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Dokumentenidentifikation DE10302134B4 19.04.2007
Titel Halbleiterlaser mit Modulationsdotierung
Anmelder Mitsubishi Denki K.K., Tokyo, JP
Erfinder Takase, Tadashi, Tokio/Tokyo, JP
Vertreter WINTER, BRANDL, FÜRNISS, HÜBNER, RÖSS, KAISER, POLTE, Partnerschaft, 85354 Freising
DE-Anmeldedatum 21.01.2003
DE-Aktenzeichen 10302134
Offenlegungstag 27.11.2003
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 19.04.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 19.04.2007
IPC-Hauptklasse H01S 5/34(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiterlaser, welcher als eine Lichtquelle einer optischen Kommunikationsvorrichtung verwendet werden kann, und insbesondere auf eine Ausbildung eines Halbleiterlasers, welcher in geeigneter Weise verwendet wird, um einen Emissionswirkungsgrad und ein Modulationsband zu verbessern.

Im Zusammenhang mit den jüngeren Entwicklungen in der Informationstechnologie steigt das Bedürfnis, große Informationsmengen schneller und über weitere Entfernungen zu übertragen. Um diesem Bedürfnis zu begegnen, wird eine Technik zur optischen Kommunikation unter Verwendung einer Lichtleitfaser entwickelt und befindet sich derzeit in weit verbreiteter Verwendung. Z. B. werden im Zusammenhang mit einem Halbleiterlaser, welcher als eine Lichtquelle dient, welche eine wichtige Vorrichtung in einer Kommunikationsvorrichtung darstellt, eine Vielzahl von Techniken zum Verbessern des Emissionswirkungsgrads und eines schnellen Ansprechens (d. h. eines großen Modulationsbandes) verwendet. Insbesondere weist der Halbleiterlaser eine aktive Schicht auf, welche eine Mehrfachquantenmuldenstruktur oder eine modulationsdotierte Struktur verwendet. Mit solchen Techniken kann so viel Information wie möglich über kurze Strecken übertragen werden.

4 ist ein Energiekonzept- bzw. Energiezustandsdiagramm einer Mehrfachquantenmuldenstruktur in einer aktiven Schicht eines Halbleiterlasers. Das Emissionsprinzip eines Lasers mit der dargestellten Struktur wird nachstehend erläutert. Auf einer Valenzbandseite 21 werden Löcher 22 von einer p-Typ-Abdeckschichtseite 2 durch eine Lichteinsperr- bzw. -führüngsschicht 3 in jeweilige Valenzband-Muldenschichten 23 implantiert. Auf einer Leitungsbandseite 26 werden Elektronen 27 von einer n-Typ-Abdeckschichtseite 6 in die Leitungsband-Muldenschicht injiziert. Löcher 22 und Elektronen 27 werden miteinander kombiniert, um Licht 28 zu erzeugen.

Der in 4 gezeigte Laser weist eine aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 4 auf, welche aus einer Mehrzahl von Quantenmulden besteht. Mit dieser werden Zustandskonzentrationen von Löcher 22 und Elektronen 27 hoch, und eine optische Verstärkung steigt an. Aus diesem Grund wird der Emissionswirkungsgrad verbessert. Gleichzeitig steigt auch eine Kippschwingungsfrequenz, welche das Modulationsband des Lasers ausdrückt, an, da eine Differenzverstärkung ebenfalls ansteigt.

Als ein anderes Mittel zum Verbessern des Emissionswirkungsgrads und des Modulationsbandes wird eine Technik, welche eine Modulationsdotierungstechnik genannt wird, entwickelt, welche eine Dotierung vom p-Typ oder n-Typ nur an einer Barrierenschicht bzw. Sperrschicht 24 der Mehrfachquantenmulden einer aktiven Schicht ausführt. Diese Technik wird in JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL. 29, (1990) 81 eingeführt. Gemäß dieser Quelle wird, wenn eine Dotierung vom p-Typ an einer Sperrschicht 24 der mehrfachen Quantenmulde durchgeführt wird, ein Verstärkungsspektrum durch eine große Zahl von Löchern 22, welche von einem Akzeptorniveau geliefert werden, verschmälert. Daher steigt die Differenzverstärkung an, und das Modulationsband wird verbessert. Wenn andererseits eine Dotierung vom n-Typ durchgeführt wird, wird eine optische Absorption unterdrückt. Daher wird ein Schwellenstrom reduziert, und der Emissionswirkungsgrad wird verbessert.

Bei der vorgenannten Technik kann es jedoch sein, daß Verbesserungen des Emissionswirkungsgrads und eines Modulationsbandes in unzureichender weise erreicht werden.

Man berücksichtige insbesondere, daß die Zahl der Quantenmulden übermäßig erhöht wird. In dieser Situation kann es sein, daß, wenn Löcher 22 von einer Seite einer p-Typ-Abdeckschicht 2 in Valenzband-Muldenschichten 23 eingebracht werden, Löcher 22 eine Valenzband-Muldenschicht 23, welche von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegt (d.h., auf einer Seine einer Lichteinsperrschicht 5) nicht erreichen. Dies liegt daran, daß die Löcher 22 wirksame Massen besitzen. Daher sind Lochkonzentrationen in Valenzband-Muldenschichten 23 nicht gleichförmig, und die mehrfache Wirkung der Quantenmulde verschlechtert sich.

Überdies wird, obschon eine Modulationsdotierung nur an der Sperrschicht 24 der mehrfachen Quantenmulden der aktiven Schicht durchgeführt wird, um eine Halbleiterschicht herzustellen, ein Fremdmaterial vom p-Typ oder n-Typ, welches in die Sperrschicht 24 dotiert werden sollte, in Wirklichkeit durch die thermische Geschichte in einem Epitaxiewachstum oder dergleichen bei der Herstellung in die Muldenschicht gestreut. Aus diesem Grund verschlechtert das Fremdmaterial ein Kristall der Muldenschicht, welches als ein Licht emittierender Abschnitt dient, was dazu führt, daß sich ein Verhältnis einer Rekombination ohne Leuchtwirkung bzw. ein nichtluminoses Rekombinationsverhältnis erhöht, so daß die Verbesserungswirkung unterdrückt wird. Dieses Problem ist signifikant, da die Konzentration eines hinzugefügten Fremdmaterials hoch ist und der Diffusionsgrad von Zn oder dgl. hoch ist.

Weitere Informationen können der japanischen Offenlegungsschrift JP 2002-111135 A, der US-Patentschrift Nr. US 6,396,861 B1 sowie den Artikeln in Japanese Journal of Applied Physics, Band 29, Nr. 1, 1990, S. 88 und in IEEE Journal of Quantum Electronics, Band 30, Nr. 2, 1994, S. 533 entnommen werden.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Emissionswirkungsgrad und ein Modulationsband in einem Halbleiterlaser, in welchem eine Modulationsdotierung an einer aktiven Schicht einer Mehrfachquantenmuldenstruktur durchgeführt wird, zu verbessern.

Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung bilden den Gegenstand der Unteransprüche.

Ein Halbleiterlaser der vorliegenden Erfindung weist eine aktive Schicht auf, welche zwischen einer p-Typ-Abdeckschicht und einer n-Typ-Abdeckschicht ausgebildet ist. Die aktive Schicht weist mehrfache Quantenmulden auf, welche eine Mehrzahl von Sperrschichten und Muldenschichten aufweisen. Eine Modulationsdotierung vom p-Typ wird an wenigstens einer der Sperrschichten ausgeführt.

Insbesondere ist eine Menge einer Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ der Sperrschicht an einer Stelle, die nahe der p-Typ-Abdeckschicht liegt, kleiner als die an einer Stelle, welche nahe der n-Typ-Abdeckschicht liegt. Z.B. kann die Menge der Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ in Abhängigkeit von einem Abstand von der p-Typ-Abdeckschicht bestimmt sein, oder die Mengen der Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ sind in Sperrschichten an einer Stelle nahe der p-Typ-Abdeckschicht allmählich verringert. Zusätzlich kann eine Modulationsdotierung vom p-Typ mit einer ersten Menge einer Dotierungssubstanz in wenigstens einer Sperrschicht an einer Stelle, welche näher an der n-Typ-Abdeckschicht als eine Sperrschicht an einer vorbestimmten Stelle liegt, durchgeführt werden, und kann in wenigstens einer Sperrschicht an einer Stelle, welche näher an der p-Typ-Abdeckschicht als die Sperrschicht an der vorbestimmten Stelle liegt, mit einer zweiten Menge einer Dotierungssubstanz, welche kleiner als die erste Menge einer Dotierungssubstanz ist, durchgeführt werden. Gemäß diesem Merkmal kann eine Differenzverstärkung und ein Ansprechen mit hoher Geschwindigkeit verbessert werden, während nichtluminose Rekombination unterdrückt wird. Gleichzeitig kann, da die Konzentration der Löcher in einer von der p-Typ-Abdeckschicht entfernt liegenden Muldenschicht hoch ist, eine Nichteinheitlichkeit von Trägern auch verbessert werden. Man beachte, daß die Dotierungssubstanz vom p-Typ bei der Modulationsdotierung vom p-Typ aus Zn, Be, Cd und C ausgewählt sein kann.

Der Halbleiterlaser beinhaltet zwei Licht reflektierende Filme, welche unterschiedliche Reflektionsgrade aufweisen, und zwar derart, daß die Filme senkrecht zu einer einer aktiven Schicht gegenüber liegenden Endseite stehen. Gemäß diesem Aufbau kann Licht in Resonanz gebracht und verstärkt werden. Insbesondere kann, wenn der Halbleiterlaser ferner ein Beugungsgitter aufweist, ein Laser vom Fabry-Perot-Typ, welcher einen Laserstrahl mit einer vorbestimmten Wellenlänge gewinnen kann, erhalten werden. Wenn ein Beugungsgitter so angeordnet ist, daß es mit einer Schichtoberfläche der aktiven Schicht überlappt, kann ein Laser mit verteiter Rückkopplung erhalten werden. Wenn ein Beugungsgitter an einer von der Schichtoberfläche der aktiven Schicht entfernt liegenden Stelle in der Ausbreitungsrichtung der Schichtoberfläche angeordnet ist, kann ein Bragg-Reflektor-Laser erhalten werden.

Die vorstehenden andere Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform derselben klar ersichtlich. Die Beschreibung bezieht sich auf die begleitenden Zeichnungen, in welchen:

1 eine Schnittansicht einer Schichtstruktur eines Halbleiterlasers ist;

2 ein Energiezustandsdiagramm in einer Peripherie einer aktiven Mahrfachquantenmuldenschicht des Halbleiterlasers von 1 ist;

3A eine Schittansicht einer Konfiguration eines Lasers mit verteilter Rückkopplung ist;

3B eine Schnittansicht einer Konfiguration eines Bragg-Reflektionslasers ist; und

4 ein Energiezustandsdiagramm einer Mehrfachquantenmuldenstruktur in einer aktiven Schicht eines Halbleiterlasers gemäß dem Stand der Technik ist.

Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun anhand der begleitenden Zeichnungen beschieben. Es versteht sich, daß in den Zeichnungen gleiche Bauteile mit gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind.

(Erste Ausführungsform)

1 ist eine Schnittansicht einer Schichtstruktur eines Halbleiterlasers. Der Halbleiterlaser kann durch Laminieren bzw. aufeinander Anordnen von Schichten durch ein Verfahren eines epitaxialen Wachsens ausgebildet sein. Als das Epitaxialwachstumsverfahren kann z.B. ein Verfahren metallisch-organischer chemischer Dampfphasenabscheidung (metal-organic chemical vapor deposition – MOCVD), bei welchem ein organisches Gas, welches ein Metall enthält, auf ein Substrat hin strömt und das Metall durch chemische Reaktion auf der Substratoberfläche wächst, oder ein Verfahren der metallisch-organischen Molekularstrahl-Epitaxie (metal-organic molecular beam epitaxy – MOMBE), bei welchem ein Metall in einem hohen Grad einer Vakuum-Bedingung auf ein Substrat hin aufgedampft wird, um das Metall an dem Substrat haften zu lassen, und das Metall wächst, verwendet werden. Insbesondere werden auf einem InP-Substrat 1 eine p-InP-Abdeckschicht 2, eine InGaAsP-Lichteinsperr- bzw. -führüngsschicht 3, eine aktive InGaAsP-Mehrfachquantenmuldenschicht 4, eine InGaAsP-Lichtführüngsschicht 5, eine n-InP-Abdeckschicht bzw. n-InP-Abdeckschichtseite 6 und eine Kontaktschicht 7 durch epitaxiales Wachstum aufeinander angeordnet. Danach werden Metallelektroden 8 und 9 ausgebildet, und eine Spaltung wird vorgenommen, um eine Resonatorlänge zu erhalten. Um Licht innerhalb des Resonators in Resonanz zu bringen und zu verstärken, werden Licht reflektierende Filme (nicht gezeigt) senkrecht zu Endseiten des Resonators, d.h. die Endseiten der jeweiligen Schichten, als Beschichtung aufgebracht. Die Endseiten des Resonators beinhalten wenigstens eine der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 gegenüber liegende Endseite. In der nachfolgenden Beschreibung werden Bezeichnungen von Materialien der jeweiligen Schichten weggelassen. Z.B. wird die p-InP-Abdeckschicht 2 als "p-Typ-Abdeck schicht 2" ausgedrückt, und die InGaAsP-Lichtführüngsschicht 3 wird als "Lichtführüngsschicht 3" ausgedrückt.

2 ist ein Energiezustandsdiagramm in der Peripherie 20 einer aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 des Halbleiterlasers von 1. Beginnend auf der linken Seite von 2, sind eine p-Typ-Abdeckschicht 2, eine Lichtführüngsschicht 3, eine aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 4, eine Lichtführüngsschicht 5 und eine n-Typ-Abdeckschicht bzw. n-Typ-Abdeckschichtseite 6 aufeinander angeordnet. Dieser Aufbau entspricht der Schichtstruktur des Halbleiterlasers in 1. Das Prinzip der Laserabstrahlung ist das gleiche wie das im Stand der Technik. Insbesondere sind auf einer Valenzbandseite 21 Löcher 22von einer Seite der p-Typ-Abdeckschicht 2 durch die Lichtführüngsschicht 3 in jeweilige Valenzband-Muldenschichten 23 implantiert bzw. injiziert. Auf einer Seite eines Leitungsbandes 26 werden Elektronen 27 von einer Seite der n-Typ-Abdeckschicht 6 in die Leitungsband-Muldenschicht injiziert Löcher 22 und Elektronen 27 werden miteinander kombiniert, um Licht 28 zu erzeugen. Obgleich das Licht in alle Richtungen emittiert wird, wird nur Licht in einer Richtung parallel zu jeder Schicht extrahiert.

Bei der vorliegenden Erfindung ist in der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4, in welche Löcher eingebracht sind, eine Menge einer Dotierungssubstanz des p-Typs bezüglich einer Sperr- bzw. Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 auf einen geringeren Wert als dem von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt (d.h. nahe der Seite der n-Typ-Abdeckschicht 6) liegend festgelegt. In 2 ist in Barriereschichten 24 eine Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ gezeigt. Insbesondere wird als die Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ Zn verwendet. Die Konzentration der Dotierungssubstanz 25 vom P-Typ ist auf 1 × 1018 cm–3 in der Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 festgelegt. Andererseits ist die Konzentration in der von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegenden Barriereschicht 24 auf 2 × 1018 cm–3 festgelegt. 2 zeigt in typischer Weise, daß die Zahl der schwarzen Punkte, welche die Konzentration der Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ darstellen, in der Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 klein ist und in der von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegenden Barriereschicht 24 groß ist. Eine Änderung der Konzentraion kann allmählich (z.B. schrittweise) für jede Barriereschicht 24 in Abhängigkeit von dem Abstand von der p-Typ-Abdeckschicht 2 erhöht werden, beginnend mit der Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2. Ansonsten kann die Konzentration der Dotierungssubstanz 25 vom p-Typ auf 1 × 1018 cm–3 festgelegt werden für eine Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 bezüglich einer Barriereschicht 24 an einer vorbestimmten Stelle (z.B. in der Mitte), und die Konzentration kann für eine entfernt liegende Barriereschicht 24 auf 2 × 1018 cm–3 festgelegt werden.

Im Stand der Technik wird, nachdem die Dotierung mit einer Konzentration von z.B. 2 × 1018 cm–3 vorgenommen wird, die Dotierungssubstanz in die Muldenschicht 23 eingestreut. Allerdings ist im wesentlichen die Konzentration der in die Muldenschicht 23 eingebrachten Löcher 22 auf einer Seite nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 hoch. Im Gegensatz dazu fällt die Konzentration der an einer Stelle in der Muldenschicht 23 eingebrachten Löcher 22 ab, sobald die Stelle von der p-Typ-Abdeckschicht entfernt liegt (d.h., nahe der n-Typ-Abdeckschicht 6). Daher können, wenn eine Menge der Dotierungssubstanz vom p-Typ der Barriereschicht 24 nahe der p-Typ-Abdeckschicht 2 auf einen kleineren wert festgelegt ist als der der Barriereschicht 24, welche von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegt, in anderen Worten, der Barriereschicht 24 an einer Stelle nahe der Seite der n-Typ-Abdeckschicht 6, eine Differenzverstärkung und ein schnelles Ansprechen verbessert werden, während eine nichtluminose Rekombination unterdrückt wird. Gleichzeitig wird, nachdem die Konzentration der Löcher 22 in der Muldenschicht 23 auf der von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegenden Seite hoch ist, die Nichtgleichförmigkeit der Träger ebenfalls verbessert.

Auf der Grundlage der obigen Beschreibung kann eine Menge einer Dotierungssubstanz vom p-Typ in der Barriereschicht 24 nahe der Seite der p-Typ-Abdeckschicht 2 auf 0 festgelegt sein (d.h., es wird keine Dotierung vom p-Typ durchgeführt), und die Menge der Dotierungssubstanz vom p-Typ in der Barriereschicht 24, welche von der p-Typ-Abdeckschicht 2 entfernt liegt, kann auf 2 × 1018 cm–3 festgelegt werden. Eine Stelle, an welcher sich die Konzentration ändert, kann wie in der obigen Beschreibung als eine Barriereschicht 24 an einer vorbestimmten Stelle (z.B. der Mitte) festgelegt werden.

Obwohl in der vorstehenden Beschreibung Zn als die Dotierungssubstanz vom p-Typ verwendet wird, ist die Dotierungssubstanz nicht auf Zn beschränkt. Andere Dotierungssubstanzen vom p-Typ wie z.B. Be, Cd oder C können gleichfalls verwendet werden.

(Zweite Ausführungsform)

Nachstehend wird als eine zweiten Ausführungsform eine Anwendung eines Halbleiterlasers gemäß der ersten Ausführungsform beschrieben. Wie oben beschrieben, sind bei dem in 1 gezeigten Halbleiterlaser Licht reflektierende Schichten (nicht gezeigt) an den Endflächen ausgebildet, um das Licht in Resonanz zu versetzen und zu verstärken. Eine solche Struktur wird allgemein als eine Fabry-Perot-Struktur bezeichnet.

In dieser Ausführungsform ist der Halbleiterlaser der ersten Ausführungsform auf einen Laser eines anderen Aufbaus, und zwar einen Laser mit verteilter Rückkopplung (distributed feedback – DFB) und einen Bragg-Reflektor-Laser, angewendet.

3A ist eine Schnittansicht eines Lasers mit verteilter Rückkopplung 30-1. Der Laser mit verteilter Rückkopplung 30-1 kann einen Laserstrahl mit einer spezifischen Wellenlänge ausgeben. Der Laser mit verteilter Rückkopplung 30-1 ist so aufgebaut, daß ein Beugungsgitter 33, welches nur einen Laserstrahl mit einer spezifischen Wellenlänge extrahiert, in dem Halbleiterlaser der ersten Ausführungsform, welcher die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 4 beinhaltet, angeordnet ist. Das Beugungsgitter 33 ist so angeordnet, daß es mit der Schichtoberfläche der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 überlappt. Das Beugungsgitter 33 kann beim aufeinander Anordnen anderer in der ersten Ausführungsform erwähnter Schichten ausgebildet werden. In 3A sind auch Licht reflektierende Filme 31 und 32 gezeigt. Wenn ein Laserstrahl nach rechts in 3A ausgegeben wird, ist der Reflektionsgrad des Licht reflektierenden Films 31 hoch, und der des Licht reflektierenden Films 32 ist niedrig.

3B ist eine Schnittansicht eines Bragg-Reflektor-Lasers 30-2. Der Bragg-Reflektor-Laser 30-2 ist eine Anwendung des Lasers mit verteilter Rückkopplung 30-1 und kann eine gewünschte Wellenlänge auswählen. Der Bragg-Reflektor-Laser 30-2 kann grob in eine Lichtquelleneinheit 36 mit einer aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 34 und eine Wellenlängenauswahleinheit 37 mit einem Beugungsgitter 35 unterteilt werden. Der Aufbau der Lichtquelleneinheit ist im Wesentlichen die gleiche wie die der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 des Halbleiterlasers gemäß der ersten Ausführungsform.

Die Mehrfachquantenmuldenschicht 34 liegt nur in der Lichtquelleneinheit 36 vor und ist in der Wellenlängenauswahleinheit 37 nicht angeordnet. In anderen Worten, die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 34 überlappt nicht mit dem Beugungsgitter 35. Das Beugungsgitter 35 ist an einer Stelle, welche sich von der Schichtoberfläche der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 34 entfernt befindet, in der Ausbreitungsrichtung der Schichtoberfläche angeordnet.

Die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 34 der vorgenannten Konfiguration kann wie folgt erhalten werden. Nach Schichtung der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 in der ersten Ausführungsform werden ein oder mehrere Gebiete der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4, welche mit der Wellenlängenauswahleinheit 37 überlappt, durch Ätzen oder dgl. entfernt. Dann wird der verbleibende Teil der aktiven Mehrfachquantenmuldenschicht 4 die Schicht 34.

Wenn ein elektrisches Feld durch Anlegen einer Spannung an Elektroden 38-1 und 38-2 an die aktive Mehrfachquantenmuldenschicht 34 angelegt wird, sendet die Lichtquelleneinheit 36 Licht aus. Eine gewünschte Wellenlänge wird in der Wellenlängenauswahleinheit 37 ausgewählt. Licht reflektierende Filme 31 und 32 sind die gleichen wie die in 3A, und eine Beschreibung derselben ist daher obsolet.


Anspruch[de]
Halbleiterlaser mit einer aktiven Schicht (4), welche zwischen einer p-Typ-Abdeckschicht (2) und einer n-Typ-Abdeckschicht (6) ausgebildet ist, wobei die aktive Schicht (4) Mehrfachquantenmulden mit einer Mehrzahl von Barriereschichten (24) und Muldenschichten (23) aufweist, und eine Modulationsdotierung vom p-Typ an wenigstens einer der Barriereschichten ausgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Menge einer Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ (25) einer der Barriereschichten (24) an einer Stelle, welche nahe der p-Typ-Abdeckschicht (2) liegt, kleiner ist als die einer anderen Barriereschicht (24) an einer Stelle, welche nahe der n-Typ-Abdeckschicht (6) liegt. Halbleiterlaser gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ (25) auf der Grundlage eines Abstands von der p-Typ-Abdeckschicht (2) bestimmt wird. Halbleiterlaser gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge der Modulationsdotierungssubstanz vom p-Typ (25) in der Mehrzahl von Barriereschichten (24) mit abnehmendem Abstand von der p-Typ-Abdeckschicht (2) allmählich verringert wird. Halbleiterlaser gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Modulationsdotierung vom p-Typ mit einer ersten Menge in wenigstens einer Barriereschicht (24) an einer Stelle, welche näher an der n-Typ-Abdeckschicht (6) als die an einer vorbestimmten Stelle liegt, durchgeführt wird, und eine Modulationsdotierung vom p-Typ in wenigstens einer Barriereschicht (24) an einer Stelle, welche näher an der p-Typ-Abdeckschicht (2) liegt als die Barriereschicht (24) an der vorbestimmten Stelle, mit einer zweiten Menge, welche kleiner als die erste Menge der Dotierungssubstanz ist, durchgeführt wird.






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