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Dokumentenidentifikation DE102005045372A1 29.03.2007
Titel Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter
Anmelder EPCOS AG, 81669 München, DE
Erfinder Pitschi, Maximilian, Dr., 83700 Rottach-Egern, DE;
Kiwitt, Jürgen, Dr., 81829 München, DE
Vertreter Epping Hermann Fischer, Patentanwaltsgesellschaft mbH, 80339 München
DE-Anmeldedatum 22.09.2005
DE-Aktenzeichen 102005045372
Offenlegungstag 29.03.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 29.03.2007
IPC-Hauptklasse H03H 9/64(2006.01)A, F, I, 20050922, B, H, DE
Zusammenfassung Es wird vorgeschlagen, ein mit akustischen Wellen arbeitendes Filter in zwei Teilfilter aufzuteilen, die unterschiedlichen Filtertypen zugeordnet und auf getrennten Substraten angeordnet sind. Damit gelingt eine unabhängige Optimierung der Teilfilter. Weiter wird vorgeschlagen, auf die Chips weitere Filter oder Teilfilter zu integrieren und so beispielsweise einen Duplexer aufzubauen.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter, wie es insbesondere in den Endgeräten von mobilen Kommunikationssystemen eingesetzt wird. Die Empfangspfade mobiler Endgeräte sind meist unsymmetrisch/symmetrisch ausgelegt, wobei die unsymmetrische Seite im vorteilhaft unsymmetrischen Anschluss der Antenne verbunden ist. Der symmetrische Ausgang auf der IC-Seite hat den Vorteil, dass mit symmetrischen (balanced) Signalen technische Vorteile wie beispielsweise eine höhere Übersprechrobustheit und eine bessere Anpassung an IC-Prozesse erzielt wird. Die Umwandlung eines symmetrischen Signals am Eingang des Empfangspfads in ein symmetrisches Signal am Ausgang des Empfangspfads kann beispielsweise mit einem BALUN vorgenommen, der jedoch den Nachteil hat, dass er als diskretes Bauteil zusätzlichen Platz auf der Platine benötigt. Vorteilhaft ist es daher, ein Filter einzusetzen, in welches die BALUN-Funktion integriert ist. Dazu bieten sich DMS-Filter (dual mode SAW-Filter)an.

Ein Problem, das bei Bauelementen mit Filtern in mobilen Endgeräten auftritt, ist der Temperaturgang der Frequenz, also die Frequenzinstabilität der Bauelemente bei Temperaturerhöhung. Dieser Frequenzgang kann je nach verwendetem Substrat oder Schnitt z.B. bei Lithiumtantalat bis zu 40 ppm/K betragen, was für einige frequenzsensitive Anwendungen wie beispielsweise Duplexer in PCS-Systemen unzulässig hoch ist. Andere Substrate bzw. Schnitte weisen einen höheren Temperaturgang der Frequenz auf.

Für Reaktanzfilter, die aus Resonatorstrukturen aufgebaut sind, sind bereits Möglichkeit bekannt, mit denen der Temperaturgang der Frequenz reduziert werden kann. Diese Verfahren lassen sich jedoch meist nicht so einfach auf die DMS-Filter übertragen.

Ein weiteres Problem besteht darin, in Bauelementen, die zwei oder mehr Filter enthalten, beispielsweise in Duplexern, zwischen den unterschiedlichen Filtern eine ausreichend hohe Isolation zu gewährleisten.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Bauelement anzugeben, das bezüglich zumindest eines der beiden genannten Problemfelder verbessert sind.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Bauelement mit den Merkmalen von Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus weiteren Ansprüchen.

Es wird vorgeschlagen, ein mit akustischen Wellen arbeitendes Filter in ein erstes und ein zweites Teilfilter aufzuteilen, die vorzugsweise seriell hintereinander geschaltet sind und unterschiedliche Teilaufgaben oder Teilfunktionen des Gesamtfilters übernehmen. Die beiden Teilfilter unterscheiden sich dadurch, dass sie entweder unterschiedlichen Filtertypen zugeordnet sind und auf unterschiedlichen Filtertechnologien basieren, oder dass sie einen vom Material und der Schichtanzahl unterschiedlichen Schichtaufbau oder bezüglich zumindest einer Schicht einen unterschiedliche Schichtdicke aufweisen. Beide Teilfilter sind auf getrennten Chips angeordnet.

Auf diese Weise ist es möglich, jedes Teilfilter getrennt vom anderen zu optimieren, gegebenenfalls ein unterschiedliches Substratmaterial, jeweils ein eigenes Metallisierungsmaterial oder eine unterschiedliche Metallisierungshöhe zu verwenden oder weitere Optimierungen für jeweils nur ein Teilfilter vorzunehmen, ohne dabei das andere Teilfilter mit berücksichtigen zu müssen.

So ist es beispielsweise möglich, eines der beiden Teilfilter mit Maßnahmen zur Temperaturkompensation zu versehen. Dies ist insbesondere ein Teilfilter, das als ein aus Resonatoren aufgebautes Reaktanzfilter ausgebildet ist. Resonatoren sind einfach aufgebaute mit akustischen Wellen arbeitende Bauelemente, deren physikalisches und akustisches Verhalten einfach modellierbar ist und welches daher entsprechend einfach variierbar ist.

Ein erstes Teilfilter, das aus SAW-Eintorresonatoren aufgebaut ist, kann beispielsweise mit einer Kompensationsschicht versehen werden, die den Temperaturgang der Mittenfrequenz reduziert und das Filter so temperaturkompensiert. Eine solche Kompensationsschicht besteht beispielsweise aus einer Siliziumoxidschicht, die in einer Schichtdicke von fünf bis 40 Prozent der akustischen Wellenlänge auf dem piezoelektrischen Substrat über oder unter der Metallisierung aufgebracht wird. Diese SiO2-Schicht besitzt einen gegenüber dem piezoelektrischen Material niedrigeren Temperaturgang der Frequenz. Da sich die akustische Oberflächenwelle zumindest zum Teil innerhalb der Siliziumoxidschicht ausbreitet, reduziert sich so auch der Temperaturgang des Gesamtfilters. Vorzugsweise ist die SiO2-Schicht von ausschließlich amorpher Modifikation ohne jegliche Fernordnung und besitzt eine hohe Schichtgleichmäßigkeit.

Das temperaturkompensierte erste Teilfilter kann auch aus mit akustischen Volumenwellen arbeitenden Resonatoren, sogenannten BAW-Resonatoren aufgebaut sein.

Ein aus zwei Teilfiltern zusammengesetztes Filter, von denen eines temperaturkompensiert ist, zeigt auch in der Performance des Gesamtfilters eine reduzierte Temperaturabhängigkeit der Frequenz. Ist das erste Teilfilter ein Reaktanzfilter, so ist das zweite Teilfilter vorzugsweise ein DMS-Filter, dessen Eigenschaften sich vorteilhaft mit den Eigenschaften des Reaktanzfilters zu einem verbesserten Gesamtfilter ergänzen. Während in einem Reaktanzfilter einzelne Polstellen verschoben und somit die Flankensteilheit und die Nahbereichsunterdrückung verbessert werden können, zeichnet sich ein DMS-Filter durch eine gute Fernabselektion aus. Das Filter kombiniert dabei die Vorteile der beiden Teilfilter.

In einer Weiterbildung wird ein zweites Filter vorgesehen, das zusammen mit dem ersten Teilfilter auf einem gemeinsamen Chip angeordnet ist. Dieses zweite Filter nutzt vorzugsweise dieselbe Filtertechnologie wie das erste Teilfilter und kann dann vorzugsweise zusammen mit diesem optimiert werden.

Es ist aber auch möglich, dass auch das zweite Filter zwei Teilfilter aufweist, die mit unterschiedlichen Filtertechnologien arbeiten, wobei die Teilfilter gleichen Filtertyps aber unterschiedlicher Filter auf einem gemeinsamen Chip angeordnet sind. Auf diese Weise können die Teilfilter zweier Filter auf zwei Chips verteilt und getrennt voneinander optimiert werden.

Erstes und zweites Filter können zu einem Modul verschaltet sein und beispielsweise einen Duplexer darstellen, bei dem die beiden Filter als Ein- beziehungsweise Ausgangsfilter für unterschiedliche Frequenzbänder dienen, die innerhalb eines Mobilfunkstandards zum Senden beziehungsweise Empfangen vorgesehen sind. Da Sende- und Empfangsbänder und damit die entsprechenden Filter üblicherweise frequenzmäßig nahe beieinander liegen, können auch auf einem gemeinsamen Chip kombinierte Teilfilter auch gemeinsam optimiert werden, da frequenzabhängige Optimierungen beispielsweise bezüglich der Metallisierungshöhe so ohne größere Nachteile auf beide Teilfilter angewendet werden können.

Möglich ist es auch, ein drittes oder weitere Filter vorzusehen, die zusammen mit dem ersten oder zweiten Teilfilter und dem zweiten Filter oder einem Teilfilter davon auf einem gemeinsamen Chip verwirklicht sind. Auf diese Weise werden die Filterfunktionen von drei und mehr Filtern auf zwei Chips aufgeteilt. Das dritte und die gegebenenfalls weiteren Filter können dabei für andere Mobilfunkübertragungssysteme genutzt werden.

Die beiden Teilfilter sowie gegebenenfalls das zweite, dritte und weitere Filter sind vorzugsweise auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet, welches zumindest eine Metallisierungsebene aufweist, in der eine Verschaltung realisiert ist. Über dieses gemeinsame Substrat wird die Verschaltung der Teilfilter und gegebenenfalls der Filter vorgenommen. Das Substrat ist ein Mehrlagenlaminat oder vorzugsweise eine Mehrlagenkeramik, wobei auf und zwischen dielektrischen Keramikschichten Metallisierungsebenen vorgesehen sein können. Das gemeinsame Substrat kann auch ein Modulsubstrat darstellen, auf dem weitere Bauelemente angeordnet sind.

Diese können ausgewählt sein aus Filtern, aktiven Halbleiterkomponenten und passiven Bauelementen. Möglich ist es jedoch auch, zumindest einen Teil der passiven Komponenten in das Substrat zu integrieren, in dem diese in einer Metallisierungsebene durch entsprechend ausgebildete Metallisierungsstrukturen realisiert und mit dem Filter verschaltet sind. Passive Komponenten können insbesondere dazu dienen, das oder die Filter an die äußere Schaltungsumgebung anzupassen und/oder die Isolation der unterschiedlichen miteinander verschalteten Filter zu verbessern.

Ein Chip, auf dem Teilfilter zumindest eines Filters realisiert sind, kann eine Temperaturkompensation mittels einer Verspannungsschicht aufweisen. Diese ist mechanisch fest mit der Oberfläche des Chips verbunden, die der Oberfläche mit den Bauelementstrukturen gegenüber liegt. Das Material der Verspannungsschicht weist einen gegenüber dem Chipmaterial erniedrigten thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Durch die mechanisch feste Verbindung wird bewirkt, dass die thermische Ausdehnung des Gesamtchips sich aus den thermischen Eigenschaften der beiden unterschiedlichen Materialien mittelt. Weist der Chip gegenüber der Verspannungsschicht eine geringere Schichtdicke auf, so erhöht sich auch das Ausmaß, in dem die Eigenschaften der Verspannungsschicht die Eigenschaften des Gesamtchips beeinflussen. Die Verspannungsschicht kann sowohl für Reaktanzfilter als auch für DMS-Filter eingesetzt werden.

Ein temperaturkompensiertes Filter oder Teilfilter kann auch mit Bauelementstrukturen realisiert werden, die ein Material oder eine Materialkombination umfassen, die in der Summe eine höhere Dichte als reines Aluminium aufweisen. Auch mit solch schweren Bauelementstrukturen kann eine geringere Temperaturabhängigkeit des Frequenzgangs erzielt werden.

Zumindest beim temperaturkompensierten Teilfilter oder Filter ist es möglich, die Bauelementstrukturen als streifenförmige Elektrodenfinger auszubilden, deren seitliche Kanten schräg auf Substratoberfläche stehen und mit dieser einen Kantenwinkel zwischen 65 und 85 Grad ausbilden. Insbesondere in Verbindung mit einer Kompensationsschicht können dadurch die Filtereigenschaften verbessert werden, insbesondere die Reflexion und damit die Güte der entsprechenden Resonatoren.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazugehörigen Figuren näher erläutert. Diese sind zum Teil schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt, sodass sich aus den Figuren weder absolute noch relative Maßangaben entnehmen lassen.

1 zeigt eine Anordnung mit einem ersten und einem zweiten Filter, wobei das erste Filter in zwei Teilfilter aufgeteilt ist,

2 zeigt eine Anordnung, bei der zwei Filter auf zwei Chips integriert sind, die jeweils in zwei Teilfilter aufgeteilt sind,

3 zeigt eine Anordnung, bei der drei Filter auf zwei Chips integriert sind, wobei das erste Filter in zwei Teilfilter aufgeteilt ist,

4 zeigt ausschnittsweise im schematischen Querschnitt einen Chip mit Kompensationsschicht und Verspannungsschicht,

5 zeigt ausschnittsweise im schematischen Querschnitt eine Bauelementstruktur mit abgeschrägten Kanten sowie einer Kompensationsschicht und einer Verspannungsschicht,

6 bis 8 zeigen den Streuparameter S12 für das erste Filter aus 1 und

9 bis 11 zeigen den Streuparameter S12 für das zweite Filter.

1 zeigt in schematischer Darstellung eine Anordnung aus erstem und zweitem Filter F1, F2. Das erste Filter F1 besteht aus zwei Teilfiltern TF1, TF2, die auf zwei unterschiedlichen Chips CH1 und CH2 angeordnet sind. Das erste Teilfilter TF1 ist ein Reaktanzfilter, welches aus Resonatoren aufgebaut ist, die hier beispielsweise in einer Ladder-Type Konfiguration angeordnet sind. Die Resonatoren sind beispielsweise als Eintorresonatoren auf einem piezoelektrischen Substrat ausgeführt.

In Serie zum ersten Teilfilter TF1 ist das zweite Teilfilter TF2 geschaltet und beispielsweise als DMS-Filter ausgebildet, welches auf einem zweiten piezoelektrischen Chip CH2 angeordnet ist. Ein zweites Filter F2 ist ebenfalls als Reaktanzfilter aus seriellen Resonatoren Rs und parallelen Resonatoren RP in Ladder-Type Anordnung ausgeführt und zusammen mit dem ersten Teilfilter TF1 auf dem ersten Chip CH1 integriert. Die gesamte Anordnung ist hier als Duplexer ausgebildet, bei der alle Filter und Teilfilter miteinander verschaltet sind. So sind beispielsweise der Ausgang des zweiten Filters F2 mit der Antenne ANT verbunden, ebenso der Eingang des ersten Filters F1. Das erste Filter ist beispielsweise ein RX-Filter, das zweite Filter dagegen das TX-Filter des Duplexers.

Das nur schematisch dargestellte, als DMS-Filter ausgebildete zweite Teilfilter TF2 umfasst zumindest drei Interdigitalwandler, die alternierend mit dem Ein- oder Ausgang des Teilfilters verbunden sind. Möglich ist es jedoch auch, das DMS-Filter aus mehr als drei Interdigitalwandlern auszubilden, die alternierend mit einem Ausgang verbunden in einer akustischen Spur nebeneinander angeordnet sein können. Möglich ist es jedoch auch, das DMS-Filter aus zwei parallel verschalteten DMS Teilspuren zusammenzusetzen, die jeweils wie ein eigenes DMS Filter aufgebaut sind. Wie dargestellt ist das DMS-Filter als unsymmetrisch/symmetrisch arbeitendes Filter ausgebildet, welches ein unsymmetrisches Signal am Teilfiltereingang in ein symmetrisches Signal am Teilfilterausgang (RX) umsetzt. Ein externer BALUN ist daher nicht erforderlich.

Die Reaktanzfilter sind aus einer beliebigen Anzahl von Resonatoren zusammengesetzt, wobei zumindest ein Grundglied vorgesehen ist, bestehend aus einem seriellen Resonator Rs und einem parallel dazu gegen Masse geschalteten parallelen Resonator RP. Direkt in der Verschaltung hintereinander folgende Resonatoren des gleichen Typs können zu einem einzigen Resonator zusammengefasst werden. Daher besteht das dargestellte erste Teilfilter TF1 aus fünf Grundgliedern, das zweite Filter F2 hier beispielsweise aus vier Grundgliedern.

2 zeigt eine weitere Ausführung, bei der zwei aus jeweils zwei Teilfiltern unterschiedlichen Filtertyps oder unterschiedlichen Schichtaufbaus bestehende Filter so auf zwei Chips CH1, CH2 verteilt sind, dass zumindest zwei Teilfilter gleichen Typs oder gleichen Aufbaus auf einem gemeinsamen Chip CH integriert sind. Jedes der Filter kann wie in 1 das erste Filter F1 aus einem ersten Teilfilter vom Reaktanztyp und einem zweiten Teilfilter vom DMS-Typ zusammengesetzt sein, sodass für beide Filter eine unsymmetrisch/symmetrische Betriebsweise möglich ist. Die beiden Filter können miteinander verbunden sein und als Bauelement ebenfalls einen Duplexer, einen Diplexer oder allgemein einen Multiplexer darstellen. Die beiden Filter können jedoch auch unterschiedlichen Mobilfunkbändern angehören und nicht direkt miteinander verschaltet sind.

3 zeigt eine weitere Ausführung, bei der die in 1 dargestellte Anordnung um ein drittes Filter erweitert ist. Auf einem ersten Chip CH1 ist ein erstes Teilfilter TF11 des ersten Filters sowie das zweite Filter F2 integriert. Auf dem zweiten Chip CH2 ist das zweite Teilfilter TF12 des ersten Filters F1 sowie ein drittes Filter F3 integriert. Die Integration erfolgt so, dass Filter oder Teilfilter vom gleichen Filtertyp oder mit gleichem Schcihtaufbau auf einem gemeinsamen Substrat beziehungsweise Chip realisiert sind.

4 zeigt eine Möglichkeit, zumindest eines der beiden Teilfilter bezüglich des Temperaturgangs der Frequenz zu kompensieren. Die Temperaturkompensation wird hier mittels einer Kompensationsschicht KS erreicht, die oberhalb der Bauelementstrukturen BES in Form einer Siliziumoxidschicht realisiert ist. Als weitere Maßnahme kann das piezoelektrische Substrat PS auf der den Bauelementstrukturen BES gegenüberliegenden Seite mit einer Verspannungsschicht VS mechanisch fest verbunden sein und ergibt dabei ein Verbundsubstrat.

Die Dicke ds der Kompensationsschicht KS wird als Trade off zwischen maximaler Temperaturkompensation bei relativ hoher Schichtdicke und minimaler Dämpfung bei minimaler Schichtdicke ds der Kompensationsschicht KS optimiert. Eine vollständige Kompensation kann beispielsweise mit einer Dicke ds von 30 bis 40 Prozent der akustischen Wellenlänge (bei Mittenfrequenz des Filters) erzielt werden. Die Wirkung der Verspannungsschicht VS wird dadurch erhöht, dass die Dicke der piezoelektrischen Schicht PS relativ gering gegen die Gesamtdicke des Verbundsubstrats aus Verspannungsschicht VS und piezoelektrischer Schicht PS ist. Dies kann erreicht werden, wenn nach der Herstellung des Verbundsubstrats die piezoelektrische Schicht auf eine Dicke dp von circa fünf bis 50 akustischen Wellenlängen bei Mittenfrequenz des Filters gedünnt wird.

4 zeigt einen weiteren Aspekt, der bei der Verwendung einer Kompensationsschicht KS positiv für die Eigenschaften des Filters ist. Die Kompensationsschicht KS ist vorzugsweise oberflächenkonform aufgebracht und zeigt eine dem Bauelementstrukturen entsprechende Topologie. Auf diese Weise ist gewährleistet, dass die sich teilweise in der Kompensationsschicht KS ausbreitende akustische Oberflächenwelle an den Strukturkanten der Kompensationsschicht ausreichend reflektiert wird, so dass der Resonator eine ausreichende Güte aufweist.

5 zeigt eine Möglichkeit, wie eine oberflächenkonforme Kompensationsschicht KS unterstützt werden kann. Dazu werden die Bauelementstrukturen BES so ausgestaltet, dass sie schräg abfallende Seitenkanten aufweisen. Mit solchen schrägen Seitenkanten lässt sich besonders einfach eine oberflächenkonforme SiO2-Schicht abscheiden. Zusätzlich kann wie hier dargestellt auch wieder eine Verspannungsschicht VS unterhalb der piezoelektrischen Schicht vorgesehen sein.

Die 6 bis 8 zeigen das Durchlassverhalten eines zweiten Filters F2, der entsprechend 1 ausgebildet ist anhand des Streuparameters S12. Dargestellt ist eine Kurvenschar, wobei eine erste Kurve ein Filter ohne Temperaturkompensation bei einer ersten Temperatur T0 zeigt. Eine zweite Kurve zeigt diesen unkompensierten Filter nach einer Temperaturerhöhung um 40 K. Es zeigt sich, dass dabei die Kurve hin zu niedrigeren Frequenzen verschoben wird. Eine dritte Kurve gibt das Verhalten eines gleich aufgebauten Filters F2 wieder, der im Gegensatz zur ersten und zweiten Kurve aber mit einer Temperaturkompensation versehen ist. Es zeigt sich, dass die Durchlasskurve um einen geringeren Betrag hin zu niedrigen Frequenzen verschoben ist als die zweite Kurve. Aus der Figur geht hervor, dass mit der Temperaturkompensation der Temperaturkoeffizient annähernd halbiert werden konnte.

9 bis 11 zeigen die Durchlasskurven des ersten Filters F1, das gemäß 1 ausgebildet ist, anhand des Streuparameters S12 mit unterschiedlichen Maßstäben auf der Frequenzachse. Auch hier wird ein unkompensiertes Filter auf einen Chip CH1 mit einem temperaturkompensierten Filter verglichen. Es zeigt sich, dass auch hier eine Reduzierung des Temperaturkoeffizienten der Frequenz erreicht werden kann, der allerdings nicht ganz so stark ausfällt wie beim zweiten Filter, dargestellt in den 6 bis 8. Dies ist darauf zurückzuführen, dass beim ersten Filter nur ein Teilfilter temperaturkompensiert ist, sodass der Effekt der Temperaturkompensation auch nicht so stark ausfallen kann.

Mit der Aufteilung von Teilfiltern auf unterschiedliche Chips gelingt nicht nur eine unabhängige Optimierung sondern auch eine verbesserte Isolation zwischen Teilfiltern und Filtern. Bei Duplexern, die beispielsweise gemäß einer der Ausführungen nach den 1 bis 3 ausgestaltet sind, gelingt mit der Aufteilung auf unterschiedliche Chips eine verbesserte Isolation zwischen dem RX- und dem TX-Filter, sodass elektromagnetische Kopplungen zwischen dem TX-Ausgang und dem RX-Eingang minimiert sind. Dies hat ein geringeres Übersprechen zur Folge und damit eine verbesserte Übertragungsqualität.

Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt und kann beispielsweise auch mit Filtern realisiert werden, die anderen Filtertypen zugeordnet sind. Wesentlich ist stets, dass die auf unterschiedliche Chips aufgeteilten Teilfilter unabhängig voneinander optimiert werden können, sodass Maßnahmen ergriffen werden können, die zwar bei einem Filtertyp, nicht aber beim anderen Filtertyp einsetzbar sind. Bei Bauelementen mit mehreren Filtern ist es stets wesentlich, dass die Bauelemente nicht nach einzelnen Filtern aufgeteilt ist, sondern dass Teile zumindest eines Filters auf mehrere Chips aufgeteilt sind. Dadurch können die Filter unterschiedlich und in einer für das jeweilige Teilfilter optimalen Weise prozessiert werden und dabei unterschiedliche Teilfilter somit auch mit z.B. unterschiedlichem Schichtaufbau oder unterschiedlichen Schichtdicken erhalten werden.


Anspruch[de]
Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter, welches ein erstes und ein zweites Teilfilter (TF1, TF2) umfasst, wobei die beiden Teilfilter auf getrennten Chips (CH1, CH2) angeordnet sind und unterschiedlichen Filtertypen zugeordnet sind oder unterschiedlichen Schichtaufbau oder unterschiedliche Schichtdicken bei zumindest einer Schicht aufweisen. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem eines der beiden Teilfilter (TF1, TF2) temperaturkompensiert ist. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das erste Teilfilter (TF1) ein aus Resonatoren (R) aufgebautes Reaktanzfilter ist. Bauelement nach Anspruch 3, bei dem das erste Teilfilter (TF1) aus SAW Eintorresonatoren aufgebaut ist. Bauelement nach Anspruch 3, bei dem das erste Teilfilter (TF1) aus BAW Resonatoren aufgebaut ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das zweite Teilfilter (TF2) ein DMS Filter ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem ein zweites Filter (F2) vorgesehen ist, das zusammen mit dem ersten Teilfilter (TF1) auf einem gemeinsamen Chip (CH2) angeordnet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem ein zweites Filter (F2) mit einem ersten und einem zweiten Teilfilter (TF21, TF22) vorgesehen ist, wobei jeweils ein Teilfilter von erstem und zweitem Filter (F1, F2) auf einem gemeinsamen Chip (CH) angeordnet sind. Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die beiden auf einem gemeinsamen Chip (CH) angeordneten Filter (F) oder Teilfilter (TF) dem gleichen Filtertyp zugeordnet sind. Bauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem erstes und zweites Filter (F1, F2) zu einem Duplexer verschaltet sind. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem zumindest ein drittes Filter (F3) vorgesehen ist, das zusammen mit dem ersten oder zweiten Teilfilter (TF1, TF2) im oder auf dem selben Chip (CH) verwirklicht ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die beiden Teilfilter (TF1, TF2) auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind, bei dem das Substrat zumindest eine Metallisierungsebene aufweist, in der eine Verschaltung realisiert ist. Bauelement nach Anspruch 12, bei dem das Substrat aus einer Mehrlagenkeramik aufgebaut ist. Bauelement nach Anspruch 12 oder 13, bei dem das Substrat ein Modulsubstrat darstellt, auf dem weitere Bauelemente angeordnet sind, ausgewählt aus Filter, aktiven Halbleiterkomponenten und passiven Bauelementen. Bauelement nach Anspruch 13 oder 14, bei dem innerhalb der Mehrlagenkeramik des Substrats zumindest eine Metallisierungsebene vorgesehen ist, in der passive Schaltungskomponenten realisiert und mit dem Filter (F) verschaltet sind. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 15, bei dem die Temperaturkompensation des einen Teilfilters (TF1) durch eine Kompensationsschicht (KS) erreicht ist, die auf dem Chip (CH) aufgebracht ist, in der sich die akustische Welle zumindest teilweise ausbreitet und dabei die einen gegenüber dem Chipmaterial niedrigeren Temperaturgang der Frequenz besitzt. Bauelement nach Anspruch 16, bei dem die Kompensationsschicht (KS) eine Schicht aus Siliziumoxid ist mit einer Schichtdicke von 10% bis 40% der akustischen Wellenlänge bei Mittenfrequenz des Filters. Bauelement nach Anspruch 16 oder 17, bei dem das temperaturkompensierte Teilfilter (TF1) ein SAW Filter mit interdigitalen Bauelementstrukturen ist, bei dem die Kompensationsschicht (KS) auf die Bauelementstrukturen (BES) aufgebracht ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 18, bei dem der Chip (CH) auf der den Bauelementstrukturen (BES) gegenüberliegenden Oberfläche mechanisch fest mit einer Verspannungsschicht (VS) verbunden ist, die gegenüber dem Chipmaterial einen erniedrigten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 19, bei dem die Bauelementstrukturen (BES) zumindest des temperaturkompensierten Teilfilters (TF1) aus einem Material oder aus einer Materialkombination mit einer in der Summe höheren Dichte als reines Al bestehen. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 20, bei dem die Bauelementstrukturen (BES) zumindest des temperaturkompensierten Teilfilters (TF1) streifenförmige Elektrodenfinger umfassen, deren seitliche Kanten schräg zur Substratoberfläche stehen und mit dieser einen Kantenwinkel KW mit 65° < KW < 85° bilden.






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