbst eingesetzt werden kann. Somit kann das von der Messeinrichtung bereitgestellte Signal, das im Stand der Technik zur Beurteilung der Oberflächeneigenschaft des Poliertuches verwendet wird, zugleich zur Beurteilung der Oberflächenbeschaffenheit des Wafers und, insbesondere zur Steuerung des Polierverfahrens eingesetzt werden.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

In einer vorteilhaften Ausführungsform erfasst die Messeinrichtung eine Kraftwirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung. Anstelle der Kraftwirkung, kann in einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform auch eine Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung erfasst werden, um eine Änderung des Materials der Oberfläche des Wafers zu erkennen. Die Verwendung der Kraftwirkung und/oder der Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung bietet den Vorteil, dass eine einfache Erfassung möglich ist. Dazu können Drehmoment- oder Kraftsensoren eingesetzt werden, die ein zuverlässiges Signal bereitstellen.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird eine Änderung der Oberflächenbeschaffenheit des Wafers erkannt, wenn sich das Messsignal der Messeinrichtung um einen festgelegten Wert ändert. Somit kann zuverlässig ein Endpunkt einer Schicht auf der Waferoberfläche oder der Beginn einer neuen Schicht auf der Waferoberfläche erkannt werden. Folglich kann eine präzise Steuerung des CMP-Prozesses durchgeführt werden.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform sind für das Messsignal und/oder die Änderung des Messsignals Referenzwerte abgelegt, die einer festgelegten Materialänderung entsprechen. Somit kann durch einen einfachen Vergleich eine Materialänderung der Oberfläche des Wafers erkannt werden. Damit ist eine präzise Erkennung der Materialänderung auch bei verschiedensten Materialzusammensetzungen der Substratoberfläche möglich. In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird das Messsignal der Messeinrichtung zur Steuerung des CMP-Prozesses und insbesondere zur Endpunkterkennung und zum Beenden des CMP-Prozesses eingesetzt. Damit ist eine zuverlässige Steuerung des CMP-Prozesses möglich.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen,

1 eine schematische Darstellung einer Anordnung zum Durchführen eines CMP-Polierverfahrens,

2 einen Teilquerschnitt durch ein Substrat vor einem Polierprozess und nach einem Polierprozess und

3 ein Diagramm mit Messsignalen der Messeinrichtung.

1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Anordnung zur Durchführung eines CMP-Polierverfahrens. Die Anordnung weist einen Poliertuchhalter 1 auf, auf dem ein Poliertuch 2 befestigt ist. Der Poliertuchhalter 1 steht über eine Antriebswelle 3 mit einer Antriebseinheit 4 in Verbindung. Der Poliertuchhalter 1 ist über die Antriebseinheit 4 in einer Längsachse der Antriebswelle 3 drehbar gelagert.

Auf dem Poliertuch 2 liegt ein Substrat 5 in Form eines Wafers, beispielsweise eines Silizium-Wafers auf. Das Substrat 5 ist an einem Substrathalter 6 befestigt, der über eine zweite Antriebswelle 7 ebenfalls mit der Antriebseinheit 4 in Verbindung steht. Die Antriebseinheit 4 ist in der Weise ausgebildet, dass der Substrathalter 6 sowohl um eine Mittenachse der zweiten Antriebswelle 7 drehbar als auch parallel zur Oberfläche des Poliertuches 2 verschiebbar ist. Zudem können der Poliertuchhalter 1 und der Substrathalter 6 gegeneinander unter Vorspannung gesetzt werden. Damit kann die Reibungskraft zwischen dem Poliertuch und dem Substrat eingestellt und somit die Geschwindigkeit des Abtragprozesses beeinflusst werden.

Weiterhin ist eine Messeinrichtung 8 vorgesehen, die eine Kontaktplatte 9, einen Sensor 10, eine Auswerteeinheit 11 und einen Datenspeicher 12 aufweist. Der Sensor 10 und die Kontaktplatte 9 sind an einer zweiten Antriebseinheit 13 befestigt, mit der die Kontaktplatte 9 und der Sensor 10 in Richtung auf das Poliertuch 2 bewegt werden können. Die Auswerteeinheit 11 ist über Signalleitungen 14 mit dem Sensor 10 verbunden. Zudem ist die Auswerteeinheit 11 über eine Datenleitung 15 mit dem Datenspeicher 12 verbunden. In eine bevorzugten Ausführungsform steht die Auswerteeinheit 11 über eine Steuerleitung 16 mit der Antriebseinheit 4 in Verbindung. Weiterhin ist eine Zuleitung 17 zum Zuführen von Polierflüssigkeit auf die Oberfläche des Poliertuches 2 vorgesehen.

Die Funktionsweise der CMP-Polieranordnung gemäß 2 wird im Folgenden erläutert. Beim Beginn des CMP-Prozesses wird das Substrat 5 durch die Antriebseinheit 4 mit einer Substratoberfläche 18 auf eine Poliertuchoberfläche 19 aufgelegt. Dabei kann eine gewünschte Vorspannung des Substrates 5 gegen das Poliertuch 2 vorzugsweise eingestellt werden. Zudem wird über die Zuleitung 17 Polierflüssigkeit auf die Poliertuchoberfläche 19 aufgebracht. Die Polierflüssigkeit kann chemische Zusätze und/oder mechanische Partikel enthalten, die den Poliervorgang vorteilhaft beeinflussen.

Anschließend wird der Poliertuchhalter 1 in eine Drehbewegung versetzt, die entsprechend der Mittenachse der Antriebswelle 3 ausgerichtet ist. Zudem wird der Substrathalter 6 entsprechend der Mittenachse der zweiten Antriebswelle 7 in eine Drehbewegung versetzt. Der Substrathalter 6 wird zusätzlich in eine Pendelbewegung versetzt, bei der das Substrat 5 zwischen dem Mittelpunkt und dem Randbereich des Poliertuches 2 hin und her bewegt wird.

Weiterhin wird durch die zweite Antriebseinheit 13 die Kontaktplatte 9 gegen die Poliertuchoberfläche 19 mit einer festgelegten Kraft gedrückt. Zudem wird über den Sensor 10, der in dem dargestellten Ausführungsbeispiel als Kraft- und/oder Drehmomentsensor ausgebildet ist, eine zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19 wirkende Kraft und/oder wirkendes Drehmoment erfasst und an die Auswerteeinheit 11 über Sensorleitungen 14 weitergeleitet. Der Sensor 10 erfasst vorzugsweise die Reibungskraft zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19.

In Abhängigkeit von der gewählten Ausführungsform ist es nicht erforderlich, dass die Kontaktplatte 9 während des gesamten CMP-Polierverfahrens auf der Poliertuchoberfläche 19 aufliegt, sondern es ist in einer bevorzugten Ausführungsform ausreichend, wenn die Kontaktplatte 9 in festgelegten Zeitabständen in Kontakt mit der Poliertuchoberfläche 19 gebracht wird.

Die von dem Sensor 10 an die Auswerteeinheit 11 übermittelten Messsignale werden von der Auswerteeinheit 11 mit festgelegten Referenzwerten verglichen. Die festgelegten Referenzwerte sind im Datenspeicher 12 abgelegt und entsprechen beispielsweise Reibungswerten und/oder Drehmomentwerten vordefinierter Substratoberflächen, d.h. vordefinierten Materialzusammensetzungen der Substratoberfläche und/oder vordefinierten Endpunkten des CMP-Prozesses, bei dem der CMP-Prozess eine gewünschte Substratoberfläche erzeugt hat und der CMP-Prozess beendet wird. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind als Referenzwerte nicht die Reibungswerte und/oder Drehmomentwerte, sondern deren zeitliche Änderung als Referenzwerte abgelegt.

Vorzugsweise vergleicht die Auswerteeinheit 11 kontinuierlich während des CMP-Prozesses, die vom Sensor 10 gelieferten Messsignale mit den abgespeicherten Referenzwerten. Ergibt der Vergleich, dass das Messsignal des Sensors 10 einem abgespeicherten Referenzwert entspricht, so wird eine entsprechende Materialzusammensetzung der Substratoberfläche 18 von der Auswerteeinheit 11 erkannt. Das Erkennen der vordefinierten Materialzusammensetzung der Substratoberfläche wird nun vorzugsweise dazu verwendet, um den CMP-Prozess zu steuern. Beispielsweise kann die Steuerung des CMP-Prozesses darin bestehen, dass Parameter des CMP-Prozesses, wie z.B. die Zusammensetzung der Polierflüssigkeit, die Vorspannung des Substrates 5 gegen das Poliertuch 2 und/oder die Bewegung des Substrathalters 6 und/oder die Bewegung des Poliertuchhalters 1 verändert werden.

In einer bevorzugten Ausführungsform, bei der das vom Sensor 10 gelieferte Messsignal einem Endpunkt des CMP-Prozesses entspricht, wird von der Auswerteeinheit 11 über ein Steuersignal an die Antriebseinheit 4 der CMP-Prozess beendet. Dazu beendet die Antriebseinheit 4 die Ansteuerung der Antriebswelle 3 und der zweiten Antriebswelle 7 und hebt zudem das Substrat 5 vom Poliertuch 2 ab, sodass das Substrat 5 gegen ein neues Substrat ausgetauscht werden kann.

2a zeigt ein Substrat 5 vor einem CMP-Polierverfahren. Das Substrat 5 weist eine abgestufte Oberfläche auf, unter der eine Struktur mit Polysiliziumsäulen 20 ausgebildet ist, die jeweils mit einer Nitridschicht 21 bedeckt sind. Die gesamte Struktur ist mit einem Silikatglas 22 überfüllt. Im Datenspeicher 12 ist für dieses Ausführungsbeispiel ein Endreferenzwert für das Messsignal des Sensors 10 für den Reibungswert zwischen der Kontaktplatte 9 und der Poliertuchoberfläche 19 abgelegt, wenn beim CMP-Abtragprozess die Oberflächen der Polysiliziumsäulen 20 erreicht werden.

Das Substrat 5, das in 2a dargestellt ist, wird am Substrathalter 6 befestigt und gemäß dem vorab beschriebenen Verfahren einem CMP-Polierverfahren unterzogen. Dabei wird kontinuierlich über die Messeinrichtung 8 die Wirkverbindung zwischen der Kontaktplatte 9 und dem Poliertuch 2 erfasst.

Die vom Sensor 10 erfassten Messsignale werden an die Auswerteeinheit 11 weitergeleitet. Die Auswerteeinheit 11 vergleicht die vom Sensor 10 übermittelten Messsignale mit dem im Datenspeicher 12 abgespeicherten Endreferenzwert. Ergibt der Vergleich, dass das vom Sensor 10 übermittelte Messsignal dem Endreferenzwert entspricht, so wird der CMP-Polierprozess beendet. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist als Endreferenzwert die Reibungskraft im Datenspeicher 12 abgespeichert, die zwischen dem Poliertuch 2 und der Kontaktplatte 9 auftritt, wenn das Substrat 5 bis zu den Oberflächen der Polysiliziumsäule 20 abgetragen ist, wie in 2b dargestellt ist. Dabei ist sowohl der absolute Reibungswert als auch eine zeitliche Ableitung des Reibungswertes im Datenspeicher 12 abgelegt, die beim Übergang von den Nitridschichten 21 auf die Polysiliziumsäulen 20 auftreten. Somit wird mit dem beschriebenen Verfahren aufgrund des Vergleichs des Messsignals und/oder der zeitlichen Änderung des Messsignals erkannt, dass mit dem Polierverfahren das Substrat 5 gemäß 2b abgetragen ist.

3 zeigt ein Diagramm für das Messsignal des Sensors 10, das während des CMP-Prozesses erfasst wurde, bei dem das Substrat 5 der 2a bis zu der in 2b dargestellten Schichtdicke abgetragen wurde.

In dem Diagramm der 3 ist das vom Sensor 10 erfasste Reibungssignal über der Zeit t aufgetragen. Zudem ist parallel über die Zeit ein chemisches Sensorsignal (EP-Signal) aufgetragen, das die chemische Zusammensetzung der Polierflüssigkeit darstellt. Das chemische Sensorsignal wird mit einem entsprechenden chemischen Sensor erfasst und zeigt einen Anstieg an, wenn die Nitridschichten 21 vollständig abgetragen wurden und begonnen wird, die Polysiliziumschichten 20 abzutragen. Zu einem nullten Zeitpunkt T0 startet das CMP-Verfahren. Dabei steigt das Messsignal des Sensors 10 zuerst stark an, um dann über die Zeit annährend asymptotisch auf einen Zwischenwert abzufallen. Der Zwischenwert wird anschließend für eine festgelegte Zeitdauer bis zum ersten Zeitpunkt T1 annährend beibehalten, bis ein erneuter starker Abfall des Reibungssignals eintritt. Dieser erneute starke Abfall zeigt den Wechsel beim Polierverfahren von den Nitridschichten 21 zu den Polysiliziumsäulen 20 an. Somit kann das Erreichen der Polysiliziumsäulen 20 gemäß 2b in der Weise erkannt werden, dass nach Erreichen eines Zwischenwertes das Messsignal, das ein Reibungssignal darstellt, erneut eine festgelegte zeitliche Abnahme aufweist, wobei sowohl die Zwischenwerte als auch die zeitliche Änderung des Reibungssignals im Datenspeicher 12 zum Vergleich und zum Erkennen der zugeordneten Oberflächensituation gemäß 2b abgespeichert sind.

Anstelle des in der 3 explizit dargestellten Reibungssignals kann auch ein Drehmomentsignal erfasst werden. Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung können für die verschiedensten Arten von Substraten eingesetzt werden, um eine definierte Materialänderung an der Oberfläche des Substrates beim CMP-Prozess zu erkennen. Dazu sind entsprechende Vergleichswerte, die beispielsweise experimentell ermittelt wurden, im Datenspeicher abgelegt.

1Poliertuchhalter 2Poliertuch 3Antriebswelle 4Antriebseinheit 5Substrat 6Substrathalter 72. Antriebswelle 8Messeinrichtung 9Kontaktplatte 10Sensor 11Auswerteeinheit 12Datenspeicher 132. Antriebseinheit 14Sensorleitung 15Datenleitung 16Steuerleitung 17Zuleitung 18Substratoberfläche 19Poliertuchoberfläche 20Polysiliziumsäule 21Nitridschicht 22Silikatglas

Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Überwachen eines CMP-Polierverfahren, wobei ein Substrat (5) in einer Halterung (6) befestigt ist, wobei ein Poliertuch (2) auf einer Platte (1) befestigt ist, wobei eine Oberfläche (19) des Poliertuchs (2) mit einer Oberfläche (18) des Substrats (5) in Wirkverbindung steht, wobei das Poliertuch (2) und das Substrat (5) gegeneinander bewegt werden, so dass Material von der Oberfläche des Substrats (5) abgetragen wird, wobei eine Messeinrichtung (8) vorgesehen ist, die in Wirkverbindung mit der Oberfläche des Poliertuchs (2) steht, wobei die Messeinrichtung (8) ein von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) abhängiges Messsignal erzeugt, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal zur Erkennung einer Änderung des Materials der Oberfläche des Substrats (5) während des CMP-Polierverfahrens verwendet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (8) eine Kraftwirkung zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (8) eine Reibungswirkung zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine festgelegte Änderung des Messsignals als Änderung des Oberflächenmaterials des Substrats (5) erkannt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal und/oder eine Änderung des Messsignals mit einem Referenzwert verglichen wird, und dass abhängig von dem Vergleich eine Materialänderung der Oberfläche des Substrats (5) erkannt.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal und/oder die Änderung des Messsignals mit einem Referenzwert verglichen wird, der einem Endpunkt des CMP-Prozesses entspricht, und dass bei Übereinstimmung des Messsignals und/oder der Änderung des Messsignals mit dem Referenzsignal ein Endpunkt für den CMP-Prozess erkannt wird und der CMP-Prozess beendet wird.
  7. Anordnung zum Durchführen eines CMP-Polierverfahrens mit einer Substrathalterung (6) zum Halten eines Substrats (5), mit einer Poliertuchhalterung (1) zum Halten eines Poliertuchs (2), mit einem Antrieb (4), mit dem die Substrathalterung (6) und die Poliertuchhalterung (1) gegeneinander bewegbar sind, wobei die Substrathalterung (6) und die Poliertuchhalterung (1) in der Weise ausgebildet sind, dass das Poliertuch (2) in Wirkverbindung mit einer Oberfläche des Substrats (5) bringbar ist, wobei eine Messeinrichtung (8) vorgesehen ist, die in Wirkverbindung mit dem Poliertuch (2) bringbar ist, wobei die Messeinrichtung (8) einen Sensor (10) aufweist, mit dem die Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) erfassbar ist, wobei mit der Messeinrichtung (8) ein Messsignal erzeugbar ist, das von der Oberflächenbeschaffenheit des Poliertuchs (2) abhängt, dadurch gekennzeichnet, dass eine Auswerteeinheit (11) vorgesehen ist, die mit dem Sensor (10) verbunden ist, dass die Auswerteeinheit (11) mit einem Datenspeicher (12) verbunden ist, dass im Datenspeicher (12) Referenzwerte für das Messsignal des Sensors (10) abgelegt sind, die einer Oberflächenbeschaffenheit des Substrats (5) zugeordnet sind, dass der Auswerteeinheit (8) das Messsignal zuführbar ist, und dass die Auswerteeinheit (8) ausgebildet ist, um über einen Vergleich zwischen dem Messsignal und einem Referenzwert eine Oberflächenbeschaffenheit und/oder eine Oberflächenänderung des Substrats (5) zu erkennen.
  8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (10) einen Reibungswert zwischen dem Poliertuch und der Messeinrichtung (8) erfasst, und dass die Auswerteeinheit (8) aus dem Reibungswert und dem im Datenspeicher abgelegten entsprechendem Referenzwert eine Oberflächenbeschaffenheit und/oder eine Oberflächenänderung des Substrats (5) erkennt.
  9. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (8) als Messsignal eine Änderung der Reibung zwischen dem Poliertuch (2) und der Messeinrichtung (8) erfasst, und dass die Auswerteeinheit (11) ausgebildet ist, um aus der Änderung der Reibung und dem im Datenspeicher abgelegten entsprechendem Referenzwert eine Oberflächenbeschaffenheit und/oder eine Oberflächenänderung des Substrats (5) zu erkennen.
  10. Anordnung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass im Datenspeicher (12) Referenzwerte für das Messsignal abgelegt sind, die einem Endpunkt des CMP-Prozesses entsprechen, dass die Auswerteeinheit (11) mit dem Antrieb (4) der Substrat- und Poliertuchhalterung (6, 1) verbunden ist, und dass die Auswerteeinheit (11) ausgebildet ist, um aufgrund des Vergleichs zwischen dem Messsignal und dem Referenzwert einen Endpunkt für den CMP-Prozess zu erkennen und den CMP-Prozess zu beenden.
Es folgen 3 Blatt Zeichnungen






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