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Dokumentenidentifikation DE102004019026B4 22.02.2007
Titel Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung zur Herstellung von Hochfrequenz-Bauelementen
Anmelder Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder Tatekawa, Tsutomu, Nagaokakyo, Kyoto, JP
Vertreter Rechts- und Patentanwälte Lorenz Seidler Gossel, 80538 München
DE-Anmeldedatum 20.04.2004
DE-Aktenzeichen 102004019026
Offenlegungstag 18.11.2004
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 22.02.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.02.2007
IPC-Hauptklasse C04B 35/495(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse C04B 35/48(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H01P 7/10(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H01P 1/20(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H04B 1/38(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H01B 1/08(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H01B 3/12(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H05H 1/03(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   

Beschreibung[de]
HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft die Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung zur Herstellung von Bauelementen, die im Hochfrequenzbereich, z. B. im Mikrowellenbereich und Millimeterwellenbereich, eingesetzt werden, wie beispielsweise zur Herstellung eines dielektrischen Resonators, eines dielektrischen Filters, eines dielektrischen Duplexers und eines Kommunikationssystems.

Für in Hochfrequenzbereichen, wie im Mikrowellenbereich und Millimeterwellenbereich, eingesetzte Bauelemente, z.B. dielektrische Resonatoren und Schaltungsplatten, werden häufig dielektrische Keramiken verwendet.

Wenn eine solche dielektrische Keramik für den Hochfrequenzbereich, insbesondere in einem dielektrischen Resonator oder dielektrischen Filter angewendet wird, sind folgende Eigenschaften gefordert:

  • 1) Da die Wellenlängen elektromagnetischer Wellen um 1/(&egr;r)1/2 in einem Dielektrikum mit der relativen Dielektrizitätskonstanten &egr;r verkürzt werden, sollte die relative Dielektrizitätskonstante hoch genug sein, um die Anforderungen, die die Miniaturisierung stellt, zu erfüllen;
  • 2) der dielektrische Verlust sollte gering, d.h. der Q-Faktor hoch sein; und
  • 3) die Temperaturstabilität der Resonanzfrequenz sollte sehr gut sein, d.h., dass der Temperaturkoeffizient (&tgr;r) der Resonanzfrequenz etwa 0 ppm/°C sein sollte.

Bekannte dielektrische Keramikzusammensetzungen dieser Art enthalten (Zr, Sn)TiO4 (ungeprüfte japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer JP 61-256775), Ba2Ti9O20 (ungeprüfte japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer 61-10806), Ba(Sn, Zr, Mg, Ta)O3 (ungeprüfte japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer JP 2-107553), Ba(Zn, Mg, Ni, Zr, Ta)O3 (ungeprüfte japanische Patentanmeldung, Veröffentlichungsnummer JP 2-170307) und Ba(Zr, Mg, Ta)O3 (japanisches Patent Nr. 2965417).

Während die Keramikzusammensetzungen aus (Zr, Sn)TiO4 oder Ba2Ti9O20 große relative Dielektrizitätskonstanten (&egr;r) von 36 bis 40 haben, haben sie geringe Qxf-Werte von 50000 bis 70000 GHz. Deshalb sind ihre Q-Faktoren für die Anwendung bei hohen Frequenzen über 10 GHz unzureichend. Andererseits haben Keramikzusammensetzungen aus Ba(Sn, Zr, Mg, Ta)O3, Ba(Zn, Mg, Ni, Zr, Ta)O3 und Ba(Zr, Mg, Ta)O3 große relative Dielektrizitätskonstanten (&egr;r) von 20 bis 30 und hohe Qxf-Werte von 100000 bis 250000 GHz. Diese Zusammensetzungen beruhen jedoch auf teuerem Ta und sind deshalb für die Kommerzialisierung nicht geeignet.

In vergangen Jahren wuchs der Bedarf an elektronischen Bauteilen mit kleinen dielektrischen Verlusten und geringen Abmessungen. Außerdem gibt es einen wachsenden Bedarf an dielektrischen Materialien mit ausgezeichneten dielektrischen Eigenschaften, besonders an billigen dielektrischen Materialien, die sowohl eine große relative Dielektrizitätskonstante (&egr;r) und hohe Q-Faktoren haben. Allerdings sind diese Bedürfnisse bis heute nicht erfüllt.

KURZFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist die Aufgabe dieser Erfindung, eine kostengünstige dielektrische Keramikzusammensetzung zur Verwendung bei der Herstellung von Hochfrequenz-Bauelementen anzugeben, die eine relative Dielektrizitätskonstante (&egr;r) von 20 oder mehr und einen Qxf-Wert von 100000 GHz oder mehr hat und bei der der Temperaturkoeffizient (&tgr;r) der Resonanzfrequenz zu etwa 0 ppm/°C eingestellt werden kann.

Eine andere Aufgabe dieser Erfindung besteht darin, unter Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung einen dielektrischen Resonator, ein dielektrisches Filter, einen dielektrischen Duplexer und ein Kommunikationssystem zu schaffen, die die oben beschriebene dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen enthalten.

Um die obigen Aufgaben zu lösen, ist erfindungsgemäß die Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen zur Herstellung von Bauelementen, die im Hochfrequenzbereich eingesetzt werden, vorgesehen, die die allgemeine Formel Ba[(Sn&agr;Zr1–&agr;)xMgy(Nb&bgr;Ta1–&bgr;)z]vOw hat, wobei die Molverhältnisse x, y und z in einem in 1 gezeigten ternären Diagramm innerhalb einer durch die Punkte A(0,30; 0,22; 0,48), B(0,60; 0,12; 0,28), C(0,60; 0,14; 0,26) und D(0,30; 0,25; 0,45) definierten Flächeund nicht auf der Linie zwischen den Punkten A und D liegen und wobei x + y + z gleich 1,00; 0,5 ≤ &agr; ≤ 1,0; 0 ≤ &bgr; ≤ 1,0; 0,98 ≤ v ≤ 1,03 gelten und w ein positiver Wert ist, um die Zusammensetzung elektroneutral zu halten.

Bevorzugt liegt das Molverhältnis v in einem Bereich von 1,00 < v ≤ 1,02.

Ein durch die erfindungsgemäße Verwendung hergestellter dielektrischer Resonator wird durch die elektromagnetische Verbindung zwischen Eingangs-/Ausgangsanschlüssen und eine aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen bestehenden dielektrischen Keramik aktiviert.

Ein durch die erfindungsgemäße Verwendung hergestelltes dielektrisches Filter enthält den dielektrischen Resonator und äußere Verbindungen, die mit den Eingangs-/Ausgangsanschlüssen des dielektrischen Resonators gekoppelt sind.

Ein durch die erfindungsgemäße Verwendung hergestellter dielektrischer Duplexer enthält wenigstens zwei dielektrische Filter, Eingangs-/Ausgangsverbinder, die mit jedem der dielektrischen Filter gekoppelt sind, und einen Antennenstecker, der den dielektrischen Filtern gemeinsam ist, wobei wenigstens eines der dielektrischen Filter ein im vorangehenden Abschnitt beschriebenes dielektrisches Filter ist.

Ein durch die erfindungsgemäße Verwendung hergestelltes Kommunikationssystem enthält den dielektrischen Duplexer, eine Senderschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsverbinder des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist, eine Empfängerschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsverbinder gekoppelt ist, der sich von dem Eingangs-/Ausgangsverbinder, der mit der Senderschaltung gekoppelt ist, unterscheidet und eine Antenne, die mit dem Antennenstecker des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist.

Durch die Erhöhung des Anteils von Sn, Zr, Mg und/oder Nb in der erfindungsgemäßen dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen kann der Anteil von teurem Tantal (Ta) verringert oder zu Null gemacht werden und dadurch eine im Handel kostengünstige dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen zur Verfügung gestellt werden.

Deshalb können dielektrische Resonatoren, die beispielsweise in Handies, Personenradios und Satellitenempfängern montiert sind mit geringem dielektrischem Verlust miniaturisiert und mit ausgezeichneter Temperaturstabilität der Resonanzfrequenz ausgestattet werden. Dementsprechend lassen sich derartige dielektrische Resonatoren zur Herstellung dielektrischer Filter, dielektrischer Duplexer und Kommunikationssysteme verwenden, die klein und billig sind und ausgezeichnete Eigenschaften haben.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist ein ternäres Diagramm, das die Molverhältnisse x, y und z von [(Sn&agr;Zr1–&agr;)xMgy(Nb&bgr;Ta1–&bgr;)z] in einer erfindungsgemäß verwendeten dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen definiert; und 2 ist eine Schnittansicht, die eine Grundstruktur eines dielektrischen Resonators veranschaulicht, der aus einer erfindungsgemäß verwendeten dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen besteht; und

3 ist ein Blockdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel eines Kommunikationssystems zeigt, welches den in 2 dargestellten dielektrischen Resonator enthält.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN

Nachstehend werden ein dielektrischer Resonator, ein dielektrisches Filter, ein dielektrischer Duplexer und ein Kommunikationssystem beschrieben, die aus einer erfindungsgemäß verwendeten dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen bestehen.

2 ist eine Schnittansicht, die eine Grundstruktur eines aus einer erfindungsgemäß verwendeten dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen bestehenden dielektrischen Resonators 1 veranschaulicht. Der dielektrische Resonator 1 enthält ein Metallgehäuse 2, in dem eine säulenförmige dielektrische Keramik 4 auf einer Halterung 3 montiert ist. Eine Kopplungsschleife 5 fungiert als Eingangsanschluss zwischen einem Mittelleiter und einem Außenleiter eines Koaxialkabels 7. Eine Kopplungsschleife 6 fungiert als ein Ausgangsanschluss zwischen einem Mittelleiter und einem Außenleiter eines Koaxialkabels 8. Diese Anschlüsse sind im Metallgehäuse 2 gehalten, und der Außenleiter ist elektrisch mit dem Metallgehäuse 2 verbunden. Die dielektrische Keramik 4 wird durch eine elektromagnetische Verbindung mit den Eingangs-/Ausgangsanschlüssen aktiviert. Nur ein Signal am Eingangsanschluss mit einer vorbestimmten Frequenz wird am Ausgangsanschluss ausgegeben. Die dielektrische Keramik 4 eines derartigen dielektrischen Resonators 1 besteht aus einer erfindungsgemäß verwendeten dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen.

Der in 2 gezeigte dielektrische Resonator 1 ist ein TE01&dgr;-Modus-Resonator, der in einer Basisstation verwendet wird. Die erfindungsgemäß verwendete dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen kann auch bei dielektrischen Resonatoren angewendet werden, die andere als die TE-Schwingungsmoden nutzen, so z.B. den TM-Modus und den TEM-Modus.

3 ist ein Blockdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel eines den dielektrischen Resonator 1 enthaltenden Kommunikationssystems zeigt. Das Kommunikationssystem 10 enthält einen dielektrischen Duplexer, eine Senderschaltung 14, eine Empfängerschaltung 16 und eine Antenne 18. Die Senderschaltung 14 ist mit einem Eingangsverbinder 20 des dielektrischen Duplexers 12 gekoppelt. Die Empfängerschaltung 16 ist mit einem Ausgangsverbinder 22 es dielektrischen Duplexers 12 gekoppelt. Die Antenne 18 ist mit einem Annenstecker 24 des dielektrischen Duplexers 12 verbunden.

Der dielektrische Duplexer enthält zwei dielektrische Filter 26 und 28. Der dielektrische Resonator jedes dielektrischen Filters 26 und 28 ist mit Außenverbindern gekoppelt. In dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel enthält das dielektrische Filter 26 den Eingangsanschluss 5 des dielektrischen Resonators 1, der mit dem Außenverbinder 30 gekoppelt ist, wie in 2 gezeigt ist, und das dielektrische Filter 28 enthält den dielektrischen Resonator 1, dessen Ausgangsanschluss 6 mit dem Außenverbinder 30 gekoppelt ist. Das dielektrische Filter 26 ist zwischen dem Eingangsverbinder 20 und dem dielektrischen Filter 28 angeordnet. Das dielektrische Filter 28 liegt zwischen dem dielektrischen Filter 26 und dem Ausgangsverbinder 22.

Eine erfindungsgemäß verwendete dielektrische Keramikzusammensetzung, die sich vorteilhaft für hohe Frequenzbereich einsetzen lässt, z.B. die dielektrische Keramik 4, die in dem dielektrischen Resonator 1 in 2 verwendet wird, wird nachstehend beschreiben.

Eine erfindungsgemäß verwendete dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen hat die allgemeine Formel Ba[(Sn&agr;Zr1–&agr;)xMgy(Nb&bgr;Ta1–&bgr;)z]vOw, wobei die Molverhältnisse x, y und z in einem in 1 gezeigten ternären Diagramm innerhalb einer durch die Punkte A(0,30; 0,22; 0,48), B(0,60; 0,12; 0,28), C(0,60; 0,14; 0,26) und D(0,30; 0,25; 0,45) definierten Fläche und nicht auf der Linie zwischen den Punkten A und D liegen und wobei x + y + z gleich 1,00; 0,5 ≤ &agr; ≤ 1,0; 0 ≤ &bgr; ≤ 1,0; 0,98 ≤ v ≤ 1,03 gelten und w ein positiver Wert ist, um die Zusammensetzung elektroneutral zu halten.

Nachstehend werden experimentelle Ergebnisse beschrieben, um beispielhaft die Gründe für die besondere Keramikzusammensetzung dieser Erfindung zu zeigen.

Als Ausgangsmaterialien für Ba[(Sn&agr;Zr1–&agr;)xMgy(Nb&bgr;Ta1–&bgr;)z]vOw wurden Pulver aus hochreinem Bariumcarbonat (BaCO3), Zinnoxid (SnO2); Zirkonoxid (ZrO2), Magnesiumcarbonat (MgCO3), Nioboxid (Nb2O5) und Tantaloxid (Ta2O5) bereitet. Diese Pulver wurden gemischt, um die in Tabelle 1 gezeigten Keramikzusammensetzungen zu bereiten. Dann wurden diese Pulver in einer Kugelmühle 16 Stunden lang nass gemahlen. Die sich ergebenden Gemische wurden entwässert und getrocknet.

Die Gemisch wurden dann bei einer Temperatur von 1000 bis 1300°C drei Stunden lang calziniert. Eine geeignete Menge an Binder wurde jedem calcinierten Pulver zugesetzt und die Gemische in einer Kugelmühle 16 Stunden lang nass vermahlen, so dass sie zusammengesetzte Pulver ergaben.

Dann wurden diese zusammengesetzten Pulver mit einem Druck von 1000 bis 2000 kg/cm2 in Scheiben gepresst und bei einer Temperatur von 1500 bis 1600 °C 4 bis 10 Stunden in der Atmosphäre gebrannt, um gesinterte Blöcke mit einem Durchmesser von 8,5 mm und einer Dicke von 4,2 mm herzustellen.

An den sich ergebenden gesinterten Blöcken wurden Messungen der relativen Dielektrizitätskonstanten (&egr;r) und des Q-Faktors durch ein einen dielektrischen Parallelplattenresonator verwendendes Verfahren in einem Frequenzbereich von 10 bis 11 GHz durchgeführt. Die Ergebnisse wurden in die Qxf-Werte umgesetzt. Der Temperaturkoeffizient (&tgr;f) der Resonanzfrequenz wurde bei einer Temperatur zwischen 25 und 55 °C aus einer Resonanzfrequenz im TE01&dgr;-Modus ermittelt.

Tabelle 1 zeigt die relative Dielektrizitätskonstante (&egr;r), den Wert Qxf und den Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz (&tgr;f). Mit Sternchen bezeichnete Proben liegen nicht im Umfang der Erfindung.

Nun wird der Grund beschrieben, weshalb dieser Zusammensetzungsbereich für die dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gewählt wird.

In der erfindungsgemäß verwendeten Zusammensetzung hat, wie ein Vergleich der Proben 4 bis 6 zeigt, der Temperaturkoeffizient (&tgr;f) der Resonanzfrequenz die Neigung, sich mit einer Erhöhung des Molverhältnis &agr; von Sn zu verringern. Jedoch kann man mit Zusammensetzungen, deren Molverhältnisse x, y und z in dem in 1 gezeigten ternären Diagramm auf der Linie zwischen den Punkten A und D oder außerhalb der Linie zwischen den Punkten A und D liegen (z.B. Zusammensetzungen mit x ≤ 0,30 bei den Proben 1 bis 3), den Wert &tgr;f ≤ 0 ppm/°C selbst für &agr; = 1,0 nicht erreichen. Deshalb sind diese Zusammensetzungen nicht geeignet, da sich &tgr;f nicht um 0 ppm/°C einstellen lässt.

Außerdem hat die Zusammensetzung der Probe 43 mit x > 0,60, was außerhalb der Linie zwischen den Punkten B und C liegt, einen Qxf-Wert unter 100000 GHz und ist unerwünscht.

Zusammensetzungen außerhalb der Linie zwischen den Punkten A und B haben, wie die Proben 7 und 30 zeigen, unzureichende Sinterung und sind deshalb unerwünscht.

Zusammensetzungen außerhalb der Linie zwischen den Punkten C und D, wie die Proben 29 und 39, haben Qxf-Werte unter 100000 GHz und sind deshalb unerwünscht.

Da bei den Proben 4 und 9 sowie 32 &tgr;f unerwünschterweise 20 ppm/°C bei &agr; < 0,5 übersteigt, muss &agr; im Bereich von 0,5 ≤ &agr; ≤ 1,0 liegen.

Wenn, wie bei der Probe 14 bei v > 0,98 oder bei Probe 21 bei v > 1,03 die Qxf-Werte unerwünschterweise unter 100000 GHz fallen, liegt v bevorzugt in einem Bereich von 0,98 ≤ v ≤ 1,03. Wie der Vergleich zwischen den Proben 17 bis 20 zeigt, ergibt sich ein höherer Qxf-Wert, wenn v im Bereich 1,00 < v ≤ 1,02 liegt.

Zusätzlich kann die erfindungsgemäß verwendete dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen in geringen Mengen Verunreinigungen enthalten, die die Aufgabe dieser Erfindung nicht beeinträchtigen. Z.B. beeinflussen etwa 0,01 bis 0,50 Gewichtsprozente von ZnO, NiO, Fe2O3, Zr3O3, B2O3, Al2O3, SiO2, MnO2, Sb2O5, WO3 oder dergleichen die Charakteristiken der dielektrischen Keramiken nicht stark.

Obwohl diese Erfindung bezogen auf besondere Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, lassen sich für die Fachleute verschiedene Variationen und Modifikationen erkennen. Aus diesem Grund ist diese Erfindung nicht durch die spezifische Beschreibung, sondern lediglich durch den Inhalt der beiliegenden Patentansprüche beschränkt.


Anspruch[de]
Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen, die durch die nachfolgende allgemeine Formel dargestellt ist: Ba[(Sn&agr;Zr1–&agr;)xMgy(Nb&bgr;Ta1–&bgr;)z]vOw,wobei die Molverhältnisse von x, y und z in einem ternären Diagramm innerhalb einer Fläche, die durch einen ersten Punkt A (mit x = 0,30, y = 0,22 und z = 0,48), einen zweiten Punkt B (mit x = 0,60, y = 0,12 und z = 0,28), einen dritten Punkt C (mit x = 0,60, y = 0,14 und z = 0,26) und einen vierten Punkt D (mit x = 0,30, y = 0,25 und z = 0,45) definiert ist und x, y und z nicht auf einer Linie zwischen den Punkten A und D liegen,

x + y + z gleich 1,00,

0,5 ≤ &agr; ≤ 1,0,

0 ≤ &bgr; ≤ 1,0,

0,98 ≤ v ≤ 1,03

gelten und

w ein positiver Wert ist, um die Zusammensetzung elektroneutral zu halten,

zur Herstellung von Bauelementen, die im Hochfrequenzbereich eingesetzt werden.
Verwendung einer dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass v im Bereich 1,00 < v ≤ 1,02 liegt. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 1 für die Herstellung eines dielektrischen Resonators, der eine dielektrische Keramik und Eingangs-/Ausgangsanschlüsse umfasst, die elektromagnetisch mit der dielektrischen Keramik verbunden sind, wobei die dielektrische Keramik die dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 1 aufweist. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 2 für die Herstellung eines dielektrischen Resonators, der eine dielektrische Keramik und Eingangs-/Ausgangsanschlüsse aufweist, die elektromagnetisch mit der dielektrischen Keramik verbunden sind, die die dielektrische Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 2 aufweist. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 1 für die Herstellung eines dielektrischen Filters, der einen dielektrischen Resonator gemäß Anspruch 3 und Außenverbindungen umfasst, die mit den Eingangs-/Ausgangsanschlüssen des dielektrischen Resonators gekoppelt sind. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 2 für die Herstellung eines dielektrischen Filters, der den dielektrischen Resonator gemäß Anspruch 4 und Außenverbindungen umfasst, die mit den Eingangs-/Ausgangsanschlüssen des dielektrischen Resonators gekoppelt sind. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 1 für die Herstellung eines dielektrischen Duplexers, der wenigstens zwei dielektrische Filter, Eingangs-/Ausgangsverbinder, die mit jedem der beiden dielektrischen Filter gekoppelt sind, und einen Antennenstecker aufweist, der den wenigstens zwei dielektrischen Filtern gemeinsam ist, wobei wenigstens eines der wenigstens zwei dielektrischen Filter das dielektrische Filter gemäß Anspruch 5 ist. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 2 für die Herstellung eines dielektrischen Duplexers, der wenigstens zwei dielektrische Filter, Eingangs-/Ausgangsverbinder, die mit den wenigstens zwei dielektrischen Filtern gekoppelt sind und einen Antennenstecker aufweist, der den wenigstens zwei dielektrischen Filtern gemeinsam ist, wobei wenigstens eines der wenigstens zwei dielektrischen Filter das dielektrische Filter gemäß Anspruch 6 ist. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 1 für die Herstellung eines Kommunikationssystem, gekennzeichnet durch:

den dielektrischen Duplexer gemäß Anspruch 7;

eine Senderschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsverbinder des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist;

eine Empfängerschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsverbinder gekoppelt ist, der sich von dem Eingangs-/Ausgangsverbinder unterscheidet, der mit der Senderschaltung gekoppelt ist; und

eine Antenne, die mit dem Antennenstecker des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist.
Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung für hohe Frequenzen gemäß Anspruch 2 für die Herstellung eines Kommunikationssystem, gekennzeichnet durch:

den dielektrischen Duplexer gemäß Anspruch 8;

eine Senderschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsanschlüsse des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist;

eine Empfängerschaltung, die mit wenigstens einem der Eingangs-/Ausgangsverbinder gekoppelt ist, der ein anderer ist als der Eingangs-/Ausgangsverbinder, der mit der Senderschaltung gekoppelt ist; und

eine Antenne, die mit dem Antennenstecker des dielektrischen Duplexers gekoppelt ist.






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