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Herstellung von vergrabenen Hohlräumen in einer einkristallinen Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe - Dokument DE69930099T2
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE69930099T2 31.08.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001043770
Titel Herstellung von vergrabenen Hohlräumen in einer einkristallinen Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe
Anmelder STMicroelectronics S.r.l., Agrate Brianza, Mailand/Milano, IT
Erfinder Barlocchi, Gabriele, 20010 Cornaredo, IT;
Villa, Flavio, 20159 Milano, IT
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Aktenzeichen 69930099
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 09.04.1999
EP-Aktenzeichen 998302061
EP-Offenlegungsdatum 11.10.2000
EP date of grant 01.03.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 31.08.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/764(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC additional class H01L 21/20  (2006.01)  A,  L,  N,  20051017,  B,  H,  EP
H01L 21/306  (2006.01)  A,  L,  N,  20051017,  B,  H,  EP

Beschreibung[de]
Herstellung von vergrabenen Hohlräumen in einer einkristallinen Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen horizontal vergrabener Kanäle oder Hohlräume in Scheiben aus einkristallinem Halbleitermaterial.

Wie bekannt, ist es derzeit bei vielen Anwendungen erforderlich, Hohlräume im Inneren eines einkristallinen Siliciumsubstrats auszubilden, z.B. zum Erhalten aufgehängter Massen von Mikrostellgliedern und/oder Sensoren verschiedener Typen, wie Geschwindigkeits-, Beschleunigungs- und Drucksensoren, oder um elektronische Komponenten zu isolieren.

Derzeit können vergrabene Hohlräume im Wesentlichen auf zwei Arten hergestellt werden. Gemäß einer ersten Lösung, wie sie in der 1 veranschaulicht ist, werden zwei einkristalline Siliciumscheiben 1, die in geeigneter Weise ausgehöhlt wurden und jeweils einen halben Hohlraum zeigen, unter Verwendung einer Haftschicht (z.B. Siliciumoxid 2) so miteinander verbunden, dass die zwei Halb-Hohlräume einen vergrabenen Hohlraum 3 bilden.

Gemäß einer zweiten Lösung, wie sie in der 2 veranschaulicht ist, wird eine einkristalline Siliciumscheibe 1, die geeignete ausgehöhlt wurde und über endgültige Hohlräume 4 verfügt, mit einer Glasschicht 5 verbunden (anodischer Bondprozess).

Diese Lösungen sind teuer, sie sind hochkritisch und zeigen niedrige Produktivität, und sie sind nicht vollständig mit den üblichen technologischen Schritten einer Mikroelektronikverarbeitung kompatibel. Außerdem können die vergrabenen Hohlräume oder Kanäle nur in einer einzelnen Ebene angeordnet werden, wie es durch eine Linie 7 in der 3 dargestellt ist, und es ist nicht möglich, Hohlräume oder Kanäle in verschiedenen Höhen auszubilden, wie es in der 4 dargestellt ist.

US-A-4,993,143 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer Scheibe mit einer Membran über einem vergrabenen Hohlraum. Das Verfahren beinhaltet die Schritte des Herstellens eines Hohlraums in einem Substrat aus einkristallinem Halbleitermaterial und des Züchtens einer einkristallinen Epitaxieschicht auf dem Substrat (10) und dem Hohlraum. Die Abmessungen der Membran sind durch die Abmessungen des Hohlraums begrenzt.

Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Oberwinden der Nachteile der bekannten Lösungen zu schaffen.

Gemäß der Erfindung sind ein Verfahren zum Herstellen vergrabener Hohlräume in Scheiben aus einkristallinem sowie eine Scheibe aus einkristallinem Halbleitermaterial geschaffen, wie sie im Anspruch 1 bzw. 14 definiert sind.

Um zum Verständnis der Erfindung beizutragen, werden nun bevorzugte Ausführungsformen, nur als nicht beschränkendes Beispiel, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben:

1 zeigt einen Schnitt einer Halbleitermaterialscheibe, die gemäß einer bekannten Lösung hergestellt wurde;

2 zeigt einen Schnitt einer anderen bekannten Lösung;

3 zeigt ein Beispiel von Hohlräumen, die gemäß den bekannten Verfahren hergestellt wurden;

4 zeigt ein Beispiel von Hohlräumen, die in verschiedenen Ebenen angeordnet sind;

5 zeigt eine Draufsicht einer Halbleitermaterialscheibe, bei der die Hohlräume über eine erste Ausrichtung in Bezug auf die Scheibe verfügen;

6-12 veranschaulichen Schnitte der Scheibe der 5 mit vergrößertem Maßstab und für aufeinanderfolgende Herstellschritte gemäß einer ersten Höhe A;

13 zeigt eine Draufsicht einer Halbleitermaterialscheibe, bei der die Hohlräume über eine zweite Ausrichtung in Bezug auf die Scheibe verfügen;

14 und 15 veranschaulichen Schnitte der Scheibe der 13 mit vergrößertem Maßstab und für aufeinanderfolgende Herstellschritte gemäß einer zweiten Ausführungsform;

16 veranschaulicht einen Schnitt der Scheibe der 13 mit vergrößertem Maßstab und für einen Herstellschritt gemäß einer dritten Ausführungsform;

17-19 zeigen Schnitte von Siliciumscheiben, die mit Hohlräumen mit verschiedenen Formen und Positionen versehen sind;

20 und 21 zeigen perspektivische Schnitte einer Scheibe in zwei aufeinanderfolgenden Schritten, um dünne Membranen auszubilden;

22-26 zeigen Schnitte der Scheibe der 21 entlang einer Ebene XXII-XXII in der 21 für aufeinanderfolgende Schritte; und

27-28 zeigen Schnitte der Scheibe der 21 entlang einer Ebene parallel zur Ebene XXII-XXII für aufeinanderfolgende Schritte, bezogen auf die 22-26.

Die 5 zeigt eine einkristalline Siliciumscheibe 10, in der ein Hohlraum oder ein Kanal auszubilden ist, der sich unter 45° in Bezug auf den flachen Teil der Scheibe erstreckt, der durch die Orientierung <110> bestimmt ist. Die Oberfläche der Scheibe 10 hat die Orientierung <100>.

Wie es in der 6 dargestellt ist, wird als Erstes eine erste Oxidschicht auf die Oberfläche 11 der Scheibe 10 aufgewachsen; die erste Oxidschicht verfügt über eine Dicke von z.B. zwischen 20 und 60 nm; dann wird eine Nitridschicht mit einer Dicke zwischen 90 und 150 nm abgeschieden. Unter Verwendung einer Resistmaske werden die nicht bedeckten Abschnitte der ersten Nitridschicht und der ersten Oxidschicht trocken geätzt, und dann wird die Resistmaske entfernt; dadurch bilden die Teile der ersten Oxidschicht und der ersten Nitridschicht, die nach dem Trockenätzen verblieben sind (Oxidabschnitte 12 und Nitridabschnitte 13) eine harte Maske, die mit 14 gekennzeichnet ist.

Anschließend wird die Scheibe 10, unter Verwendung der harten Maske 14, geätzt (erste Grabenätzung), um erste Gräben 15 (6) mit einer Breite von beispielsweise zwischen 1 und 3 &mgr;m (vorzugsweise 2 &mgr;m) und einer Tiefe abhängig von den auszubildenden Strukturen, z.B. einigen wenigen Mikrometern, auszubilden.

Anschließend wird, wie es in der 7 dargestellt ist, die Scheibe 10 einem Oxidationsvorgang unterzogen, um so eine zweite Oxidschicht 18 mit einer Dicke von beispielsweise zwischen 20 und 60 nm herzustellen, die die Wände und die Basis der ersten Gräben 15 bedeckt und mit den Oxidabschnitten 12 verbunden ist, um so eine einzelne Schicht zu bilden. Dann wird eine zweite Nitridschicht 19 mit einer Dicke von beispielsweise zwischen 90 und 150 nm abgeschieden, die mit den Nitridabschnitten 13 verbunden ist, um eine einzelne Schicht zu bilden.

Anschließend wird, sh. die 8, das Nitridmaterial trocken geätzt, und das Oxidmaterial wird trocken oder nass geätzt. Dieses Ätzen sorgt für ein Entfernen der horizontalen Abschnitte der Nitridschicht 19 und der Oxidschicht 18 am Boden der ersten Gräben 15 sowie der horizontalen Abschnitte der Nitridschicht 19 über der Oberfläche 11 der Scheibe 10, um so einen ersten Schutzüberzug oder Abstandshalter 20 an den Wänden der ersten Gräben 15 auszubilden und das einkristalline Silicium am Boden der ersten Gräben 15 freizulegen. Die harte Maske 14 verbleibt ebenfalls an der Oberfläche 11 der Scheibe 10.

Dann wird, sh. die 9, das Siliciummaterial unter den ersten Gräben 15 unter Verwendung von TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) für eine bestimmte Zeit geätzt. Dieses Ätzen, das vom anisotropen Typ ist, erzeugt Halbleitermaterial 21 mit einer Weite d (am weitesten Punkt) von beispielsweise 10-100 &mgr;m, die daher viel größer als die ersten Gräben 15 sind. Wenn die ersten Gräben 15 über längliche Form, in einer Richtung orthogonal zur Zeichnungsebene, verfügen, bilden die Hohlräume 21 längliche Kanäle.

Anschließend, sh. die 10, werden die Wände der Hohlräume 21 mit einer Blockierschicht 22 bedeckt, die kein epitaktisches Wachstum erlaubt. Zu diesem Zweck kann beispielsweise ein Schritt mit schneller Oxidation ausgeführt werden, um eine Oxidschicht (mit größerer Dicke als der der Oxidabschnitte 12 und 18, die die Oberfläche 11 der Scheibe 10 und die Wand des ersten Grabens 15 bedecken, wie nachfolgend beschrieben, mit beispielsweise zwischen 60 und 100 nm) aufzuwachsen, oder es kann eine Schicht abgeschieden werden, die unter abgeschiedenem Oxid, Nitrid oder TEOS-Tetraehtylorthosilikat ausgewählt wird.

Dann werden, sh. die 11, die ersten Abstandshalter 20 von den Wänden der ersten Gräben 15 entfernt, und die harte Maske 14 wird von der Oberfläche 11 der Scheibe 10 entfernt. Während des Entfernens der Oxidabschnitte 12 und 18 wird auch ein Teil der Blockierschicht 22 entfernt; die Blockierschicht 22 wird nicht vollständig entfernt, da sie dicker ist, wie bereits angegeben, und sie verbleibt in ausreichendem Ausmaß, um eine vollständige Bedeckung der Wände der Hohlräume 21 zu gewährleisten.

Anschließend wird, sh. die 12, epitaktisches Züchten unter Verwendung des einkristallinen Siliciums der Scheibe 10 als Keim ausgeführt; demgemäß wird einkristallines Silicium horizontal innerhalb der Gräben 15 aufgewachsen, um so die Letzteren zu schließen, und es wird vertikal ausgehend von der Oberfläche 11 aufgewachsen, (die in der 12 nicht mehr erkennbar ist). Andererseits wächst das Silicium nicht innerhalb der Hohlräume 21, da die Blockierschicht 22 vorhanden ist. So wird eine monolithische Scheibe 25 aus einkristallinem Silicium erhalten, die aus dem Substrat 10 und der Epitaxieschicht 26 besteht und geschlossene Hohlräume 21 aufnimmt, die intern durch die Blockierschicht 22 begrenzt sind.

Wenn die Gräben 15 (und damit die Hohlräume 21) unter 0° und90° in Bezug auf den flachen Teil der Scheibe 10 orientiert sind (wie es in der Draufsicht der 13 dargestellt ist), wird, nach dem Herstellen der ersten Abstandshalter 20 (8) und vor dem TMAH-Ätzen (9), ein zweites Grabenätzen mit einer Maskierung durch die harte Maske 14 und die ersten Abstandskalter 20 ausgeführt (14). Dadurch wird ein tiefer Graben 30 ausgebildet, dessen unterer Teil 30a sich unter den ersten Abstandshaltern 20 erstreckt.

Anschließend wird, siehe die 15, ein zeitlich bemessenes TMAH-Ätzen ausgeführt, um einen Hohlraum 21' um den unteren Teil 30a der tiefen Gräben 30 herum auszubilden (durch eine gestrichelte Linie in der 15 dargestellt). Anschließend wird der bereits unter Bezugnahme auf die 11, 12 beschriebene Prozess ausgeführt, um eine Blockierschicht 22 auszubilden, die harte Maske 14 und die ersten Abstandshalter 20 zu entfernen und eine Epitaxieschicht aufzuwachsen, um die abschließende Struktur der 12 zu erhalten.

Gemäß einer anderen Ausführungsform wird, erneut mit Gräben 15, die unter 90° in Bezug auf den flachen Teil 110 der Scheibe 10 orientiert sind (wie es in der 13 dargestellt ist), nach dem Ausbilden der harten Maske und nach der ersten Grabenätzung, um die ersten Gräben 15 (6) auszubilden, das zeitlich bemessene TMAH-Ätzen direkt ausgeführt, um einen Hohlraum 21" um die ersten Gräben 15 herum auszubilden, siehe die 16. Ähnlich wie im oben beschriebenen Fall werden dann die Schritte des Herstellens einer Blockierschicht 22, des Entfernens der harten Maske 14 und der ersten Abstandshalter 20 und des epitaktischen Züchtens ausgeführt.

Die so erhaltene Scheibe 25 kann im Epitaxiegebiet über den Hohlräumen 21, 21', 21" auf bekannte Weise elektronische Komponenten und/oder integrierte Mikrostrukturen integrieren.

Entsprechend der Orientierung der Hohlräume 21, 21', 21'', der Dauer der TMAH-Ätzung, der Anzahl und der Anordnung der Hohlräume 21, 21', 21'' ist es möglich, verschiedene Geometrien zu erhalten, wie sie in den 17-19 dargestellt sind, bei denen, der Einfachheit halber, die Blockierschicht weggelassen ist. Genauer gesagt, zeigt die 15 eine Scheibe 25 mit mehreren Hohlräumen 21 mit im Wesentlichen achteckiger Form, die parallel zueinander in einer Richtung rechtwinklig in Bezug auf die Zeichnungsebene und in derselben Höhe angeordnet sind. Die Scheibe 25 in der 17 wird auf die oben beschriebene Weise erhalten, und es wird eine TMAH-Ätzzeit ausgewählt, die kein vollständiges Siliciumätzen erlaubt.

Die 18 zeigt eine Scheibe 25 mit mehreren quaderförmigen (um 45° verdreht) oder rhombusförmigen Hohlräumen 36, die ähnlich wie im vorigen Fall parallel zueinander rechtwinklig in Bezug auf die Zeichnungsebene in derselben Höhe angeordnet sind. Die Scheibe 25 in der 28 wird durch Fortsetzen des TMAH-Ätzens erhalten, bis die abschließende Geometrie (quadratisch oder rhombisch, abhängig von der Orientierung der Hohlräume 36 in Bezug auf die kristallografische Ebene der Scheibe 25), hervorgerufen durch das TMAH-Ätzen, erhalten wird.

Die 19 zeigt eine Scheibe 25 mit mehreren Hohlräumen 38, 39 mit achteckiger Form, die in verschiedenen Höhen in der Scheibe 25 angeordnet sind. Die Scheibe 25 der 29 wird dadurch erhalten, dass erste Gräben 15 mit verschiedenen Tiefen (mit verschiedenen Ätzzeiten) oder verschiedenen Weiten (so dass die endgültigen Tiefen der Kanäle 38, 39 verschieden sind) erhalten; oder es wird der unter Bezugnahme auf die 6-12 oder 14-15 oder 16 beschriebene Prozess mehrmals wiederholt, um einen oder mehrere Hohlräume 39 auf einer ersten Höhe auszubilden, es wird eine erste Epitaxiezüchtung ausgeführt, es werden ein oder mehrere Hohlräume 38 auf größerer Höhe ausgebildet, es wird eine epitaktische Züchtung ausgeführt, usw.

Das oben beschriebene Verfahren kann auch dazu verwendet werden, einkristalline Siliciummembranen mit verringerter Dicke (z.B. zwischen 1 und 3 &mgr;m, wenn die Membran als Sensor verwendet wird, und ungefähr 10 &mgr;m, wenn elektronische Komponenten zu integrieren sind) über einem Luftspalt gewünschter Form herzustellen, wie es nachfolgend unter Bezugnahme auf 20-29 beschrieben wird.

Zu diesem Zweck wird beispielsweise mit der Scheibe 25 des in der 17 dargestellten Typs begonnen, die in der 20 perspektivisch dargestellt ist, mit mehreren Hohlräumen oder Kanälen 21 mit einer Länge 1 (in der Richtung y), die viel größer als ihre maximale Weite d (in der Richtung x) ist. Insbesondere verfügen die Kanäle 21 über eine Länge 1, die mit der gewünschten Länge der Membran verknüpft ist, und sie sind von solcher Anzahl, dass sie sich über die gesamte Breite (in der Richtung x) der Membran erstrecken. Außerdem ist die Oberseite der Kanäle 21 in einer Tiefe, ausgehend von der Oberfläche der Scheibe 25, angeordnet, die der gewünschten Dicke für die Membran entspricht.

Wie es in den 21 und 22 dargestellt ist, wird dann ein Grabenätzen von Silicium über den Hohlräumen 21 ausgeführt, um mindestens zwei Verbindungsgräben zu erzeugen, die sich parallel zueinander in einer Richtung orthogonal zur Länge der Hohlräumen 21 (parallel zur x-Achse beim dargestellten Beispiel) erstrecken. Zu diesem Zweck wird, auf bekannte Weise, zunächst eine dritte Oxidschicht 40 abgeschieden oder gezüchtet, und dann wird eine dritte Nitridschicht 41 abgeschieden; die Oxidschicht 40 und die Nitridschicht 41 werden fotolithografisch definiert, um eine zweite harte Maske 42 auszubilden, die die Scheibe 25 mit Ausnahme derjenigen Teile vollständig bedeckt, in denen die Verbindungsgräben auszubilden sind; dann wird das freigelegte Silicium geätzt, um so Verbindungsgräben 44 auszubilden, die sich so weit wie die Blockierschicht 22 der Hohlräume 21 erstrecken.

Anschließend wird, siehe die 23, die Oberfläche der Verbindungsgräben 44 oxidiert, um eine vierte Oxidschicht 45 (die über den Hohlräumen 21 integral mit der Blockierschicht 22 ist) auszubilden, und es wird eine vierte Nitridschicht 96 abgeschieden.

Dann werden, siehe die 24, das Nitrid- und dann das Oxidmaterial der Schichten 45, 46 trocken geätzt, um so das Letztere von den horizontalen Abschnitten über der zweiten harten Maske 42 und vom Boden der Verbindungsgräben 44 zu entfernen; dadurch werden über den Hohlräumen 21 und an den Wänden der Gräben 22 Abstandshalter 47 ausgebildet. In diesem Schritt wird auch ein Teil der Blockierschicht 22 (falls aus Oxid), die im oberen Teil der Hohlräume 21 vorhanden ist, entfernt, wie es ebenfalls in der 25 dargestellt ist, die einen Schnitt eines Verbindungsgrabens 44 entlang einer Schnittebene orthogonal zur 24 zeigt.

Anschließend wird, siehe die 26, die die Wände der Hohlräume 21 bedeckende Blockierschicht 22 nass geätzt. Die Blockierschicht 22 wird so vollständig entfernt. Anschließend wird, siehe die 27, das Siliciummaterial um die Hohlräume 21 herum für eine bestimmte Zeit geätzt, um die Membranen (in der 26 mit 50 gekennzeichnet), die die Hohlräume 21 voneinander trennen, vollständig zu entfernen. Dadurch wird ein Luftspalt 51 erzeugt, der sich kontinuierlich unter einem eine Membran 52 bildenden Teil aus einkristallinem Silicium erstreckt, wie es im Schnitt der 27 erkennbar ist, der entlang einer Ebene parallel zur 26, die keinen Verbindungsgraben 49 schneidet, aufgenommen ist. Bei diesem Schritt wird auch eine Einebnung der oberen und der unteren Wand des Spalts 51 erzielt, wie es aus der 27 erkennbar ist, wobei die ursprünglichen Hohlräume 21 mit gestrichelten Linien dargestellt sind, um zum Verständnis beizutragen.

Nachdem die zweite harte Maske 42 entfernt wurde, ist so eine Scheibe 54 erhalten, wie sie in der 28 dargestellt ist, bei der die Membran 52 ein Verhältnis s/L «1, z.B. zwischen 0,1 und 0,001, der Dicke zur Länge aufweist.

Die Vorteile des beschriebenen Verfahrens sind aus der vorigen Beschreibung ersichtlich. Insbesondere wird hervorgehoben, dass das Verfahren die Herstellung vollständig vergrabener Hohlräume und Kanäle unter Verwendung von Schritten erlaubt, wie sie bei der Mikroelektronik üblich sind, so dass sie zuverlässig und wiederholbar sind. Es erlaubt es auch, verschiedene Geometrien, abhängig von den Erfordernissen, mit einer sehr hohen Vielfalt von Formen zu erhalten. Außerdem können Membranen mit den gewünschten Formen, abhängig von den erforderlichen Komponenten (elektronisch oder mikroelektromechanisch) ausgebildet werden.


Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Herstellen einer Membran (52) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, die über einem Luftspalt (51) angeordnet ist, mit dem Schritt des Herstellens einer Scheibe (54) aus einkristallinem Halbleitermaterial mit einem Luftspalt (51), dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zum Herstellen einer Scheibe das Folgende beinhaltet:

    – Herstellen mehrerer benachbarter Hohlräume (21; 21'; 22'') in einem Substrat (10) aus einkristallinem Halbleitermaterial, die durch Trennwände (50) voneinander getrennt sind;

    – Züchten einer einkristallinen Epitaxieschicht (26) auf dem Substrat (10) und den Hohlräumen (21), um dadurch eine Scheibe (25) aus einkristallinem Halbleitermaterial zu erhalten, der vergrabene Hohlräume (21) enthält, die vollständig vom einkristallinen Material umgeben sind;

    – Herstellen von Verbindungsgräben (44) in der Epitaxieschicht (26), die sich quer zu den vergrabenen Kanälen (21) ausgehend von einer Oberfläche der Scheibe bis zu den vergrabenen Kanälen erstrecken; und

    – Entfernen der Trennwände (50).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Züchtens einer Epitaxieschicht (26) ein Schritt ausgeführt wird, gemäß dem alle Wände der Hohlräume (21) mit einem epitaktisches Wachstum behindernden Material (22) beschichtet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material ein Oxid ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material TEOS ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material ein Nitrid ist.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens der Hohlräume (21; 21') die folgenden Schritte beinhaltet:

    – Herstellen erster Gräben (15) im Substrat (10);

    – Bedecken von Seitenwänden der ersten Gräben (15) mit ersten Schutzbereichen (20) aus einem Material, das bei einem Ätzen des einkristallinen Halbleitermaterials resistent ist; und

    – anisotropes Ätzen des Substrats (10) unter den ersten Gräben (15).
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 – 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Herstellens mehrerer Gräben (21'') die folgenden Schritte beinhaltet:

    – Herstellen mehrerer erster Gräben (15) im Substrat (10); und

    – anisotropes Ätzen des Substrats (10) zum Entfernen des Halbleitermaterials um die ersten Gräben (15) herum.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Ätzen ein TMAH-Ätzen ist.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 – 8, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Ätzen ein Ätzen für eine abgemessene Zeit ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des anisotropen Ätzens ein Schritt ausgeführt wird, gemäß dem mehrere zweite Gräben (30a) hergestellt werden, die mit den ersten Gräben (15) ausgerichtet und unter diesen angeordnet sind.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 – 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Schritt des Herstellens von Verbindungsgräben (44) ein Schritt ausgeführt wird, gemäß dem zweite Schutzbereiche (47) hergestellt werden, die sich auf den Wänden der Verbindungsgräben erstrecken.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 – 11, bei dem die vergrabenen Gräben (21) über Wände verfügen, die mit einer epitaktisches Wachstum behindernden Schicht (22) bedeckt sind, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernens der Trennwände (50) die folgenden Schritte beinhaltet:

    – Entfernen der epitaktisches Wachstum behindernden Schicht (22) und

    – anisotropes Ätzen des Halbleitermaterials.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das anisotrope Ätzen ein TMAH-Ätzen für eine abgemessene Zeit ist.
  14. Scheibe (25) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, gekennzeichnet durch mehrere vergrabene Hohlräume (51), die vollständig vom einkristallinen Material umgeben sind und die über Trennwände (50) hinweg, durch die sie voneinander getrennt sind, einander benachbart sind, wobei sich Verbindungsgräben (44) quer zu den vergrabenen Hohlräumen ausgehend von der Oberfläche der Scheibe bis zu den vergrabenen Hohlräumen erstrecken.
  15. Scheibe nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein vergrabener Hohlraum (21) mit einer Schicht aus einem epitaktisches Wachstum behindernden Material (22) bedeckt ist.
  16. Scheibe nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material ein Oxid ist.
  17. Scheibe nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material TEOS ist.
  18. Scheibe nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das epitaktisches Wachstum behindernde Material ein Nitrid ist.
Es folgen 8 Blatt Zeichnungen






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