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Dokumentenidentifikation DE102005029251A1 07.12.2006
Titel Speichermodul und Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls
Anmelder Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, 01099 Dresden, DE
Erfinder Ambroggi, Luca de, 01099 Dresden, DE
Vertreter Epping Hermann Fischer, Patentanwaltsgesellschaft mbH, 80339 München
DE-Anmeldedatum 23.06.2005
DE-Aktenzeichen 102005029251
Offenlegungstag 07.12.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 07.12.2006
IPC-Hauptklasse H01L 25/065(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 23/50(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   G11C 29/00(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Ein Speichermodul umfasst eine nicht-flüchtige Speichereinheit (2) und eine flüchtige Speichereinheit (1), die elektrisch miteinander gekoppelt sind. Die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) ist ausgebildet, Daten dauerhaft zu speichern. Die flüchtige Speichereinheit (1) ist ausgebildet, die in der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) gespeicherten Daten zu laden.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Speichermodul und ein Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls.

In vielen Geräten finden sich flüchtige Speicher, um während des Betriebs Daten zwischenzuspeichern. Herkömmliche flüchtige Speicher sind dabei nicht in der Lage, Daten dauerhaft speichern. Bei Abschaltung der Strom- oder Spannungsversorgung, geht der Speicherinhalt üblicherweise verloren.

Für eine Speicheranordnung mit nicht-flüchtigem Speicher können geeignete Mittel zum dauerhaften Speichern zumindest kleiner Datenmengen, beispielsweise für Betriebsparameter der Anordnung, von Vorteil sein. Ein Beispiel für die Zweckmäßigkeit, solche Parameter dauerhaft zu speichern, wird im Folgenden beschrieben.

Der flüchtige Speicher umfasst eine Vielzahl von Speicherplätzen. Jeder Speicherplatz, auf den über eine individuelle Adresse zugegriffen wird, ermöglicht die Speicherung einer Information, bei der es sich um ein Datenwort, ein Bit oder ein Byte handeln kann. Der flüchtige Speicher kann des Weiteren einen Bereich mit redundanten Speicherplätzen umfassen. Diese redundanten Speicherplätze können dazu verwendet werden, um beispielsweise defekte oder fehlerhafte Speicherplätze zu ersetzen. In diesem Fall kann der Zugriff auf den defekten Speicherplatz gesperrt werden und der defekte Speicherplatz durch den redundanten Speicherplatz ersetzt werden.

Wenn der defekte Speicherplatz ermittelt worden ist, so kann er deaktiviert und durch einen der redundanten Speicherplätze ersetzt werden. Sobald der defekte Speicherplatz während des normalen Betriebes adressiert wird, so erfolgt anstelle eines Speicherzugriffs auf den betreffenden defekten Speicherplatz der Speicherzugriff auf den redundanten Speicherplatz.

In diesem Fall ist bei Erkennen des defekten Speicherplatzes eine zuverlässige Anordnung zur Umleitung des Speicherzugriffs bereitzustellen, die gewährleistet, dass der redundante Speicherplatz ohne Probleme gemeinsam mit den anderen Speicherplätzen des flüchtigen Speichers funktioniert. Diese Anordnung sollte von nicht von externen Bedingungen, wie beispielsweise der Stromzufuhr, abhängig sein.

Um Daten, bei denen es sich beispielsweise um die Adressen der defekten Speicherplätze handeln kann, auch dauerhaft zu speichern, müssen geeignete Mittel vorgesehen sein. Beim herkömmlichen flüchtigen Speicher werden diese Informationen im Rahmen einer Hardwarelösung in den Speicher programmiert.

Die üblicherweise verwendete Anordnung beruht auf der Implementierung von Hardwaresicherungen, so genannten „Fuses". Hierbei handelt es sich um einmal auftrennbare Hardware-Verbindungselemente, die von einem Laser zur Trennung geschmolzen werden können. Ob eine der Sicherungen durchgetrennt wird, hängt vom zu repräsentierenden Informationswert ab. Fuses werden dafür verwendet, den defekten Speicherplatz und den betreffenden redundanten Speicherplatz, der den defekten Speicherplatz während jeder Funktionsoperation ersetzt, wenn der defekte Speicherplatz selbst adressiert worden ist, dauerhaft zu identifizieren.

Nicht nur defekte Speicherplätze, sondern auch Speicherblöcke, die mehrere Speicherplätze umfassen, können auf diese Weise ersetzt werden. In diesem Fall wird ein Speicherblock, wenn er einen defekten Speicherplatz aufweist, durch einen redundanten Speicherblock ersetzt. Somit lassen sich auch Speicher mit defekten Speicherplätzen reparieren.

Das Programmieren der Fuses erfolgt während der Produktion in einer Testphase zum Aussortieren oder Reparieren schadhafter Halbleiterscheiben, so genannter „Wafer", die eine Vielzahl noch nicht separierter Speicherchips umfassen. Spätere Änderungen oder das Speichern zusätzlicher Informationen nach dieser Phase sind unmöglich, wenn Fuses verwendet werden. Defekte Speicherplätze, die während des normalen Speicherbetriebes erkannt werden, können nicht mehr programmiert und ersetzt werden.

Beim Aussortieren und Reparieren ist das Erkennen defekter Speicherplätze und das Ersetzen dieser durch redundante Speicherplätze mit gewissem Aufwand verbunden. Zur Reparatur eines defekten Speicherbausteins ist auf diesem ein Fuses-System vorgesehen. Dieses umfasst durchtrennbare Fuses, in denen zunächst keine Information gespeichert ist, auf einer Siliziumebene des Chips. Das Fuses-System erfordert zusätzlichen Platz. Außerdem sind die Fuses im Vergleich zu dem Platz, den die eigentlichen Speicherplätze benötigen, relativ groß.

Des Weiteren darf die Auswirkung der Programmierung des Fuses-Systems auf den Bereich, der die Speicherplätze umfasst, nicht vernachlässigt werden. Grund hierfür ist, dass ein Laser zum Durchtrennen der Fuses verwendet wird. Das Durchtrennen kann die Speicherplätze in Mitleidenschaft ziehen, da das Durchtrennen der Fuses zu einer Kontaminierung der Speicherplätze führen kann. Die Kontaminierung kann durch abgetrennte Fuses oder Teilen davon verursacht werden. Auch der Laser selbst kann die Speicherplätze, beispielsweise durch ungenaue Justierung beim Durchtrennen der Fuses, beschädigen. Diese Kontaminierungen und Schäden können weitere fehlerhafte Speicherplätze zur Folge haben. Die Verwendung des Lasers kann noch weitere Schäden an den Speicherplätzen verursachen. Eine Passivierungsschicht, die normalerweise die Speicherplätze und das Fuses-System bedeckt und schützt, wird durch den Laser nahezu zwangsläufig beschädigt, um die Fuses zu durchtrennen, Infolge dessen wird der Schutzeffekt der Passivierungsschicht vermindert.

Das Erkennen und Ersetzen der defekten Speicherplätze erfordert viel Test- und Reparaturzeit, weil der Wafer während des Reparaturschrittes unter dem Laser zur Programmierung der Fuses stets neu zu positionieren ist.

Lediglich während der Testphase können die defekten Speicherplätze ersetzt beziehungsweise repariert werden. Aus diesem Grund kann im Anschluss an diese Phase ein Speicherplatzausfall nicht mehr repariert werden, auch wenn dieser vielleicht erkannt wird.

Ein nicht-flüchtiger Speicher ermöglicht das dauerhafte Speichern von Daten, die dann über die gesamte Lebensdauer des Speichers beziehungsweise des Geräts, in dem der Speicher verwendet wird, gespeichert bleiben. Nicht-flüchtige Speicher lassen sich auf verschiedene Arten realisieren. Beispiele sind Nur-Lese-Speicher (ROM), so genannte programmierbare Nur-Lese-Speicher (PROM), so genannte löschbare programmierbare Nur-Lese-Speicher (EPROM) und elektrisch löschbare programmierbare Nur-Lese-Speicher (EEPROM).

Der Vorteil des ROM ist der geringe Preis je Baustein. Der ROM kann nicht elektrisch programmiert werden. Die Programmierung erfolgt während eines der Produktionsschritte. Nach Beendigung des Produktionsprozesses kann der Inhalt des ROM nicht mehr verändert werden.

Der PROM wird als leerer Speicherbaustein ohne Dateninhalt produziert. Nachdem er einmal programmiert worden ist, kann der Inhalt nicht mehr verändert werden.

Der EEPROM kann erneut programmiert werden, nachdem er zum Löschen ultraviolettem Licht ausgesetzt worden ist.

Die oben beschriebenen nicht-flüchtigen Speicher können nicht elektrisch gelöscht werden. Im Gegensatz dazu kann der EEPROM sowohl elektrisch programmiert als auch elektrisch gelöscht werden. Er speichert die gespeicherten Daten über eine lange Zeit ohne Stromzufuhr und kann problemlos viele Male programmiert und gelöscht werden.

Daten können prinzipiell zu jeder Zeit in der Testphase oder später während des Betriebes elektrisch in den EEPROM programmiert werden. Somit lassen sich Daten elektrisch mittels Software programmieren und können mehrfach geändert werden.

Ein so genannter Flash-Speicher ist eine Form des EEPROM, die es ermöglicht, mehrere Speicherplätze in einem einzigen Programmiervorgang parallel zu löschen oder zu beschreiben.

All diese Vorteile sind für nicht-flüchtige Speicher, in denen nur sehr begrenzt dauerhaft Daten durch aufwändiges Programmieren von Fuses gespeichert werden können, nicht verfügbar. Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, eine Anordnung vorzusehen, in der Parameter eines flüchtigen Speichers in einfacher Weise dauerhaft und gegebenenfalls veränderbar gespeichert werden können.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Speichermodul mit einer nicht-flüchtigen Speichereinheit, die ausgebildet ist, Daten dauerhaft zu speichern sowie einer flüchtigen Speichereinheit, die an der nicht-flüchtigen Speichereinheit angeordnet ist und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, wobei die flüchtige Speichereinheit ausgebildet ist, in der nicht-flüchtigen Speichereinheit gespeicherten Daten zu laden.

Diese Anordnung sieht keine Fuses, die relativ groß sind, vor, sodass die Fläche des gesamten Speichermoduls im Vergleich zu einem herkömmlichen Speichermodul gleicher Speicherkapazität deutlich kleiner ist. Des Weiteren wird die Testzeit verkürzt, weil der Schritt zum Durchtrennen der Fuses entfällt. Eine Beschädigung der Speicherplätze durch durchtrennte Fuses, abgetrennte Teile davon oder den Laser selbst wird vermieden.

Vorzugsweise sind sowohl die nicht-flüchtige als auch die flüchtige Speichereinheit als Halbleiterchip ausgebildet, die jeweils in konventioneller und kostengünstiger Weise gefertigt werden können. Die flüchtige Speichereinheit ist beispielsweise ein RAM und die nicht-flüchtige Speichereinheit ist beispielsweise ein Flash oder ein EEPROM. In einer Platz sparenden Anordnung sind die Halbleiterchips aufeinander angeordnet und können zur Erhöhung der Stabilität des Weiteren auf einem Basissubstrat angeordnet werden. Auf dem Basissubstrat können auch von außen zugängliche Anschlusskontakte für das Speichermodul bereitgestellt werden, sodass eine einfache Kontaktierung des Moduls beispielsweise in einer Schaltungsanordnung möglich ist.

Zur Kommunikation umfassen sowohl die flüchtige als auch die nicht-flüchtige Speichereinheit Datensignalkontakte und Taktsignalkontakte, die jeweils miteinander verbunden sind. Das Datensignal und das Taktsignal können entweder von der flüchtigen oder nicht-flüchtigen Speichereinheit oder im Fall des Taktsignals auch extern bereitgestellt werden. Auf diese Weise wird eine serielle Kommunikation ermöglicht, bei der mittels eines Kommunikationsprotokolls Daten aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit in die flüchtige Speichereinheit geladen werden können. Auf diese Weise ist der geladene Inhalt während des gesamten Betriebes der flüchtigen Speichereinheit aktiv. Somit hat das Speichermodul immer sämtliche Informationen zur Verfügung, die für dessen Betrieb erforderlich sind.

Es können auch andere Protokolle als das serielle verwendet werden, beispielsweise ein paralleles x4, x8 usw., was bedeutet, dass 4 beziehungsweise 8 Bits parallel übertragen werden. In diesem Fall sind entsprechend mehrere Datenkontakte vorzusehen. Die Verwendung einer paralllen Übertragung anstelle einer seriellen ermöglicht eine schnellere Datenübertragung, kann aber mit erhöhtem Platzbedarf für die Kontaktflächen einhergehen. Die Auswahl eines geeigneten Protokolls kann das Ergebnis eines Kompromisses zwischen der erforderlichen Übertragungsgeschwindigkeit und der zur Verfügung gestellten Fläche für Datenkontakte sein. Durch die geschilderte Kommunikation und die dafür vorgesehenen Kontakte können die Speichereinheiten seriell beziehungsweise parallel ohne externe Schnittstellen direkt miteinander kommunizieren.

Zur Verbindung der Datensignal- und Taktsignalkontakte können bekannte Verfahren, wie ein einfach zu realisierendes Draht-Bonding-Verfahren oder ein Platz sparendes Flip-Chip-Verfahren verwendet werden.

Vorteilhafterweise ist die nicht-flüchtige Speichereinheit elektrisch löschbar und elektrisch wieder beschreibbar. Somit können die darin gespeicherten Daten während der gesamten Lebensdauer des Speichermoduls geändert werden. Auf Grund dieser hohen Flexibilität können die Daten in der nicht-flüchtigen Speichereinheit ständig aktualisiert werden.

Die in der nicht-flüchtigen Speichereinheit gespeicherten Informationen können Trimm- oder Konfigurationsoptionen umfassen. Damit lässt sich eine bessere Betriebseinstellung des Speichermoduls, beispielsweise in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit oder weitere Aspekte erreichen.

In der nicht-flüchtigen Speichereinheit speicherbare Sicherheitsinformationen dienen dem Schutz des gesamten Speichers oder nur eines Teiles davon, beispielsweise vor unerwünschten Schreib- und/oder Leseoperationen. Die Sicherheitsoptionen können von den Erfordernissen des Kunden abhängen. Auch eine flexible Anpassung der Sicherheitsoptionen ist jederzeit möglich.

Vorzugsweise ist die Anordnung zur Reparatur defekter Speicherplätze geeignet. Um Informationen über defekte Speicherplätze der flüchtigen Speichereinheit zu speichern, stellt die nicht-flüchtige Speichereinheit eine Liste bereit mit defekten Speicherplätzen und redundanten Speicherplätzen, die diese während des normalen Betriebes ersetzen. Der Speicherzugriff anhand dieser Liste erfolgt auf die ersetzenden Speicherplätze, wenn die defekten Speicherplätze adressiert werden. Die Liste kann vorteilhafterweise vor dem normalen Betrieb in die flüchtige Speichereinheit geladen werden, um einen schnellen Speicherzugriff zu ermöglichen. Die Einträge in die Liste können nicht nur unmittelbar nach der Testphase innerhalb der Produktion erfolgen, sondern auch während der gesamten Lebensdauer des Speichermoduls aktualisiert werden, selbst nachdem die Testphase beendet ist. Somit kann das Speichermodul auch fehlerfrei betrieben werden, wenn während des Betriebs weitere defekte Speicherplätze entdeckt werden oder Speicherplätze ausfallen.

Das Verfahren zum Betreiben solch eines Speichermoduls umfasst ein Speichern der Daten in der nicht-flüchtigen Speichereinheit, ein Übertragen der Daten aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit zu der flüchtigen Speichereinheit und ein Durchführen einer Operation auf Grundlage der übertragenen Daten in der flüchtigen Speichereinheit. Somit ist die optimale Funktionsweise des Speichermoduls inklusive der dafür benötigten Daten stets bei Betriebsbeginn sichergestellt.

Vorzugsweise umfassen die Daten Trimmparameter oder sicherheitsrelevante Daten, mit denen beispielsweise geschützte Lese- und/oder Schreiboperationen möglich sind. Auf diese Weise lassen sich besonders sensible Daten beziehungsweise Speicherbereiche vor unbeabsichtigtem Überschreiben schützen.

Die Datenübertragung erfolgt über eine erste Verbindung zur Übertragung eines Taktsignals und über eine zweite Verbindung zur Übertragung eines Datensignals, die miteinander synchronisiert sind. Auf diese Weise folgt der Datenübertragung einem speichermodulspezifischen Protokoll, das an die Erfordernisse im Betrieb angepasst sein kann.

Bei dieser Datenübertragung kann beispielsweise die aktuelle Liste mit zu ersetzenden und ersetzenden Speicherplätzen geladen werden, um den fehlerfreien Betrieb des Speichermoduls zu ermöglichen.

Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugsnahme auf die Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen erklärt.

Es zeigen:

1 zeigt eine Draufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel des Speichermoduls, das eine nicht-flüchtige Speichereinheit umfasst, die auf einer flüchtigen Speichereinheit angeordnet ist.

2 zeigt ein Blockschaubild der flüchtigen Speichereinheit.

3 zeigt einen Querschnitt durch das Speichermodul gemäß 1.

4 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel des Speichermoduls.

5 zeigt einen Querschnitt durch ein drittes Ausführungsbeispiel des Speichermoduls.

6 zeigt einen Querschnitt durch ein viertes Ausführungsbeispiel des Speichermoduls.

7 zeigt einen Querschnitt durch ein fünftes Ausführungsbeispiel des Speichermoduls.

1 zeigt eine Draufsicht auf ein Speichermodul, das eine flüchtige Speichereinheit 1 und eine nicht-flüchtige Speichereinheit 2 umfasst, die auf einem Basissubstrat 3 übereinander angeordnet sind.

Die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 sind als separate Elemente ausgebildet. Die flüchtige Speichereinheit 1 kann als eine Form eines nicht-flüchtigen Speichers ein RAM, kurz für Random Access Memory, sein, und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 kann ein elektrisch programmierbarer und wiederbeschreibbarer Flash sein. Die Herstellung des Speichermoduls ist sehr billig und einfach, weil die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 zunächst separat auf herkömmliche Weise hergestellt werden, bevor sie aneinandergefügt und elektrisch miteinander gekoppelt werden.

Im Ausführungsbeispiel in 1 ist die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 auf der flüchtigen Speichereinheit 1 angeordnet, während die flüchtige Speichereinheit 1 auf einem Basissubstrat 3 angeordnet ist. Die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 können auch in umgekehrter Abfolge auf dem Substrat 1 angeordnet sein. Es ist auch möglich, die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 nebeneinander auf dem Basissubstrat 3 anzuordnen. Die Konfiguration der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 ist nicht von Bedeutung. Die Position der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 kann allein von der Art der Verkapselung oder der Bauart des gesamten Speichermoduls an sich abhängen. Um die Anordnung zu fixieren, können die Komponenten aufeinander geklebt werden.

Das Basissubstrat 3 umfasst zugängliche Anschlusskontakte 35, die zum Anschließen des Speichermoduls in einer Schaltung und dem Übertragen von Signalen oder Versorgungsspannung beziehungsweise -strom zum Betreiben des Speichermoduls dienen.

Die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 umfassen jeweils Kontakte 10, 11a, 11b, 15, 20, 22a, 22b, 25 zum Verbinden der Komponenten miteinander oder mit den Anschlusskontakten 35 des Basissubstrats 3. Die Kontakte 11a, 11b der flüchtigen Speichereinheit 1 können direkt mit den Kontakten 22a, 22b der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 beispielsweise durch Draht-Bonding verbunden werden, wie durch die Drahtverbindung 12 angedeutet. Andererseits können die Kontakte 10 der flüchtigen Speichereinheit 1 ohne eine direkte Drahtverbindung mit den Kontakten 20 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden werden, indem diese an denselben Anschlusskontakt 35 gekoppelt werden. Die Kontakte 15 der flüchtigen Speichereinheit 1, die nicht mit den Kontakten 25 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden sind, sind mit den Anschlusskontakten 35 verbunden.

Im Folgenden werden die Kontakte 11a, 11b, 22a, 22b der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2, die gekoppelt sind, als so genannte „Extra-Kontakte" bezeichnet. Die anderen Kontakte 15, 25, die normalerweise mit den Anschlusskontakten 35 verbunden sind, werden als so genannte „Anwendermodus-Kontakte" bezeichnet. Diese Anwendermodus-Kontakte können zum Betreiben des Speichermoduls, beispielsweise durch Anlegen von Adress- und Datensignalen, verwendet werden, um Daten zu laden oder zu speichern. Die Anwendermodus-Kontakte dienen auch der Stromzufuhr.

Die Draht-Bonding-Verbindungen 31, 32, 12, 103, 203 können durch eine Formkappe, z.B. durch eine so genannte Molding-Kappe 4 oder eine andere Beschichtung oder Abdeckung geschützt werden.

Eine Kontur 40 einer solchen Beschichtung ist in 1 durch eine gestrichelte Linie angedeutet. Die Beschichtung hat den Zweck, die Kontakte 10, 11a, 11b, 15, 20, 22a, 22b, 25 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 und der flüchtigen Speichereinheit 1 und die Draht-Bonding-Verbindungen 31, 32, 12, 103, 203 zu bedecken und zu schützen. Abschnitte der Anschlusskontakte 33, 35 neben den Kontaktdrähten sind ebenfalls bedeckt. Infolge dessen sind die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 nur über Abschnitte der Anschlusskontakte 35, die nicht bedeckt sind, zugänglich.

Die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 dient der Speicherung von Informationen, beispielsweise über defekte Speicherplätze der flüchtigen Speichereinheit 1. Diese Informationen können während einer Testphase ermittelt werden, die vor der ersten Verwendung des Speichermoduls durchgeführt wird. Wenn die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 elektrisch wiederbeschreibbar ist, so können die Informationen während des normalen Betriebes aktualisiert werden, sobald ein defekter Speicherplatz entdeckt worden ist, oder nach dem Durchführen einer Testroutine zum Ermitteln defekter Speicherplätze.

Im Folgenden wird eine bevorzugte Implementierung des Datentransfers zwischen der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 beschrieben.

2 zeigt ein Blockschaltbild der flüchtigen Speichereinheit 1. Die flüchtige Speichereinheit 1 umfasst eine Steuerlogik 56 mit einem Adressdecoder 561. Ein üblicher Spannungsgenerator 55 zur Stromversorgung ist mit der Steuerlogik 56 und einem Speicherblock 50 gekoppelt. Die flüchtige Speichereinheit 1 umfasst des Weiteren einen Eingabe/Ausgabe-Puffer und Auffangregister 54, die mit der Steuerlogik 56 und dem Speicherblock 50 gekoppelt sind. Der Speicherblock 50 umfasst ein Speicherfeld 51, einen Zeilen-Decoder 52 und einen Spalten-Decoder 53, die beide mit dem Adressdecoder 561 verbunden sind. Während des Betriebs wird die flüchtige Speichereinheit 1 durch Eingabesignale IS, die zur Steuerlogik 56 übermittelt werden, gesteuert. Dateneingabe und -ausgabesignale IO werden dem Eingabe/Ausgabe-Puffer und den Auffangregistern 54 zugeleitet.

Die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 kann ähnliche Komponenten umfassen.

Das Speicherfeld 51 umfasst Speicherplätze 100, die in Spalten und Zeilen angeordnet sind, um jeweils kleine Datenmengen, beispielsweise ein Bit, ein Byte oder ein Wort, zu speichern. Auf jeden Speicherplatz 100 kann über eine Adresse zugegriffen werden. Der Adressendecoder 561 identifiziert den Speicherplatz 100, der zu der jeweiligen Adresse gehört, die als ein Eingabesignal IS an die Steuerlogik 56 übermittelt wird, und führt einen Speicherzugriff auf den Speicherplatz 100 aus. Zur Durchführung des Speicherzugriffs aktiviert der Zeilen-Decoder 52 die jeweilige Zeile des entsprechenden Speicherplatzes 100, und der Spalten-Decoder 53 aktiviert die jeweilige Spalte des entsprechenden Speicherplatzes 100.

Einige der Speicherplätze 100 der flüchtigen Speichereinheit 1 können defekt sein. Die Speicheranordnung 51 enthält einen ersten redundanten Bereich 551 und einen zweiten redundanten Bereich 552, die eine Vielzahl von redundanten Speicherplätzen 110 zum Ersetzen defekter Speicherplätze 111 umfassen. Der erste redundante Bereich 511 und der zweite redundante Bereich 512 sind als redundante Zeilen beziehungsweise Spalten angeordnet. Alternativ kann der redundante Bereich als ein Sektor der Speicheranordnung 51 konfiguriert sein. Im Fall eines Speicherzugriffs während des normalen Betriebs führt der Adressdecoder 561 der flüchtigen Speichereinheit 1 einen Speicherzugriff auf die redundanten Speicherplätze 110 durch anstatt auf die defekten Speicherplätze 111, wenn ein defekter Speicherplatz 111 adressiert wird.

Defekte Speicherplätze 111 können während eines Testdurchlaufs oder während der Lebensdauer des Speichermodul-Bausteins sogar in der Anwendung erkannt werden, wenn die Architektur des Bausteins dieses zulässt. Eine Liste mit den defekten Speicherplätzen 111 und den jeweiligen ersetzenden redundanten Speicherplätzen 110 wird in der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 gespeichert. Beim Einschalten wird die Liste mit den defekten Speicherplätzen 111 in die flüchtige Speichereinheit 1 geladen. Für die Übertragung von Daten von der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 zur flüchtigen Speichereinheit 1 gibt es ein Kommunikationsprotokoll.

Der Adressdecoder 561 ersetzt die defekten Speicherplätze 111 anhand der Liste mit den redundanten Speicherplätzen 110.

Die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 ist nicht darauf beschränkt, Informationen über die defekten Speicherplätze 111 zu speichern. Des Weiteren kann sie dafür verwendet werden, Trimmoptionen zu speichern, beispielsweise Informationen über das Verhalten der flüchtigen Speichereinheit 1 oder für eine bessere Regelung der Stromversorgung. In der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 können überdies Sicherheitsinformationen gespeichert werden. Für diese Zwecke kann das Speichermodul einen Sicherheitsbefehl bereitstellen, um den gesamten flüchtigen Speicher oder nur bestimmte Speicherplätze zu schützen. Beispielsweise können, nachdem der Kunde diesen Sicherheitsbefehl ausgeführt hat, diese Speicherplätze nicht mehr überschrieben werden. Der Schutz könnte auch in einem gesicherten Lesezugriff auf den gesamten flüchtigen Speicher oder nur auf bestimmte Speicherplätze bestehen. Die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 speichert Informationen, die anzeigen, dass der Sicherheitsbefehl ausgeführt worden ist, und den Dateninhalt der jeweiligen Speicherplätze. Der Dateninhalt wird zusammen mit den Informationen, den Dateninhalt nicht zu überschreiben oder zu lesen, in die flüchtige Speichereinheit 1 geladen.

Um Daten aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 in die flüchtige Speichereinheit 1 zu laden, sind zwei Extra-Kontakte 11a, 11b für die flüchtige Speichereinheit 1 und zwei Extra-Kontakte 22a, 22b für die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 vorhanden, wie in 1 gezeigt. Die Extra-Kontakte 11a, 11b, 22a, 22b umfassen Datensignalkontakte 11a, 22a, die an der flüchtigen Speichereinheit 1 beziehungsweise an der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 vorhanden sind. Diese Datensignalkontakte 11a, 22a sind derart gekoppelt, dass sie ein Datensignal übertragen können. Die Extra-Kontakte umfassen des Weiteren Taktsignalkontakte 11b, 22b, die an der flüchtigen Speichereinheit 1 und an die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 vorhanden sind und derart gekoppelt sind, dass sie ein Taktsignal übertragen können. Infolge dessen entsteht ein serieller Kommunikationsweg, der durch das Taktsignal synchronisiert wird. Das Taktsignal kann von der flüchtigen Speichereinheit 1 oder der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 bereitgestellt werden, selbst wenn das Datensignal nicht von derselben Komponente stammt. Das Laden erfolgt anhand eines standardmäßigen Anwendermodusprotokolls. Alternativ kann auch mehr als ein einziges Datensignalkontaktpaar vorhanden sein, was eine parallele Kommunikation zur Folge hat.

Alternativ wird an einem der Anschlusskontakte 35, die mit Kontakten 10, 20 der flüchtigen Speichereinheit 1 beziehungsweise der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden ist, ein externes Taktsignal zugeführt.

Der geladene Dateninhalt wird in der flüchtigen Speichereinheit 1 bereitgestellt, solange die Energieversorgung gewährleistet ist.

Das Laden von Daten aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 in die flüchtige Speichereinheit 1 kann nach dem Einschalten der Energieversorgung oder nach einem Rücksetzen, was auch als „Reset" bezeichnet wird, des Speichermoduls erfolgen.

Das Übertragen von Daten aus der flüchtigen Speichereinheit 1 in die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 kann während des normalen Betriebsmodus erfolgen, um einige Daten zu aktualisieren, oder kann vor einem Abschalten erfolgen, um die gegenwärtigen Trimmoptionen zu speichern.

Ein Speicherzugriff durch die flüchtige Speichereinheit 1 auf den Dateninhalt, der in der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 gespeichert ist, oder durch die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 auf den Dateninhalt, der in der flüchtigen Speichereinheit 1 gespeichert ist, ist auch ohne Laden möglich.

Es kommen auch andere Kommunikationslösungen für die Datenübertragung zwischen der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 in Betracht. Sie können von der Architektur oder der Anwendung des Speichermoduls abhängen.

Die folgenden 3 bis 7 zeigen weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung. Die Unterschiede betreffen meist die Anordnung der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 und ihre elektrische Verbindung.

3 zeigt einen Querschnitt durch das Speichermodul von 1. Die flüchtige Speichereinheit 1 ist auf einem Basissubstrat 3 angeordnet mit Anschlusskontakten 35 auf seiner Oberfläche.

Die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 umfassen jeweils mehrere Kontakte 11, 22, 10, 20. Um Daten zwischen der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 zu übertragen, sind einige dieser Kontakte 11, 22 direkt mittels Draht-Bonding-Verbindung 12 angeschlossen. Ein weiterer Kontakt 10 der flüchtigen Speichereinheit 1 ist mit einem anderen Kontakt 20 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden, indem diese Kontakte 10, 20 mit derselben Kontaktstelle 35 mittels Draht-Bonding-Verbindung 103, 203 verbunden werden. Das Substrat 3 mit der übereinander angeordneten flüchtigen Speichereinheit 1 der und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 ist von einer Abdeckung 4 bedeckt, um die Draht-Bonding-Verbindungen 12, 103, 203 und die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 zu schützen. Die Abdeckung 9 ist so ausgebildet, dass sie die Draht-Bonding-Verbindungen 12, 103, 203 bedeckt und gleichzeitig Abschnitte der Anschlusskontakte 35 zugänglich lässt.

4 zeigt eine andere Ausführungsform, die sich von 3 in der Form der Anschlusskontakte 35 und der Abdeckung 4 unterscheidet. Die Anschlusskontakte 35 sind als Durchkontaktierungen ausgebildet, die von ihrer Unterseite 352 her zugänglich sind. Eine Oberseite 351 der Durchkontaktierung 35 ist über Draht-Bonding-Verbindungen 103, 203 mit den Kontakten 10, 20 der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden. Die Abdeckung 4 bedeckt die gesamte Oberseite des Basissubstrats 3 einschließlich der Draht-Bonding-Verbindungen 12, 102, 203, der Oberseite 351 der Durchkontaktierungen 35 und der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2.

5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Speichermoduls, welches das Basissubstrat 3, die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 umfasst, die übereinander angeordnet sind. Die Extra-Kontakte 11a der flüchtigen Speichereinheit 1 und die zusätzlichen Kontakte 22a der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 sind übereinander angeordnet. Sie sind mittels einer so genannten Flip-Chip-Verbindung verbunden. Zwischen die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 wird Klebstoff 5 als Fixierung und zum Schutz eingefügt.

Es sind noch weitere Kontakte der flüchtigen Speichereinheit 1 oder der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 vorhanden, die mit den Anschlusskontakten 35 des Basissubstrats 3 verbunden sind. Die flüchtige Speichereinheit 1 umfasst weitere Kontakte 15, 25. Das Gleiche gilt für die nicht-flüchtige Speichereinheit 2. Die Kontakte 25 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 befinden sich auf einer Oberseite des nicht-flüchtigen Speichermoduls 2, während die Kontakte, die mittels des Flip-Chip-Verfahrens verbunden worden sind, sich auf einer Unterseite der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 befinden. Die Kontakte 15 auf der Oberseite sind mittels Draht-Bonding-Verbindung mit den Anschlusskontakten 35 verbunden. Es ist auch möglich, diese Kontakte mittels Draht-Bonding-Verbindung mit Kontakte 4 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 zu verbinden, um zusätzlich zu den Flip-Chip-Verbindungen noch weitere direkte Verbindungen zwischen der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 herzustellen.

Die Anschlusskontakte 35 sind auf dem Basissubstrat 3 angeordnet. Die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2, die Draht-Bonding-Verbindungen 103, 203 und Abschnitte der Anschlusskontakte 35 sind mit einer Abdeckung 4, ähnlich der aus 3, abgedeckt.

Es ist auch möglich, dass nur die flüchtige Speichereinheit 1 oder nur die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 mit den Anschlusskontakten 35 des Speichermoduls verbunden ist. Diejenige Speichereinheit 1 oder 2, die nicht mit den Anschlusskontakten 35 verbunden ist, kann nur die Extra-Kontakte umfassen.

Die Verbindung der Anschlusskontakte 35 und der Kontakte der flüchtigen Speichereinheit 1 oder der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 braucht nicht als Draht-Bonding-Verbindung ausgeführt sein. Eine Flip-Chip-Verbindung oder eine andere Form der Verbindung ist ebenfalls möglich.

Die folgenden Ausführungsbeispiele der Erfindung umfassen kein Basissubstrat 3.

6 zeigt ein Ausführungsbeispiel, welches die flüchtige Speichereinheit 1 und die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 umfasst, die übereinander angeordnet sind. Die Kontakte 15a der flüchtigen Speichereinheit 1 sind so ausgebildet, dass sie als Anschlusskontakte mit ausreichend großer Abmessung dienen. Das bedeutet, dass die Kontakte 15a der flüchtigen Speichereinheit 1 mit den Kontakten 20 der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden sind. Die Abdeckung 4 bedeckt die Draht-Bonding-Verbindung und Abschnitte der Kontakte 15a der flüchtigen Speichereinheit 1.

7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, welches eine flüchtige Speichereinheit 1 mit Kontakten 15a umfasst, die so ausgebildet sind, dass sie ebenfalls als Anschlusskontakte dienen. Die nicht-flüchtige Speichereinheit 2 ist darüber angeordnet, sodass ihre Kontakte 20 mittels einer Flip-Chip-Verbindung mit den Kontakten 15a der flüchtigen Speichereinheit 1 verbunden sind. Zwischen der flüchtigen Speichereinheit 1 und der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 ist Klebstoff 5 eingebracht. Diese Ausführungsform benötigt keine Abdeckung 4, weil der Klebstoff 5 die Verbindungen fixiert und schützt.

Eine flüchtige Speichereinheit 1 mit Kontakten 15, die als Anschlusskontakte dienen, kann mit weiteren Kontakte versehen werden, die nicht als Anschlusskontakte benutzt werden. Diese zusätzlichen Kontakte werden ebenfalls mit der nicht-flüchtigen Speichereinheit 2 verbunden.

Die nicht-flüchtige Speichereinheit kann Kontakte umfassen, die auch als Anschlusskontakte dienen.

Die Erfindung erstreckt sich auch auf jegliche Kombinationen der in den 1 bis 7 gezeigten Merkmale.

1
flüchtige Speichereinheit
2
nicht-flüchtige Speichereinheit
3
Basissubstrat
4
Abdeckung
40
Abdeckungskontour
5
Kleber
10, 11a, 11b, 15, 15a, 20, 22a, 22b, 25
Kontakte
35
Anschlusskontakte
351
Oberseite
352
Unterseite
12, 103, 102
Wire-Bonding-Verbindungen
50
Speicherblock
51
Speicherfeld
52
x-Dekoder
53
y-Decoder
511
erster redundanter Bereich
512
zweiter redundanter Bereich
100
Speicherplatz
110
Redundanz-Speicherplatz
111
defekter Speicherplatz
54
Eingabe/Ausgabe-Puffer und Auffangregister
55
Spannungsgenerator
56
Steuerlogik
561
Adressdekoder
IS
Eingangssignale
IO
Dateneingangs-/Datenausgangssignale


Anspruch[de]
Speichermodul mit

– einer nicht-flüchtigen Speichereinheit (2), die ausgebildet ist, Daten dauerhaft zu speichern; und

– einer flüchtigen Speichereinheit (1), die an der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) angeordnet ist und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, wobei die flüchtige Speichereinheit (1) ausgebildet ist, die in der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) gespeicherten Daten zu laden.
Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Speichereinheit (1) als erster Halbleiterchip ausgebildet ist und die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) als zweiter Halbleiterchip ausgebildet ist. Speichermoduls nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterchip eine erste Fläche umfasst, auf der der zweite Halbleiterchip angeordnet ist, und dass der zweite Halbleiterchip mit dem ersten Halbleiterchip elektrisch verbunden ist. Speichermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Speichermodul ein Basissubstrat (3) mit einer Oberseite umfasst und eine zweite Fläche des ersten Halbleiterchips auf der Oberseite des Basissubstrats (3) angeordnet ist. Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Speichereinheit (1) und die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) jeweils zumindest einen Datensignalkontakt (22a) umfassen, die miteinander verbunden sind. Speichermodul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) und/oder die flüchtige Speichereinheit (1) ausgebildet ist, ein Datensignal am jeweiligen Datensignalkontakt (11a, 22a) bereitzustellen. Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Speichereinheit (1) und die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) jeweils einen Taktsignalkontakt (11b, 22b) umfassen, die miteinander verbunden sind. Speichermodul nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) oder die flüchtige Speichereinheit (1) ausgebildet ist, ein Taktsignal am jeweiligen Taktsignalkontakt (11b, 22b) bereitzustellen. Speichermodul nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, das ein externes Taktsignal am Taktsignalkontakt (22b) der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) und/oder am Taktsignalkontakt (11b) der flüchtigen Speichereinheit (1) anliegt. Speichermodul nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Datensignalkontakte (11a, 22a) und/oder die Taktsignalkontakte (11b, 22b) der flüchtigen Speichereinheit (1) und der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) durch Draht-Bonding-Verbindungen (12) verbunden sind. Speichermodul nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Datensignalkontakte (11a, 22a) und/oder die Taktsignalkontakte (11b, 22b) der flüchtigen Speichereinheit (1) und der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) durch Flip-Chip-Verbindungen verbunden sind. Speichermodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterchip mit dem zweiten Halbleiterchip durch Draht-Bonding-Verbindungen verbunden ist. Speichermodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleiterchip mit dem Basissubstrat (3) durch Draht-Bonding-Verbindungen (31, 103) verbunden ist und der zweite Halbleiterchip mit dem Basissubstrat (3) durch Draht-Bonding-Verbindungen (32, 203) verbunden ist. Speichermodul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass Kontakte des ersten Halbleiterchips mit Kontakten des zweiten Halbleiterchips durch Flip-Chip-Verbindungen verbunden sind. Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass

– die flüchtige Speichereinheit (1) ausgebildet ist, wenigstens eine Operation basierend auf einem Datensatz auszuführen;

– die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) ausgebildet ist, den Datensatz zu speichern; und

– das Speichermodul ausgebildet ist, den Datensatz aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) in die flüchtige Speichereinheit (1) zu laden.
Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) elektrisch löschbar und elektrisch beschreibbar ist. Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) ausgebildet ist, Konfigurationsinformationen zu speichern, die von der flüchtigen Speichereinheit (1) verwendbar sind. Speichermodul nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Konfigurationsinformationen Adressenredundanzinformationen umfassen. Speichermodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die flüchtige Speichereinheit (1) wenigstens einen ersten Speicherplatz und wenigstens einen zweiten Speicherplatz umfasst, die jeweils ausgebildet sind, Daten zu speichern; und die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) ausgebildet ist, eine Liste zu speichern, die den ersten Speicherplatz und den zweiten Speicherplatz identifiziert; und dass das Speichermodul ein Mittel zum Ausführen eines Speicherzugriffs auf den zweiten Speicherplatz anstatt auf den ersten Speicherplatz, wenn der erste Speicherplatz adressiert wird, umfasst; und wobei das Speichermodul ausgebildet ist, die Liste aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) in die flüchtige Speichereinheit (1) zu laden. Speichermodul nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel zum Ausführen des Speicherzugriffs innerhalb der flüchtigen Speichereinheit (1) angeordnet ist. Verfahren zum Betreiben eines Speichermoduls, das eine flüchtige Speichereinheit (1) und eine nicht-flüchtige Speichereinheit (2), die elektrisch miteinander verbunden sind, umfasst, die Schritte umfassend:

– Speichern von Daten in der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2);

– Übertragen der Daten aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) zu der flüchtigen Speichereinheit (1); und

– Durchführen einer Operation in der flüchtigen Speichereinheit (1) auf der Grundlage der übertragenen Daten.
Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Daten Trimm- oder Sicherheitsdaten umfassen. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Sicherheitsdaten ermöglichen, wenigstens einen Speicherabschnitt der flüchtigen Speichereinheit (1) vor Lese- und/oder Schreiboperationen zu schützen. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Übertragen umfasst:

– Bereitstellen einer ersten Verbindung zwischen der flüchtigen Speichereinheit (1) und der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2);

– Bereitstellen einer zweiten Verbindung zwischen der flüchtigen Speichereinheit (1) und der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2);

– Bereitstellen eines Taktsignals durch die flüchtige Speichereinheit (1) oder die nicht-flüchtige Speichereinheit (2);

– Bereitstellen eines Datensignals durch die flüchtige Speichereinheit (1) oder die nicht-flüchtige Speichereinheit (2);

– Übertragen des Taktsignals über die erste Verbindung; und

– Übertragen des Datensignals über die zweite Verbindung, wobei das Datensignal mit dem Taktsignal synchronisiert wird.
Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass das Taktsignal und das Datensignal durch die flüchtige Speichereinheit (1) oder die nicht-flüchtige Speichereinheit (2) bereitgestellt werden. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die in der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) gespeicherten Daten eine Liste umfassen, die einen ersten und einen zweiten Speicherplatz der flüchtigen Speichereinheit (1) identifizieren, und dass das Durchführen der Operation das Ausführen eines Speicherzugriffs auf den zweiten Speicherplatz anstatt auf den ersten Speicherplatz, wenn der erste Speicherplatz adressiert wird, umfasst. Verfahren nach Anspruch 26, wobei die Liste aus der nicht-flüchtigen Speichereinheit (2) in die flüchtige Speichereinheit (1) geladen wird, bevor der Speicherzugriff ausgeführt wird.






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