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Dokumentenidentifikation DE102006007439A1 23.11.2006
Titel Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleitern unter Verwendung von Einzelchips mit integrierten Schaltungen
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Haetty, Jens, Lagrangeville, N.Y., US
Vertreter Epping Hermann Fischer, Patentanwaltsgesellschaft mbH, 80339 München
DE-Anmeldedatum 17.02.2006
DE-Aktenzeichen 102006007439
Offenlegungstag 23.11.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 23.11.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/66(2006.01)A, F, I, 20060810, B, H, DE
IPC-Nebenklasse G11C 29/00(2006.01)A, L, I, 20060810, B, H, DE   
Zusammenfassung Bei einem Verfahren und bei einer Vorrichtung zum Prüfen von Halbleiterwafern sind bestimmte Kontaktbereiche von Einzelchips, die beim Prüfen nicht verwendet werden und während des Prüfens auf einer vorbestimmten Spannung liegen müssen, über eine integrierte Schaltung in dem Einzelchip mit der vorbestimmten Spannung verbunden.

Beschreibung[de]
Erfindungsgebiet

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum elektrischen Testen von Halbleiterwafern.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen wird ein Halbleiterwafer durch Ritzrahmen in mehrere Einzelchips unterteilt. Die Einzelchips umfassen integrierte Schaltungen mit identischem Typ, und nach geeignetem Testen zum Verifizieren der Betriebsfähigkeit und Reparaturfähigkeit der individuellen Einzelchips werden sie von dem Wafer abgesägt und danach als Chips bezeichnet. Jeder Chip wird geeignet gekapselt, damit man das fertig gestellte Halbleiterbauelement erhält.

Jeder Einzelchip weist eine Vielzahl von Kontaktbereichen auf, die in der Regel als Pads bezeichnet werden. Bei dem fertig gestellten Halbleiterbauelement werden solche Pads mit Zuleitungen verbunden, die über das Gehäuse des Bauelements zugänglich sind. Beim elektrischen Testen des Wafers werden individuelle Kontaktbereiche von jeweiligen Prüfsonden einer Sondenkarte kontaktiert. Solche Sonden sind in der Regel auf einer Sondenkartenstruktur montierte nadelartige Elemente, die vor der Herstellung des eigentlichen Kontakts auf die Kontaktbereiche ausgerichtet werden. Die nadelartigen Einrichtungen dringen geringfügig in die Kontaktbereiche ein, um einen elektrischen Kontakt herzustellen. Es gibt andere Sondenarten als die nadelartigen Einrichtungen, die mit verschiedenen Arten von Padstrukturen verwendet werden können, doch hängt die vorliegende Erfindung nicht von der bestimmten Art des Kontaktbereichs oder der Sonde ab, die verwendet wird.

Zur Funktionsprüfung wird eine dedizidierte automatisierte Prüfapparatur (im Weiteren als "IC-Prüfsystem" bezeichnet) mit der Sondenkarte verbunden und Spannungen durch die Sonden an verschiedene Kontaktbereiche des Wafers angelegt. Der grundlegende Chipbetrieb erfordert üblicherweise mindestens drei Arten von Pads: (1) Pads, durch die eine globale Versorgungsspannung VS angelegt wird, (2) Pads, mit denen die Befehlslogik der integrierten Schaltung gesteuert wird, und (3) Pads, die dazu verwendet werden, Datenbits an den Chip zu liefern und Datenbits von ihm zu empfangen. Diese Rücksignale von dem Wafer verlaufen ebenfalls durch vorgesehene Sonden und werden an das elektrische Prüfgerät zurückgeschickt. Der Ort der Prüfausfälle wird in einem Ausfallspeicher gespeichert, so dass Reparaturen verfolgt werden können, und die Prüfsequenz wird automatisch gesteuert.

Eine Sondenkarte kann so ausgelegt sein, dass ihre Sonden mehrere Einzelchips abdecken, damit die Anzahl der Einzelchips maximiert werden kann, die gleichzeitig geprüft werden können. Der Grad, in dem mehrere Einzelchips gleichzeitig geprüft werden können, wird als Parallelität bezeichnet. Jede Sonde ist letztendlich mit dem elektrischen Prüfer verbunden und entspricht einem Kanal des Prüfsystems. Da die die Parallelität begrenzenden Faktoren die Kapazität des Ausfallspeichers und die Anzahl verfügbarer Prüfkanäle pro zu prüfendem Bauelement sind, ist es wünschenswert, die Anzahl der Kanäle zu maximieren, die für das Prüfen zur Verfügung stehen.

In der Regel werden weniger als alle der Kontaktbereiche auf den Einzelchips für das Prüfen verwendet, und es kann eine Anforderung der Prüfung sein, dass einer oder mehrere der Kontaktbereiche, die nicht geprüft werden, während der Prüfung auf einem vorbestimmten Spannungswert gehalten werden. Gemäß einem vorherigen Weg dies zu erzielen wurde der vorbestimmte Spannungswert durch die Sondenkarte erhalten, und da jede der zum Erhalten eines derartigen Werts verwendeten Sonden für das Prüfen nicht verwendet werden konnten, kam es zu einer Begrenzung der Anzahl der Prüfkanäle.

Kurze Darstellung der Erfindung

Bei der vorliegenden Erfindung weist beim elektrischen Prüfen von Halbleiterwafern, die mehrere Einzelchips enthalten, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereichen aufweisen, die von jeweiligen Sonden einer Sondenkarte kontaktiert werden, die während des Prüfens mit dem Prüfgerät verbunden ist, jeder Einzelchip einen oder mehrere bestimmte Kontaktbereiche auf, die beim Prüfen nicht verwendet werden, und ein Verfahren wird bereitgestellt, das das elektrische Anschließen mindestens eines der bestimmten Kontaktbereiche an Spannung mit einem vorbestimmten Wert über eine Schaltung umfasst, die in den Einzelchip integriert ist, als Reaktion auf ein vorbestimmtes Signal.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Ein besseres Verständnis der Erfindung ergibt sich unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen. Es zeigen:

1 eine Draufsicht auf einen Halbleiterwafer,

2 ein Schemadiagramm eines Systems nach dem Stand der Technik zum elektrischen Prüfen eines Halbleiterwafers,

3 ein Schemadiagramm eines bisherigen Systems zum elektrischen Prüfen eines Halbleiterwafers,

4 eine Draufsicht auf einen Halbleitereinzelchip, der eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält,

5 ein elektrisches Schaltbild einer integrierten Schaltung, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst,

6 ein Schemadiagramm eines elektrischen Prüfsystems für einen Halbleiterwafer, der eine Ausführungsform der Erfindung enthalten kann,

7 eine Draufsicht auf einen Halbleitereinzelchip, der eine weitere Ausführungsform der Erfindung enthält,

8 ein elektrisches Schaltbild einer integrierten Schaltung, die eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

1 ist eine Draufsicht auf einen Halbleiterwafer 2, der durch Ritzrahmen in eine Anzahl von Einzelchips 4 unterteilt ist. Jeder Einzelchip 4 ist eine vollständige integrierte Schaltung, die nach dem Abschneiden der individuellen Einzelchips von dem Wafer als ein Chip bekannt sind.

Die Einzelchips werden vor dem Abschneiden von dem Wafer elektrisch auf Defekte hin geprüft. Ein System zum Durchführen einer derartigen elektrischen Prüfung ist in 2 schematisch dargestellt. Der Wafer 2 ist zu Darstellungszwecken nur zusammen mit einem einzelnen der vielen Einzelchips 4 gezeigt. Jeder Einzelchip 4 weist in der Regel viele Kontaktbereiche auf, an denen Leitungen in dem fertig gestellten Halbleiterbauelement angebracht werden können. Zu Darstellungszwecken sind in 2 nur drei derartige Kontaktbereiche 6, 8 und 10 gezeigt.

Die Sondenkarte ist mit einem IC-Prüfsystem 22 verbunden, und eine derartige Verbindung kann durch einen Prüfkopf 20 hergestellt werden. Das Prüfsystem 22 ist automatisiert und legt nacheinander Prüfspannungen an die Kontaktbereiche an und empfängt Rücksignale. Der Ort von Defekten kann in dedizierten Ausfallspeicherbaugruppen in dem IC-Prüfsystem als Bestanden-/Durchgefallen-Information gespeichert werden; anhand dieser Informationen wird dann üblicherweise der Chip nach dem Abschluss der Funktionsprüfung repariert.

Bei der Prüfprozedur werden in der Regel nicht alle Kontaktbereiche verwendet, und es kann eine Anforderung sein, dass ein oder mehrere derartiger Bereiche, die nicht verwendet werden, während der Prüfung an einen vorbestimmten Spannungswert angebunden werden. Der Ausdruck "Wert" wird hier in einem umfassenden Sinne verwendet und beinhaltet eine Spannung fester Größe, Massepotential sowie ein zeitlich variierendes Spannungsmuster.

Bei einem bisherigen System war es eine Anforderung, dass sich zwei der Kontaktbereiche während der Prüfung auf dem gleichen festgelegten Spannungswert befinden, der der Versorgungsspannungswert ist, der für den normalen Chipbetrieb an einen der zwei Kontaktbereiche angelegt wird. Damit sich diese beiden Kontaktbereiche auf diesem Spannungswert befinden, wurden die zwei Kontaktbereiche durch die Sondenkarte dadurch miteinander gekoppelt, dass die entsprechenden Sonden in der Sondenkartenstruktur selbst elektrisch gekoppelt waren. 3 zeigt im Wesentlichen das gleiche System wie 2, wobei der elektrische Prüfer 30, beide Blöcke 20 und 22 von 2 enthält. In 3 sind es die Kontaktbereiche 6 und 8, die durch die Sondenkarte miteinander gekoppelt sind, und dies ist in 3 durch einen Leiter 29 dargestellt. Wenn der erforderliche Spannungswert wie beim normalen Betrieb an den Kontaktbereich 6 angelegt würde, würden somit beide Kontaktbereiche 6 und 8 auf diesem Wert sein. Offensichtlich besteht ein Nachteil des in 3 gezeigten Systems darin, dass ein Prüfkanal verwendet wird, um einen erforderlichen Spannungswert anzulegen, und somit dieser Kanal nicht zu Prüfzwecken verwendet werden kann.

Eine Ausführungsform der Erfindung ist in den 4 und 5 gezeigt. 4 ist eine Draufsicht auf einen Einzelchip, der zu Darstellungszwecken weniger als alle der Kontaktbereiche zeigt, die wahrscheinlich auf einem tatsächlichen Einzelchip vorliegen würden. Die Kontaktbereiche 6, 8 und 11 sind wie auch die integrierte Schaltung 32, die Teil des Einzelchips ist, dargestellt. Die Eingänge zu der integrierten Schaltung 32 sind Kontaktbereich 6, Kontaktbereich 8, Kontaktbereich 11 und durch Leiter 40 und 41 angelegte Spannung VS.

5 kann als ein elektrisches Schaltbild der integrierten Schaltung 32 dienen, das von einem Fachmann leicht implementiert werden kann. Die Schaltung besteht aus einem Spannungsteiler, der aus Widerständen 44 und 46 besteht, und einem Schalter 48. Eine Versorgungsspannung vom Wert VS ist über Leiter 40 und 41 an den Spannungsteiler angelegt. Sofern die Widerstände 44 und 46 einen gleichen Widerstandswert aufweisen, steht an der Verbindung der Widerstände eine gewünschte Spannung VR zur Verfügung. Die Eingänge zum Schalter 48 sind die Spannung VR und die Kontaktbereiche 6, 8 und 11. Der Auslöser für den Schalter 48 ist ein vorbestimmtes Signal am Kontaktbereich 11, wodurch beispielsweise der Kontaktbereich 11 durch eine Prüfsonde auf Massepotential gezwungen wird. Der Schalter ist so konfiguriert, dass bei Empfang des Auslösers die Leiter 43, 47 und 49 miteinander verbunden werden, wodurch Kontaktbereiche 6 und 8 miteinander und mit der Spannung VR gekoppelt werden. Somit wird das gleiche Ergebnis erzielt wie in der vorausgegangenen Anordnung von 3, doch wird ein Prüfkanal eingespart. Dies ist in 6 dargestellt, die ähnlich ist wie 3, wo aber zu sehen ist, dass der Koppler 29 nicht vorliegt, und Prüfsonden nicht über den Kontaktbereichen 6 und 8 vorliegen. Somit können Prüfkanäle 24' und 26' mit Sonden, die unterschiedliche Stellen auf dem Einzelchip aufweisen, verbunden werden. Beispielsweise können sie sich über Kontaktstellen auf einem anderen Einzelchip befinden, wodurch die Parallelität erhöht wird, mit der das Prüfen durchgeführt werden kann. Dies führt bei dem Prüfen von Wafern zu einem Kostenvorteil. Alternativ können die zusätzlichen Kanäle dazu verwendet werden, zusätzliche Kontaktstellen auf dem gleichen Einzelchip zu prüfen, wodurch die verfügbaren Prüfinformationen vermehrt werden. Da die Sondenkarten in der Regel für spezifische Chips speziell ausgelegt sind, kann eine neue Sondenkarte mit einer neuen Sondenkonfiguration implementiert werden. Wenn die Sondenkarte von einem Typ ist, bei dem die Sonden beweglich sind, ist es möglich, dass dieselbe Sondenkarte rekonfiguriert werden kann. Falls in der Ausführungsform von 3 jeder Kanal 24und 26 unabhängig an die Sonden 14 bzw. 16 angeschlossen worden wäre, um die Spannung anzulegen (kein Koppler 29), würden zwei Kanäle anstelle eines Kanals eingespart werden.

Die Widerstände 44 und 46 können dedizidierte Widerstandsabschnitte der integrierten Schaltung sein, oder sie können Teil von anderen Komponenten sein. Ein Spannungsteiler vom Widerstandstyp ist dargestellt, da er der häufigste ist, doch jede andere Art von Spannungsteiler kann verwendet werden und liegt innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung. Die Funktion der Schaltung von 5 könnte auch durch eine Schaltung ausgeführt werden, die zwei Schalter verwendet, wobei einer den Kontaktbereich 6 als Eingang aufweist, er andere den Kontaktbereich 8 als Eingang aufweist und beide Schalter als Eingang die Spannung VR und den Kontaktbereich 11 aufweisen. Ein derartiger Schalter würde jeden des Kontaktbereichs 6 und des Kontaktbereichs 8 an eine Spannung VR anschließen und liegt innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung. Die Schaltung wäre jedoch nicht so erwünscht wie die in 5 gezeigte, da sie auf dem Einzelchip mehr Platz verbrauchen würde. Außerdem versteht sich, dass die 4 und 5 zwar eine Ausführungsform zeigen, bei der zwei Kontaktbereiche an einen zum Prüfen erforderlichen Spannungswert angeschlossen sind, die Erfindung jedoch das Anschließen einer beliebigen Anzahl von Kontaktbereichen an einen Spannungswert umfasst, einschließlich nur eine einzelne Kontaktstelle. Um mehr als zwei Kontaktstellen miteinander zu koppeln, kann der in 5 gezeigte Spannungsteiler mit einer größeren Anzahl von Zweigen konfiguriert werden. Während in der dargestellten Ausführungsform der gleiche Spannungswert an beide Kontaktbereiche angelegt wird, kann die Schaltung so ausgelegt sein, dass die Werte der Spannungen verschieden sind.

Die 7 und 8 zeigen eine Ausführungsform der Erfindung, bei der der einzelne Kontaktbereich 8 durch eine integrierte Schaltung 50, die im Einzelchip 4 verkörpert ist, an VR angeschlossen ist. Unter Bezugnahme auf 7 sind die Eingänge zur integrierten Schaltung 50 die Spannungsquelle VS, der Kontaktbereich 8 und der Kontaktbereich 11 der. Unter Bezugnahme auf das Schaltbild von 8 ist zu erkennen, dass die integrierte Schaltung 50 aus einem Spannungsteiler, der aus den Widerständen 62 und 64 und einem Schalter 68 besteht, bestehen kann. Beim Betrieb der Schaltung verbindet der Schalter 68 den Kontaktbereich 8 mit dem Spannungswert VR, wenn ein Auslöser am Kontaktbereich 11 empfangen wird. Der Kontaktbereich 11 ist durch den Leiter 52 mit dem Schalter 68 verbunden, während der Kontaktbereich 8 über den Leiter 54 mit dem Schalter 68 verbunden ist. Die Spannungsquelle VS ist über die Leiter 56 und 58 mit der integrierten Schaltung 50 verbunden.

Die Erfindung kann beim Prüfen vieler verschiedener Arten integrierter Schaltungen eingesetzt werden. Ein Beispiel ist ein DDR-(engl. "double data rate", doppelte Datenrate – enthält DDR1, DDR2 und gegebenenfalls nachfolgende Generationen)-SDRAM (statischer dynamischer Direktzugriffsspeicher). Bei einem derartigen Bauelement werden bei dem Prüfen auf Waferebene die Pads BLCK und VREF nicht verwendet, müssen aber während des Prüfens lediglich auf VDD/2 gehalten werden, wobei VDD die (zuvor als "VS" bezeichnete) Chipversorgungsspannung ist. Der Chip weist auch einen BIST-(engl. "Built-in Self Test" – eingebauter Selbsttest)-Pad auf. Somit würde die vorliegende Erfindung dazu verwendet, VREF und BCLK durch die integrierte Schaltung miteinander und beide mit VDD/2 zu verbinden, wenn das BIST-Pad auf Masse gezwungen wird.

Dies kann auch der Auslöser für andere kanaleinsparende Implementierungen sein. Möglicherweise wird ein Prüfmodus nicht verwendet, da dies verursachen würde, dass VREF und BCLK mit möglicherweise abträglichen Effekten für die Chipfunktionalität zwischen Einschalten und Prüfmoduseinstellung potentialfrei sind. Das VREF-Pad ist ein Pad, das bei normalem Betrieb ein Referenzpotential erhält, das BCLK-Pad erhält während des normalen Betriebs ein Taktsignal.

Es versteht sich, dass die Erfindung zwar ausführlich und unter Bezugnahme auf spezifische Ausführungsformen davon beschrieben worden ist, doch ist dem Fachmann offensichtlich, dass darin zahlreiche Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne von dem Gedanken und Schutzbereich davon abzuweichen. Dementsprechend sollen alle derartigen Modifikationen und Variationen der Erfindung unter der Voraussetzung abgedeckt sein, dass sie innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.


Anspruch[de]
Verfahren zum elektrischen Prüfen von Halbleiterwafern, die mehrere Einzelchips enthalten, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereichen aufweisen, die von jeweiligen Sonden einer während des Prüfens mit dem Prüfgerät verbundenen Sondenkarte kontaktiert werden, wobei jeder Einzelchip einen oder mehrere bestimmte Kontaktbereiche aufweist, die beim Prüfen nicht verwendet werden, wobei das Verfahren umfasst: elektrisches Anschließen mindestens eines der bestimmten Kontaktbereiche an eine Spannung mit vorbestimmtem Wert über eine Schaltung, die in den Einzelchip integriert ist, als Reaktion auf ein vorbestimmtes Signal. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das vorbestimmte Signal außerhalb des Einzelchips erzeugt wird. Verfahren nach Anspruch 2, wobei eine Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche über die Schaltung elektrisch an eine Spannung mit vorbestimmtem Wert angeschlossen sind. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der vorbestimmte Spannungswert, an den jeder der mehreren der bestimmten Kontaktbereiche angeschlossen ist, der gleiche ist. Verfahren nach Anspruch 4, weiterhin umfassend ein direktes Verbinden der Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche miteinander über die Schaltung. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche zwei Kontaktbereiche umfasst. Verfahren nach Anspruch 6, wobei jeder der Einzelchips ein Einzelchip vom Typ mit doppelter Datenrate (DDR) ist und wobei die zwei Kontaktbereiche einen BCLK-Kontaktbereich und einen VREF-Kontaktbereich umfassen. Halbleitereinzelchip mit einer Vielzahl von Kontaktbereichen einschließlich einem oder mehreren bestimmten Kontaktbereichen, die nicht verwendet werden, wenn elektrisches Prüfen auf dem Einzelchip durchgeführt wird, wobei der Einzelchip eine integrierte Schaltung umfasst, die mindestens einen der bestimmten Kontaktbereiche elektrisch mit einer Spannung mit vorbestimmtem Wert bei Empfang eines vorbestimmten Signals durch den Einzelchip verbindet. Halbleitereinzelchip nach Anspruch 8, wobei die Schaltung einen elektrischen Schalter und einen Spannungsteiler umfasst. Halbleitereinzelchip nach Anspruch 9, wobei die Schaltung jeden einer Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche mit einer Spannung mit vorbestimmtem Wert verbindet und wobei der Spannungsteiler ein widerstandsbehafteter Spannungsteiler ist. Halbleitereinzelchip nach Anspruch 10, wobei der Spannungsteiler so konfiguriert ist, dass der Wert der an jeden der Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche angelegten Spannung der gleiche ist, und wobei der elektrische Schalter so konfiguriert ist, dass die Vielzahl von bestimmten Kontaktbereichen direkt miteinander verbunden werden. Halbleitereinzelchip nach Anspruch 11, wobei die Vielzahl von bestimmten Kontaktbereichen zwei Kontaktbereiche umfasst. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Einzelchip ein Einzelchip vom Typ mit doppelter Datenrate (DDR) ist und wobei die zwei Kontaktbereiche ein BCLK-Kontaktbereich und ein VREF-Kontaktbereich sind. System, in dem ein Halbleiterwafer elektrisch geprüft wird, umfassend:

– einen Halbleiterwafer mit mehreren Einzelchips, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereichen mit einem oder mehreren bestimmten Kontaktbereichen aufweisen, die beim elektrischen Prüfen nicht verwendet werden, wobei jeder Einzelchip eine Schaltung umfasst, die mindestens einen der bestimmten Kontaktbereiche mit einer Spannung mit vorbestimmter Größe bei Empfang eines vorbestimmten Signals durch den Einzelchip elektronisch verbindet;

– eine Sondenkarte mit einer Vielzahl von Sonden, die jeweilige Kontaktbereiche von einer Vielzahl von Einzelchips auf dem Wafer kontaktieren, aber auf jedem Einzelchip mindestens einen der bestimmten Kontaktbereiche nicht kontaktieren, die mit Spannung mit einer vorbestimmten Größe verbunden sind; und

– einen elektrischen Prüfer, der mit der Sondenkarte verbunden ist, zum Senden von Prüfsignalen zu der Sondenkarte und Empfangen von Signalen von dort.
System nach Anspruch 14, wobei der mindestens eine der bestimmten Kontaktbereiche zwei Kontaktbereiche umfasst. System nach Anspruch 15, wobei die Einzelchips Einzelchips vom Typ mit doppelter Datenrate (DDR) sind und wobei die zwei Kontaktbereiche einen BCLK-Kontaktbereich und einen VREF-Kontaktbereich umfassen. System zum elektrischen Prüfen eines Halbleiterwafers, der mehrere Einzelchips enthält, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereichen einschließlich zwei bestimmten Kontaktbereichen enthalten, die beim Prüfen nicht verwendet werden und während des Prüfens an eine Spannung mit vorbestimmter Größe angeschlossen sein müssen, umfassend:

– eine Sondenkarte mit einer Vielzahl von Sonden, die jeweilige Kontaktbereiche der Einzelchips kontaktieren, aber die zwei bestimmten Kontaktbereiche nicht kontaktieren;

– einen an die Sondenkarte angeschlossenen elektrischen Prüfer zum Senden von Signalen an die Sondenkarte und Empfangen von Signalen von dort; und

– eine Schaltung, die die zwei Kontaktbereiche, die beim Prüfen nicht verwendet werden, an eine Spannung mit vorbestimmter Größe anschließt.
System zum elektrischen Prüfen eines Halbleiterwafers, das die Anzahl der zum Prüfen verfügbaren Kanäle erhöht, umfassend:

– einen Halbleiterwafer mit mehreren Einzelchips, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereiche einschließlich einer Vielzahl von bestimmten Kontaktbereichen enthalten, die beim Prüfen nicht verwendet werden und während des Prüfens an eine Referenzspannung angeschlossen sein müssen;

– eine Sondenkarte mit einer Vielzahl von Sonden, die jeweilige Kontaktbereiche auf einer Vielzahl von Einzelchips kontaktieren, aber die Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche nicht kontaktieren, wobei jede Sonde einem Prüfkanal entspricht; und

– einen elektrischen Prüfer zum Senden von Prüfsignalen an die Sondenkarte und Empfangen von Signalen von dort; wobei jeder Einzelchip des Halbleiterwafers eine integrierte Schaltung umfasst, die einen Schalter und einen Spannungsteiler enthält, die jeden der Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche während des Prüfens mit einer Referenzspannung elektrisch verbindet, wobei eine Verbindung der bestimmten Kontaktbereiche mit Referenzspannung durch die Sondenkarte entfällt, wodurch die Anzahl der Sonden und entsprechender Prüfkanäle erhöht wird, die für das Prüfen verwendet werden können.
Vorrichtung für das elektrische Prüfen von Halbleiterwafern, die mehrere Einzelchips enthalten, die jeweils eine Vielzahl von Kontaktbereichen aufweisen, die von jeweiligen Sonden einer während des Prüfens an einem Prüfgerät angeschlossenen Sondenkarte kontaktiert werden, wobei jeder Einzelchip einen oder mehrere bestimmte Kontaktbereiche aufweist, die beim Prüfen nicht verwendet werden, umfassend:

– Mittel zum Bereitstellen eines vorbestimmten Signals an einen Einzelchip und

– Mittel, in dem Einzelchip verkörpert, reagierend auf das vorbestimmte Signal zum Verbinden mindestens eines der bestimmten Kontaktbereiche mit Spannung mit vorbestimmter Größe.
Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei das Mittel zum Verbinden mindestens eines der bestimmten Kontaktbereiche mit Spannung mit vorbestimmter Größe Mittel zum Verbinden einer Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche mit Spannung mit vorbestimmter Größe umfasst. Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei das Mittel zum Verbinden einer Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche mit Spannung mit vorbestimmter Größe Mittel zum Verbinden jedes der Kontaktbereiche mit Spannung mit der gleichen Größe umfasst. Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei das Mittel zum Verbinden jedes der bestimmten Kontaktbereiche mit Spannung mit der gleichen Größe einen elektrischen Schalter und einen Spannungsteiler umfasst. Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei der elektrische Schalter Mittel zum direkten Verbinden der Vielzahl der bestimmten Kontaktbereiche miteinander umfasst. System, bei dem ein statischer dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRRM)-Halbleiterwafer vom Typ mit doppelter Datenrate (DDR) elektrisch geprüft wird, umfassend:

– einen Halbleiterwafer mit mehreren statischen dynamischen Direktzugriffsspeicher (SDRAM) Einzelchips vom Typ mit doppelter Datenrate (DDR), die jeweils eine Vielzahl von Pads einschließlich BCLK- und VREF-Pads aufweisen, die beim elektrischen Prüfen nicht verwendet werden, die aber während des Prüfens an eine gemeinsame Referenzspannung mit vorbestimmter Größe angeschlossen sein müssen, wobei jeder Einzelchip auch einen BIST-Pad enthält und eine integrierte Schaltung umfasst, die die BCLK- und VREF-Pads elektrisch mit der Spannung mit vorbestimmter Größe verbindet, wenn der BIST-Pad an Massepotential angeschlossen ist;

– eine Sondenkarte mit einer Vielzahl von Sonden, die jeweilige Pads eines oder mehrerer Einzelchips auf dem Wafer kontaktieren, aber auf jedem Einzelchip nicht die BCLK- und VREF-Pads kontaktieren; und

– einen elektrischen Prüfer, der mit der Sondenkarte verbunden ist, zum Senden von Prüfsignalen an die Sondenkarte und Empfangen von Signalen von dort.






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