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Dokumentenidentifikation DE102005055872A1 24.05.2007
Titel Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement
Anmelder EPCOS AG, 81669 München, DE
Erfinder Rösler, Ulrike, Dr., 85241 Hebertshausen, DE;
Ruile, Werner, Dr., 80636 München, DE
Vertreter Epping Hermann Fischer, Patentanwaltsgesellschaft mbH, 80339 München
DE-Anmeldedatum 23.11.2005
DE-Aktenzeichen 102005055872
Offenlegungstag 24.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2007
IPC-Hauptklasse H03H 9/15(2006.01)A, F, I, 20051123, B, H, DE
Zusammenfassung Es wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement angegeben, das elektrisch voneinander isolierte, quer zueinander verlaufende Leiterbahnen (71, 72) aufweist, die einander kreuzen.

Beschreibung[de]

Es wird ein elektroakustisches Bauelement, insbesondere ein mit geführten Volumenwellen arbeitendes Bauelement angegeben.

Mit geführten Volumenwellen arbeitende Bauelemente sind z. B. aus den Druckschriften DE 10325281 A1, US 2005/0099091 A1, US 6046656, WO 01/29964 A1, WO 03/088475 A1 und WO 03/088482 A1 bekannt.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein robustes elektroakustisches Bauelement mit einer kleinen Grundfläche anzugeben.

Gemäß einer ersten bevorzugten Ausführung wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement angegeben, das elektrisch voneinander isolierte, quer zueinander verlaufende Leiterbahnen aufweist, die einander kreuzen.

Die gekreuzten Leiterbahnen sind vorzugsweise jeweils lang gestreckt bzw. als Leitungen ausgebildet. Unter Leitungen versteht man Leiterbahnen, deren Breite wesentlich – z. B. mindestens um Faktor drei – kleiner ist als deren Länge.

Das Bauelement umfasst in einer bevorzugten Ausführungsform zwei Substrate und ein zwischen diesen angeordnetes Schichtsystem, das eine Metallschicht umfasst, in der zwei mittels einer ersten Leiterbahn verbundene erste leitende Strukturen und zwei mittels einer zweiten Leiterbahn verbundene zweite leitende Strukturen ausgebildet sind. Die zweite Leiterbahn überkreuzt sich mit der ersten Leiterbahn und ist in diesem Fall zumindest im Kreuzungsbereich in einer anderen Metalllage als die ersten und die zweiten leitenden Strukturen angeordnet. Zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn ist eine isolierende Schicht angeordnet.

Die Metallschicht umfasst elektroakustisch aktive Bauelementstrukturen, Verbindungsleitungen und leitend mit den Bauelementstrukturen verbundene Kontaktflächen. Die Kontaktflächen sind vorzugsweise durch das zweite Substrat hindurch kontaktiert und leitend mit auf dem zweiten Substrat angeordneten Außenanschlüssen verbunden. Die Strukturen der Metallschicht sind zwischen der dielektrischen Schicht und dem ersten Substrat angeordnet bzw. so in der dielektrischen Schicht eingebettet, dass sie über diese nicht hinausragen.

Die ersten und/oder zweiten leitenden Strukturen der Metallschicht können aus den Bauelementstrukturen, den Verbindungsleitungen und den Kontaktflächen ausgewählt sein.

Die Metallschicht ist vorzugsweise auf dem ersten Substrat mit piezoelektrischen Eigenschaften angeordnet.

Die erste Leiterbahn ist vorzugsweise in der Metallschicht ausgebildet. Die zweite Leiterbahn ist vorzugsweise zumindest im Kreuzungsbereich außerhalb dieser Metallschicht ausgebildet.

Die erste und/oder die zweite Leiterbahn können durch Sputtern erzeugt werden. Die zweite Leiterbahn ist vorzugsweise galvanisch aufgedickt. Auch die erste Leiterbahn kann in einer z. B. in 3 erläuterten Variante galvanisch aufgedickt sein. Eine galvanische Aufdickung hat den Vorteil, dass dadurch eine gut leitende Verbindung erzielt wird.

Das Schichtsystem umfasst eine dielektrische Schicht, wobei die Metallschicht zwischen dem ersten Substrat und der dielektrischen Schicht angeordnet ist. Die isolierende Schicht ist vorzugsweise in der dielektrischen Schicht ausgebildet. Die akustische Geschwindigkeit im Schichtsystem ist vorzugsweise kleiner als in den Substraten.

Auf der Rückseite des ersten Substrats kann eine Metallisierung angeordnet sein, die vorzugsweise auch die ggf. abgeschrägten Stoßkanten des Schichtsystems und der Substrate bedeckt.

Die zweiten leitenden Strukturen weisen vorzugsweise eine größere Höhe als die ersten leitenden Strukturen auf und stellen z. B. durch mindestens eine leitende Schicht oder eine Schichtenfolge verdickte Kontaktflächen dar. Die mindestens eine weitere leitende Schicht ist auf der Metallschicht angeordnet.

Die zweite Leiterbahn kann zumindest teilweise offen liegen. Offen liegende Bereiche der zweiten Leiterbahn sind vorzugsweise passiviert. Die zumindest teilweise in mindestens einer Vertiefung des zweiten Substrats angeordnete zweite Leiterbahn kann aber auch durch eine isolierende Schicht, z. B. eine Passivierungsschicht aus SiO2 bedeckt und somit verkapselt sein sein.

Die zweite Leiterbahn ist in einer Variante zumindest teilweise in mindestens einer im zweiten Substrat ausgebildeten, vorzugsweise zumindest bis zur dielektrischen Schicht hinabreichenden Vertiefung angeordnet. Diese Vertiefung kann zwei Durchkontaktierungen miteinander verbinden bzw. in dieser Vertiefung können zumindest zwei Durchkontaktierungen ausgebildet sein. Diese Durchkontaktierungen sind durch die dielektrische Schicht hindurch geführt und reichen bis zu den ggf. aufgedickten ersten oder zweiten leitenden Strukturen hinab. Die zweite Leiterbahn bildet dann eine leitende Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen.

Die zweite Leiterbahn kann in einer Variante zumindest im Kreuzungsbereich auf der Oberfläche des zweiten Substrats angeordnet sein. Die zweite Leiterbahn kann auch zumindest teilweise auf der dielektrischen Schicht angeordnet sein. Die zweite Leiterbahn kann zumindest teilweise in einer auf der Rückseite des ersten Substrats angeordneten Metallisierung ausgebildet sein.

Die Metallschicht umfasst in einer Variante mindestens eine leitende Schicht, deren akustische Impedanz mindestens das Vierfache der akustischen Impedanz der dielektrischen Schicht beträgt. Die Metallschicht kann auch mindestens eine Teilschicht mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit umfassen.

Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführung wird ein mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit einem zur Führung von akustischen Wellen geeigneten Schichtaufbau angegeben, das eine Induktivität (Spule) aufweist, die mindestens eine Windung umfasst, wobei die Windungsebene quer zu den Schichten des Schichtaufbaus liegt.

Merkmale der Bauelemente gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform sind ohne Einschränkung miteinander kombinierbar.

Das Bauelement gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform weist vorzugsweise auch ein Trägersubstrat, ein piezoelektrisches Substrat und ein zwischen diesen angeordnetes Schichtsystem auf, das eine dielektrische Schicht umfasst.

Im Trägersubstrat ist in einer Variante eine Vertiefung ausgebildet, wobei mindestens eine der Leiterbahnen der Induktivitätswindung auf einer in dieser Vertiefung freigelegten dielektrischen Schicht angeordnet ist.

Die Induktivität weist vorzugsweise zumindest eine komplette Windung auf. Jede Windung der Induktivität ist vorzugsweise mittels in verschiedenen Metalllagen angeordnete Leiterbahnen und diese verbindenden Durchkontaktierungen gebildet. Mindestens eine der Leiterbahnen der Induktivitätswindung kann in einer Metalllage ausgebildet sein, in der elektroakustisch aktive Bauelementstrukturen ausgebildet sind. Mindestens eine der Leiterbahnen der Induktivitätswindung kann auf der Oberfläche des Trägersubstrats ausgebildet sein.

Die Leiterbahnen und die Durchkontaktierungen bilden zusammen vorzugsweise eine spiralförmige Struktur. Mindestens ein Abschnitt der spiralförmigen Struktur ist dabei vorzugsweise in einer Metalllage ausgebildet, in der auch elektroakustisch aktive Bauelementstrukturen ausgebildet sind. Mindestens ein Abschnitt der spiralförmigen Struktur kann auf der Oberfläche des zweiten Substrats oder auf der dielektrischen Schicht in einer Vertiefung des zweiten Substrats ausgebildet sein.

Im Folgenden wird das Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung anhand schematischer und nicht maßstabsgetreuer Figuren erläutert. Es zeigen:

1 ein mit GBAW arbeitendes Bauelement;

2 im Querschnitt ausschnittsweise ein GBAW-Bauelement mit gekreuzten Leiterbahnen, wobei die zweite Leiterbahn teilweise auf der dielektrischen Schicht angeordnet ist;

3 im Querschnitt ausschnittsweise ein GBAW-Bauelement mit gekreuzten Leiterbahnen, wobei die zweite Leiterbahn teilweise auf dem zweiten Substrat angeordnet ist und zwei Durchkontaktierungen leitend verbindet;

4 Draufsicht auf die Unterseite des ersten Substrats mit darauf angeordneten Bauelementstrukturen, Kontaktflächen und der ersten Leiterbahn, beim Bauelement gemäß 2 oder 3;

5A Draufsicht auf das zweite Substrat des Bauelements gemäß 2;

5B Draufsicht auf das zweite Substrat des Bauelements gemäß 3;

6, 7 jeweils eine Draufsicht auf die metallisierte Rückseite des ersten Substrats eines GBAW-Bauelements;

8 Draufsicht auf die Unterseite des ersten Substrats mit auf diesem angeordneten Kontaktflächen beim Bauelement gemäß 6 oder 7;

9 ein weiteres GBAW-Bauelement mit einer metallisierten Rückseite des ersten Substrats, wobei die Rückseitenmetallisierung strukturiert ist;

10 GBAW-Bauelement mit durch eine metallisierte V-förmige Einsägung voneinander abgeschirmten Bereichen;

11 ausschnittsweise die Ansicht der Unterseite des GBAW-Bauelements mit einer durch in verschiedenen Metallisierungsebenen angeordnete Leiterbahnen gebildeten Spule.

Ein mit GBAW arbeitendes Bauelement ist in 1 gezeigt. Zwischen einem piezoelektrischen ersten Substrat 1 und einem deutlich dickeren zweiten Substrat 2 ist ein Schichtsystem 3 angeordnet. Das zweite Substrat ist aufgrund seiner höheren Dicke vorzugsweise ein Trägersubstrat. Angesichts der geringen Dicke des ersten Substrats wird die Dicke des zweiten Substrats vorzugsweise so groß gewählt, dass dies für die mechanische Stabilität des Bauelements ausreicht.

Das zweite Substrat weist vorzugsweise eine kleinere thermische Ausdehnung auf als das erste Substrat.

Die Dicken des ersten und des zweiten Substrats betragen in einer Variante 50 &mgr;m bzw. 150 &mgr;m. Die Dicke des Schichtsystems beträgt in einer Variante 0,6 &mgr;m.

Das Schichtsystem 3 umfasst eine (von oben nach unten gesehen) auf dem ersten Substrat 1 angeordnete Metallschicht 31, deren beispielhafter Aufbau im Einzelnen in 3A und 3B vorgestellt ist. Die Metallschicht 31 ist strukturiert und umfasst elektroakustisch aktive Bauelementstrukturen 42, z. B. Wandler, und leitend mit diesen verbundene Kontaktflächen 411, 412. Die Strukturen 411, 412, 42 der Metallschicht 31 sind zwischen dem ersten Substrat 1 und einer dielektrischen Schicht 32 z. B. aus SiO2 verkapselt.

Das erste Substrat 1 ist vorzugsweise piezoelektrisch, z. B. aus LiTaO3, in einer Variante LiTaO3 15rotYX oder 20rotYX. Das zweite Substrat ist vorzugsweise aus einem hochohmigen Silizium. Die akustische Geschwindigkeit ist in den Substraten 1, 2 deutlich – z. B. um mindestens 10% – höher als in der dielektrischen Schicht.

Im Verbund des zweiten Substrats 2 und der dielektrischen Schicht 32 sind Kontaktlöcher 20 zur Freilegung von Kontaktflächen 411, 412 vorgesehen. Im Bereich der Kontaktlöcher ist eine Metallisierung 60 vorgesehen, die die Innenwände von Kontaktlöchern und die offen gelegten Bereiche von Kontaktflächen bedeckt. Die Metallisierung 60 ist darüber hinaus teilweise auf der Unterseite des zweiten Substrats 2 angeordnet und bildet Außenanschlüsse 611, 612.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt des Bauelements gemäß 4 und 5A im Bereich der Überkreuzung von Leiterbahnen 71, 72 entlang der Leiterbahn 72. Im Substrat 2 ist eine durch das Substrat 2 hindurch gehende Vertiefung 20 geätzt, die über den Kontaktflächen 411, 412 in die Öffnungen 320, 321 der dielektrischen Schicht 32 mündet. In diesen Öffnungen ist jeweils eine Durchkontaktierung zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 411, 412 ausgebildet. In der Vertiefung und teilweise auf dem zweiten Substrat 2 ist eine Metallisierung angeordnet, die Außenanschlüsse 611, 612 und die obere Leiterbahn 72 bildet. Die obere Leiterbahn 72 ist hier in der Vertiefung bzw. auf der dielektrischen Schicht 32 angeordnet und verbindet leitend die Kontaktflächen 411, 412. Dabei ist die quer verlaufende untere Leiterbahn 71 überbrückt.

Die Kontaktflächen 411, 412 können, müssen aber nicht mit Außenanschlüssen 611, 612 verbunden sein. In einer Variante ist es möglich, dass die Leiterbahn 72 nur am Boden der Vertiefung 20, d. h. auf der dielektrischen Schicht 32 angeordnet ist und mit Außenanschlüssen nicht verbunden ist.

Auf der Metallschicht 31 ist im Bereich der Kontaktflächen 411, 412 eine zusätzliche leitende Schicht vorgesehen.

Anstelle der Kontaktflächen kann die obere Leiterbahn 72 beliebige andere Strukturen der Metallschicht 31 verbinden.

In 2 ist angedeutet, dass alternativ oder zusätzlich zur Überkreuzung der Leiterbahnen 71, 72 eine Überkreuzung zwischen der in der Metallschicht 31 ausgebildeten Leiterbahn 71 und einer in der Rückseitenmetallisierung 5 ausgebildeten Leiterbahn 51 möglich ist. In diesem Fall ist die elektrisch isolierende Schicht zwischen den gekreuzten Leiterbahnen 71, 51 durch das erste Substrat 1 gebildet.

3 zeigt eine weitere Möglichkeit zur Ausbildung einer Leiterbahnüberkreuzung. 3 zeigt einen schematischen Querschnitt des Bauelements gemäß 4 und 5B im Bereich der Überkreuzung von Leiterbahnen 71, 72 entlang der Leiterbahn 72.

Im zweiten Substrat 2 sind zwei Vertiefungen 20, 21 ausgebildet. Auf dem zweiten Substrat 2 und in den Vertiefungen 20, 21 ist eine Metallisierung angeordnet, die Außenanschlüsse 611, 612 und die obere Leiterbahn 72 umfasst. Auch in dieser Variante verbindet die Leiterbahn 72 zwei galvanisch verdickte Kontaktflächen 411, 412 der Metallschicht 31. Dabei ist ein Teil der Leitung 72 auf der Oberfläche des zweiten Substrats 2 angeordnet. Die erste Leiterbahn 71 kann in einer Variante auch galvanisch aufgedickt sein.

In der Variante gemäß 3 ist die isolierende Schicht zwischen den gekreuzten Leiterbahnen 71, 72 durch die dielektrische Schicht 31 und einen Bereich des zweiten Substrats 2 gebildet.

Die Leiterbahnüberkreuzung gemäß 3 zeichnet sich aufgrund einer hohen Dicke der isolierenden Schicht durch eine besonders kleine Kopplungskapazität zwischen den gekreuzten Leiterbahnen aus.

In 4 ist zu sehen, dass die Kontaktfläche 411 an einen Wandler 421 angeschlossen ist. Weitere Kontaktflächen 413, 414 sind hier an Masseanschlüsse von Wandlern 422, 423 angeschlossen und mit Masse verbunden.

In 6, 7 und 9 sind Varianten mit einer strukturierten Rückseitenmetallisierung 5 gezeigt.

In 6 ist eine in der Metallisierung 5 ausgebildete leitende Struktur 52 mit zwei z. B. als Masseflächen vorgesehenen leitenden Flächen 50 gezeigt, die mittels einer dünnen Verbindung leitend verbunden sind. Die Enden 521, 522 der leitenden Struktur 52 sind an den abgeschrägten Stoßkanten des Bauelements angeordnet und leitend mit Kontaktflächen 411 bzw. 412 des in 8 gezeigten Bauelements verbunden.

In 7 ist die leitende Struktur 52 als eine mäanderförmig gefaltete Leitung ausgebildet.

In 9 weist die Metallisierung 5 zwei durch einen Schlitz voneinander getrennt leitende Flächen auf, die vorzugsweise über elektromagnetisch voneinander zu entkoppelnden Bereichen des Bauelements angeordnet sind.

Eine weitere Möglichkeit zur elektromagnetischen Entkopplung von Bauelementbereichen 11 und 12, insbesondere des Sendebereichs und des Empfangsbereichs eines z. B. als Duplexer ausgebildeten Bauelements ist in 10 vorgestellt. Zwischen den Bauelementbereichen 11, 12 ist eine V-förmige Einsägung 10 vorgesehen. Die Rückseitenmetallisierung 5 ist vorzugsweise großflächig auf der Oberfläche des ersten Substrats 1 und in der Einsägung 10 ausgebildet.

11 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite eines GBAW-Bauelements mit einer durch erste und zweite Leiterbahnen 71, 72 gebildeten Spule oder Transmissionsleitung, die zwischen den Kontaktflächen 611, 612 geschaltet ist.

Die Leiterbahnen 71, 72 bilden eine spiralförmige Struktur, wobei eine Windung dieser Struktur in verschiedenen Metalllagen angeordnete Abschnitte aufweist.

Die ersten Leiterbahnen 71 sind in der Metallschicht 31 angeordnet. Die zweiten Leiterbahnen 72 verbinden in einer höheren Metalllage zwei Durchkontaktierungen 20, 21 z. B. gemäß der in 5A oder 5B vorgestellten Ausführung. Diese Durchkontaktierungen reichen bis zu den ersten Leiterbahnen 71 hinab. In dieser Variante sind die ersten und die zweiten Leiterbahnen 71, 72 leitend miteinander verbunden.

Die endständigen ersten Leiterbahnen 71 sind mittels einer Durchkontaktierung 20 bzw. 21 an die jeweilige Kontaktfläche 612 bzw. 611 angeschlossen.

Die höhere Metalllage kann wie in 2, 5A auf der dielektrischen Schicht 32 angeordnet sein. Sie kann aber auch wie in 3, 5B auf der Oberfläche des zweiten Substrats 2 angeordnet sein.

1
erstes Substrat
10
Einsägung mit V-förmigem Querschnitt zwischen Bauelement
bereichen
11
erster Bauelementbereich
12
zweiter Bauelementbereich
2
zweites Substrat
20
Kontaktloch
3
Schichtsystem
31
Metallschicht des Schichtsystems
311
hochleitende Teilschicht der Metallschicht 31
312
Teilschicht mit relativ hoher akustischer Impedanz
32
dielektrische Schicht
411, 412
Kontaktflächen
42
Bauelementstruktur (Wandler)
5
Metallschicht auf der Rückseite des ersten Substrats
51, 52
in der Metallschicht 5 ausgebildete Strukturen
511, 512, 521, 522
auf abgeschrägten Stoßkanten angeordnete
Teile von Strukturen 51 bzw. 52
60
Metallisierung eines Kontaktlochs
611, 612
Außenanschluss
71
erste Leiterbahn
72
zweite Leiterbahn


Anspruch[de]
Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement, das elektrisch voneinander isolierte, quer zueinander verlaufende Leiterbahnen (71, 72) aufweist, die einander kreuzen. Bauelement nach Anspruch 1, wobei die gekreuzten Leiterbahnen (71, 72) jeweils lang gestreckt sind. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2,

– mit zwei Substraten (1, 2) und einem zwischen diesen angeordneten Schichtsystem (3), das eine Metallschicht (31) umfasst, in der zwei mittels einer ersten Leiterbahn (71) verbundene erste leitende Strukturen und zwei mittels einer zweiten Leiterbahn (72) verbundene zweite leitende Strukturen ausgebildet sind,

– wobei die zweite Leiterbahn (72) sich mit der ersten Leiterbahn (71) kreuzt, und wobei zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn (71, 72) eine isolierende Schicht angeordnet ist.
Bauelement nach Anspruch 3, wobei die Metallschicht (31) auf dem ersten Substrat (1) angeordnet ist, wobei das erste Substrat piezoelektrische Eigenschaften aufweist. Bauelement nach Anspruch 3 oder 4,

– wobei das Schichtsystem (3) eine dielektrische Schicht (32) umfasst,

– wobei die Metallschicht (31) zwischen dem ersten Substrat (1) und der dielektrischen Schicht (32) angeordnet ist.
Bauelement nach Anspruch 5, wobei die isolierende Schicht in der dielektrischen Schicht (32) ausgebildet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 6, wobei die erste Leiterbahn (71) in der Metallschicht (31) ausgebildet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei die zweite Leiterbahn (72) zumindest teilweise außerhalb der Metallschicht (31) ausgebildet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 8, wobei die zweiten leitenden Strukturen höher als die ersten leitenden Strukturen sind. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 9, wobei die ersten und/oder zweiten leitenden Strukturen ausgewählt sind aus elektroakustisch aktiven Bauelementstrukturen, Verbindungsleitungen und Kontaktflächen (411, 412). Bauelement nach Anspruch 10, wobei die Kontaktflächen (411, 412) durch das zweite Substrat (2) hindurch kontaktiert sind. Bauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die zweite Leiterbahn (72) zumindest teilweise in einer im zweiten Substrat (2) ausgebildeten Vertiefung (20) angeordnet ist. Bauelement nach Anspruch 12, wobei in der Vertiefung (20) zumindest zwei Durchkontaktierungen (320, 321) ausgebildet sind. Bauelement nach Anspruch 13, wobei die zweite Leiterbahn (72) die Durchkontaktierungen leitend verbindet. Bauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei die zweite Leiterbahn (72) zumindest teilweise auf der Oberfläche des zweiten Substrats (2) angeordnet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 15, wobei die zweite Leiterbahn (72) zumindest teilweise auf der dielektrischen Schicht (32) angeordnet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei die zweite Leiterbahn (72) zumindest teilweise auf der Rückseite des ersten Substrats (1) angeordnet ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 9 bis 17, wobei die zweiten leitenden Strukturen neben der Metallschicht (31) mindestens eine auf dieser angeordnete weitere leitende Schicht umfassen. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 18, wobei die akustische Geschwindigkeit im Schichtsystem kleiner ist als in den Substraten (1, 2). Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 19, wobei die Metallschicht (31) mindestens eine leitende Schicht umfasst, deren akustische Impedanz mindestens die doppelte akustische Impedanz der dielektrischen Schicht beträgt. Bauelement nach Anspruch 20, wobei die Metallschicht (31) mindestens eine Teilschicht mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit umfasst. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 21, wobei die zweite Leiterbahn zumindest teilweise offen liegt. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 22, wobei zumindest ein offen liegender Teil der zweiten Leiterbahn passiviert ist. Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 23, wobei die Rückseite des ersten Substrats (1) eine Metallisierung (5) aufweist. Bauelement nach Anspruch 24, wobei die Metallisierung (5) auch Stoßkanten des Schichtsystems (3) und der Substrate (1, 2) bedeckt. Bauelement nach Anspruch 25, wobei die Stoßkanten abgeschrägt sind. Mit geführten akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement,

– mit einem zur Führung von akustischen Wellen geeigneten Schichtaufbau,

– mit einer Induktivität, die mindestens eine Windung umfasst, wobei die Windungsebene quer zu den Schichten des Schichtaufbaus liegt.
Bauelement nach Anspruch 27, wobei die mindestens eine Windung der Induktivität gebildet ist mittels in verschiedenen Metalllagen angeordneten Leiterbahnen (71, 72) und diese verbindenden Durchkontaktierungen. Bauelement nach Anspruch 28, wobei mindestens eine der Leiterbahnen (71, 72) der Induktivitätswindung in einer Metalllage ausgebildet ist, in der elektroakustisch aktive Bauelementstrukturen (42, 421, 422, 423) ausgebildet sind. Bauelement nach Anspruch 28 oder 29, mit einem Trägersubstrat (2), wobei mindestens eine der Leiterbahnen (71, 72) der Induktivitätswindung auf der Oberfläche des Trägersubstrats (2) ausgebildet ist. Bauelement nach Anspruch 28 oder 29, mit einem Trägersubstrat (2), einem piezoelektrischen Substrat (1) und einem zwischen diesen angeordneten Schichtsystem (3), das eine dielektrische Schicht (32) umfasst, wobei im Trägersubstrat (2) eine Vertiefung ausgebildet ist, wobei mindestens eine der Leiterbahnen (71, 72) der Induktivitätswindung auf einer in dieser Vertiefung freigelegten dielektrischen Schicht (32) angeordnet ist.






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