PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102006054087A1 24.05.2007
Titel Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats und Verfahren zum Trennen des Gleichen
Anmelder Denso Corp., Kariya, Aichi, JP
Erfinder Sugiura, Kazuhiko, Kariya, Aichi, JP;
Yokoyama, Kenichi, Kariya, Aichi, JP;
Tamura, Muneo, Kariya, Aichi, JP;
Fujii, Tetsuo, Kariya, Aichi, JP;
Asai, Makoto, Kariya, Aichi, JP
Vertreter WINTER, BRANDL, FÜRNISS, HÜBNER, RÖSS, KAISER, POLTE, Partnerschaft, 85354 Freising
DE-Anmeldedatum 16.11.2006
DE-Aktenzeichen 102006054087
Offenlegungstag 24.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/301(2006.01)A, F, I, 20061116, B, H, DE
IPC-Nebenklasse B23K 26/40(2006.01)A, L, I, 20061116, B, H, DE   
Zusammenfassung Eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats beinhaltet ein Schneidelement zum Schneiden des Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, ein Adsorptionselement zum Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft und ein Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität und zum Steuern der statischen Elektrizität, um die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats und ein Verfahren zum Trennen des Gleichen.

In den letzten Jahren sind in einem Würfelungsverfahren zum Trennen eines Siliziumwafers (hier im weiteren Verlauf als Wafer bezeichnet), der eine integrierte Halbleiterschaltung und MEMS bzw. mikroelektromechanische Systeme ausbildet, in jeweilige Halbleiterchips eine Betrachtung und Erforschung eines Würfelungsverfahrens (Laserwürfelns) unter Verwendung eines Laserstrahls fortgeschritten. Zum Beispiel ist ein Verarbeitungsverfahren des Wafers unter Verwendung eines Lasers in der JP-A-2002-192367 offenbart. Die 9A und 9B zeigen erläuternde Ansichten des Würfelungsverfahrens unter Verwendung des Laserstrahls. 9A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Umformungsbereich-Ausbildungsverfahrens unter Verwendung eines Abstrahlens des Laserstrahls. 9B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Teilschneideverfahrens.

Wie es in 9A gezeigt ist, weist ein Laserkopf H zum Abstrahlen des Laserstrahls L eine Sammellinse CV zum Bündeln des Laserstrahls L auf und kann den Laserstrahl L an einer vorbestimmten Brennweite bündeln. In dem Umformungsbereich-Ausbildungsverfahren wird der Laserkopf H entlang einer Teilschneide-Einteilungslinie DL (in der Richtung dieser Seite in den 9A und 9B) zum teilweisen Schneiden des Wafers W in einem Laserstrahl-Bestrahlungszustand bewegt, der derart festgelegt ist, dass ein Bündelungspunkt P des Laserstrahls L in einer Position einer Tiefe d von einer Substratfläche des Wafers W ausgebildet wird. Der Laserstrahl L wird von der Substratfläche des Wafers W abgestrahlt. Daher wird ein Umformungsbereich K unter Verwendung einer Multiphotonen-Absorption in einem Pfad einer Tiefe d ausgebildet, in welcher der Bündelungspunkt P des Laserstrahls L abgetastet wird. Wenn eine Fremdsubstanz an der Teilschneide-Einteilungslinie DL angebracht ist, wird das Abstrahlen des Laserstrahls L behindert. Deshalb ist es erforderlich, die Fremdsubstanz zu beseitigen.

Hierbei ist die Multiphotonen-Absorption, das eine Substanz mehrere Photonen der gleichen Art oder von unterschiedlichen Arten absorbiert. Ein Phänomen, das optische Beschädigung bezeichnet wird, wird durch die Multiphotonen-Absorption an dem Bündelungspunkt P des Halbleitersubstrats W und seiner Nähe erzeugt. Daher wird eine thermische Spannung induziert und wird ein Riss in diesem Bereich erzeugt. Eine Schicht, die durch Erfassen dieser Risse aufgebaut ist, das heißt der Umformungsbereich K, wird ausgebildet.

Wenn der Laserstrahl L eine Pulswelle ist, wird eine Intensität des Laserstrahls L durch eine Spitzenleistungsdichte (W/cm2) des Bündelungspunkts P bestimmt. Zum Beispiel wird die Multiphotonen-Absorption in einem Zustand erzeugt, in welchem die Spitzenleistungsdichte 1 × 108 (W/cm2) oder mehr und die Pulsbreite 1 &mgr;s oder weniger ist. Zum Beispiel wird ein Laserstrahl, der einen YAG- bzw. Yttrium-Aluminium-Granat-Laser verwendet, als der Laserstrahl L verwendet. Zum Beispiel ist die Wellenlänge dieses Laserstrahls L eine Wellenlänge von 1064 nm in einem Bereich von infraroten Licht.

Nachfolgend wird, wie es in 9B gezeigt, eine Beanspruchung in einer Richtung auf gleicher Ebene (Richtung, die durch Pfeile F2 und F3 in dieser Figur gezeigt ist) des Halbleitersubstrats W ausgeübt. Daher wird ein Riss C in der Substratrichtung mit dem Umformungsbereich K als einen Startpunkt entwickelt und wird das Halbleitersubstrat W entlang der Teilschneide-Einteilungslinie DL in Teile geschnitten. Zu dieser Teilschneidezeit wird ein Abschnitt des Halbleitersubstrats W in Chips geteilt und wird eine Verunreinigung erzeugt. Wenn diese Verunreinigung an der Substratfläche angebracht ist, gibt es eine Gefahr, dass diese Verunreinigung einen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufweist. Deshalb ist es erforderlich, diese Verunreinigung zu beseitigen.

Als ein Verfahren zum Beseitigen einer Anhaftungssubstanz, wie zum Beispiel einer Verunreinigung, einer Fremdsubstanz usw., die zuvor erwähnt worden ist, sind ein Verfahren zum Beseitigen der Anhaftungssubstanz durch Absaugen und ein Verfahren zum Wegblasen der Anhaftungssubstanz durch Luftreinigers in zum Beispiel der JP-A-2003-10986 und der JP-A-2003-10992 offenbart.

Jedoch gibt es bei dem Beseitigen unter Verwendung eines Absaugens ein Problem einer Gefahr, dass die Anhaftungssubstanz in einem breiteren Bereich entlang des Halbleitersubstrats zu einer Absaugungszeit bewegt wird, und weist einen schlechten Einfluss, wie zum Beispiel eine Beschädigung eines Produkts usw., auf. Es gibt ebenso ein Problem, dass die Anhaftungssubstanz in lediglich einem schmalen Bereich in der Nähe eines Absaugungsabschnitts beseitigt werden kann, und der Beseitigungswirkungsgrad ist schlecht. Weiterhin gibt es bei dem Luftreinigen ein Problem einer Gefahr, dass die Anhaftungssubstanz in einem breiten Bereich entlang des Halbleitersubstrats bewegt wird und einen schlechten Einfluss, wie zum Beispiel eine Beschädigung eines Produkts usw., aufweist.

Weiterhin ist eine Herstellungsvorrichtung eines Halbleiterchips früher beim Herstellen eines Halbleiterchips verwendet worden. In dieser Herstellungsvorrichtung wird bezüglich des Halbleitersubstrats eines Zustands, der auf einer Teil-Einteilungslinie geteilt ist und auf einer Lage befestigt ist, diese Lage ausgedehnt und vergrößert und wird das Halbleitersubstrat durch Ausüben einer Beanspruchung in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats in Halbleiterchips geteilt. Die 16A und 16B zeigen ein Beispiel einer früheren Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips. 16A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands, in welchem das Halbleitersubstrat an der Lage haftet und ein Außenumfangsabschnitt der Lage in einem Rahmen gehalten wird. 16B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum Teilen des Halbleitersubstrats in Halbleiterchips unter Verwendung einer Druckvorrichtung.

Wie es in 16A gezeigt ist, haftet die Substratfläche einer hinteren Fläche des Halbleitersubstrats, das heißt der Halbleiterwafer W, der durch einen Halbleiter aus Silizium usw. aufgebaut ist, an der Lage S, die durch Harz hergestellt ist und weist eine Zugeigenschaft in einem Zustand auf, in welchem ein Laserwürfeln usw. durchgeführt werden. Ein Außenumfangsabschnitt der Lage S wird von einem Rahmen F einer ringförmigen Form gehalten.

Wie es in 16B gezeigt ist, wird das Halbleitersubstrat W gedrückt, um von der Hinterseite der Lage S unter Verwendung einer Druckvorrichtung PD, die unter dem Halbleitersubstrat W angeordnet ist, hochgedrückt zu werden, um in die Vertikalrichtung durch eine nicht dargestellte Bewegungseinrichtung bewegt zu werden. Daher wird die Lage S in der ebenen Richtung (den Richtungen von Pfeilen F11 und F12 in 16B) ausgedehnt. Daher wird eine Beanspruchung auf das Halbleitersubstrat W, das an der Lage S haftet, in der ebenen Richtung ausgeübt. Deshalb wird das Halbleitersubstrat W in mehrere Halbleiterchips C geteilt. Die vorhergehende Vorrichtung ist in der JP-A-2004-334675 offenbart.

Jedoch wird in der früheren Halbleitervorrichtung des Halbleiterchips die Lage S in einem Zustand ausgedehnt, in welchem der Außenumfang der Lage S gehalten wird. Deshalb neigt die Ausdehnung der Lage S dazu, zu seinem Außenumfangsabschnitt groß zu werden, und neigt die Ausdehnung der Lage S dazu, in seinem Mittenabschnitt klein zu werden. Das heißt, das Halbleitersubstrat W wird in der Nähe des Außenumfangs zweckmäßig geteilt, aber kein Halbleitersubstrat W wird einfach in der Nähe der Mitte geteilt. Deshalb besteht darin ein Problem, dass eine Ausbeute des Halbleiterchips C verringert ist.

Weiterhin ist es bevorzugt, die Lage S gleichmäßig auszudehnen, um eine Ausbeute zum Erzielen des Halbleiterchips C durch Teilschneiden des Halbleitersubstrats W zu verbessern. Jedoch wird in der früheren Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats die Lage S in einem Haltezustand des Außenumfangs der Lage S ausgedehnt. Deshalb neigt die Ausdehnung der Lage S dazu, zu seinen Außenumfangsabschnitt groß zu werden und neigt dazu, in seinem Mittenabschnitt klein zu werden. Das heißt, das Halbleitersubstrat W wird in der Nähe des Außenumfangs zweckmäßig geteilt, wird aber nicht einfach in der Nähe der Mitte geteilt. Deshalb besteht darin ein Problem, dass eine Ausbeute des Halbleiterchips C verringert ist.

Im Hinblick auf das zuvor beschriebene Problem ist es eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats zu schaffen. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats zu schaffen.

Diese Aufgaben werden mit den in den Ansprüchen 1, 14, 15, 26, 31 und 40 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Schneidelement zum Schneiden des Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat; ein Adsorptionselement zum Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft; und ein Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität und zum Steuern der statischen Elektrizität, um die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.

In der vorhergehenden Vorrichtung ist es möglich, eine Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, die Anhaftungssubstanz, die auf der Substratseite des Halbleitersubstrats haftet, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt wirksam zu beseitigen.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Schneiden des Halbleitersubstrats in mehrere Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat; ein Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft; und ein Steuern von statischer Elektrizität, um die Verunreinigung zu adsorbieren und die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.

In dem vorhergehenden Verfahren ist es möglich, ein Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats zu realisieren, das im Stande ist, die Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt wirksam zu beseitigen.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegendenden Offenbarung wird eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Das Halbleitersubstrat beinhaltet einen Bereich, der im Stande ist, eine Beanspruchung zum Trennen des Halbleitersubstrats zu verringern, und der Bereich ist entlang der Schneidelinie angeordnet. Die Vorrichtung beinhaltet ein Halteelement zum Halten eines Teils des Halbleitersubstrats, wobei das Teil einem der Chips entspricht und von der Scheidelinie umgeben ist; und ein Kraftausübungselement zum Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleitersubstrats durch das Halteelement, um den einen der Chips von dem Halbleitersubstrat zu trennen.

In der vorhergehenden Vorrichtung ist es möglich, eine Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Vorbereiten des Halbleitersubstrats, das erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei eine Mehrzahl von Halbleiterelementen auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist; ein Schneiden des Halbleitersubstrats in mehrere Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, wobei jeder Chips mindestens ein Halbleiterelement beinhaltet; ein Ausbilden eines Bereichs zum Verringern einer Beanspruchung, um das Halbleitersubstrat zu trennen, wobei der Bereich entlang der Schneidelinie angeordnet ist; ein Anbringen eines Halteelementes auf ein Teil des Halbleitersubstrats, wobei das Teil einem der Chips entspricht und von der Schneidelinie umgeben ist; und ein Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleitersubstrats durch das Halteelement, um den einen der Chips von dem Halbleitersubstrat zu trennen.

In dem vorhergehenden Verfahren ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat eine Lage zum Befestigen des Halbeitersubstrats darauf; einen Rahmen zum Halten eines Umfangs der Lage; und ein Druckelement zum lokalen Drücken der Lage von einer Seite der Lage, die dem Halbleitersubstrat gegenüberliegt. Die Lage wird derart ausgedehnt, dass das Halbleitersubstrat in die Chips getrennt wird, wenn das Druckelement die Lage drückt.

In der vorhergehenden Vorrichtung ist es möglich, die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Das Verfahren beinhaltet ein Befestigen des Halbleitersubstrats an einer Lage; ein Halten eines Umfangs der Lage mit einem Rahmen; und ein derartiges lokales Drücken der Lage von einer Seite der Lage, die dem Halbleitersubstrat gegenüberliegt, dass die Lage ausgedehnt wird und das Halbleitersubstrat in die Chips getrennt wird.

In dem vorhergehenden Verfahren ist es möglich, das Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.

Es zeigen:

1A eine Draufsicht eines Wafers;

1B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang einer Linie IB-IB in 1A;

2 eine schematische Querschnittsansicht einer Würfelungsvorrichtung zum Strahlen eines Laserstrahls auf ein Halbleitersubstrat;

3A eine Querschnittsansicht einer Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung;

3B eine Querschnittsansicht einer Anhaftungssubstanz-Sammeleinrichtung in der Vorrichtung;

4A eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Anhaften einer Verunreinigung auf einem Anhaftungsteil;

4B eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Sammeln der Verunreinigung, die von dem Substrat beseitigt wird;

5 eine Querschnittsansicht eines Verfahren zum Beseitigen der Verunreinigung unter Verwendung von zwei Adsorptionsteilen, die miteinander gestapelt sind;

6 eine Querschnittsansicht eines Verfahren zum Beseitigen einer Fremdsubstanz unter Verwendung eines Gitteradsorptionsteils;

7 eine Querschnittsansicht eines Adsorptionsteils, das an einen Laserkopf angrenzt;

8 eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Ausbilden eines Umformungsbereichs unter Verwendung eines Adsorptionsteils in einem Fall, in dem ein Laserkopf befestigt ist und ein Halbleitersubstrat in einer horizontalen Richtung bewegt wird;

9A eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Ausbilden eines Umformungsbereichs unter Verwendung eines Laserstrahls;

9B eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Teilen eines Halbleiterwafers;

10A eine Draufsicht eines Halbleiterwafers;

10B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang einer Linie XB-XB in 10A;

11 eine Querschnittsansicht eines Verfahrens zum Ausbilden eines Umformungsbereichs unter Verwendung eines Laserstrahls;

12A und 12B Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen eines Halbleiterwafers in mehrere Chips;

13A und 13B Querschnittsansichten zum Erläutern eines anderen Verfahrens zum Trennen eines Halbleiterwafers in mehrere Chips;

14A und 14B Querschnittsansichten zum Erläutern noch eines weiteren Verfahrens zum Trennen eines Halbleiterwafers in mehrere Chips;

15A bis 15C Querschnittsansichten eines weiteren Verfahrens zum Trennen eines Halbleiterwafers in mehrere Chips;

16A und 16B Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahren zum Trennen eines Halbleiterwafers in mehrere Chips im Stand der Technik;

17A eine Draufsicht eines Halbleiterwafers;

17B eine Querschnittsansicht des Wafers entlang einer Linie XVIIB-XVIIB in 17A;

18 eine Querschnittsansicht einer Würfelungsvorrichtung unter Verwendung eines Laserstrahls;

19A eine Draufsicht einer Druckvorrichtung;

19B eine Querschnittsansicht der Vorrichtung entlang einer Linie XIXB-XIXB in 19A;

20A und 20B Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen des Wafers unter Verwendung der Druckvorrichtung in den 19A und 19B;

21A eine Draufsicht einer anderen Druckvorrichtung;

21B eine Querschnittsansicht der Vorrichtung entlang einer Linie XXIB-XXIB in 21A;

22A und 22B Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen des Wafers unter Verwendung der Druckvorrichtung in den 21A und 21B;

23A bis 23B Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen eines Wafers unter Verwendung einer anderen Druckvorrichtung;

24A bis 24D Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen eines Wafers unter Verwendung noch einer anderen Druckvorrichtung; und

25A bis 25D Querschnittsansichten zum Erläutern eines Verfahrens zum Trennen eines Wafers unter Verwendung einer anderen Druckvorrichtung.

Nachstehend folgt die Beschreibung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein erstes Ausführungsbeispiel einer Teilschneidevorrichtung und eines Teilschneideverfahrens eines Halbleitersubstrats werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 1A und 1B zeigen typische Ansichten, die ein Aufbaubeispiel des Halbleitersubstrats zeigen, das durch die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats teilweise geschnitten wird. 1A zeigt eine erläuternde Draufsicht der Oberfläche eines Wafers. 1B zeigt eine vergrößerte Schnittansicht, die von einem Pfeil IB-IB von 1A zu sehen ist. 2 zeigt eine erläuternde Ansicht der Teilschneidevorrichtung zum Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat. Die 3A und 3B zeigen erläuternde Ansichten einer Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung. 3A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum Beseitigen einer Verunreinigung, die an einer Substratfläche haftet, unter Verwendung der Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung. 3B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum Sammeln der Verunreinigung, die von der Substratfläche beseitigt wird.

In jeder dieser Figuren ist ein Abschnitt für die Erläuterung vergrößert und übertrieben gezeigt.

Ein Wafer 20 wird vorbereitet, wie es in 1A gezeigt ist. Ein Halbleitersubstrat 21 einer dünnen Scheibenform, die aus Silizium aufgebaut ist, ist in dem Wafer 20 angeordnet. Eine Ausrichtungsfläche, die eine Kristallausrichtung zeigt, ist in einem Abschnitt des Außenumfangs des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet. Mehrere Chips 22, die über ein Diffusionsverfahren usw. ausgebildet sind, sind wie in einem Schachbrettmuster auf einer Substratfläche 21a dieses Halbleitersubstrats 21 aufgereiht und angeordnet. Diese Chips 22 werden durch ein Würfelungsverfahren jeweils entlang einer Teilschneide-Einteilungslinie DL (das heißt einer Würfelungslinie oder Schneidelinie) teilweise geschnitten und werden dann als verkapselte IC und LSI über jeweilige Verfahren eines Montageverfahrens, eines Kontaktierungsverfahrens, eines Verkapselungsverfahrens usw. fertig gestellt. In diesem Ausführungsbeispiel kann eine Siliziumschicht als ein Trägersubstrat des Chips 22 in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet werden.

Wie es in 1B gezeigt ist, ist ein Fasenabschnitt 21b, desen Außenumfang abgefasst ist, in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet, um ein Splittern auf einem Außenumfangskantenabschnitt M zu verhindern.

Wie es in 2 gezeigt ist, ist ein Laserkopf H zum Abstrahlen eines Laserstrahls L in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats 21 angeordnet. Der Laserkopf H weist eine Sammellinse CV zum Sammeln des Laserstrahls L auf und kann den Laserstrahl L an einer vorbestimmten Brennweite bündeln. Hierbei wird ein Brennpunkt P (das heißt ein Bündelungspunkt) des Laserstrahls L derart festgelegt, dass er an einer Position einer Tiefe d von der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet ist.

Eine der Teilschneide-Einteilungslinien DL, die in 1A gezeigt sind, wird von dem Laserstrahl für eine Wafererfassung zuerst abgetastet, um eine Umformungsschicht K innerhalb des Halbleitersubstrats 21 auszubilden. Dann wird ein Außenumfangsendabschnitt 21c, der in 1B gezeigt ist, erfasst und wird ein Abtastbereich des Laserstrahls L eingestellt.

Nachfolgend wird, wie es in 2 gezeigt ist, der Laserkopf H entlang der Teilschneide-Einteilungslinie DL (der Richtung eines Pfeils F4 in dieser Figur) abgetastet und wird der Laserstrahl L von der Substratfläche 21a abgestrahlt. Daher wird ein Umformungsbereich K zweckmäßig in einem Pfad einer Tiefe d ausgebildet, in welcher der Brennpunkt P des Laserstrahls L abgetastet wird.

Hierbei können Umformungsbereiche K einer beliebigen Schichtanzahl an einer beliebigen Tiefe innerhalb eines Dickenbereichs des Halbleitersubstrats 21 durch Einstellen der Tiefe d des Brennpunkte P des Laserstrahls L ausgebildet werden. Zum Beispiel wird, wenn die Dicke verhältnismäßig dick ist, der Brennpunkt P in seiner Dickenrichtung bewegt und wird der Umformungsbereich K in einer kontinuierlichen Form in der Dickenrichtung oder mehreren Abschnitten ausgebildet, so dass das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden kann.

Nachfolgend wird ähnlich dem Stand der Technik, der in 9B gezeigt ist, ein Riss in der Substratdickenrichtung mit dem Umformungsbereich K als einen Startpunkt durch Ausüben einer Beanspruchung bzw. Spannung in einer Richtung einer gleichen Ebene des Halbleitersubstrats 21 entwickelt. Dann kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise entlang der Teilschneide-Einteilungslinie DL (Teilschneideverfahren) geschnitten werden.

Nachfolgend wird, wie es in 3A gezeigt ist, eine Verunreinigung 61, die von dem Halbleitersubstrat 21 in der Nähe der Teilschneide-Ablauflinie DL erzeugt wird und an die Substratfläche 21a haftet, unter Verwendung einer Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung 40 beseitigt. Die Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung 40 weist ein Adsorptionsteil 41 zum Adsorbieren der Verunreinigung 61 durch eine elektrostatische Kraft und einen elektrostatischen Generator 42 auf, der elektrostatisch mit dem Adsorptionsteil 41 verbunden ist. Der elektrostatische Generator 42 induziert statische Elektrizität in das Adsorptionsteil 41 durch Anlegen einer Spannung an das Adsorptionsteil 41 und erzeugt eine elektrostatische Kraft.

Das Adsorptionsteil 41 ist in einer Plattenform unter Verwendung eines Teils ausgebildet, das eine elektrisch leitende Eigenschaft aufweist, zum Beispiel eine metallische dünne Platte, metallische Gitter, elektrisch leitendes Harz usw. Das Adsorptionsteil 41 liegt der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 gegenüber und ist mit einer Abmessung zum Bedecken der gesamten Substratfläche 21a ausgebildet und eine Fläche, die dem Halbleitersubstrat 21 gegenüberliegt, ist auf eine Fläche zum Adsorbieren einer Anhaftungssubstanz festgelegt.

Zuerst wird das Adsorptionsteil 41 in einem oberen Abschnitt angeordnet, der um einen vorbestimmten Abstand von der Substratfläche 21a des teilweise geschnittenen Halbleitersubstrats 21 getrennt ist.

Als Nächstes wird eine Spannung durch den elektrostatischen Generator 42 an das Adsorptionsteil 41 angelegt und wird eine statische Elektrizität in das Adsorptionsteil 41 induziert, so dass eine elektrostatische Kraft erzeugt wird (Verfahren zum Erzeugen von statischer Elektrizität). Daher wird die Verunreinigung 61, die an der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 haftet, durch die elektrische statische Kraft nach oben gezogen und wird an dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert und wird von der Substratsfläche 21a beseitigt (Adsorptionsverfahren).

Nachfolgend wird, wie es in 3B gezeigt wird, in einem Zustand, in welchem die Verunreinigung 61 an dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert wird, das Adsorptionsteil 41 durch einen nicht dargestellten Bewegungsmechanismus von einem oberen Abschnitt des Halbleitersubstrats 21 zu einem oberen Abschnitt eines Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 gezogen. Die elektrostatische Kraft des Adsorptionsteils 41 wird dann durch Lösen des Anlegens der Spannung an das Adsorptionsteil 41 beseitigt und die Verunreinigung 61 wird in dem Anhaftungssubstanz-Sammelteil 43 fallen gelassen und gesammelt.

Hierbei wird, wenn die Spannung einer Polarität, die umgekehrt zu der der Spannung ist, die zu einer Adsorptionszeit angelegt wird, an das Adsorptionsteil 41 angelegt wird, die Verunreinigung 61, die elektrisch geladen ist, bezüglich des Adsorptionsteils 41 umgepulst. Deshalb kann die Verunreinigung 61 weiter wirksam gesammelt werden. Weiterhin kann die Verunreinigung 61, die in dem Adsorptionsteil 41 bleibt, ebenso durch Absaugen beseitigt werden. Weiterhin kann eine Haftfläche einer Haftlage gegen das Adsorptionsteil 41 gedrückt werden und kann die Verunreinigung 61 an der Haftlage haften und ebenso beseitigt werden.

Weiterhin kann die Verunreinigung 61 ebenso von dem Adsorptionsteil 41 durch Aufbauen des Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 durch ein Adsorptionsteil zum Adsorbieren der Verunreinigung 61 durch eine elektrostatische Kraft und Erzeugen einer elektrostatischen Kraft durch einen nicht dargestellten elektrostatischen Generator von dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert und beseitigt werden.

In diesem Ausführungsbeispiel ist das Laserwürfelungsverfahren zum Abstrahlen des Laserstrahls von der Substratfläche und Ausbilden des Umformungsbereichs innerhalb des Halbleitersubstrats als ein Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats dargestellt. Alternativ kann zum Beispiel, nachdem eine Einkerbung in dem Halbleitersubstrat durch eine Diamantklinge ausgebildet ist, die Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels ebenso an einer Teilschneidevorrichtung zum teilweisen Schneiden eines Halbleitersubstrats durch Ausüben einer Beanspruchung angewendet werden. Weiterhin kann die Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung, nachdem die Einkerbung in dem Halbleitersubstrat durch die Diamantklinge ausgebildet ist, ebenso an einer Teilschneidevorrichtung zum teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats durch Durchführen eines Laserwürfelns und eines Ausübens einer Beanspruchung angewendet werden.

Der Effekt der vorhergehenden Teilvorrichtung 1 ist wie folgt.

  • (1) Gemäß der Teilschneidevorrichtung 1 und des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats 21 in dem ersten Ausführungsbeispiel ist die Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung 40, die das Adsorptionsteils 41 und den elektrostatischen Generator 42 aufweist, angeordnet. Das Adsorptionsteil 41 adsorbiert eine Verunreinigung 61, die an der Substratfläche 21a des Halbeitersubstrats 21 haftet, durch eine elektrostatische Kraft. Der elektrostatische Generator 42 induziert statische Elektrizität in dieses Adsorptionsteil 41 und steuert die Höhe einer elektrostatischen Kraft. Deshalb kann eine Verunreinigung 61, die an der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 haftet, ohne Bewegen der Verunreinigung 61 in einem breiten Bereich wirksam beseitigt werden.

Demgemäß ist es möglich, die Teilschneidevorrichtung 1 und das Teilschneideverfahren eines Halbleitersubstrats 21 zu realisieren, die im Stande sind, wirksam die Verunreinigung 61, die an der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 haftet, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufzuweisen, zu beseitigen.

  • (2) Da das Anhaftungssubstanz-Sammelteil 43 zum Trennen einer Verunreinigung 61, die von dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert wird, von dem Adsorptionsteil 41 angeordnet ist, kann die Oberfläche des Adsorptionsteils 41 gereinigt werden und wird keine Adsorptionskraft verringert. Weiterhin ist es möglich, zuverlässig zu verhindern, dass die gesammelte Verunreinigung 61 erneut an der Substratfläche 21a haftet und kann eine Verunreinigung 61 wirksam gesammelt werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein zweites Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung und des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert.

Die 4A und 4B zeigen erläuternde Ansichten eines Aufbaus zum Beseitigen einer Verunreinigung 61 unter Verwendung eines Haftteils. 4A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum Anhaften einer Verunreinigung 61, die von der Substratfläche 21a beseitigt wird, an dem Haftteil. 4B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum Sammeln einer Verunreinigung 61, die von der Substratfläche 21a beseitigt ist.

Wie es in 4A gezeigt ist, ist ein Haftteil 44, das durch ein Material zum Abschirmen keiner elektrostatischen Kraft ausgebildet ist, zuerst zwischen dem Adsorptionsteil 41 und der Substratfläche 21a angeordnet. Das Haftteil 44 weist eine Haftschicht 44a zum Anhaften der Verunreinigung 61 auf einer Fläche der Seite der Substratfläche 21 auf und ist in einer Form zum Bedecken einer gesamten Fläche des Adsorptionsteils 41 ausgebildet.

Als Nächstes wird ähnlich dem ersten Ausführungsbeispiel eine elektrostatische Kraft in dem Adsorptionsteil 41 durch den elektrostatischen Generator 42 erzeugt und wird die Verunreinigung 61 nach oben gezogen. Zu dieser Zeit kollidiert, da das Haftteil 44 zwischen dem Adsorptionsteil 41 und der Substratfläche 21a angeordnet ist, die Verunreinigung 61 mit der Haftschicht 44a und haftet.

Nachfolgend wird, wie es in 4B gezeigt ist, in einem Zustand, in welchem eine Verunreinigung 61 an dem Haftteil 44 haftet, lediglich das Haftteil 44 von einer Fläche der Seite der Substratfläche 21a der Adsorptionseinrichtung 41 bewegt und wird gesammelt. Nachdem das Haftteil 44 eingesammelt hat, wird ein neues Haftteil 44 zwischen dem Adsorptionsteil 41 und der Substratfläche 21a angeordnet. Daher wird ein neues Halbleitersubstrat 21 ohne ein Bewegen des Adsorptionsteils 41 teilweise geschnitten und kann die Verunreinigung 61 beseitigt werden. Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Da das Haftteil 44, das die Haftschicht 44a zum Einfangen der Verunreinigung 61 auf ihrer unteren Fläche aufweist, angeordnet ist, um einen unteren Abschnitt des Adsorptionsteils 41 zu bedecken, haftet die adsorbierte Verunreinigung 61 an dem Haftteil 44 und kann durch ledigliches Beseitigen des Haftteils 44 gesammelt werden, so dass die Verunreinigung 61 wirksam beseitigt werden kann.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dritten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein drittes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung und des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. 5 zeigt eine erläuternde Ansicht eines Aufbaus zum Beseitigen der Verunreinigung 61 unter Verwendung von zwei geschichteten Adsorptionsteilen.

Wie es in 5 gezeigt ist, wird zuerst ein zweites Adsorptionsteil 45 zwischen dem Adsorptionsteil 41 und der Substratfläche 21a angeordnet. Das zweite Adsorptionsteil 45 ist ein gitterförmiges Teil, das eine elektrisch leitende Eigenschaft aufweist und in einer Form zum Bedecken der gesamten Fläche des Adsorptionsteils 41 ausgebildet ist, und ist elektrisch mit einem zweiten elektrostatischen Generator 46 verbunden.

Als Nächstes wird eine Spannung, die durch den zweiten elektrostatischen Generator 46 an das zweite Adsorptionsteil 45 angelegt wird, eingestellt, um höher als die Spannung zu sein, die von dem elektrostatischen Generator 42 an das Adsorptionsteil 41 angelegt wird. Eine elektrostatische Kraft, die das Adsorptionsteil 45 verwendet, wird gesteuert, um größer als die elektrische Kraft zu werden, die das Adsorptionsteil 41 verwendet. Zu dieser Zeit wird eine verhältnismäßig große Verunreinigung 41 durch das zweite Adsorptionsteil 45 adsorbiert und wird die Verunreinigung 61, die durch Gitter des zweiten Adsorptionsteils 45 geht, an dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert.

Nachfolgend werden in einem Adsorptionszustand der Verunreinigung 61 das Adsorptionsteil 41 und das zweite Adsorptionsteil 45 von einem oberen Abschnitt des Halbleitersubstrats 21 zu einem oberen Abschnitt des Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 bewegt (3B). Die Verunreinigung 61 wird dann von dem Adsorptionsteil 41 und dem zweiten Adsorptionsteil 45 fallen gelassen und wird durch Lösen des Anlegens der Spannung unter Verwendung des elektrostatischen Generators 42 und des zweiten elektrostatischen Generators 46 gesammelt.

Hierbei kann die Verunreinigung 61 durch verschiedene Verfahren durch Steuern des Anlegens der Spannung unter Verwendung des elektrostatischen Generators 42 und des zweiten elektrostatischen Generators 46 gesammelt werden.

Zum Beispiel kann, nachdem eine verhältnismäßig große Verunreinigung 61 durch Lösen des Anlegens der Spannung unter Verwendung des zweiten elektrostatischen Generators 46 gesammelt worden ist, eine kleine Verunreinigung 61 durch Lösen des Anlegens der Spannung unter Verwendung des elektrostatischen Generators 42 gesammelt werden. Weiterhin wird das Anlegen der Spannung an das Adsorptionsteil 41 unter Verwendung des elektrostatischen Generators 42 gelöst und wird eine Spannung durch den zweiten elektrostatischen Generator 46 an das zweite Adsorptionsteil 45 angelegt. Daher kann, nachdem die Verunreinigung 61, die an dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert wird, an dem zweiten Adsorptionsteil 45 adsorbiert worden ist, die Verunreinigung 61 ebenso durch Anlegen der Spannung einer Polarität, die umgekehrt zu der der Spannung ist, die an das zweite Adsorptionsteil 45 angelegt wird, beseitigt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Da das zweite Adsorptionsteil 45 ein Teil einer Gitterform ist, kann die Abmessung der Verunreinigung 61 durch das Adsorptionsteil 41 und das zweite Adsorptionsteil 45 unterschieden werden. Weiterhin kann das elektrische Potenzial zwischen dem Adsorptionsteil 41 und dem zweiten Adsorptionsteil 45 durch den elektrostatischen Generator 42 und den zweiten elektrostatischen Generator 46 geändert werden. Deshalb kann die adsorbierte Verunreinigung 61 wirksam von dem Adsorptionsteil 41 und dem zweiten Adsorptionsteil 45 durch Steuern des elektrischen Potenzials zwischen dem Adsorptionsteil 41 und dem zweiten Adsorptionsteil 45 gesammelt werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines vierten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

In den vierten und fünften Ausführungsbeispielen, die nachstehend gezeigt sind, wird die Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats 21 zum Ausführen eines Verfahrens zum Beseitigen einer Fremdsubstanz in einem Umformungsschicht-Ausbildungsverfahren unter Verwendung einer Bestrahlung des Laserstrahls L erläutert.

Ein viertes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung und des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. 6 zeigt eine erläuternde Ansicht eines Aufbaus zum Beseitigen einer Fremdsubstanz unter Verwendung eines Adsorptionsteils einer Gitterform.

Wie es in 6 gezeigt ist, wird ein Adsorptionsteil 49 zum Adsorbieren einer Fremdsubstanz 62, die an der Substratfläche 21a haftet, vor einem Bestrahlen des Laserstrahls L durch eine elektrostatische Kraft zwischen dem Laserkopf H und der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 angeordnet. Das Adsorptionsteil 49 ist ein gitterförmiges Teil, das der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 gegenüberliegt und in einer Form zum Bedecken der gesamten Substratfläche 21a ausgebildet ist und eine elektrisch leitende Eigenschaft aufweist. Das Adsorptionsteil 49 ist elektrisch mit dem elektrostatischen Generator 42 verbunden.

Als Nächstes wird in einem Zustand, in welchem eine Spannung durch den elektrostatischen Generator 42 an das Adsorptionsteil 49 angelegt wird und eine elektrostatische Kraft erzeugt wird, der Laserkopf H entlang der Teilschneide-Einteilungslinie DL abgetastet (die Richtung eines Pfeils F4 in 6). Der Laserstrahl L wird dann von der Substratfläche 21a durch einen Gitterabschnitt des Adsorptionsteils 49 gestrahlt. Daher wird der Umformungsbereich K zweckmäßig in einem Pfad einer Tiefe d ausgebildet, in welcher der Brennpunkt P des Laserstrahls L innerhalb des Halbleitersubstrats 21 abgetastet wird.

Hierbei kann der Umformungsbereich K einer beliebigen Schichtanzahl in einer beliebigen Tiefe innerhalb eines Dickenbereichs des Halbleitersubstrats 21 durch Einstellen der Tiefe d des Brennpunkts P des Laserstrahls L ausgebildet werden. Zum Beispiel kann, wenn die Dicke verhältnismäßig dick ist, das Halbleitersubstrat 21 durch Bewegen des Brennpunkts P in seiner Dickenrichtung und Ausbilden des Umformungsbereichs K in einer kontinuierlichen Form in der Dickenrichtung oder Ausbilden des Umformungsbereichs K in mehreren Abschnitten das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden.

Wie es zuvor erwähnt worden ist, kann, während der Laserstrahl L auf die Substratfläche 21a gestrahlt wird, eine Fremdsubstanz 62, die an der Substratfläche 21a haftet, beseitigt werden. Deshalb kann die Fremdsubstanz 42, die das Bestrahlen des Laserstrahls L behindert, beseitigt werden.

Nachfolgend wird ähnlich dem ersten Ausführungsbeispiels in einem Zustand, in welchem die Fremdsubstanz 62 an dem Adsorptionsteil 41 adsorbiert wird, das Adsorptionsteil 41 von einem oberen Abschnitt des Halbleitersubstrats 21 zu einem oberen Abschnitt des Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 bewegt (3B) und wird das Anlegen der Spannung an das Adsorptionsteil 49 gelöst. Daher wird die Fremdsubstanz 62 von dem Adsorptionsteil 49 beseitigt und kann gesammelt werden.

Weiterhin kann das Haftteil 44 (4A und 4B), das in dem zweiten Ausführungsbeispiel verwendet wird, ebenso zwischen dem Adsorptionsteil 49 und der Substratfläche 21a angeordnet sein. Zu dieser Zeit wird das Haftteil 44 unter Verwendung eines Materials zum Übertragen des Laserstrahls L ausgebildet. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, wird die adsorbierte Fremdsubstanz 62 an dem Haftteil 44 angehaftet und kann durch ledigliches Beseitigen des Haftteils 44 gesammelt werden. Demgemäß kann die Fremdsubstanz 62 wirksam beseitigt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung 1 weist den folgenden Effekt auf.

Während der Laserstrahl L auf die Substratfläche 21a gestrahlt wird, kann die Fremdsubstanz 62, die an der Substratfläche 21a haftet, beseitigt werden. Deshalb kann auch dann, wenn die Fremdsubstanz 62 auf der Teilschneide-Einteilungslinie DL haftet, die Fremdsubstanz 62 beseitigt werden, bevor der Laserstrahl L abgestrahlt wird. Demgemäß kann keine Abstrahlung des Laserstrahls L behindert werden. Weiterhin kann eine Anhaftungssubstanz, die von dem Halbleitersubstrat 21 erzeugt wird, ebenso durch das Abstrahlen des Laserstrahls L beseitigt werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines fünften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein fünftes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung und des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. 7 zeigt eine erläuternde Ansicht eines Aufbaus zum Anordnen des Adsorptionsteils angrenzend an den Laserkopf H.

Wie es in 7 gezeigt ist, ist ein Adsorptionsteil 47 in einer zylindrischen Form ausgebildet, die eine Seitenfläche des Laserkopfs H umgibt, und ist elektrisch mit einem elektrostatischen Generator 48 verbunden. Eine untere Fläche 47a des Adsorptionsteils 47 weist eine Breite des gleichen Grads wie der Durchmesser des Laserkopfs H auf und liegt der Substratfläche 21a gegenüber und ist flach ausgebildet. In einem Zustand, in welchem eine Spannung durch den elektrostatischen Generator 48 an das Adsorptionsteil 47 angelegt wird und eine elektrostatische Kraft erzeugt wird, wird der Laserkopf H entlang der Teilschneide-Einteilungslinie DL abgetastet (die Richtung eines Pfeils F4 in 7) und wird der Laserstrahl L von der Substratfläche 21a abgestrahlt. Das Adsorptionsteil 47 wird zusammen mit dem Laserkopf H bewegt und eine Fremdsubstanz 62, die an der Substratfläche 21a haftet, wird adsorbiert und beseitigt. Deshalb kann auch dann, wenn die Fremdsubstanz 62 auf der Teilschneide-Einteilungslinie DL haftet, die Fremdsubstanz 62 beseitigt werden, bevor der Laserstrahl L abgestrahlt wird. Demgemäß wird der Laserstrahl L zweckmäßig abgestrahlt. Daher wird der Umformungsbereich K zweckmäßig in einem Pfad einer Tiefe ausgebildet, in welcher der Brennpunkt P des Laserstrahls L innerhalb des Halbleitersubstrats 21 abgetastet wird.

Weiterhin kann eine Anhaftungssubstanz, die von dem Halbleitersubstrat 21 erzeugt wird, ebenso durch das Bestrahlen des Laserstrahls L beseitigt werden.

Nachfolgend wird in einem Adsorptionszustand der Fremdsubstanz 62 das Adsorptionsteil 47 von einem oberen Abschnitt des Halbleitersubstrats 21 zu einem oberen Abschnitt des Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 (3B) zusammen mit dem Laserkopf H bewegt und wird das Anlegen der Spannung an das Adsorptionsteil 47 gelöst. Daher wird die Fremdsubstanz 62 von dem Adsorptionsteil 47 beseitigt und kann gesammelt werden.

Hierbei wird, wenn die Spannung einer Polarität, die umgekehrt zu der der Spannung ist, die an das Adsorptionsteil 47 angelegt ist, angelegt wird, die Fremdsubstanz 42, die elektrisch geladen ist, bezüglich des Adsorptionsteils 47 umgepulst werden. Deshalb kann die Fremdsubstanz 62 weiterhin wirksam beseitigt werden. Weiterhin kann die Fremdsubstanz 62, die in dem Adsorptionsteil 47 belassen wird, durch Absaugen beseitigt werden. Weiterhin kann eine Haftfläche einer Haftlage gegen das Adsorptionsteil 47 gedrückt werden und kann die Fremdsubstanz 62 an der Haftlage haften und kann ebenso beseitigt werden.

Weiterhin kann die Fremdsubstanz 62 ebenso durch Aufbauen des Anhaftungssubstanz-Sammelteils 43 durch ein Adsorptionsteil zum Adsorbieren der Fremdsubstanz 62 durch eine elektrostatische Kraft und zum Erzeugen einer elektrostatischen Kraft durch einen nicht dargestellten elektrostatischen Generator und zum Adsorbieren der Fremdsubstanz 62 von dem Adsorptionsteil 47 beseitigt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Das Adsorptionsteil 47 wird zusammen mit dem Laserkopf H bewegt und die Fremdsubstanz 62, die an der Substratfläche 21a einer Abtastrichtung des Laserstrahls L haftet, wird beseitigt. Deshalb kann auch dann, wenn die Fremdsubstanz 62 auf der Teilschneide-Einteilungslinie DL haftet, die Fremdsubstanz 62 beseitigt werden, bevor der Laserstrahl L abgestrahlt wird. Demgemäß kann der Laserstrahl L zweckmäßig abgestrahlt werden. Weiterhin kann eine Anhaftungssubstanz, die von dem Halbleitersubstrat 21 erzeugt wird, ebenso durch das Bestrahlen des Laserstrahls L beseitigt werden.

Das Adsorptionsteil 47 kann ebenso an einer Position, die von dem Laserkopf H getrennt ist, ohne Anordnen des Adsorptionsteils 47 angrenzend an den Laserkopf H angeordnet sein.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines sechsten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Der Laserkopf H kann fest sein, wie es in 8 gezeigt ist. Wenn das Halbleitersubstrat 21 in der horizontalen Richtung (die Richtung eines Pfeils F5 in dieser Figur) bewegt wird und der Umformungsbereich K ausgebildet ist, kann ein Adsorptionsteil 51 ebenso über der Teilschneide-Einteilungslinie DL, angrenzend an eine Abtastrichtungsseite des Laserstrahls L, von dem Laserkopf H aus gesehen, angeordnet sein.

Wenn dieser Aufbau verwendet wird, wird kein Laserstrahl L auf die Teilschneide-Einteilungslinie DL unter dem Adsorptionsteil 51 abgestrahlt. Deshalb kann auch dann, wenn eine Fremdsubstanz 62 auf der Teilschneide-Einteilungslinie DL haftet, die Fremdsubstanz 62 beseitigt werden, bevor der Laserstrahl L abgestrahlt wird. Demgemäß kann der Laserstrahl L zweckmäßig abgestrahlt werden.

Wenn die Verunreinigung 61 und die Fremdsubstanz 62 durch das Adsorptionsteil beseitigt werden, kann das elektrische Potenzial einer Polarität, die umgekehrt zu der des elektrischen Potenzials ist, das an das Adsorptionsteil angelegt ist, ebenso an das Halbleitersubstrat 21 angelegt sein. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, ist es möglich, eine Kraft zum Haften der Verunreinigung 61 und der Fremdsubstanz 62 an der Substratfläche 21a abzuschwächen. Demgemäß können die Verunreinigung 61 und die Fremdsubstanz 62 wirksam von der Substratfläche 21a beseitigt werden.

Wenn die Verunreinigung 61 und die Fremdsubstanz 62 durch das Adsorptionsteil beseitigt werden, kann ebenso eine Vibration unter Verwendung einer Vibrationseinrichtung, wie zum Beispiel eines Ultraschalloszillators usw., zu dem Halbleitersubstrat 21 gegeben werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann eine Haftkraft einer Verunreinigung 61 und einer Fremdsubstanz 62 an der Substratfläche 21a durch die Vibration des Halbleitersubstrats 21 abgeschwächt werden. Demgemäß können die Verunreinigung 61 und die Fremdsubstanz 62 wirksam beseitigt werden.

Das Halbleitersubstrat, das durch lediglich Silizium aufgebaut ist, wird in dem Halbleitersubstrat 21 verwendet, aber es ist nicht auf diesen Aufbau beschränkt. Zum Beispiel kann ein Aufbau derart sein, dass ein Oxidfilm, der durch Siliziumoxid aufgebaut ist, auf der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet wird, und ein Wafer kann SOI bzw. Silizium-auf-Isolator sein.

Die Teilschneidevorrichtung 1 entspricht einer Teilschneideeinrichtung. Adsorptionsteile 41, 47, 49 und ein zweites Adsorptionsteil 45 entsprechen einer Adsorptionseinrichtung. Elektrostatische Generatoren 42, 48 und ein zweiter elektrostatischer Generator 46 entsprechen einer Einrichtung zum Erzeugen von statischer Elektrizität. Eine Anhaftungssubstanz-Beseitigungsvorrichtung 40 entspricht einer Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung. Eine Verunreinigung und eine Fremdsubstanz 62 entsprechen einer Anhaftungssubstanz. Ein Anhaftungssubstanz-Sammelteil 43 entspricht einer Trenneinrichtung.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines siebten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein siebtes Ausführungsbeispiel einer Herstellungsvorrichtung und eines Herstellungsverfahrens eines Halbleiterchips werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 10A und 10B zeigen typische Ansichten, die ein Aufbaubeispiel eines Halbleitersubstrats zeigen, das durch die Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips geteilt ist. 10A zeigt eine erläuternde Draufsicht des Halbleitersubstrats, das an einer Lage haftet, die in einem Rahmen gehalten wird. 10B zeigt eine Querschnittsansicht eines Pfeils XB-XB in 10A. 11 zeigt eine erläuternde Ansicht der Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips zum Abstrahlen eines Laserstrahls zu dem Halbleitersubstrat. Die 12A und 12B zeigen erläuternde Ansichten des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips unter Verwendung der Herstellungsvorrichtung gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel. 12A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands, bevor das Halbleitersubstrat geteilt ist. 12B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands, nachdem das Halbleitersubstrat geteilt ist.

In jeder dieser Figuren ist ein Abschnitt für die Erläuterung vergrößert oder übertrieben gezeigt.

Zuerst wird ein Wafer 20 vorbereitet, wie es in 10A gezeigt ist. Ein Halbleitersubstrat 21 einer dünnen Scheibenform, die durch Silizium aufgebaut ist, wird in dem Wafer 20 angeordnet. Eine Ausrichtungsfläche OF, die eine Kristallausrichtung zeigt, ist in einem Abschnitt des Außenumfangs des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet. Mehrere Halbleiterchips 22, die jeweils ein Halbleiterelement 24 aufweisen, das über ein Diffusionsverfahren usw. ausgebildet ist, sind wie in Schachbrettmustern auf einer Substratfläche 21a dieses Halbleitersubstrats 21 aufgereiht und angeordnet. In der folgenden Erläuterung wird ein Abschnitt, der nicht von dem Halbleitersubstrat 21 geteilt ist und ursprünglich nach dem Teilen zu dem Halbleiterchip gesetzt ist, ebenso als ein Halbleiterchip bezeichnet. Diese Halbleiterchips 22 sind jeweils in einer Dickenrichtung entlang einer Teil-Einteilungslinie, das heißt einer Würfelungslinie DL, durch ein Würfelungsverfahren geteilt und werden dann als IC und LSI, die über jeweilige Verfahren eines Montageverfahrens, eines Kontaktierungsverfahrens und eines Verkapselungsverfahrens usw. verpackt werden, fertig gestellt.

In dem Halbleitersubstrat 21 haftet die hintere Fläche 21d der Substratfläche 21a an einer Lage 241, die durch Harz hergestellt ist und eine Zugeigenschaft aufweist. Ein Außenumfangsabschnitt der Lage 241 wird von einem Rahmen 242 einer ringförmigen Form in einem Ausdehnungszustand der Lage 241 gehalten.

Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL14 als Einteilungslinien zum Teilen des Halbleitersubstrats 21 in der Dickenrichtung sind auf die Substratfläche 21a zwischen den jeweiligen Halbleiterelementen 24 gelegt. Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL7 sind jeweils parallel zu einer Richtung gelegt, die ungefähr senkrecht zu der Ausrichtungsfläche OF ist. Teil-Einteilungslinien DL8 bis DL14 sind jeweils parallel zu einer Richtung gelegt, die ungefähr parallel zu der Ausrichtungsfläche OF ist. Das heißt, vier Seiten des Umfangs von jedem Halbleiterelement 24 sind von der Teil-Einteilungslinie DL umgeben.

Wie es in 10B gezeigt ist, sind sechs Halbleiterchips 22a bis 22f auf einer Linie XB-XB ausgebildet. Sieben Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL7 und Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 (10A) sind auf die Substratfläche des Halbleitersubstrats 21 gesetzt. Umformungsbereiche K1 bis K7 als ein Startpunkt des Teilens sind durch ein später beschriebenes Verfahren in der Dickenrichtung ausgebildet, die den Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL7 entspricht. Ähnlich sind nicht dargestellte Umformungsbereiche in der Dickenrichtung ausgebildet, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entspricht (10A).

Wie es in 11 gezeigt ist, ist ein Laserkopf H zum Abstrahlen eines Laserstrahls L in der Herstellungsvorrichtung, das heißt Teilschneidevorrichtung oder Würfelungsvorrichtung 1, des Halbleiterchips, angeordnet. Der Laserkopf H weist eine Sammellinse CV zum Sammeln des Laserstrahls L auf und kann den Laserstrahl L an einer vorbestimmten Brennweite bündeln. Hierbei ist der Brennpunkt P des Laserstrahls L eingestellt, um in einer Position einer Tiefe d von der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet zu werden.

Um den Umformungsbereich K innerhalb des Halbleitersubstrats 21 auszubilden, wird zuerst eine der Teil-Einteilungslinien DL, die in 10A gezeigt sind, von dem Laserstrahl zum Erfassen des Halbleitersubstrats abgetastet und wird ein Außenumfangsendabschnitt 21c, der in 10B gezeigt ist, erfasst und wird ein Bestrahlungsbereich des Laserstrahls L eingestellt.

Nachfolgend wird, wie es in 11 gezeigt ist, der Laserkopf H entlang der Teil-Einteilungslinien DL (der Richtung eines Pfeils F4 in dieser Figur) abgetastet und wird der Laserstrahl L von der Substratfläche 21a abgestrahlt. Daher wird der Umformungsbereich K unter Verwendung einer Multiphotonen-Absorption zweckmäßig in einem Pfad einer Tiefe d ausgebildet, in welcher der Brennpunkt P des Laserstrahls L abgetastet wird. Der Umformungsbereich K einer beliebigen Schichtenanzahl kann in einer beliebigen Tiefe innerhalb eines Dickenbereichs des Halbleitersubstrats 21 durch Einstellen der Tiefe d des Brennpunkts P des Laserstrahls L ausgebildet werden. Zum Beispiel kann, wenn die Dicke verhältnismäßig dick ist, das Halbleitersubstrat 21 einfach durch Bewegen des Brennpunkts P in seiner Dickenrichtung und Ausbilden des Umformungsbereichs K in einer kontinuierlichen Form in der Dickenrichtung oder Ausbilden des Umformungsbereichs K in mehreren Abschnitten geteilt werden.

Hierbei ist die Multiphotonen-Absorption, das eine Substanz mehrere Photonen des gleichen Typs oder von unterschiedlichen Typen absorbiert. Ein Phänomen, das optische Beschädigung bezeichnet wird, wird durch diese Multiphotonen-Absorption an dem Brennpunkt P des Halbleitersubstrats W und seiner Nähe erzeugt. Daher wird eine thermische Spannung induziert und wird ein Riss in seinem Abschnitt erzeugt. Eine Schicht, die durch Erfassen dieser Risse aufgebaut wird, das heißt der Umformungsbereich K, wird ausgebildet.

Nachfolgend wird der Riss in der Dickenrichtung des Substrats mit dem Umformungsbereich K als einen Startpunkt durch Ausüben einer Spannung auf das Halbleitersubstrat 21 entwickelt und wird das Halbleitersubstrat 21 entlang der Teil-Einteilungslinie DL in der Dickenrichtung geteilt. Hierbei wird, wie es in 10B gezeigt ist, ein Teilverfahren zum Teilen eines Halbleiterchips 22c entlang sechs Halbleiterchips 22a bis 22f, die auf einer Linie XB-XB angeordnet sind, erläutert.

Wie es in 12A gezeigt ist, werden in das Halbleitersubstrat 21 Umformungsbereiche K1 bis K7, die Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL7 entsprechen, und nicht dargestellte Umformungsbereiche, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechen (10A) eingebracht und haftet das Halbleitersubstrat 21 an der Lage 241. Hierbei ist der Rahmen 242 zum Halten der Lage 241 fest, um nicht durch eine nicht dargestellte Befestigungseinrichtung bewegt zu werden.

Ein Halteteil 243 (zum Beispiel ein Rohchipaufnahme- oder Chipadsorptionsteil) zum Adsorbieren und Halten des Halbleiterchips 22c, eine nicht dargestellte Adsorptionsvorrichtung zum Adsorbieren des Halteteils 243 an dem Halbleiterchip 22c und ein Bewegungsmechanismus 244 zum Bewegen des Halteteils 243 sind in der Herstellungsvorrichtung 1 des Halbleiterchips angeordnet. Ein angrenzender Abschnitt 243a ist in einem Spitzenabschnitt des Halteteils 243 ausgebildet. Der angrenzende Abschnitt 243a grenzt an einen Abschnitt an, der von dem Umfang des Halbleiterelements 24c, Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 und Teil-einteilungslinien DL11, DL12 (10A) auf der Substratfläche 21a umgeben wird. In einem Zustand, in welchem das Halteteil 243 und die Substratfläche 21a angrenzen, adsorbiert das Halteteil 243 die Substratfläche 21a durch Verringern des Drucks des Inneren eines Raums 243b zwischen dem Halteteil 243 und der Substratfläche 21a durch eine nicht dargestellte Absaugvorrichtung. Hierbei wird, wenn der angrenzende Abschnitt 243a durch einen elastischen Körper, wie zum Beispiel Gummi usw., ausgebildet ist, eine enge Anhaftungseigenschaft zu der Substratfläche 21a verbessert und wird eine Adsorptionskraft erhöht.

Ein Vorspannungsteil 245 grenzt auf die Substratfläche 21a von Halbleiterchips angrenzend an den Halbleiterchip 22c und Halbleiterchips 22b, 22d enthaltend an und ist an dieser angeordnet. Das Vorspannungsteil 245 ist ein plattenförmiges Teil, das einen angrenzenden Abschnitt aufweist, der auf der Substratfläche 21a angrenzt. Das Vorspannungsteil 245 spannt Halbleiterchips 22b, 22d durch Drücken der Substratfläche 21a durch den angrenzenden Abschnitt nach unten vor. Hierbei kann ein Aufbau, der einen direkt wirkenden Mechanismus unter Verwendung eines Motors usw. aufweist, und im Stande ist, angehoben und gesenkt zu werden, ebenso in dem Vorspannungsteil 245 verwendet werden.

Als Nächstes wird, wie es in 12B gezeigt ist, das Halteteil 243 durch den Bewegungsmechanismus 244 angehoben. Halbleiterchips 22b, 22d, die an den Halbleiterchip 22c angrenzen, werden von einer Richtung, die umgekehrt zu einer Bewegungsrichtung des Halbleiterchips 22c ist, durch das Vorspannungsteil 245 vorgespannt und eine Deformation eines Abschnitts, ausgenommen des Halbleiterchips 22c des Halbleitersubstrats 21, wird beschränkt. Deshalb wird eine Scherbeanspruchung in Umformungsbereichen K3, K4 und Umformungsbereichen konzentriert erzeugt, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 (10A) entsprechen. Daher wird das Halbleitersubstrat 21 in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 und Teil-einteilungslinien DL11, DL12 geteilt, die in den Umfang des Halbleiterelements 24c gelegt sind, so dass der Halbleiterchip 22c erzielt wird. Der Halbleiterchip 22c wird durch weiteres Anheben des Halteteils 243 von der Lage 241 abgenommen und nach oben gezogen.

Luft wird unter Verwendung eines nicht dargestellten Luftreinigers in einem Zustand zu dem Halbleiterchip 22c geblasen, in welchem der abgehobene Halbleiterchip 22c durch das Halteteil 243 adsorbiert ist. Daher werden eine Verunreinigung usw., die zu einer Teilzeit erzeugt werden, beseitigt. Nachfolgend wird er zu einem Montageverfahren zum Montieren des Halteteils 243 an ein Gehäuse unter Verwendung des Bewegungsmechanismus 244 in dem Adsorptionszustand des Halbleiterchips 22c befördert.

Die anderen Halbleiterchips 22a, 22b, 22d bis 22f können ebenso durch Durchführen ähnlicher Vorgänge einzeln geteilt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

  • (1) Das Halteteil 243 wird an einem Abschnitt adsorbiert, der von dem Umfang des Halbleiterelements 24c der Substratfläche 21a, Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 und Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 umgeben ist, und eine Kraft, die nach oben wirkt, wird dann ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf Umformungsbereiche K3, K4, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 ausgebildet sind, und Umformungsbereiche ausgeübt werden, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind. Deshalb kann der Halbleiterchip 22a, der daran das Halteteil 243 haften lässt, zuverlässig in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4, DL11, DL12 geteilt werden und wird ein Belassen eines Risses beseitigt. Demgemäß ist es möglich, die Herstellungsvorrichtung 1 und das Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande sind, eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats 21 erzielt wird.
  • (2) Das Vorspannungsteil 245 zum Vorspannen der Halbleiterchips 22b, 22d, die an den Halbleiterchip 22c angrenzen, der das Halteteil 243 daran in der Richtung haften lässt, die umgekehrt zu der einer Kraft ist, die von dem Halteteil 243 ausgeübt wird, ist angeordnet. Deshalb wird, wenn eine Spannung auf das Halteteil 243 ausgeübt wird, eine Deformation des Halbleitersubstrats 21 ausgenommen eines Anhaftungsabschnitts des Halteteils 243 beschränkt. Weiterhin kann eine Spannung konzentriert auf die Umformungsbereiche K3, K4 und die Umformungsbereiche, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind, ausgeübt werden. Demgemäß kann lediglich der Halbleiterchip 22c zuverlässig geteilt werden.
  • (3) Das Halteteil 243 wird in dem Adsorptionszustand des geteilten Halbleiterchips 22c zu dem Montageverfahren des Halbleiterchips 22c befördert. Deshalb kann verglichen mit einem Verfahren zum Aufnehmen und Befördern des Halbleiterchips 22c zu dem Montageverfahren, nachdem der Halbleiterchip 22c geteilt worden ist, eine Zeit verkürzt werden und kann der Halbleiterchip 22c zuverlässig ohne Ausfall bei dem Aufnehmen des Halbleierchips 22c zu dem Montageverfahren befördert werden.
  • (4) Das Halbleitersubstrat 21 kann durch Anwenden eines Laserwürfelungsverfahrens gewürfelt werden, nachdem das Halbleitersubstrat 21 an der Lage 241 haftet. Deshalb kann das Würfelungsungsverfahren verkürzt werden und wird keine Verunreinigung zu der Würfelungszeit erzeugt. Deshalb gibt es keine Gefahr, dass eine Verunreinigung an der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 haftet.

Nachstehend folgt die Beschreibung von Ausgestaltungen des siebten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

  • (1) Wenn eine Spannung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt wird und die Lage in einer ebenen Richtung (die Richtungen von Pfeilen F3 und F2 in 12B) ausgedehnt wird, wird eine Zugspannung auf das Halbleitersubstrat 21 in der ebenen Richtung ausgeübt. Deshalb kann, da eine Spannung, die auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt wird, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechend ausgebildet sind, das Teilen weiterhin einfach durchgeführt. Als ein Verfahren zum Ausdehnen der Lage 241 ist es zum Beispiel möglich, ein Verfahren unter Verwendung einer Druckvorrichtung PD anzuwenden, wie es in den 16A und 16B gezeigt ist.
  • (2) In diesem Ausführungsbeispiel ist das Laserwürfelungsverfahren zum Bestrahlen des Laserstrahls L von der Substratfläche 21a unter Ausbildung des Umformungsbereichs K innerhalb des Halbleitersubstrats 21 als ein Würfelungsverfahren des Halbleitersubstrats 21 dargestellt. Jedoch kann ein anderes Verfahren als das Laserwürfelungsverfahren verwendet werden. Zum Beispiel kann ein Würfelungsverfahren zum Ausbilden einer Einkerbung in dem Halbleitersubstrat 21 durch eine Diamantklinge an der Herstellungsvorrichtung 1 des Halbleiterchips dieses Ausführungsbeispiels angewendet werden. Weiterhin kann ein Würfelungsverfahren zum Durchführen eines Laserwürfelns, nachdem die Einkerbung in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet worden ist, durch die Diamantklinge angewendet werden.

Das Halbleitersubstrat 21 wird durch Haften dieses Halbleitersubstrats 21 an der Lage 241 gehalten, kann aber durch ein anderes Verfahren gehalten werden. Zum Beispiel kann das Halbleitersubstrat 21 ebenso durch Kneifen eines Außenumfangsabschnitts des Halbleitersubstrats 21 durch eine Befestigungsvorrichtung gehalten werden, die in einem Sockel angeordnet ist.

  • (3) In diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist der Aufbau zum Teilen lediglich des Halbleiterchips 22c als ein Beispiel dargestellt. Ebenso können Halbleiterchips 22c, 22d, 22e ebenso durch einen Vorgang durch weiteres Anordnen des Halteteils 243 in dem Halbleiterchip 22e und des Vorspannungsteils 245 in dem Halbleiterchip 22f geteilt werden.

Das heißt, mehrere Halbleiterchips können durch einen Vorgang durch abwechselndes Anordnen des Adsorptionsteils und eines Befestigungsteils in dem angrenzenden Halbleiterchip 22 und Ausüben einer Spannung erzielt werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines achten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein achtes Ausführungsbeispiel der Herstellungsvorrichtung und des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 13A und 13B zeigen erläuternde Ansichten eines Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips unter Verwendung der Herstellungsvorrichtung gemäß dem achten Ausführungsbeispiel. 13A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem Teilen des Halbleitersubstrats. 13B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands nach dem Teilen des Halbleitersubstrats.

Wie es in 13A gezeigt ist, entsprechen in einem Halbleitersubstrat 21Umformungsbereiche K1 bis K7 Teil-Einteilungslinien DL1 bis DL7 und werden nicht dargestellte Umformungsbereiche, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechen (10A), eingebracht und haftet das Halbleitersubstrat 21 an einer Lage 241.

Hierbei ist ein Rahmen 242 zum Halten der Lage 241 fest, um durch eine nicht dargestellte Befestigungseinrichtung nicht bewegt zu werden.

Als Nächstes grenzt ein Vorspannungsteil 246 zum Vorspannen von Halbleiterchips 22b, 22d nach oben durch die Lage 241 von der hinteren Fläche 21d des Halbeitersubstrats 21 an, in welcher Halbleiterchips 22b, 22d angrenzend dem Halbleiterchip 22c ausgebildet sind.

Wie es in 13B gezeigt ist, wird, wenn ein Halteteil 243 durch einen Bewegungsmechanismus 244 gesenkt wird, der Halbleiterchip 22c nach unten gedrückt, während der Halbleiterchip 22c in einem Zustand, in welchem die Halbleiterchips 22b, 22d durch das Vorspannungsteil 246 nach oben vorgespannt sind, an der Lage 241 haftet. Daher wird eine Scherbeanspruchung konzentriert in Umformungsbereichen K3, K4 und Umformungsbereichen erzeugt, die Teil-Einteilungslinien D111, DL12 entsprechen (10A). Deshalb wird das Halbleitersubstrat 21 in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 und Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 geteilt, die in den Umfang eines Halbleiterelements 24c gelegt sind, so dass der Halbleiterchip 22c erzielt wird.

Wenn das Halteteil 243 angehoben wird, wird der Halbleiterchip 22c von der Lage 241 abgenommen und nach oben gezogen. Luft wird dann unter Verwendung eines nicht dargestellten Luftreinigers in einem Zustand, in welchem der hochgezogene Halbleiterchip 22c von dem Halteteil 243 adsorbiert wird, zu dem Halbleiterchip 22c geblasen. Daher werden eine Verunreinigung usw., die zu einer Teilzeit erzeugt werden, beseitigt. Nachfolgend wird der Halbleiterchip 22c in dem Adsorptionszustand des Halbleiterchips 22c zu einem Montageverfahren zum Montieren des Halteteils 243 an ein Gehäuse durch den Bewegungsmechanismus 244 befördert.

Die anderen Halbleiterchips 22a, 22b, 22d bis 22f können ebenso durch Durchführen ähnlicher Vorgänge einzeln geteilt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

  • (1) Eine Spannung kann zuverlässig auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt werden, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechend durch das Halteteil 243 ausgebildet sind. Deshalb kann der Halbleiterchip 22a zuverlässig in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4, D111, DL12 geteilt werden und wird ein Belassen eines Risses beseitigt. Demgemäß ist es möglich, die Herstellungsvorrichtung 1 und das Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande sind, eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitesubstrats 21 erzielt wird.
  • (2) Das Vorspannungsteil 245 zum Vorspannen der Halbleiterchips 22b, 22d, die an den Halbleiterchip 22c angrenzen, der das Halteteil 243 daran in der Richtung haften lässt, die umgekehrt zu der einer Kraft ist, die durch das Halteteil 243 ausgeübt wird, ist angeordnet. Deshalb wird, wenn eine Spannung durch das Halteteil 243 ausgeübt wird, eine Deformation des Halbleitersubstrats 21 ausgenommen eines Haftabschnitts des Halteteils 243 beschränkt werden und kann eine Spannung konzentriert auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt werden, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechend ausgebildet sind. Demgemäß kann lediglich der Halbleiterchip 22c zuverlässig geteilt werden.
  • (3) Das Halteteil 243 befördert den geteilten Halbleiterchip 22c zu dem Montageverfahren des Halbleiterchips 22c in einem Adsorptionszustand. Deshalb kann verglichen mit einem Verfahren zum Aufnehmen und Befördern des Halbleiterchips 22c zu dem Montageverfahren, nachdem der Halbleiterchips 22c geteilt worden ist, eine Zeit verkürzt werden und kann der Halbleiterchip 22c ohne ein Ausfallen bei dem Aufnehmen des Halbleiterchips 22c zuverlässig zu dem Montageverfahren befördert werden.
  • (4) Eine Kraft zum Haften des Halteteils 243 an dem Halbleiterchip 22c kann auf eine Kraft eines Grads gesetzt werden, die nicht von einer Ausübungsrichtung einer Spannung zu einer Druckzeit verschoben ist. Demgemäß kann eine Kraft verringert werden, die beim Haften erforderlich ist.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von Ausgestaltungen des achten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

  • (1) Wenn eine Spannung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt wird und die Lage 241 in der ebenen Richtung (den Richtungen von Pfeilen F3, F2 in 13B) ausgedehnt wird, wird eine Zugkraft in der ebenen Richtung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt. Deshalb kann, da eine Spannung, die auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt wird, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind, erhöht ist, das Teilen weiter einfach durchgeführt werden. Als ein Verfahren zum Ausdehnen der Lage 241 ist es zum Beispiel möglich, ein Verfahren unter Verwendung der Druckvorrichtung PD anzuwenden, wie es in den 16A und 16B gezeigt ist.
  • (2) In diesem Ausführungsbeispiel ist der Aufbau zum Teilen lediglich des Halbleiterchips 22c als ein Beispiel dargestellt. Alternativ können Halbleiterchips 22c, 22d, 22e ebenso durch einen Vorgang durch weiteres Anordnen des Halteteils 243 in dem Halbleiterchip 22e und des Vorspannungsteils 246 in dem Halbleiterchip 22f ebenso geteilt werden. Weiterhin wird in diesem Ausführungsbeispiel der Halbleiterchip 22c unter Verwendung des Halteteils 243 nach unten bewegt. Jedoch kann ein Aufbau zum Drücken des Halbleiterchips 22c unter Verwendung eines Druckteils, das lediglich einen Bewegungsmechanismus aufweist, und unter Verwendung des Halteteils 243 zu lediglich einer Beförderungszeit zu dem Montageverfahren ebenso verwendet werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines neunten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein neuntes Ausführungsbeispiel der Herstellungsvorrichtung und des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 14A und 14B zeigen erläuternde Ansichten des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips unter Verwendung der Herstellungsvorrichtung. 14A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem Teilen des Halbleitersubstrats. 14B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands nach dem Teilen des Halbleitersubstrats.

Wie es in 14A gezeigt ist, ist in diesem Ausführungsbeispiel ein Halteteil 243 auf der Seite der hinteren Fläche 21d des Halbleiterchips 22c angeordnet und adsorbiert den Halbleiterchip 22c durch eine Lage 241.

Als Nächstes grenzt ein Vorspannungsteil 246 zum Vorspannen von Halbleiterchips 22c, 22d nach oben durch die Lage 241 von den hinteren Flächen 21b der Halbleiterchips 22b, 22d an.

Wie es in 14B gezeigt ist, wird, wenn das Halteteil 243 durch einen Bewegungsmechanismus 244 in einem Zustand abgesenkt wird, in welchem die Halbleiterchips 22b, 22d durch das Vorspannungsteil 246 nach oben vorgespannt sind, der Halbleiterchip 22c nach unten gezogen, während der Halbleiterchip 22c an der Lage 241 haftet. Deshalb wird eine Scherbeanspruchung konzentriert in Umformungsbereichen K3, K4 und Umformungsbereichen erzeugt, die Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 entsprechen (10A). Deshalb wird das Halbleitersubstrat 21 in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4 und Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 geteilt, die in den Umfang des Halbleiterelements 24c gesetzt sind, so dass der Halbleiterchip 2c erzielt wird.

Hierbei wird, wenn das Halteteil 243 ebenso über dem Halbleitersubstrat 21 angeordnet ist und der geteilte Halbleiterchip 22c adsorbiert wird und das Halteteil 243 durch den Bewegungsmechanismus 244 angehoben wird, der Halbleiterchip 22c von der Lage abgenommen und nach oben gezogen. In einem Zustand, in welchem der nach oben gezogene Halbleiterchip 22c durch das Halteteil 243 adsorbiert wird, wird Luft unter Verwendung eines nicht dargestellten Luftreinigers zu dem Halbleiterchip 22c geblasen, so dass eine Verunreinigung usw., die zu einer Teilzeit erzeugt werden, beseitigt werden. Nachfolgend wird in dem Adsorptionszustand des Halbleiterchips 22c dieser zu einem Montageverfahren zum Montieren des Halteteils 243 an ein Gehäuse durch den Bewegungsmechanismus 244 befördert.

Andere Halbleiterchips 22a, 22b, 22d bis 22f können ebenso durch Durchführen von ähnlichen Vorgängen einzeln geteilt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

  • (1) Eine Spannung kann zuverlässig auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind, durch das Halteteil 243 ausgeübt werden. Deshalb kann der Halbleiterchip 22a zuverlässig in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL3, DL4, DL11, DL12 geteilt werden und kann ein Belassen eines Risses beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, die Herstellungsvorrichtung 1 und das Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande sind, eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats 21 erzielt wird.
  • (2) Das Vorspannungsteil 246 zum Vorspannen der Halbleiterchips 22b, 22d, die an den Halbleiterchip 22c angrenzen, der das Halteteil 243 daran in der Richtung haften lässt, die umgekehrt zu der einer Kraft ist, die auf das Halteteil 243 ausgeübt wird, ist angeordnet. Deshalb wird, wenn eine Spannung durch das Halteteil 243 ausgeübt wird, eine Deformation des Halbleitersubstrats 21 ausgenommen eines Anhaftungsabschnitts des Halteteils 243 beschränkt und kann eine Spannung konzentriert auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt werden, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind. Demgemäß kann lediglich der Halbleiterchip 22c zuverlässig geteilt werden.
  • (3) Da das Halteteil 243 an der hinteren Fläche 21d, die kein Halbleiterelement 24 darauf ausbildet, durch die Lage 241 haftet, gibt es keine Gefahr einer Beschädigung des Halbleiterelements 24.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von Ausgestaltungen des neunten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

  • (1) Wenn eine Spannung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt wird und die Lage 241 in einer ebenen Richtung (die Richtungen von F3 und F2 in 14B) ausgedehnt wird, wird eine Zugspannung in der ebenen Richtung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt. Deshalb kann, da eine Spannung auf Umformungsbereiche K3, K4 und Umformungsbereiche ausgeübt wird, die entsprechend Teil-Einteilungslinien DL11, DL12 ausgebildet sind, erhöht wird, das Teilen weiterhin einfach durchgeführt werden. Als ein Verfahren zum Ausdehnen der Lage ist es zum Beispiel möglich, ein Verfahren unter Verwendung der Druckvorrichtung PD anzuwenden, wie es in den 16A und 16B gezeigt ist.
  • (2) In diesem Ausführungsbeispiel ist der Aufbau zum Teilen lediglich des Halbleiterchips 22c als ein Beispiel dargestellt. Alternativ können ebenso Halbleiterchips 22c, 22d, 22e durch einen Vorgang durch weiteres Anordnen eines Halteteils 243 in dem Halbleiterchips 22e und eines Vorspannungsteils 246 in dem Halbleiterchip 22f geteilt werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein zehntes Ausführungsbeispiel der Herstellungsvorrichtung und des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 15A bis 15C zeigen erläuternde Ansichten des Herstellungsverfahrens des Halbleiterchips unter Verwendung der Herstellungsvorrichtung gemäß dem zehnten Ausführungsbeispiel. 15A zeigt eine erläuternde Draufsicht des Halbleitersubstrats, von welchen ein Abschnitt des Halbleiterchips, der an einer Lage haftet, die in einem Rahmen gehalten wird, beseitigt ist. 15B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem Teilen des Halbleitersubstrats. 15C zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands nach dem Teilen des Halbleitersubstrats.

Zuerst wird das Halbleitersubstrat 21, von dem ein Abschnitt ausgenommen des Halbleiterchips 22 beseitigt ist, vorbereitet, wie es in 15A gezeigt ist. Hierbei wird ein Verfahren zum Teilen eines Halbleiterchips 22j, der in einem rechten Endabschnitt in dieser Figur ausgebildet ist, zwischen vier Halbleiterchips 22g bis 22j erläutert, die auf einer Linie XVB-XVB angeordnet sind.

Wie es in 15B gezeigt ist, sind in dem Halbleitersubstrat 21 Umformungsbereiche K3 bis K5, die Teil-Einteilungslinien DL3 bis DL5 entsprechen, und ein nicht dargestellter Umformungsbereich, der einer Teil-Einteiluungslinie DL13 entspricht (15A) eingebracht und haftet das Halbleitersubstrat 21 an einer Lage 241. Hierbei ist ein Rahmen 242 zum Halten der Lage 241 fest, um nicht von einer nicht dargestellten Befestigungseinrichtung bewegt zu werden. Der Halbleiterchip 22j wird durch ein Halteteil 243 auf der Oberfläche 21a um ein Halbleiterelement 24 adsorbiert.

Nachfolgend wird, wie es in 15C gezeigt ist, eine Spannung in dem Umformungsbereich K5 und dem nicht dargestellten Umformungsbereich, der der Teil-Einteilungslinie DL13 entspricht (10A), durch Bewegen des Halteteils 243 nach außen ungefähr parallel zu der ebenen Richtung des Halbleitersubstrats 21 durch einen Bewegungsmechanismus 244 erzeugt. Daher wird das Halbleitersubstrat 21 in der Dickenrichtung entlang Teilungs-Einteilungslinien DL5 und DL13 geteilt, die auf den Umfang des Halbleiterelements 24c gelegt sind, so dass der Halbleierchip 22j erzielt wird. Der Halbleiterchip 22j wird dann durch Bewegen des Halbleiterteils 243 durch den Bewegungsmechanismus 244 von der Lage 241 abgenommen.

Eine Verunreinigung usw., die zu einer Teilzeit erzeugt wird, wird von dem Halbleiterchip 22c, der von der Lage 241 abgenommen wird, durch Blasen von Luft zu dem Halbleiterchip 22j unter Verwendung eines nicht dargestellten Luftreinigers in einem Zustand beseitigt, in welchem der Halbleiterchip 22c durch das Halteteil 243 adsorbiert wird. Nachfolgend wird in dem Adsorptionszustand des Halbleiterchips 22j dieser zu einem Montageverfahren zum Montieren des Halteteils 243 an ein Gehäuse durch den Bewegungsmechanismus 244 befördert.

Andere Halbleiterchips 22g bis 22i können ebenso durch Durchführen von ähnlichen Vorgängen einzeln geteilt werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

  • (1) Eine Spannung kann zuverlässig auf den Umformungsbereich K5 und den Umformungsbereich, der entsprechend der Teil-Einteilungslinie DL13 ausgebildet ist, durch das Halteteil 243 ausgeübt werden. Deshalb kann der Halbleiterchip 22a zuverlässig in der Dickenrichtung entlang Teil-Einteilungslinien DL5, DL13 geteilt werden und kann ein Belassen eines Risses beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, die Herstellungsvorrichtung 1 und das Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande sind, eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats 21 erzielt wird.
  • (2) Das Halteteil 243 wird in einem Zustand zu dem Montageverfahren des Halbleiterchips 22j befördert, in welchem der geteilte Halbleiterchip 22j adsorbiert wird. Deshalb kann, verglichen mit einem Verfahren zum Aufnehmen und Befördern des Halbleiterchips 22j zu dem Montageverfahren, nachdem der Halbleiterchip 22j geteilt worden ist, eine Zeit verkürzt werden und kann der Halbleiterchip 22c zuverlässig ohne ein Ausfallen bei dem Aufnehmen des Halbleiterchips 22c zu dem Montageverfahren befördert werden.
  • (3) Wenn der Halbleiterchip 22j geteilt wird, wird der Halbleiterchip 22j relativ in einer Richtung, die von dem Halbleitersubstrat 21 in der ebenen Richtung des Halbleitersubstrats 21 getrennt ist, bewegt. Deshalb gibt es, da keine geteilten Flächen gerieben werden, keine Gefahr eines Erzeugens eines Absplitterns in dem Halbleiterchip 22j.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von Ausgestaltungen des zehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

  • (1) Wenn eine Spannung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt wird und die Lage 241 in der ebenen Richtung (die Richtungen von Pfeilen F3, F2 in 15C) ausgedehnt wird, wird eine Zugspannung in der ebenen Richtung in dem Halbleitersubstrat 21 ausgeübt. Deshalb wird eine Spannung, die auf den Umformungsbereich K5 und den Umformungsbereich ausgeübt wird, der entsprechend der Teil-Einteilungslinie DL13 ausgebildet ist, erhöht, so dass das Teilen weiter einfach durchgeführt werden kann. Als ein Verfahren zum Ausdehnen der Lage 241 ist es zum Beispiel möglich, ein Verfahren unter Verwendung der Druckvorrichtung PD anzuwenden, wie es in den 16A und 16B gezeigt ist.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von Ausgestaltungen der siebten bis zehnten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.

  • (1) In jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele wird der Aufbau zum Adsorbieren des Halbleiterchips 22 unter Verwendung des Halteteils 243 angewendet. Jedoch kann der Halbleiterchip 22 ebenso durch ein anderes Verfahren, zum Beispiel ein Verfahren eines Haftens, Schweißens usw. an einem Teil befestigt sein, das den Bewegungsmechanismus 244 aufweist.
  • (2) Einige Halbleiterchips können als Pseudochips zum Teilen der anderen Halbleiterchips verwendet werden. Zum Beispiel kann eine Seite von jedem von angrenzenden Halbleiterchips 22b, 22d durch Festlegen des Halbleiterchips 22c, der in den 12A und 12B geteilt ist, als einen Pseudochip und teilweises Schneiden des Halbleiterchips 22c von dem Halbleitersubstrat 21 geteilt werden. Der Pseudochip kann im Voraus festgelegt werden und ein Halbleiterchip usw., der als ein fehlerhafter Chip bei einer Überprüfung erkannt wird, kann ebenso als der Pseudochip festgelegt werden.
  • (3) Wenn eine Spannung durch das Halteteil 243 auf den Umformungsbereich K ausgeübt wird, kann eine Vibration ebenso unter Verwendung einer Vibrationseinrichtung, wie zum Beispiel eines Ultraschallvibrators usw., zu dem Halbleitersubstrat 21 gegeben werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann ein Riss durch eine physikalische Wirkung der Vibration von dem Umformungsbereich K entwickelt werden und kann eine Kraft, die bei dem teilweise Schneiden erforderlich ist, verringert werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.
  • (4) Wenn eine Spannung durch das Halteteils 243 auf den Umformungsbereich K ausgeübt wird, kann das Halbleitersubstrat 21 ebenso unter Verwendung einer Erwärmungseinrichtung, wie zum Beispiel eines Erhitzers usw., erwärmt werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann eine thermische Spannung auf den Umformungsbereich K ausgeübt werden und kann eine Kraft, die bei dem teilweisen Schneiden erforderlich ist, verringert werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.
  • (5) Das Halbleitersubstrat, das durch lediglich Silizium aufgebaut ist, wird in dem Halbleitersubstrat 21 verwendet. Alternativ kann ein Aufbau, bei welchem ein Oxidfilm, der durch Siliziumoxid aufgebaut ist, auf der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet ist, verwendet werden und kann ein Wafer SOI bzw. Silizium-auf-Isolator sein.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines elften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein elftes Ausführungsbeispiel einer Teilschneidevorrichtung und eines Teilschneideverfahrens eines Halbleitersubstrats werden unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 17A und 17B zeigen typische Ansichten eines Aufbaubeispiels des Halbleitersubstrats, das durch die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats teilweise geschnitten ist. 17A zeigt eine erläuternde Draufsicht der Oberfläche eines Wafers. 17B zeigt eine Querschnittsansicht eines Pfeils XVIIB-XVIIB in 17A. 18 zeigt eine erläuternde Ansicht der Teilsschneidevorrichtung zum Abstrahlen eines Laserstrahls zu dem Halbleitersubstrat. Die 19A und 19B zeigen erläuternde Ansichten einer Druckvorrichtung gemäß dem elften Ausführungsbeispiel. 19A zeigt eine erläuternde Ansicht, in welcher die Druckvorrichtung von oben zu sehen ist. 19B zeigt eine Querschnittsansicht eines Pfeils XIXB-XIXB in 19A. Die 20A und 20B zeigen erläuternde Ansichten des Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats unter Verwendung der Druckvorrichtung gemäß dem elften Ausführungsbeispiel. 20A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats. 20B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands nach dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats.

In jeder dieser Figuren ist ein Abschnitt für die Erläuterung vergrößert und übertrieben gezeigt.

Hierbei wird, wie es in 17B gezeigt ist, ein Teilschneideverfahren zum teilweisen Schneiden von sechs Halbleiterchips 22a bis 22f, die auf einer Linie XVIIB-XVIIB angeordnet sind, erläutert.

Wie es in 20A gezeigt ist, ist eine Druckvorrichtung 343 zum Drücken der hinteren Fläche einer Lage 241 und teilweisen Schneiden eines Halbleitersubstrats 21 in einer Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats 21 angeordnet.

Wie es in 19A gezeigt ist, ist ein Druckvorsprung 344 einer dreieckigen Form in einem Längsschnitt in einem oberen Abschnitt der Druckvorrichtung 343 auf einer Fläche angeordnet, die auf der hinteren Fläche der Lage 241 an eine Position angrenzt, die einer Teilschneide-Einteilungslinie DL des Halbleitersubstrats 21 entspricht. Zum Beispiel sind, wie es in 19B gezeigt ist, Druckvorsprünge 344a bis 344g an sieben Positionen entsprechend Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7 auf einer Linie 1C-1C angeordnet, die einer Linie XVIIB-XVIIB in 17A entspricht.

Zuerst wird, wie es in 20A gezeigt ist, das Halbleitersubstrat 21, das einen Umformungsbereich K (18) darauf einbringt, über die Druckvorrichtung 343 in einem Zustand befördert, der an der Lage 241 haftet, und ist ein Rahmen 242 durch eine nicht dargestellte Befestigungseinrichtung befestigt.

Als Nächstes grenzen, wie es in 20B gezeigt ist, wenn die Druckvorrichtung 343 durch eine nicht dargestellte Anhebe/Absenkungseinrichtung angehoben wird, die Druckvorsprünge 344a bis 344g auf der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 durch die Lage an. Zu dieser Zeit grenzt der Druckvorsprung 344a auf einem unteren Abschnitt der Teilschneide-Einteilungslinie DL1 an. Auf eine ähnliche Weise grenzen Druckvorsprünge 344b bis 344g jeweils auf untere Abschnitte von Teilschneide-Einteilungslinien DL2 bis DL7 an.

Nachfolgend wird, wenn die Druckvorrichtung 343 weiter angehoben wird, die Lage 241 nach oben ausgedehnt und wird in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats 21 ausgedehnt. Deshalb wird eine Zugspannung in der ebenen Richtung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt.

Zu dieser Zeit drücken Druckvorsprünge 344a bis 344f der Druckvorrichtung 343 lokal lediglich Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7. Deshalb werden Kontaktflächen der Lage 241 und der Drückvorsprünge 344a bis 344f verglichen mit einem Druckfall auf einer flachen Fläche stark verringert. Demgemäß ist keine Ausdehnung der Lage 241 durch eine Reibungskraft bezüglich den Druckvorsprüngen 344a bis 344f eingeschränkt und kann die Lage 241 gleichmäßig ausgedehnt werden. Deshalb kann ebenso eine ausreichende Spannung auf die Halbleiterchips in der Nähe eines Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats 21, zum Beispiel Halbleiterchips 22c, 22d, ausgeübt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise in Halbleiterchips 22 geschnitten werden.

Weiterhin drücken die Druckvorsprünge 344a bis 344f lokal lediglich Abschnitte auf Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7, so dass eine Biegespannung auf Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7 in Kontaktabschnitten der Druckvorsprünge 344a bis 344f als ein Mittelpunkt überlagert wird. Deshalb wird, da eine größere Spannung auf Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7 ausgeübt wird, ein Riss einfach auf Teilschneide-Einteilungslinien DL1 bis DL7 entwickelt. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise in Halbleiterchips 22 geschnitten werden.

In diesem Ausführungsbeispiel ist das Laserwürfelungsverfahren zum Bestrahlen des Laserstrahls L von der Substratfläche 21a und Ausbilden des Umformungsbereichs K innerhalb des Halbleitersubstrats 21 als ein Beispiel des Würfelungsverfahrens des Halbleitersubstrats 21 dargestellt. Alternativ kann die Teilschneidevorrichtung 1 dieses Ausführungsbeispiels ebenso an einer Teilschneidevorrichtung für ein Ausüben einer Spannung und ein teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats 21, nachdem eine Einkerbung in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet worden ist, durch eine Diamantklinge angewendet werden. Weiterhin kann die Teilschneidevorrichtung 1 dieses Ausführungsbeispiels ebenso an einer Teilschneidevorrichtung zum Durchführen eines Laserwürfelns und eines Ausübens einer Spannung und eines teilweisen Schneidens des Halbleitersubstrats 21, nachdem die Einkerbung in dem Halbleitersubstrat 21 ausgebildet worden ist, durch die Diamantklinge angewendet werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

  • (1) Die Druckvorrichtung 343, die in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats angeordnet ist, drückt lokal die hintere Fläche der Lage 241, die an der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 haftet. Demgemäß wird ein Abschnitt an einer Position zum Erzeugen einer Spannung zum teilweisen Schneiden des Halbleiterchips 22, der nicht einfach teilweise auf der hinteren Fläche der Lage 241 geschnitten wird, lokal durch den Druckvorsprung 354 gedrückt. Daher wird eine ausreichende Last ebenso auf den Halbleiterchip 22 ausgeübt, der nicht einfach teilweise geschnitten wird, und kann der Halbleiterchip 22 teilweise geschnitten werden.

Weiterhin wird, da die Kontaktfläche der Lage 241 und des Druckvorsprungs 344 klein wird, keine Ausdehnung der Lage 241 durch eine Reibungskraft bezüglich der Druckvorrichtung 343 eingeschränkt und kann die Lage 241 gleichmäßig ausgedehnt werden. Deshalb kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.

Demgemäß ist es möglich, die Teilschneidevorrichtung 1 und das Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats 21 zu realisieren, die im Stande sind, eine Ausbeute des teilweisen Schneidens des Halbleiterchips 22 zu verbessern, der durch teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats 21 erzielt wird.

  • (2) Die Druckvorrichtung 343 drückt einen Abschnitt an einer Position, der der Teilschneide-Einteilungslinie DL entspricht, auf der hinteren Seite der Lage 241. Deshalb kann eine Biegespannung mit der Teilschneide-Einteilungslinie DL als ein Startpunkt in dem Halbleitersubstrat 21 erzeugt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann die Ausbeute des Halbleiterchips 21 verbessert werden.
  • (3) Das Halbleitersubstrat 21 kann, nachdem das Halbleitersubstrat 21 an der Lage 241 haftet, durch Anwenden des Laserwürfelungsverfahrens gewürfelt werden. Deshalb kann ein Würfelungsverfahren verkürzt werden und wird keine Verunreinigung zu einer Würfelungszeit erzeugt. Deshalb gibt es keine Gefahr, dass eine Verunreinigung an der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 haftet.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines zwölften Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein zwölftes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 21A und 21B zeigen erläuternde Ansichten einer Druckvorrichtung gemäß dem zwölften Ausführungsbeispiel. 21A zeigt eine erläuternde Ansicht, in welcher die Druckvorrichtung von oben zu sehen ist. 21B zeigt eine Querschnittsansicht eines Pfeils XXIB-XXIB in 21A. Die 22A und 22B zeigen erläuternde Ansichten eines Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats unter Verwendung der Druckvorrichtung gemäß dem zwölften Ausführungsbeispiel. 22A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats 21. 22B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands nach dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats 21.

Wie es in 21A gezeigt ist, ist jedes Druckteil 345 einer Stiftform in dem oberen Abschnitt einer Druckvorrichtung 343 angeordnet, um an einer Position nach oben zu stehen, die dem Mittenabschnitt eines Halbleiterchips 22 entspricht. Zum Beispiel sind, wie es in 21B gezeigt ist, Druckteile 345a bis 345f an sechs Positionen auf einer Linie XXIB-XXIB angeordnet, die einer Linie XVIIB-XVIIB in 17A entspricht, um die gleiche Höhe aufzuweisen.

Zuerst ist, wie es in 22a gezeigt ist, das Halbleitersubstrat 21, das einen Umformungsbereich K (18) darin ausbildet, über der Druckvorrichtung 343 durch ein Verfahren ähnlich dem des elften Ausführungsbeispiels angeordnet und ist ein Rahmen 242 fest.

Als Nächstes grenzen, wie es in 22B gezeigt ist, wenn die Druckvorrichtung 343 durch eine nicht dargestellte Anhebe/Absenkeinrichtung angehoben wird, Druckteile 345a bis 345f auf der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 durch eine Lage 241 an. Zu dieser Zeit grenzt das Druckteil 345a auf einen unteren Abschnitt eines Mittenabschnitts der Bodenfläche eines Halbleiterchips 22a an. Ähnlich grenzen Druckteile 345b bis 345f jeweils auf unteren Abschnitten der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22b bis 22f an.

Nachfolgend dehnt sich, wenn die Druckvorrichtung 343 weiter angehoben wird, die Lage 241 nach oben aus und dehnt sich in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats 21 aus. Deshalb wird eine Zugspannung in der ebenen Richtung auf das Halbleitersubstrat 21 ausgeübt. Zu dieser Zeit drücken Druckteile 345a bis 345f der Druckvorrichtung 343 lokal lediglich untere Abschnitte der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22a bis 22f.

Deshalb kann eine Spannung, die für das teilweise Schneiden erforderlich ist, zweckmäßig auf alle Halbleiterchips 22a bis 22f ausgeübt werden. Weiterhin kann eine Biegespannung in dem Halbleitersubstrat 21 mit den Mittenabschnitten der Halbleiterchips 22a bis 22f als ein Startpunkt erzeugt werden. Demgemäß können Halbleiterchips 22a bis 22f einfach teilweise geschnitten werden. Daher kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise in Halbleiterchips 22 geschnitten werden.

In diesem Ausführungsbeispiel ist der Aufbau zum Befestigen des Druckteils 345 an dem oberen Abschnitt der Druckvorrichtung 343 und Drücken des Halbleitersubstrats 21 durch Anheben der Druckvorrichtung 343 als ein Beispiel dargestellt. Alternativ kann ein Aufbau, bei welchem jedes Druckteil 345 einen direkt wirkenden Mechanismus unter Verwendung eines Motors usw. aufweist, und einzeln angehoben und abgesenkt werden kann, ebenso verwendet werden.

Weiterhin kann ein Aufbau, bei welchem jedes Druckteil 345 einen Mechanismus zum Durchführen einer Bewegung in der horizontalen Richtung aufweist und veränderbar angeordnet ist, ebenso verwendet werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann die Anordnung des Druckteils 345 gemäß der Anordnung des Halbleiterchips 22 geändert werden. Deshalb ist es möglich, mit dem teilweisen Schneiden von verschiedenen Halbleiterchips durch eine Druckvorrichtung 343 fertig zu werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Die Druckvorrichtung 343, die in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats angeordnet ist, drückt einen Abschnitt an einer Position, der der Mittenposition des Halbleiterchips 22 entspricht, auf der hinteren Fläche der Lage 241, die an der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 haftet. Deshalb kann eine Spannung, die zum teilweisen Schneiden erforderlich ist, zweckmäßig auf jeden Halbleiterchip 22 ausgeübt werden. Weiterhin kann eine Biegespannung in dem Halbleitersubstrat 21 mit dem Mittenabschnitt des Halbleiterchips 22 als ein Startpunkt erzeugt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines dreizehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein dreizehntes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 23A bis 23D zeigen erläuternde Ansichten eines Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer Druckvorrichtung gemäß dem dreizehnten Ausführungsbeispiel. 23A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats 21. 23 zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22c, 22d. 23C zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahren zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22b, 22e. 23D zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22a, 22f.

Wie es in 23A gezeigt ist, sind Druckteile 346a bis 346f einer Stiftform jeweils in dem oberen Abschnitt einer Druckvorrichtung 343 an Positionen angeordnet, die den Mittenabschnitten von Halbleiterchips 22a bis 22f entsprechen, um in der Höhe angehoben zu werden, wenn Druckteile 346a bis 346f nahe eines Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats 21 sind. Das heißt, Druckteile 346c, 346d, die sich am Nächsten zu dem Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats 21 befinden, sind ausgebildet, um die höchsten zu sein. Druckteile 346b, 346e sind ausgebildet, um die nächsthöchsten zu sein und Druckteile 346a, 346f sind ausgebildet, um die niedrigsten zu sein.

Als Nächstes grenzen, wie es in 23B gezeigt ist, wenn die Druckvorrichtung 343 durch eine nicht dargestellte Bewegungseinrichtung angehoben wird, lediglich Druckteile 346c, 346d, die sich am Nächsten zu dem Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats 21 befinden, jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22c, 22d von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher wird eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL3 bis D15 ausgeübt. Demgemäß können Halbleiterchips 22c, 22d in der Nähe des Mittenabschnitts, die nicht einfach teilweise geschnitten werden, vorzugsweise teilweise geschnitten werden.

Nachfolgend grenzen, wenn die Druckvorrichtung 343 weiter angehoben wird, wie es in 23C gezeigt ist, Druckteile 346b, 346e jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte von Halbleiterchips 22b, 22e von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher werden, da eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL2, DL6 ausgeübt wird, lediglich Halbleiterchips 22b, 22e teilweise geschnitten.

Wenn die Druckvorrichtung 343 weiter angehoben wird, grenzen, wie es in 23D gezeigt ist, Druckteile 346a, 346f jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte von Halbleiterchips 22a, 22f auf der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese hinteren Abschnitte. Daher werden, da eine Last konzentriert auf Teilschneide-Einleitungslinien DL1, DL7 ausgeübt wird, Halbleiterchips 22a, 22f teilweise geschnitten.

Das heißt, Druckteile 346a bis 346f, die in der Druckvorrichtung 343 angeordnet sind, drücken aufeinanderfolgend Halbleiterchips 22a bis 22f von einer Mittenrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu seiner Außenumfangsrichtung und schneiden aufeinanderfolgend teilweise Halbleiterchips 22a bis 22f von der Mittenrichtung zu der Außenumfangsrichtung.

In diesem Ausführungsbeispiel ist der Aufbau zum Befestigen des Druckteils 346 an dem oberen Abschnitt der Druckvorrichtung 343 als ein Beispiel dargestellt.

Alternativ kann ein Aufbau, der eine Anhebe/Absenkeinrichtung zum einzelnen Anheben und Absenken des Druckteils 346 und Festlegen des Druckteils 346 auf eine vorbestimmte Höhe aufweist, ebenso verwendet werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Die Druckvorrichtung 343, die in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats angeordnet ist, drückt aufeinanderfolgend auf einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche der Lage 341, die an der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 haftet, von der Mittenrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Außenumfangsrichtung. Deshalb kann das Halbleitersubstrat 21 vorzugsweise in der Nähe des Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats 21, der nicht einfach teilweise geschnitten wird, teilweise in Halbleiterchips 22c, 22d geschnitten werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.

Ähnliche Effekte können ebenso erzielt werden, wenn ein Aufbau zum Anordnen des Druckvorsprungs 344 des elften Ausführungsbeispiels, um in der Höhe angehoben zu werden, wenn der Druckvorsprung 344 in der Nähe des Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats 21 ist, verwendet wird.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines vierzehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein vierzehntes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutet. Die 24A bis 24D zeigen erläuternde Ansichten eines Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer Druckvorrichtung gemäß dem vierzehnten Ausführungsbeispiel. 24A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats 21. 24B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22c, 22d. 24C zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22b, 22e. 24D zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22e, 22f.

Wie es in 24A gezeigt ist, sind Druckteile 347a bis 347f einer Stiftform jeweils in dem oberen Abschnitt der Druckvorrichtung 343 an Positionen angeordnet, die den Mittenabschnitten von Halbleiterchips 22a bis 22f entsprechen, um einzeln angehoben und abgesenkt zu sein.

Zuerst werden, wie es in 24B gezeigt ist, wenn die Druckvorrichtung 343 durch eine nicht dargestellte Bewegungseinrichtung angehoben wird, lediglich Druckteile 347c, 347d, die sich am Nächsten zu dem Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats 21 befinden, angehoben und grenzen jeweils an unteren Abschnitten der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22c, 22d von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken diese unteren Abschnitte lokal. Daher können, da eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL3 bis DL5 ausgeübt wird, Halbleiterchips 22c, 22d in der Nähe des Mittenabschnitts, die nicht leicht teilweise geschnitten werden, vorzugsweise teilweise geschnitten werden.

Nachfolgend werden, wie es in 24C gezeigt ist, Druckteile 347b, 347e angehoben und grenzen jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte von Halbleiterchips 22b, 22e von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher werden, da eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL2, DL6 ausgeübt wird, lediglich Halbleiterchips 22b, 22e teilweise geschnitten.

Weiterhin werden, wie es in 24D gezeigt ist, Druckteile 347a, 347f angehoben und grenzen jeweils auf unteren Abschnitten der Mittenabschnitte von Halbleiterchips 22a, 22f an der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher werden, da eine Spannung konzentriert auf die Teilschneide-Einteilungslinien DL1, DL7 ausgeübt wird, Halbleiterchips 22a, 22f teilweise geschnitten.

Das heißt, Druckteile 347a bis 347f, die in der Druckvorrichtung 343 angeordnet sind, werden aufeinanderfolgend von der Mittenrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Außenumfangsrichtung angehoben und drücken Abschnitte und Positionen, die den Mittenabschnitten von Halbleiterchips 22a bis 22f entsprechen. Dann werden Halbleiterchips 22a bis 22f aufeinanderfolgend von der Mittenrichtung zu der Außenumfangsrichtung teilweise geschnitten.

Hierbei wird der Halbleiterchip der Mittenrichtung, der vorhergehend teilweise geschnitten wird, durch das Druckteil von der hinteren Fläche gehalten. Deshalb wird, da die Lage 241 horizontal stabil gehalten wird, kein Riss abgelenkt, wenn der Halbleiterchip der Außenumfangsrichtung teilweise geschnitten wird. Demgemäß kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Die Druckvorrichtung 343, die in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats angeordnet ist, drückt aufeinanderfolgend einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche der Lage 241, die an der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 haftet, von der Mittenrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Außenumfangsrichtung. Deshalb kann das Halbleitersubstrat 21 vorzugsweise von den Halbleiterchips 22c, 22d in der Nähe des Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats 21 teilweise geschnitten werden, das nicht einfach teilweise geschnitten wird. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.

Ähnliche Effekte können ebenso erzielt werden, wenn der Druckvorsprung 344 des elften Ausführungsbeispiels aufgebaut ist, um einzeln angehoben und abgesenkt zu werden, und das Halbleitersubstrat aufeinanderfolgend von der Mittenrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Außenumfangsrichtung gedrückt wird.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung eines fünfzehnten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung.

Ein fünfzehntes Ausführungsbeispiel der Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats wird unter Bezugnahme auf die Darstellungen erläutert. Die 25A bis 25D zeigen erläuternde Ansichten eines Teilschneideverfahrens des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer Druckvorrichtung gemäß dem fünfzehnten Ausführungsbeispiel. 25A zeigt eine erläuternde Ansicht eines Zustands vor dem teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats 21. 25B zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22a, 22f. 25C zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22b, 22e. 25D zeigt eine erläuternde Ansicht eines Verfahrens zum teilweisen Schneiden von Halbleiterchips 22c, 22d.

Wie es in 25A gezeigt ist, sind ähnlich dem vierzehnten Ausführungsbeispiel Druckteile 347a bis 347f einer Stiftform jeweils in dem oberen Abschnitt der Druckvorrichtung 343 an Positionen angeordnet, die den Mittenabschnitten von Halbleiterchips 22a bis 22f entsprechen, um einzeln angehoben oder abgesenkt zu sein.

Zuerst werden, wie es in 25B gezeigt ist, wenn die Druckvorrichtung 343 durch eine nicht dargestellte Bewegungseinrichtung angehoben wird, lediglich Druckteile 347a, 347f auf der äußersten Umfangsseite des Halbleitersubstrats 21 angehoben und grenzen jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte von Halbleiterchips 22a, 22f von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher können, da eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL1, DL2, DL6, DL7 ausgeübt wird, Halbleiterchips 22c, 22d in der Nähe eines Außenumfangsabschnitts vorzugsweise teilweise geschnitten werden.

Zu dieser Zeit gibt es, da Halbleitechips 22a, 22f der Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats 21 zuverlässig teilweise geschnitten werden, keinen Fall, in welchem die Lage 241 übermäßig ausgedehnt wird, und keine Kraft wird auf den Mittenabschnitt ausgeübt.

Nachfolgend werden, wie es in 25C gezeigt ist, Druckteile 347a, 347f abgesenkt und werden Druckteile 347b, 347e angehoben und grenzen jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22b, 22e von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher werden, da eine Spannung konzentriert auf Teilschneide-Einteilungslinien DL3, DL5 ausgeübt wird, lediglich Halbleiterchips 22b, 2e teilweise geschnitten.

Nachfolgend werden, wie es in 25D gezeigt ist, Druckteile 347b, 347e abgesenkt und werden Druckteile 347c, 347d angehoben und grenzen jeweils an untere Abschnitte der Mittenabschnitte der Halbleiterchips 22c, 22d von der Seite der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 an und drücken lokal diese unteren Abschnitte. Daher werden, da eine Spannung auf Teilschneide-Einteilungslinien DL4 ausgeübt wird, Halbleiterchips 22c, 22d teilweise geschnitten.

Das heißt, Druckteile 347a bis 347f, die in der Druckvorrichtung 343 angeordnet sind, werden aufeinanderfolgend von der Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Mittenrichtung angehoben und drücken Abschnitte an Positionen, die in den Mittenabschnitten von Halbleiterchips 22a bis 22f entsprechen. Dann werden Halbleiterchips 22a bis 22f aufeinanderfolgend teilweise von der Außenumfangsrichtung zu der Mittenrichtung geschnitten.

Die vorhergehende Vorrichtung weist den folgenden Effekt auf.

Die Druckvorrichtung 343, die in der Teilschneidevorrichtung 1 des Halbleitersubstrats angeordnet ist, drückt aufeinanderfolgend einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche einer Lage 241, die an der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats 21 haftet, von der Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats 21 zu der Mittenrichtung. Deshalb wird das Halbleitersubstrat 21 zuverlässig von dem Halbleiterchip 22 der Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats 21 teilweise geschnitten. Demgemäß gibt es auch dann, wenn der Halbleiterchip 22, der nicht einfach teilweise geschnitten wird, in der Nähe des Außenumfangs des Halbleitersubstrats 21 vorhanden ist, keinen Fall, in welchem die Lage 241 übermäßig ausgedehnt wird und keine Kraft auf den Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats 21 ausgeübt wird. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22verbessert werden.

Nachstehend erfolgt die Beschreibung von Ausgestaltungen der elften bis fünfzehnten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.

  • (1) Wenn die hintere Fläche der Lage 241 durch die Druckvorrichtung 343 gedrückt wird, kann eine Vibration ebenso unter Verwendung einer Vibrationseinrichtung, wie zum Beispiel eines Ultraschallvibrators usw., zu dem Halbleitersubstrat 21 gegeben werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann ein Riss von dem Umformungsbereich K durch eine physikalische Wirkung der Vibration entwickelt werden und kann eine Kraft, die bei dem teilweisen Schneiden erforderlich ist, verringert werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.
  • (2) Wenn die hintere Fläche der Lage 241 durch die Druckvorrichtung 343 gedrückt wird, kann das Halbleitersubstrat 21 ebenso unter Verwendung einer Erwärmungsvorrichtung, wie zum Beispiel eines Erhitzers usw., erwärmt werden. Wenn dieser Aufbau verwendet wird, kann eine thermische Spannung an dem Umformungsbereich K ausgeübt werden und kann eine Kraft, die bei dem teilweisen Schneiden erforderlich ist, verringert werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat 21 einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips 22 verbessert werden.
  • (3) Das Halbleitersubstrat, das durch lediglich Silizium aufgebaut ist, wird in dem Halbleitersubstrat 21 verwendet. Alternativ kann ein Aufbau, bei welchem ein Oxidfilm, der durch Siliziumoxid aufgebaut ist, auf der Substratfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet ist, verwendet werden und kann ein Wafer SOI bzw. Silizium-auf-Isolator sein.

Die vorhergehende Offenbarung weist die folgenden Aspekte auf.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Schneidelement zum Schneiden des Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, ein Adsorptionselement zum Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft und ein Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität zum Erzeugen von statischer Elektrizität und zum Steuern der statischen Elektrizität, um die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.

In der vorhergehenden Vorrichtung ist eine Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung angeordnet, die eine Adsorptionseinrichtung und eine Einrichtung zum Erzeugen statischer Elektrizität aufweist. Die Adsorptionseinrichtung adsorbiert eine Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche eines Halbleitersubstrats haftet, durch eine elektrostatische Kraft. Die Einrichtung zum Erzeugen von statischer Elektrizität induziert eine statische Elektrizität in diese Adsorptionseinrichtung und steuert die Höhe einer elektrostatischen Kraft. Deshalb zieht die Adsorptionseinrichtung die Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche haftet, an und adsorbiert diese. Demgemäß kann die Anhaftungssubstanz ohne Bewegen der Anhaftungssubstanz in einem breiten Bereich beseitigt werden. Weiterhin kann, da keine Anhaftungssubstanz gestreut wird, die Anhaftungssubstanz im Vergleich zu einem Fall zum Wegblasen der Anhaftungssubstanz durch Luftreinigen usw. wirksam beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, eine Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, wirksam die Anhaftungssubstanz zu beseitigen, die an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufzuweisen.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Umformungsbereich-Ausbildungselement zum Ausbilden eines Umformungsbereichs in dem Halbleitersubstrat beinhalten. Das Umformungsbereich-Ausbildungselement beinhaltet einen Laserkopf zum derartigen Abstrahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat entlang der Schneidelinie, dass der Umformungsbereich an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird, und das Halbleitersubstrat, das den Umformungsbereich aufweist, wird von dem Umformungsbereich als ein Startpunkt eines Trennens getrennt. In diesem Fall ist eine Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung angeordnet. Während ein Laserkopf zum Abstrahlen eines Laserstrahls relativ bezüglich des Halbleitersubstrats entlang einer Teilschneide-Einteilungslinie bewegt wird, strahlt die Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung den Laserstrahl durch Entsprechen eines Brennpunkts mit dem Inneren des Halbleitersubstrats ab und bildet einen Umformungsbereich unter Verwendung einer Multiphotonen-Absorption an dem Brennpunkt aus. Die vorhergehende Vorrichtung wird vorzugsweise in einer Struktur verwendet, die einen Aufbau zum teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats, das über dieses Umformungsbereich-Ausbildungsverfahren ausgebildet ist, mit dem Umformungsbereich als ein Startpunkt verwendet. Das heißt, die Anhaftungssubstanz, die von dem Halbleitersubstrat zu einer Teilschneidezeit des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer Teilschneideeinrichtung erzeugt wird, wird von der Adsorptionseinrichtung adsorbiert werden. Deshalb ist es möglich, eine Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, die Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet, wirksam zu beseitigen, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufzuweisen.

Alternativ können das Adsorptionselement und das Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität ein Verunreinigungsbeseitigungselement schaffen und kann das Verunreinigungsbeseitigungselement im Stande sein, die Verunreinigung zusammen mit einer Bestrahlung des Laserstrahls durch den Laserkopf zu beseitigen. In diesem Fall wird die Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung betrieben, wenn mindestens die Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung den Laserstrahl abstrahlt. Deshalb wird keine Strahlung des Laserstrahls durch die Anhaftungssubstanz behindert, die an der Substratfläche haftet.

Alternativ kann das Adsorptionselement im Stande sein, den Laserstrahl dadurch zu übertragen und ist das Adsorptionselement zwischen dem Laserkopf und dem Halbleitersubstrat angeordnet. In diesem Fall überträgt die Adsorptionseinrichtung den Laserstrahl und ist die Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung zwischen dem Laserkopf und der Substratfläche angeordnet. Deshalb kann der Laserstrahl abgestrahlt werden, während die Anhaftungssubstanz beseitigt wird. Demgemäß wird keine Strahlung des Laserstrahls durch die Anhaftungssubstanz behindert und kann eine Anhaftungssubstanz, die von dem Halbleitersubstrat durch das Abstrahlen des Laserstrahls erzeugt wird, beseitigt werden.

Alternativ können das Adsorptionselement und das Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität ein Verunreinigungsbeseitigungselement schaffen und kann das Verunreinigungsbeseitigungselement die Verunreinigung beseitigen, welche in einem Fall erzeugt wird, in dem das Schneideelement das Halbleitersubstrat schneidet. In diesem Fall beseitigt die Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung die Anhaftungssubstanz, die erzeugt wird, wenn das Halbleitersubstrat von der Teilschneideeinrichtung teilweise geschnitten wird. Deshalb gibt es keine Gefahr, dass die Anhaftungssubstanz einen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufweist.

Alternativ kann das Adsorptionselement eine adsorbierende Oberfläche aufweisen, welche dem gesamten Halbleitersubstrat gegenüberliegt, und wird die Verunreinigung auf der adsorbierenden Oberfläche des Absorptionselements adsorbiert. In diesem Fall wird eine adsorbierende Fläche zum Adsorbieren der Anhaftungssubstanz der Adsorptionseinrichtung ausgebildet, um der gesamten Substratfläche gegenüberzuliegen. Deshalb kann die Anhaftungssubstanz, die an der gesamten Substratfläche haftet, zu einer Zeit an der Adsorptionseinrichtung adsorbiert werden. Weiterhin ist es nicht erforderlich, die Adsorptionseinrichtung in einem breitein Bereich zu bewegen, um der Substratfläche gegenüber zu liegen. Demgemäß kann ein Beseitigungswirkungsgrad der Anhaftungssubstanz angehoben werden. Weiterhin kann, da keine Anhaftungssubstanz belassen wird, der Einfluss der Anhaftungssubstanz auf ein Produkt beseitigt werden.

Alternativ kann das Adsorptionselement weiterhin eine Haftschicht beinhalten, die dem Halbleitersubstrat gegenüberliegt, und lässt die Haftschicht die Verunreinigung haften, welche von dem Adsorptionselement adsorbiert wird. In diesem Fall ist ein Haftteil auf einer Fläche der Seite der Substratfläche der Adsorptionseinrichtung angeordnet. In dem Haftteil ist eine Haftschicht zum Einfangen der Anhaftungssubstanz, die von der Adsorptionseinrichtung angezogen wird, auf der Seite der Substratfläche ausgebildet. Deshalb kann die Anhaftungssubstanz durch die Haftschicht eingefangen werden. Demgemäß kann die Anhaftungssubstanz in einem einfachen Zustand auch dann aufrecht erhalten werden, wenn eine elektrostatische Kraft, die in der Adsorptionseinrichtung erzeugt wird, beseitigt wird. Die Anhaftungssubstanz kann durch ledigliches Beseitigen des Haftteils gesammelt werden. Weiterhin ist, wenn das Haftteil ersetzt werden kann, kein Aufwand zum Beseitigen der Anhaftungssubstanz der Fläche der Seite der Substratfläche durch Abstreifen usw. erforderlich. Demgemäß kann die Anhaftungssubstanz wirksam beseitigt werden.

Alternativ kann das Adsorptionselement eine Gitterstruktur aufweisen. In diesem Fall ist die Adsorptionseinrichtung ein Teil einer Gitterform. Deshalb kann der Laserstrahl durch Gitter auf das Halbleitersubstrat abgestrahlt werden.

Alternativ kann das Adsorptionselement eine Mehrzahl von adsorbierenden Gittern beinhalten, welche in einer Richtung gestapelt sind, die senkrecht zu dem Halbleitersubstrat ist. Die adsorbierenden Gitter sind in einem vorbestimmten Abstand gestapelt und das Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität steuert ein elektrisches Potenzial von jedem adsorbierenden Gitter. In diesem Fall weist die Anhaftungssubstanz-Beseitigungseinrichtung mehrere Adsorptionseinrichtungen auf, die derart in einem vorbestimmten Abstand angeordnet sind, dass die Adsorptionseinrichtung der Seite der Substratfläche durch ein Teil einer Gitterform aufgebaut ist. Das elektrische Potenzial zwischen dem vorhergehenden geschichteten Adsorptionseinrichtungen kann von der Einrichtung zum Erzeugen von statischer Elektrizität geändert werden. Deshalb kann die Abmessung der Anhaftungssubstanz von der Adsorptionseinrichtung der Seite der Substratfläche und den anderen Adsorptionseinrichtungen unterschieden werden. Daher kann die adsorbierte Anhaftungssubstanz durch Steuern des elektrischen Potenzials zwischen den Adsorptionseinrichtungen wirksam gesammelt werden.

Alternativ kann der Laserkopf im Stande sein, den Laserstrahl entlang einer Abtastrichtung abzutasten, die parallel zu dem Halbleitersubstrat ist. Mindestens ein Teil des Adsorptionselements ist auf einer Seite angeordnet, die von dem Laserstrahl abzutasten ist, und das Teil des Adsorptionselements ist in Übereinstimmung mit einer Bewegung des Laserkopfs versetzbar. In diesem Fall ist mindestens ein Abschnitt des Adsorptionsteils auf einer Seite einer Abtastrichtung des Laserkopfs angeordnet. Wenn der Laserstrahl von dem Laserkopf abgestrahlt wird, wird das Adsorptionsteil relativ bezüglich des Halbleitersubstrats zusammen mit dem Laserkopf bewegt. Deshalb kann die Anhaftungssubstanz, die die Abstrahlung des Laserstrahls behindert, beseitigt werden, bevor der Laserstrahl abgestrahlt wird. Demgemäß kann der Laserstrahl zweckmäßiger abgestrahlt werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Trennelement zum Beseitigen der Verunreinigung von dem Adsorptionselement beinhalten. In diesem Fall ist eine Trenneinrichtung zum Trennen der Anhaftungssubstanz, die von dem Adsorptionsteil adsorbiert wird, von dem Adsorptionsteil angeordnet. Deshalb kann die Oberfläche des Adsorptionsteils gereinigt werden und wird keine Adsorptionskraft verringert. Weiterhin haftet keine Anhaftungssubstanz, die von der Adsorptionseinrichtung zurückgelassen wird, erneut an der Substratfläche.

Alternativ kann das Trennelement das Adsorptionselement zu einer vorbestimmten Position versetzen, an welcher das Adsorptionselement nicht dem Halbleitersubstrat gegenüber liegt, und sammelt das Trennelement die Verunreinigung, die von dem Adsorptionselement beseitigt wird, wenn das Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität stoppt, die statische Elektrizität zu erzeugen. In diesem Fall bewegt die Trenneinrichtung die Adsorptionseinrichtung zu einer Position, die dem Halbleitersubstrat nicht gegenüber liegt. Die Anhaftungssubstanz, die von der Adsorptionseinrichtung adsorbiert wird, wird durch Unterbrechen einer elektrostatischen Kraft getrennt, die von der Einrichtung zum Erzeugen von statischer Elektrizität in der Adsorptionseinrichtung erzeugt wird. Deshalb ist es möglich, zuverlässig zu verhindern, dass die gesammelte Anhaftungssubstanz erneut an der Substratfläche haftet. Daher kann die Anhaftungssubstanz wirksam gesammelt werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Vibrationselement zum Vibrieren des Halbleitersubstrats beinhalten. In diesem Fall ist eine Vibrationseinrichtung zum Geben einer Vibration zu dem Halbleitersubstrat angeordnet. Deshalb kann eine Haftkraft der Anhaftungssubstanz an der Substratfläche durch die Vibration des Halbleitersubstrats abgeschwächt werden. Demgemäß kann die Anhaftungssubstanz wirksam beseitigt werden.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Schneiden des Halbleitersubstrats in mehrere Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, ein Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft und ein Steuern einer statischen Elektrizität, um die Verunreinigung zu adsorbieren und die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.

In dem vorhergehenden Verfahren werden ein Adsorptionsverfahren zum Adsorbieren der Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet, durch eine elektrostatische Kraft und ein Verfahren zum Erzeugen von statischer Elektrizität zum Steuern der Höhe der vorhergehenden elektrostatischen Kraft in einem Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats angeordnet. Deshalb wird die Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche haftet, in dem Adsorptionsverfahren angezogen und adsorbiert. Demgemäß kann die Anhaftungssubstanz ohne Bewegen der Anhaftungssubstanz in einem breiten Bereich beseitigt werden. Weiterhin kann, da keine Anhaftungssubstanz gestreut wird, die Anhaftungssubstanz im Vergleich zu einem Fall, in welchem die Anhaftungssubstanz durch ein Luftreinigen usw. weggeblasen wird, wirksam beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, ein Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats zu realisieren, das im Stande ist, wirksam die Anhaftungssubstanz, die an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet, zu beseitigen, ohne irgendeinen schlechten Einfluss auf ein Produkt aufzuweisen.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Das Halbleitersubstrat beinhaltet einen Bereich, der im Stande ist, eine Spannung zum Trennen des Halbleitersubstrats zu verringern, und der Bereich ist entlang der Schneidelinie angeordnet. Die Vorrichtung beinhaltet ein Halteelement zum Halten eines Teils des Halbleitersubstrats, wobei das Teil einem der Chips entspricht und von der Schneidelinie umgeben ist, und ein Kraftausübungselement zum Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleitersubstrats durch das Halteelement, um den einen der Chips von dem Halbleitersubstrat zu trennen.

In der vorhergehenden Vorrichtung kann die Spannung zuverlässig auf einen Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die beim Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran haften lässt und kann ein Riss, den der Halbleiterchip in der Nähe der Mitte des Halbleitersubstrats zurücklässt, beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, eine Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande ist, die Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Alternativ kann das Kraftausübungselement die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausüben, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird, und ist die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von der Substratfläche getrennt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Demgemäß ist es möglich, eine Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Alternativ kann das Kraftausübeelement die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausüben, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird und die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Druckrichtung des Teils des Halbleitersubstrats ist. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung zum Drücken der vorhergehenden Substratfläche arbeitet, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf einen Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die beim Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und kann ein Riss, den der Halbleiterchip in der Mitte des Halbleitersubstrats zurücklässt, beseitigt werden. Demgemäß ist es möglich, eine Herstellungsvorrichtung des Halbleiterchips zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin kann eine Kraft zum Anbringen des vorbestimmten Teils auf eine Kraft eines Grads festgelegt werden, der nicht von einer Richtung zum Ausüben einer Spannung zu einer Druckzeit verschoben ist. Demgemäß kann eine Kraft verringert werden, die bei einem Anbringen erforderlich ist.

Alternativ kann das Kraftausübungselement die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausüben, dass eine Spannung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird. Die vorbestimmte Richtung der Kraft ist eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat und das Teil des Halbleitersubstrats ist auf einem Umfang des Halbleitersubstrats angeordnet. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips, der sich in einem Endabschnitt eines Halbleitersubstrats befindet, und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von dem Halbleitersubstrat in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats getrennt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf einem Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und wird ein Riss, den der Halbleiterchip in der Nähe der Mitte des Halbleitersubstrats zurücklässt beseitigt. Demgemäß ist es möglich, eine Herstellungsvorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin wird, wenn der Halbleiterchips geteilt wird, der Halbleiterchip relativ in die Richtung bewegt, die von dem Halbleitersubstrat in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats getrennt ist. Deshalb gibt es, da keine geteilten Flächen gescheuert werden, keine Gefahr eines Erzeugens eines Absplitterns in dem Halbleiterchip.

Alternativ kann das Halbleitersubstrat eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweisen. Das Halbleitersubstrat beinhaltet weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen, von denen jedes dem Chip entspricht. Die Halbleiterelemente sind auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet. Das Halteelement hält das Teil des Halbleitersubstrats von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats. Das Kraftausübungselement übt die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats aus, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird. Die vorbestimmte Richtung der Kraft ist eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einer Position angebracht, die einem Abschnitt entspricht, der von einer Teil-Einteilungslinie der anderen Substratfläche eines Halbleitersubstrats umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von der vorhergehenden anderen Substratfläche getrennt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf einen Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teil in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gelegt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und wird ein Zurücklassen eines Risses beseitigt. Demgemäß ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin gibt es, da das vorbestimmte Teil an einer Fläche angebracht ist, die kein Halbleiterelement darauf ausbildet, keine Gefahr einer Beschädigung des Halbleiterelements.

Alternativ kann die Vorrichtung ein Vorspannungselement zum Vorspannen eines angrenzenden Teils des Halbleitersubstrats beinhalten. Das angrenzende Teil grenzt an dem Teil des Halbleitersubstrats an, der von der Schneidelinie umgeben ist, und entspricht einem angrenzenden Chip. Das Kraftausübungselement übt die Kraft in einer ersten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats aus und das Vorspannungselement spannt das angrenzende Teil des Halbleitersubstrats in einer zweiten Richtung vor, die zu der ersten Richtung entgegengesetzt ist. Weiterhin kann das Halbleitersubstrat eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweisen. Das Halbleitersubstrat beinhaltet weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen, von denen jedes dem Chip entspricht. Die Halbleiterelemente sind auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet und das Vorspannungselement spannt das angrenzende Teil des Halbleitersubstrats von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats vor. In diesem Fall ist eine Vorspannungseinrichtung zum Durchführen eines Vorspannens in einer Richtung, die umgekehrt zu einer Ausübungsrichtung einer Kraft ist, die durch ein vorbestimmtes Teil ausgeübt wird, in einem Abschnitt angeordnet, der von der vorhergehenden Linie und dem Umfang von mindestens einem Halbleiterelement umgeben ist, das an das Halbleiterelement angrenzt, das einem Anbringungsabschnitt des vorbestimmten Teils entspricht, oder ist auf der anderen Seite der Substratfläche des Halbleitersubstrats angeordnet, die dem Abschnitt entspricht, der von der vorhergehenden Linie umgeben ist. Deshalb wird, wenn eine Spannung durch das vorbestimmte Teil ausgeübt wird, eine Deformation des Halbleitersubstrats ausgenommen des Anbringungsabschnitts des vorbestimmten Teils eingeschränkt und kann eine Spannung konzentriert auf den vorhergehenden Bereich ausgeübt werden. Lediglich ein zum Teilen eingeplanter Halbleiterchip kann zuverlässig geteilt werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin eine Lage, einen Rahmen zum Halten eines Umfangs der Lage und ein Ausdehnungselement zum Ausdehnen der Lage beinhalten. Das Halbleitersubstrat weist eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche auf. Das Halbleitersubstrat beinhaltet weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen, von denen jedes dem Chip entspricht. Die Halbleiterelemente sind auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet und die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats ist an der Lage befestigt. In diesem Fall wird eine Lage ausgedehnt, wenn eine Spannung auf das Halbleitersubstrat ausgeübt wird. Demgemäß wird eine Zugspannung in der ebenen Richtung auf das Halbleitersubstrat ausgeübt. Deshalb kann, da eine Spannung, die auf den vorhergehenden Bereich ausgeübt wird, erhöht wird, das Halbleitersubstrat weiter einfach geteilt werden.

Alternativ kann das Ausdehnungselement ein Druckelement zum Drücken der Lage von einer Seite der Lage sein, welche dem Halbleitersubstrat gegenüberliegt, und wird die Lage durch Drücken mit dem Druckelement ausgedehnt. In diesem Fall wird die Lage durch einen einfachen Vorgang ausgedehnt, in welchem die hintere Seite der Lage durch eine Druckeinrichtung gedrückt wird. Deshalb kann das Halbleitersubstrat durch wirksameres Ausüben einer Spannung auf das gesamte Halbleitersubstrat geteilt werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Umformungsbereich-Ausbildungselement zum Ausbilden eines Umformungsbereichs in dem Halbleitersubstrat beinhalten. Das Umformungsbereich-Ausbildungselement beinhaltet einen Laserkopf zum derartigen Abstrahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat entlang der Schneidelinie, dass Umformungsbereich an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird, und das Halbleitersubstrat, das den Umformungsbereich aufweist, wird von dem Umformungsbereich als ein Startpunkt eines Trennens getrennt. In diesem Fall ist eine Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung angeordnet. Während ein Laserkopf zum Abstrahlen eines Laserstrahls relativ bezüglich des vorhergehenden Halbleitersubstrats entlang einer Teil-Einteilungslinie bewegt wird, strahlt die Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung den Laserstrahl durch Entsprechen eines Brennpunkts mit dem Inneren des Halbleitersubstrats ab und bildet einen Umformungsbereich unter Verwendung einer Multiphotonen-Absorption an dem Brennpunkt aus. Die vorhergehende Vorrichtung wird geeignet in einer Struktur verwendet, die einen Aufbau zum Teilen des Halbleitersubstrats, das über dieses Umformungsbereich-Ausbildungsverfahren ausgebildet ist, mit dem Umformungsbereich als ein Startpunkt aufweist. Das heißt, da der Umformungsbereich innerhalb des Halbleitersubstrats durch das Abstrahlen des Laserstrahls ausgebildet ist, wird keine Verunreinigung wie in einem Fall zum Durchführen eines Würfelns durch eine Diamantklinge usw. erzeugt. Demgemäß gibt es keine Gefahr, dass eine Verunreinigung an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Beförderungselement zum Befördern des einen der Chips zu einem späteren Montageverfahren beinhalten. In diesem Fall wird das vorbestimmte Teil in einem Haftzustand des geteilten Halbleiterchips zu einem Montageverfahren des Halbleiterchips befördert. Deshalb kann verglichen mit einem Verfahren zum Aufnehmen und Befördern des Halbleiterchips zu dem Montageverfahren, nachdem der Halbleiterchip geteilt worden ist, eine Zeit verkürzt werden, und kann der Halbleiterchip ohne ein Ausfallen bei dem Aufnehmen des Halbleiterchips zuverlässig zu dem Montageverfahren befördert werden.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats ein Vorbereiten des Halbleitersubstrats, das erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei eine Mehrzahl von Halbleiterelementen auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, ein Teilen des Halbleitersubstrats in mehrere Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, wobei jeder Chip mindestens ein Halbleiterelement beinhaltet, ein Ausbilden eines Bereichs zum Verringern einer Spannung, um das Halbleitersubstrat zu trennen, wobei der Bereich entlang der Schneidelinie angeordnet ist, ein Anbringen eines Halteelements auf einem Teil des Halbleitersubstrats, wobei das Teil einem der Chips entspricht und von der Schneidelinie umgeben ist, und ein Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleiterelements durch das Halteelement, um den einen der Chips von dem Halbleitersubstrat zu trennen.

In dem vorhergehenden Verfahren kann die Spannung zuverlässig auf einen Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran angebracht aufweist, und wird ein Riss, den der Halbleiterchip in der Nähe des Halbleitersubstrats zurücklässt, beseitigt. Demgemäß ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Alternativ kann die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil eines Halbleitersubstrats ausgeübt werden, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird, und ist die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von der Substratfläche getrennt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Alternativ kann die Kraft in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt werden, so dass eine Scherbeanspruchung auf ein Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird, und ist die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Druckrichtung des Teils des Halbleitersubstrats. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung zum Drücken der vorhergehenden Substratfläche arbeitet, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf einen Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilunbgslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und wird ein Riss, den der Halbleiterchip in der Nähe der Mitte des Halbleitersubstrats zurücklässt, beseitigt. Demgemäß ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin kann eine Kraft zum Anbringen des vorbestimmten Teils auf eine Kraft eines Grads festgelegt sein, der nicht von einer Richtung zum Ausüben einer Spannung zu einer Druckzeit verschoben ist. Demgemäß kann eine Kraft verringert werden, die bei einem Anbringen erforderlich ist.

Alternativ kann die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt werden, dass eine Spannung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird. Die vorbestimmte Richtung der Kraft ist eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat und parallel zu dem Halbleitersubstrat und das Teil des Halbleitersubstrats ist auf einem Umfang des Halbleitersubstrats angeordnet. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einem Abschnitt angebracht, der von dem Umfang eines Halbleiterchips, der sich in einem Endabschnitt eines Halbleitersubstrats befindet, und einer Teil-Einteilungslinie auf einer Substratfläche umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von dem Halbleitersubstrat in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats getrennt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig an einem Bereich ausgebildet werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teil-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratfläche zwischen jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und wird ein Riss, den der Halbleiterchip in der Nähe der Mitte des Halbleitersubstrats zurücklässt, beseitigt. Demgemäß ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin wird, wenn der Halbleiterchip geteilt wird, der Halbleiterchip relativ in die Richtung bewegt, die von dem Halbleitersubstrat in einer ebenen Richtung des Halbleitersubstrats getrennt ist. Deshalb gibt es, da keine geteilten Flächen gescheuert werden, keine Gefahr eines Erzeugens eines Absplitterns in dem Halbleiterchip.

Alternativ kann die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt werden, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats ausgeübt wird. Die vorbestimmte Richtung der Kraft ist eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat und das Halteelement ist an dem Teil des Halbleitersubstrats von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats angebracht. In diesem Fall ist ein vorbestimmtes Teil an einer Position angebracht, die einem Abschnitt entspricht, der von einer Teil-Einteilungslinie der anderen Substratfläche eines Halbleitersubstrats umgeben ist. Eine Kraft, die in einer Richtung arbeitet, die von der vorhergehenden anderen Substratfläche entfernt ist, wird auf dieses vorbestimmte Teil ausgeübt. Daher kann eine Spannung zuverlässig auf einem Bereich ausgeübt werden, der in einer Dickenrichtung ausgebildet ist, um eine Spannung zu verringern, die bei einem Teilen in der Dickenrichtung entsprechend der Teile-Einteilungslinie erforderlich ist, die auf die Substratflächen zwischen den jeweiligen Halbleiterelementen gesetzt ist. Deshalb kann das Halbleitersubstrat zuverlässig in der Dickenrichtung der vorhergehenden Linie jedes Halbleiterelement teilen, das das vorbestimmte Teil daran anbringt, und wird ein Zurücklassen eines Risses beseitigt. Demgemäß ist es möglich, ein Herstellungsverfahren des Halbleiterchips zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch Teilen des Halbleitersubstrats erzielt wird. Weiterhin gibt es, da das vorbestimmte Teil an einer Fläche angebracht ist, die kein Halbleiterelement darauf ausbildet, keine Gefahr einer Beschädigung des Halbleiterelements.

Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat eine Lage zum Befestigen des Halbleitersubstrats darauf, einen Rahmen zum Halten eines Umfangs der Lage und ein Druckelement zum lokalen Drücken der Lage von einer Seite der Lage, die dem Halbleitersubstrat gegenüber liegt. Die Lage wird derart ausgedehnt, dass das Halbleitersubstrat in die Chips getrennt wird, wenn das Druckelement die Lage drückt.

In der vorhergehenden Vorrichtung, das heißt in einer Teilschneidevorrichtung eines Halbleitersubstrats zum teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats und Erzielen eines Halbleiterchips durch Drücken der hinteren Fläche einer Lage, die das Halbleitersubstrat darauf haften lässt, durch eine Druckeinrichtung und Ausdehnen der Lage, ist es möglich, einen Ort zum Drücken der hinteren Fläche der Lage durch die Druckeinrichtung auszuwählen. Deshalb ist es möglich, einen Abschnitt an einer Position zum Erzeugen einer Spannung auf einer Teilschneide-Einteilungslinie lokal zu drücken, der nicht einfach teilweise geschnitten wird. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat durch Ausüben einer ausreichenden Last auf die Teilschneide-Einteilungslinie einfach teilweise geschnitten werden, die nicht einfach teilweise geschnitten wird. Weiterhin wird, da eine Kontaktfläche der Lage und eines Druckteils klein wird, kein Ausdehnen der Lage durch eine Reibungskraft bezüglich des Druckteils eingeschränkt und kann die Lage gleichmäßig ausgedehnt werden. Deshalb kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden. Demgemäß ist es möglich, die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats zu realisieren, die im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Alternativ kann das Druckelement lokal einen Teil der Lage drücken, welcher der Schneidelinie entspricht. In diesem Fall drückt das Druckteil einen Abschnitt an einer Position, der der Teilschneide-Einteilunngslinie der hinteren Fläche der Lage entspricht. Deshalb kann eine Biegespannung in dem Halbleitersubstrat mit der Teilschneide-Einteilungslinie als ein Startpunkt erzeugt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Alternativ kann das Druckelement lokal einen Teil der Lage drücken, welcher einer Mitte von einem der Chips entspricht. In diesem Fall kann, da das Druckteil einen Abschnitt an einer Position drückt, der einem Mittenabschnitt des Halbleiterchips auf der hinteren Fläche der Lage entspricht, eine Spannung, die für ein teilweises Schneiden erforderlich ist, einfach auf jeden Halbleiterchip ausgeübt werden. Weiterhin kann eine Biegespannung in dem Halbleitersubstrat mit dem Mittenabschnitt des Halbleiterchips als ein Startpunkt erzeugt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Alternativ kann das Druckelement lokal eine vorbestimmte Position der Lage in einer vorbestimmten Größenordnung drücken. In diesem Fall kann, da das Druckelement einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche der Lage in einer aufeinander folgenden Reihenfolge drückt, das Halbleitersubstrat vorzugsweise von dem Halbleiterchip teilweise geschnitten werden, der nicht einfach teilweise geschnitten wird. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Alternativ kann die vorbestimmte Reihenfolge eine Reihenfolge von einem Umfang zu einer Mitte der Lage sein. Hierbei besteht, wenn der Halbleiterchip, der nicht einfach teilweise geschnitten wird, in der Nähe des Außenumfangs des Halbleitersubstrats vorhanden ist, ein Problem, dass die Lage übermäßig ausgedehnt wird, um teilweise diesen Halbleiterchip zu teilen und wird keine Kraft an dem Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats ausgeübt. In einem derartigen Fall drückt in der vorhergehenden Vorrichtung das Druckteil ebenso aufeinander folgend einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche der Lage von einer Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats zu einer Mittenrichtung. Deshalb schneidet das Druckteil zuverlässig teilweise das Halbleitersubstrat von dem Halbleiterchip der Außenumfangsrichtung des Halbleitersubstrats. Demgemäß gibt es keinen Fall, in dem die Lage übermäßig ausgedehnt wird und keine Kraft auf den Mittenabschnitt des Halbleitersubstrats ausgeübt wird.

Alternativ kann die vorbestimmte Reihenfolge eine Reihenfolge von einer Mitte zu einem Umfang der Lage sein. In diesem Fall drückt das Druckteil aufeinander folgend einen Abschnitt an einer vorbestimmten Position der hinteren Fläche der Lage von der Mittenrichtung des Halbleitersubstrats zu der Außenumfangsrichtung. Deshalb kann das Halbleitersubstrat vorzugsweise in der Nähe des Mittenabschnitts des Halbleitersubstrats, der nicht einfach teilweise geschnitten wird, teilweise geschnitten werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Umformungsbereich-Ausbildungselement zum Ausbilden eines Umformungsbereichs in dem Halbleitersubstrat beinhalten. Das Umformungsbereich-Ausbildungselement beinhaltet einen Laserkopf zum derartigen Abstrahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat entlang der Schneidelinie, dass der Umformungsbereich an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird und das Halbleitersubstrat, das den Umformungsbereich aufweist, von dem Umformungsbereich als ein Startpunkt eines Trennens getrennt wird. In diesem Fall ist eine Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung angeordnet. Während ein Laserkopf zum Abstrahlen eines Laserstrahls relativ bezüglich des vorhergehenden Halbleitersubstrats entlang der Teilschneide-Einteilungslinie bewegt wird, strahlt die Umformungsbereich-Ausbildungseinrichtung den Laserstrahl durch Entsprechen eines Brennpunkts mit dem Inneren des Halbleitersubstrats ab und bildet einen Umformungsbereich unter Verwendung einer Multiphotonen-Absorption an dem Brennpunkt aus. Die vorhergehende Vorrichtung wird geeignet in einer Struktur verwendet, die einen Aufbau zum teilweisen Schneiden des Halbleitersubstrats, das über dieses Umformungsbereich-Ausbildungsverfahren ausgebildet ist, mit dem Umformungsbereich als ein Startpunkt aufweist. Das heißt, die Substratfläche der hinteren Fläche des Halbleitersubstrats haftet an der Lage und kann dann gewürfelt werden. Deshalb kann ein Würfelungsverfahren verkürzt werden und wird keine Verunreinigung zu einer Würfelungszeit erzeugt. Deshalb gibt es keine Gefahr, dass eine Verunreinigung an der Substratfläche des Halbleitersubstrats haftet.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Vibrationselement zum Vibrieren des Halbleitersubstrats beinhalten. In diesem Fall weist die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats eine Vibrationseinrichtung zum Geben einer Vibration zu dem Halbleitersubstrat auf. Deshalb kann ein Riss auf der Teilschneide-Einteilungslinie durch eine physikalische Wirkung der Vibration entwickelt werden und kann eine Kraft, die bei dem teilweisen Schneiden erforderlich ist, verringert werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Alternativ kann die Vorrichtung weiterhin ein Erwärmungselement zum Erwärmen des Halbleitersubstrats beinhalten. In diesem Fall weist die Teilschneidevorrichtung des Halbleitersubstrats eine Erwärmungseinrichtung zum Erwärmen des Halbleitersubstrats auf. Deshalb kann eine thermische Spannung auf die Teilschneide-Einteilungslinie ausgeübt werden und kann eine Kraft verringert werden, die bei dem teilweisen Schneiden erforderlich ist. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden. Genauer gesagt ist, wenn der Umformungsbereich entlang der Teilschneide-Einteilungslinie ausgebildet ist, die Differenz einer thermischen Expansion zwischen dem Umformungsbereich und einem nicht umgeformten Bereich groß. Deshalb kann, da eine große thermische Spannung erzeugt wird, das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.

Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird ein Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Das Verfahren beinhaltet ein Befestigen des Halbleitersubstrats an einer Lage, ein Halten eines Umfangs der Lage mit einem Rahmen und ein derartiges lokales Drücken der Lage von einer Seite der Lage, die dem Halbleitersubstrat gegenüber liegt, dass die Lage ausgedehnt wird und das Halbleitersubstrat in den Chips getrennt wird.

In dem vorhergehenden Verfahren kann ein Ort zum Drücken der hinteren Fläche der Lage in dem Teilschneideverfahren ausgewählt werden. Deshalb ist es möglich, einen Abschnitt an einer Position zum Erzeugen einer Spannung auf der Teilschneide-Einteilungslinie lokal zu drücken, die nicht einfach teilweise geschnitten wird. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach durch Ausüben einer ausreichenden Spannung auf die Teilschneide-Einteilungslinie einfach teilweise geschnitten werden, die nicht einfach teilweise geschnitten wird. Weiterhin ist, da die Kontaktfläche der Lage und des Druckteils klein wird, kein Ausdehnen der Lage durch eine Reibungskraft bezüglich des Druckteils beschränkt und kann die Lage gleichmäßig ausgedehnt werden. Demgemäß kann das Halbleitersubstrat einfach teilweise geschnitten werden und kann eine Ausbeute des Halbleiterchips verbessert werden. Demgemäß ist es möglich, das Teilschneideverfahren des Halbleitersubstrats zu realisieren, das im Stande ist, eine Ausbeute des Halbleiterchips zu verbessern, der durch teilweises Schneiden des Halbleitersubstrats erzielt wird.

Eine zuvor beschriebene erfindungsgemäße Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats beinhaltet ein Schneideelement zum Schneiden des Halbleitersubstrats in eine Mehrzahl von Chips entlang einer Schneidelinie auf dem Halbleitersubstrat, ein Adsorptionselement zum Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft und ein Element zum Erzeugen von statischer Elektrizität zum Erzeugen von statischer Elektrizität und zum Steuern der statischen Elektrizität, um die Verunreinigung von dem Adsorptionselement zu beseitigen.


Anspruch[de]
Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21), wobei die Vorrichtung aufweist:

ein Schneideelement (PD) zum Schneiden des Halbleitersubstrats (20, 21) in eine Mehrzahl von Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21);

ein Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) zum Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrat (20, 21) unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft; und

ein Element (42) zum Erzeugen von statischer Elektrizität zum Erzeugen von statischer Elektrizität und zum Steuern der statischen Elektrizität, um die Verunreinigung von dem Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) zu beseitigen.
Vorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhin aufweist:

ein Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) zum Ausbilden eines Umformungsbereichs (K) in dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei

das Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) einen Laserkopf (H) zum derartigen Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat (20, 21) entlang der Schneidelinie (DL) beinhaltet, dass der Umformungsbereich (K) an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat (20, 21) durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird, und

das Halbleitersubstrat (20, 21), das den Umformungsbereich (K) aufweist, von dem Umformungsbereich (K) als ein Startpunkt eines Trennens getrennt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei

das Adsorptionselement (47, 49, 51) und das Element (42) zum Erzeugen von statischer Elektrizität ein Verunreinigungsbeseitigungselement (42, 47, 49, 51) vorsehen, und

das Verunreinigungsbeseitigungselement (42, 47, 49, 51) im Stande ist, zusammen mit einem Abstrahlen des Laserstrahls durch den Laserkopf (H) die Verunreinigung zu beseitigen.
Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei

das Adsorptionselement (49) im Stande ist, den Laserstrahl dadurch zu übertragen, und

das Adsorptionselement (49) zwischen dem Laserkopf (H) und dem Halbleitersubstrat (20, 21) angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei

das Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) und das Element (42) zum Erzeugen von statischer Elektrizität ein Verunreinigungselement (41, 42, 45, 47, 49, 51) vorsehen und

das Verunreinigungsbeseitigungselement (41, 42, 45, 47, 49, 51) die Verunreinigung beseitigt, welche in einem Fall erzeugt wird, in dem das Schneideelement (PD) das Halbleitersubstrat (20, 21) schneidet.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei

das Adsorptionselement (41, 45, 49) eine adsorbierende Oberfläche aufweist, welche dem gesamten Halbleitersubstrat (20, 21) gegenüberliegt, und

die Verunreinigung auf der adsorbierenden Oberfläche des Adsorptionselements (41, 45, 49) adsorbiert wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei

das Adsorptionselement (41) weiterhin eine Haftschicht (44, 44a) beinhaltet, die dem Halbleitersubstrat (20, 21) gegenüberliegt, und

die Haftschicht (44, 44a) die Verunreinigung haften lässt, welche von dem Adsorptionselement (41) adsorbiert wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Adsorptionselement (45, 49) eine Gitterstruktur aufweist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei

das Adsorptionselement (41, 45) eine Mehrzahl von adsorbierenden Gittern (41, 45) beinhaltet, welche in einer Richtung gestapelt sind, die senkrecht zu dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist,

die adsorbierenden Gitter (41, 45) mit einem vorbestimmten Abstand gestapelt sind, und

das Element (42) zum Erzeugen von statischer Elektrizität ein elektrisches Potenzial von jedem adsorbierenden Gitter (41, 45) steuert.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei

der Laserkopf (H) im Stande ist, den Laserstrahl entlang einer Abtastrichtung parallel zu dem Halbleitersubstrat (20, 21) abzutasten,

mindestens ein Teil des Adsorptionselements (51) auf einer von dem Laserstrahl abzutastenden Seite angeordnet ist, und

der Teil des Adsorptionselements (51) in Übereinstimmung mit einer Bewegung des Laserkopfs (H) versetzbar ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, die weiterhin ein Trennelement (43) zum Beseitigen der Verunreinigung von dem Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei

das Trennelement (43) das Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) zu einer vorbestimmten Position versetzt, an welcher das Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) dem Halbleitersubstrat (20, 21) nicht gegenüberliegt, und

das Trennelement (43) die Verunreinigung sammelt, die von dem Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) beseitigt wird, wenn das Element (42) zum Erzeugen von statischer Elektrizität stoppt, die statische Elektrizität zu erzeugen.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, die weiterhin ein Vibrationselement zum Vibrieren des Halbleitersubstrats (20, 21) aufweist. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21), wobei das Verfahren aufweist:

Schneiden des Halbleitersubstrats (20, 21) in mehrere Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21);

Adsorbieren einer Verunreinigung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) unter Verwendung einer elektrostatischen Kraft; und

Steuern von statischer Elektrizität, um die Verunreinigung zu adsorbieren und die Verunreinigung von dem Adsorptionselement (41, 45, 47, 49, 51) zu beseitigen.
Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21) in eine Mehrzahl von Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei das Halbleitersubstrat (20, 21) einen Bereich (K) beinhaltet, der im Stande ist, eine Spannung zum Trennen des Halbleitersubstrats (20, 21) zu verringern, und wobei der Bereich (K) entlang der Schneidelinie (DL) angeordnet ist, wobei die Vorrichtung aufweist:

ein Halteelement (243) zum Halten eines Teils des Halbleitersubstrats (20, 21), wobei das Teil einem der Chips (22) entspricht und von der Schneidelinie (DL) umgeben ist; und

ein Kraftausübungselement (244) zum Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) durch das Halteelement (243), um den einen der Chips (22) von dem Halbleitersubstrat (20, 21) zu trennen.
Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei

das Kraftausübungselement (244) die Kraft in einer vorbestimmten Richtung derart auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausübt, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, und

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei

das Kraftausübungselement (244) die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausübt, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, und

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Zugrichtung des Teils des Halbleitersubstrats (20, 21) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei

das Kraftausübungselement (244) die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausübt, dass eine Beanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird,

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist, und

der Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) auf einem Umfang des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei

das Halbleitersubstrat (20, 21) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweist,

das Halbleitersubstrat (20, 21) weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen (24) beinhaltet, von denen jedes dem Chip (22) entspricht,

die Halbleiterelemente (24) auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet sind,

das Halteelement (243) den Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) hält,

das Kraftausübungselement (244) die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausübt, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, und

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 19, die weiterhin aufweist:

ein Vorspannungselement (245, 246) zum Vorspannen eines angrenzenden Teils des Halbleitersubstrats (20, 21), wobei

das angrenzende Teil an das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) angrenzt, von der Schneidelinie (DL) umgeben ist und einem angrenzenden Chip (22) entspricht,

das Kraftausübungselement (244) die Kraft in einer ersten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausübt, und

das Vorspannungselement (245, 246) das angrenzende Teil des Halbleitersubstrats 820, 21) in einer zweiten Richtung vorspannt, die entgegengesetzt zu der ersten Richtung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei

das Halbleitersubstrat (20, 21) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweist,

das Halbleitersubstrat (20, 21) weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen (24) aufweist, von denen jedes dem Chip (22) entspricht,

die Halbleiterelemente (24) auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet sind, und

das Vorspannungselement (246) das angrenzende Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) vorspannt.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 21, die weiterhin aufweist:

eine Lage (S);

einen Rahmen (F) zum Halten eines Umfangs der Lage (S); und

ein Ausdehnungselement (244) zum Ausdehnen der Lage (S), wobei

das Halbleitersubstrat (20, 21) eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche aufweist,

das Halbleitersubstrat (20, 21) weiterhin eine Mehrzahl von Halbleiterelementen (24) beinhaltet, von denen jedes dem Chip (22) entspricht,

die Halbleiterelemente (24) auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet sind, und

die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) an der Lage (S) befestigt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei

das Ausdehnungselement (244) ein Druckelement zum Drücken der Lage (S) von einer Seite der Lage (S) ist, welche dem Halbleitersubstrat (20, 21) gegenüber liegt ist, und

die Lage (S) durch Drücken mit dem Druckelement (244) ausgedehnt wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 23, die weiterhin aufweist:

ein Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) zum Ausbilden eines Umformungsbereichs (K) in dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei

das Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) einen Laserkopf (H) zum derartigen Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat (20, 21) entlang der Schneidelinie (DL) beinhaltet, dass der Umformungsbereich (K) an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat (20, 21) durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird, und

das Halbleitersubstrat (20, 21), das den Umformungsbereich (K) aufweist, von dem Umformungsbereich (K) als einen Startpunkt eines Trennens getrennt wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 24, die weiterhin ein Beförderungselement (244) zum Befördern des einen der Chips (22) zu einem späteren Montageverfahren aufweist. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21), wobei das Verfahren aufweist:

Vorbereiten des Halbleitersubstrats (20, 21), das erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei eine Mehrzahl von Halbleiterelementen (24) auf der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet ist;

Schneiden des Halbleitersubstrats (20, 21) in mehrere Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei jeder Chip (22) mindestens ein Halbleiterelement (24) beinhaltet;

Ausbilden eines Bereichs (K) zum Verringern einer Beanspruchung, um das Halbleitersubstrat (20, 21) zu trennen, wobei der Bereich (K) entlang der Schneidelinie (DL) angeordnet ist;

Anbringen eines Halteelementes (243) auf ein Teil des Halbleitersubstrats (20, 21), wobei das Teil einem der Chips (22) entspricht und von der Schneidelinie (DL) umgeben ist; und

Ausüben einer Kraft auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) durch das Halteelement (243), um den einen der Chips (22) von dem Halbleitersubstrat (20, 21) zu trennen.
Verfahren nach Anspruch 26, wobei

die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, und

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist.
Verfahren nach Anspruch 26, wobei

die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, und

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Zugrichtung des Teils des Halbleitersubstrats (20, 21) ist.
Verfahren nach Anspruch 26, wobei

die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, dass eine Beanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird,

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) und parallel zu dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist, und

der Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) auf einem Umfang des Halbleitersubstrats (20, 21) angeordnet ist.
Verfahren nach Anspruch 26, wobei

die Kraft derart in einer vorbestimmten Richtung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird, dass eine Scherbeanspruchung auf das Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) ausgeübt wird,

die vorbestimmte Richtung der Kraft eine Richtung weg von dem Halbleitersubstrat (20, 21) ist, und

das Halteelement (243) an dem Teil des Halbleitersubstrats (20, 21) von der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (20, 21) angebracht ist.
Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21) in eine Mehrzahl von Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei die Vorrichtung aufweist:

eine Lage (S) zum Befestigen des Halbleitersubstrats (20, 21) darauf;

einen Rahmen (F) zum Halten eines Umfangs der Lage (S); und

ein Druckelement (343) zum lokalen Drücken der Lage (S) von einer Seite der Lage (S), die dem Halbleitersubstrat (20, 21) gegenüberliegt, wobei

die Lage (S) derart ausgedehnt wird, dass das Halbleitersubstrat (20, 21) in die Chips (22) getrennt wird, wenn das Druckelement (343) die Lage (S) drückt.
Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Druckelement (343) ein Teil der Lage (S) lokal drückt, welches der Schneidelinie (DL) entspricht. Vorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Druckelement (343) ein Teil der Lage (S) lokal drückt, welches einem Mittelpunkt von einem der Chips (22) entspricht. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 33, wobei das Druckelement (343) eine vorbestimmte Position der Lage (S) in einer vorbestimmten Reihenfolge lokal drückt. Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei die vorbestimmte Reihenfolge eine Reihenfolge von einem Umfang zu einem Mittelpunkt der Lage (S) ist. Vorrichtung nach Anspruch 34, wobei die vorbestimmte Reihenfolge eine Reihenfolge von einer Mitte zu einem Umfang der Lage (S) ist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 36, die weiterhin aufweist:

ein Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) zum Ausbilden eines Umformungsbereichs (K) in dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei

das Umformungsbereich-Ausbildungselement (H, CV) einen Laserkopf (H) zum derartigen Strahlen eines Laserstrahls auf das Halbleitersubstrat (20, 21) entlang der Schneidelinie (DL) aufweist, dass der Umformungsbereich (K) an einem Brennpunkt in dem Halbleitersubstrat (20, 21) durch einen Multiphotonen-Absorptionseffekt ausgebildet wird, und

das Halbleitersubstrat (20, 21), das den Umformungsbereich (K) aufweist, von dem Umformungsbereich (K) als einen Startpunkt eines Trennens getrennt wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 37, die weiterhin ein Vibrationselement zum Vibrieren des Halbleitersubstrats (20, 21) aufweist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 31 bis 38, die weiterhin ein Erwärmungselement zum Erwärmen des Halbleitersubstrats (20, 21) aufweist. Verfahren zum Trennen eines Halbleitersubstrats (20, 21) in eine Mehrzahl von Chips (22) entlang einer Schneidelinie (DL) auf dem Halbleitersubstrat (20, 21), wobei das Verfahren aufweist:

Befestigen des Halbleitersubstrats (20, 21) auf einer Lage (S);

Halten eines Umfangs der Lage (S) mit einem Rahmen (F); und

derartiges lokales Drücken der Lage (S) von einer Seite der Lage (S), die dem Halbleitersubstrat (20, 21) gegenüberliegt, dass die Lage (S) ausgedehnt wird und das Halbleitersubstrat (20, 21) in die Chips (22) getrennt wird.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com