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Dokumentenidentifikation DE112005001593T5 24.05.2007
Titel Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer High-K-Gate-Dielektrikumschicht und einer Metall-Gateelektrode
Anmelder Intel Corp., Santa Clara, Calif., US
Erfinder Brask, Justin, Portland, Oreg., US;
Barns, Chris, Portland, Oreg., US;
Doczy, Mark, Beaverton, Oreg., US;
Shah, Uday, Portland, Oreg., US;
Kavalieros, Jack, Portland, Oreg., US;
Metz, Matthew, Hillsboro, Oreg., US;
Datta, Suman, Beaverton, Oreg., US;
Miller, Anne, Portland, Oreg., US;
Chau, Robert, Beaverton, Oreg., US
Vertreter BOEHMERT & BOEHMERT, 28209 Bremen
DE-Aktenzeichen 112005001593
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, EP, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, OA, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, AP, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, EA, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM
WO-Anmeldetag 30.06.2005
PCT-Aktenzeichen PCT/US2005/023734
WO-Veröffentlichungsnummer 2006014401
WO-Veröffentlichungsdatum 09.02.2006
Date of publication of WO application in German translation 24.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/336(2006.01)A, F, I, 20070305, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/8234(2006.01)A, L, I, 20070305, B, H, DE   H01L 21/8238(2006.01)A, L, I, 20070305, B, H, DE   

Beschreibung[de]
Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, insbesondere Halbleitervorrichtungen, die Metall-Gateelektroden aufweisen.

Allgemeiner Stand der Technik

Bei MOS-Feldeffekttransistoren mit sehr dünnen Gate-Dielektrika, die aus Siliziumdioxid hergestellt sind, können inakzeptable Gate-Leckströme auftreten. Wenn das Gate-Dielektrikum aus bestimmten High-k-Dielektrikummaterialien anstatt aus Siliziumdioxid hergestellt wird, kann die Gate-Leckage reduziert werden. Da jedoch ein solches Dielektrikum möglicherweise nicht mit Polysilizium kompatibel ist, kann es wünschenswert sein, in Vorrichtungen, die High-k-Gate-Dielektrika aufweisen, Metall-Gateelektroden zu benutzen.

Wenn eine CMOS-Vorrichtung hergestellt wird, die Metall-Gateelektroden aufweist, kann ein Replacement-Gate-Verfahren benutzt werden, um Gateelektroden aus verschiedenen Metallen auszubilden. In diesem Verfahren wird eine erste Polysiliziumschicht, die von einem Paar Abstandshalter eingeklammert ist, entfernt, um einen ersten Graben zwischen den Abstandshaltern zu erzeugen. Ein erstes Arbeitsfunktionsmetall wird in dem Graben angeordnet. Dann wird eine zweite Polysiliziumschicht entfernt, um einen zweiten Graben zu erzeugen, und wird durch ein zweites Arbeitsfunktionsmetall ersetzt, das sich von dem ersten Arbeitsfunktionsmetall unterscheidet.

Wenn ein solches Replacement-Gate-Verfahren angewandt wird, kann es vorteilhaft sein, nur einen Teil der Gräben mit den Arbeitsfunktionsmetallen anzufüllen, und dann den Rest der Gräben mit einem Füllmetall anzufüllen. Bei der resultierenden Struktur kann die High-k-Gate-Dielektrikumschicht, auf der die Metallschichten ausgebildet werden, auf eine Oxidschicht übertreten, die die Gräben trennt. Ebenso kann sich ein Teil der Arbeitsfunktions- und Füllmetalle über der Oxidschicht bilden. In gegenwärtigen Verfahren kann ein Polierschritt, z.B. ein chemo-mechanischer Polierschritt („CMP"-Schritt) angewandt werden, um die High-k-Gate-Dielektrikumschicht, das Arbeitsfunktionsmetall und das Füllmetall von der Oxidschicht zu entfernen.

Wenn die Arbeitsfunktionsmetalle langsam polierbar sind, kann ein relativ langer Überpolierschritt nötig sein, um sie vollständig zu entfernen. Wenn ein solcher Überpolierschritt nicht für die darunterliegende High-k-Gate-Dielektrikumschicht selektiv ist, kann es von Ladung zu Ladung oder von Wafer zu Wafer zu einer signifikanten Schwankung der Dicke der darunterliegenden Oxidschicht kommen. In einigen Fällen kann es an einigen Teilen eines Wafers zu einer starken Reduzierung der Oxiddicke kommen, bis der Polierschritt abgeschlossen ist.

Es besteht deshalb Bedarf an einem verbesserten Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die eine High-k-Gate-Dielektrikumschicht und eine Metall-Gateelektrode aufweist. Es besteht Bedarf an einem Verfahren, der die Entfernung von Füll- und Arbeitsfunktionsmetallen von einer darunterliegenden Dielektrikumschicht (z.B. einer Oxidschicht) erlaubt, ohne dabei wesentlichen Abschnitte der darunterliegenden Schicht zu entfernen, und ohne eine wesentliche Schwankung in der Dicke der Dielektrikumschicht zu verursachen. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung stellt ein solches Verfahren bereit.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1a bis 1j zeigen Querschnitte von Strukturen, die ausgebildet werden können, wenn eine Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird.

2a bis 2b zeigen Querschnitte von Strukturen, die ausgebildet werden können, wenn eine zweite Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird.

In diesen Figuren gezeigte Merkmale sollen nicht maßstabsgetreu sein.

Detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung

Beschrieben ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfaßt das Ausbilden einer Dielektrikumschicht, das Ausbilden eines Grabens in der Dielektrikumschicht, und das Ausbilden einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht in dem Graben. Nach dem Ausbilden einer ersten Metallschicht auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht wird auf der ersten Metallschicht eine zweite Metallschicht ausgebildet. Wenigstens ein Teil der zweiten Metallschicht wird von der Dielektrikumschicht mittels eines Polierschritts entfernt, und mittels eines Ätzschrittes wird weiteres Material von der Dielektrikumschicht entfernt.

In der folgenden Beschreibung werden einige Details aufgeführt, um ein vollständiges Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Allerdings werden Fachleute verstehen, daß die Erfindung in anderer als der hier ausdrücklich beschriebenen Weise praktiziert werden kann. Die Erfindung ist also nicht auf die spezifischen nachfolgend offenbarten Details beschränkt.

1a bis 1j zeigen Strukturen, die ausgebildet werden können, wenn eine Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird. 1a stellt eine intermediäre Struktur dar, die ausgebildet werden kann, wenn eine CMOS-Vorrichtung hergestellt wird. Diese Struktur weist einen ersten Teil 101 und einen zweiten Teil 102 von Substrat 100 auf. Eine Isolationsregion 103 trennt den ersten Teil 101 von dem zweiten Teil 102. Eine erste Polysiliziumschicht 104 ist auf einer Dielektrikumschicht 105 ausgebildet, und eine zweite Polysiliziumschicht 106 ist auf einer Dielektrikumschicht 107 ausgebildet. Die erste Polysiliziumschicht 104 ist von Seitenwandabstandhaltern 108 und 109 eingeklammert, und die zweite Polysiliziumschicht 106 ist von Seitenwandabstandhaltern 110 und 111 eingeklammert. Ein Dielektrikum 112 trennt die Schichten 104 und 106.

Substrat 100 kann eine kompakte Silizium- oder Silizium-auf-Isolator-Substruktur umfassen. Alternativ kann Substrat 100 andere Materialien – die mit Silizium kombiniert sein können, aber nicht müssen – umfassen, wie z.B.: Germanium, Indium, Antimonid, Bleitellurid, Indiumarsenid, Indiumphosphhid, Galliumarsenid, oder Galliumantimonid. Obwohl hier einige Beispiele von Materialien beschrieben sind, aus denen das Substrat 100 gebildet sein kann, fällt jedes Material, das als eine Grundlage dienen kann, auf der eine Halbleitervorrichtung gebaut werden kann, in den Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung.

Isolationsregion 103 kann Siliziumdioxid oder andere Materialien umfassen, die die aktiven Regionen des Transistors trennen können. Die Dielektrikumschichten 105 und 107 können jeweils Siliziumdioxid oder andere Materialien umfassen, die das Substrat von anderen Substanzen isolieren können. Die erste und zweite Polysiliziumschicht 104 und 106 sind vorzugsweise jeweils zwischen etwa 100 und etwa 2.000 Angström dick, und insbesondere zwischen etwa 500 und etwa 1.600 Angström dick. In einer Ausführungsform kann eine Schicht n-dotiert sein (z.B. mit Arsen, Phosphor oder einem anderen Material des n-Typs), während die andere p-dotiert ist (z.B. mit Bor oder einem anderen Material des p-Typs). Abstandshalter 108, 109, 110 und 111 umfassen vorzugsweise Siliziumnitrid, während das Dielektrikum 112 Siliziumdioxid oder ein Low-k-Material umfassen kann.

Zum Erzeugen der Struktur aus 1a können übliche Verfahrensschritte, Materialien und Ausrüstung benutzt werden, wie Fachleute verstehen werden. Wie dargestellt, kann das Dielektrikum 112 zurückpoliert werden, z.B. durch einen üblichen CMP-Schritt, um die erste und zweite Polysiliziumschicht 104 und 106 freizulegen. Obwohl nicht dargestellt, kann die Struktur aus 1a viele andere Merkmale aufweisen (z.B. eine Siliziumnitrid-Ätzsperrschicht, Source- und Drain-Regionen, und eine oder mehrere Pufferschichten), die mittels üblicher Verfahren ausgebildet werden können.

Wenn die Source- und Drain-Regionen mittels üblicher Ionenimplantations- und Ausheilverfahren ausgebildet werden, kann es wünschenswert sein, auf den Polysiliziumschichten 104 und 106 eine harte Maske zu bilden – und eine Ätzsperrschicht auf der harten Maske – um die Schichten 104 und 106 zu schützen, wenn die Source- und Drain-Regionen mit einem Silizid abgedeckt werden. Eine solche harte Maske kann Siliziumnitrid umfassen. Eine solche Ätzsperrschicht kann Silizium, ein Oxid (z.B. Siliziumdioxid oder Hafniumdioxid), oder ein Karbid (z.B. Siliziumkarbid) umfassen.

Eine solche Ätzsperrschicht und harte Siliziumnitridmaske können von der Fläche der Schichten 104 und 106 poliert werden, wenn die Dielektrikumschicht 112 poliert wird – da diese Schichten an diesem Punkt im Verfahren ihren Zweck erfüllt haben. 1a stellt eine Struktur dar, bei der jede harte Maske oder Ätzsperrschicht, die zuvor auf den Schichten 104 und 106 ausgebildet gewesen sein kann, bereits von der Fläche dieser Schichten entfernt wurde. Wenn Ionenimplantationsverfahren benutzt werden, um die Source- und Drain-Regionen zu bilden, können die Schichten 104 und 106 zum selben Zeitpunkt dotiert werden, an dem die Source- und Drain-Regionen implantiert werden. Bei einem solchen Verfahren kann die erste Polysiliziumschicht 104 n-dotiert werden, während die zweite Polysiliziumschicht 106 p-dotiert wird – oder umgekehrt.

Nach dem Ausbilden der Struktur aus 1a wird die erste Polysiliziumschicht 104 entfernt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird diese Schicht durch Anwenden eines Naßätzverfahrens entfernt. Ein solches Naßätzverfahren kann umfassen, Schicht 104 für eine ausreichende Zeit bei einer ausreichenden Temperatur einer wäßrigen Lösung auszusetzen, die eine Hydroxidquelle umfaßt, um im wesentlichen die gesamte Schicht zu entfernen, ohne eine wesentliche Menge der zweiten Polysiliziumschicht 106 zu entfernen. Die Hydroxidquelle kann zwischen etwa 2 und etwa 30 Prozent Ammoniumhydroxid oder ein Tetraalkyl-Ammoniumhydroxid umfassen, z.B. Tetramethyl-Ammoniumhydroxid („TMAH"), nach Volumen in entionisiertem Wasser.

Eine Polysiliziumschicht des n-Typs kann entfernt werden, indem sie einer Lösung ausgesetzt wird, die auf einer Temperatur zwischen etwa 15°C und etwa 90°C gehalten wird (und vorzugsweise unter etwa 40°C), und die zwischen etwa 2 und etwa 30 Prozent Ammoniumhydroxid nach Volumen in entionisiertem Wasser umfaßt. Während dieses Aussetzungsschritts, der vorzugsweise wenigstens eine Minute dauert, kann es wünschenswert sein, Schallenergie mit einer Frequenz zwischen etwa 10 KHz und etwa 2.000 KHz anzuwenden, während zwischen etwa 1 und etwa 10 Watt/cm2 abgeführt werden. Beispielsweise kann eine Polysiliziumschicht des n-Typs, die etwa 1.350 Angström dick ist, entfernt werden, indem sie für etwa 30 Minuten bei etwa 25°C einer Lösung ausgesetzt wird, die etwa 15 Prozent Ammoniumhydroxid nach Volumen in entionisiertem Wasser umfaßt, während eine Schallenergie von etwa 1.000 KHz angewandt wird – mit Abführung von etwa 5 Watt/cm2.

Alternativ kann eine Polysiliziumschicht des n-Typs entfernt werden, indem sie für wenigstens eine Minute einer Lösung ausgesetzt wird, die auf einer Temperatur von etwa 60°C und etwa 90°C gehalten wird, und zwischen etwa 20 und etwa 30 Prozent TMAH nach Volumen in entionisiertem Wasser umfaßt, während Schallenergie angewandt wird. Im wesentlichen die gesamte derartige Polysiliziumschicht des n-Typs, die etwa 1.350 Angström dick ist, kann entfernt werden, wenn sie für etwa 2 Minuten bei etwa 80°C einer Lösung ausgesetzt wird, die etwa 25 Prozent TMAH nach Volumen in entionisiertem Wasser umfaßt, während eine Schallenergie von etwa 1.000 KHz angewandt wird – mit Abführung von etwa 5 Watt/cm2.

Nach dem Entfernen der ersten Polysiliziumschicht 104 wird die Dielektrikumschicht 105 freigelegt. In dieser Ausführungsform wird die Schicht 105 entfernt. Wenn die Dielektrikumschicht 105 Siliziumdioxid umfaßt, kann sie mittels eines Ätzverfahrens entfernt werden, das für Siliziumdioxid selektiv ist. Ein solches Ätzverfahren kann umfassen, die Schicht 105 einer Lösung auszusetzen, die etwa 1 Prozent HF in entionisiertem Wasser aufweist. Die Zeit der Aussetzung von Schicht 105 sollte begrenzt sein, da das Ätzverfahren zum Entfernen dieser Schicht auch einen Teil der Dielektrikumschicht 112 entfernen kann. Angesichts dessen sollte, wenn eine auf 1 Prozent HF basierende Lösung benutzt wird, um Schicht 105 zu entfernen, die Vorrichtung der Lösung vorzugsweise für weniger als 60 Sekunden ausgesetzt sein, und insbesondere für etwa 30 Sekunden oder weniger. Wie in 1b gezeigt, bildet das Entfernen der Dielektrikumschicht 105 einen Graben 113 in der Dielektrikumschicht 112, die zwischen den Seitenwandabstandshaltern 108 und 109 angeordnet ist.

Nach Entfernen der Dielektrikumschicht 105 wird in Graben 113 und auf Substrat 100 eine High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 gebildet. Einige Materialien, die benutzt werden können, um die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 herzustellen, sind: Hafniumoxid, Hafniumsiliziumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Zirkoniumsiliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid, und Bleizinkniobat. Besonders bevorzugt werden Hafniumoxid, Zirkoniumoxid und Aluminiumoxid. Obwohl hier einige Beispiele für Materialien beschrieben sind, die zum Bilden der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 benutzt werden können, kann diese Schicht auch aus anderen Materialien gebildet werden.

Die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 kann mittels eines üblichen Atomschicht-Gasphasenabscheidungs-(„CVD")-Verfahren gebildet werden. Bei einem solchen Verfahren werden ein Metalloxidvorläufer (z.B. ein Metallchlorid) und Dampf mit ausgewählten Flußraten einem CVD-Reaktor zugeführt, der dann bei einer ausgewählten Temperatur und einem ausgewählten Druck betrieben wird, um eine atomar glatte Berührungsfläche zwischen Substrat 100 und High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 zu erzeugen. Der CVD-Reaktor sollte lange genug betrieben werden, um eine Schicht mit der gewünschten Dicke auszubilden. In den meisten Anwendungen sollte die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 weniger als 60 Angström dick sein, und vorzugsweise zwischen etwa 5 Angström und etwa 40 Angström dick.

Wie in 1c gezeigt, bildet sich, wenn ein Atomschicht-CVD-Verfahren benutzt wird, um die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 auszubilden, diese Schicht nicht nur am Boden des Grabens 113, sondern auch an den Seiten von Graben 113, und bildet sich auf Dielektrikumschicht 112. Wenn die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 ein Oxid umfaßt, kann diese an zufälligen Flächenpositionen Sauerstoffgitterlücken und inakzeptable Unreinheitsgrade aufweisen, je nach dem Verfahren der Herstellung. Nach Aufbringen von Schicht 115 kann es wünschenswert sein, Unreinheiten von dieser Schicht zu entfernen, und sie zu oxidieren, um eine Schicht zu erzeugen, die eine nahezu ideale Metall:Sauerstoff-Stöchiometrie aufweist.

Um Unreinheiten von dieser Schicht zu entfernen und den Sauerstoffgehalt der Schicht zu erhöhen, kann eine chemische Naßbehandlung auf die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 angewandt werden. Eine solche chemische Naßbehandlung kann umfassen, daß die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 bei einer ausreichenden Temperatur für eine ausreichende Zeit einer Lösung ausgesetzt wird, die Wasserstoffperoxid umfaßt, um Unreinheiten von der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 zu entfernen und den Sauerstoffgehalt der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 zu erhöhen. Die geeignete Zeit und Temperatur der Aussetzung von High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 kann von der gewünschten Dicke und anderen Eigenschaften der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 abhängen.

Wenn die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 einer auf Wasserstoffperoxid basierenden Lösung ausgesetzt wird, kann eine wäßrige Lösung benutzt werden, die zwischen etwa 2 % und etwa 30 % Wasserstoffperoxid nach Volumen enthält. Dieser Aussetzungsschritt sollte bei zwischen etwa 15°C und etwa 40°C für wenigstens eine Minute stattfinden. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 für etwa 10 Minuten bei einer Temperatur von etwa 25°C einer wäßrigen Lösung ausgesetzt, die etwa 6,7 % H2O2 nach Volumen enthält. Während dieses Aussetzungsschritts kann es wünschenswert sein, Schallenergie mit einer Frequenz zwischen etwa 10 KHz und etwa 2.000 KHz anzuwenden, bei einer Abführung zwischen etwa 1 und etwa 10 Watt/cm2. In einer bevorzugten Ausführungsform kann Schallenergie mit einer Frequenz von etwa 1.000 KHz angewandt werden, bei einer Abführung von etwa 5 Watt/cm2.

Obwohl nicht in 1c gezeigt, kann es wünschenswert sein, auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 eine Capping-Schicht auszubilden, die nicht mehr als fünf Monoschichten dick ist. Eine solche Capping-Schicht kann durch Kathodenzerstäuben von einer bis fünf Schichten Silizium oder anderem Material auf der Fläche der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 gebildet werden. Die Capping-Schicht kann dann oxidiert werden, z.B. mittels eines plasmagestützten Gasphasenabscheidungsverfahrens oder einer Lösung, die ein Oxidationsmittel enthält, um ein abdeckendes dielektrisches Oxid zu bilden.

Obwohl es in einigen Ausführungsformen wünschenswert sein kann, eine Capping-Schicht auf Schicht 115 zu auszubilden, wird die erste Metallschicht 116 in der dargestellten Ausführungsform direkt auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 ausgebildet, um die Struktur aus 1d zu erzeugen. Die erste Metallschicht 116 kann jedes leitfähige Material umfassen, aus dem eine Metall-Gateelektrode gefertigt werden kann, und kann mittels allgemein bekannter physikalischer Dampfabscheidungs-(„PVD")- oder CVD-Verfahren auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 ausgebildet werden. Wie die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 kleidet in dieser Ausführungsform ein Teil der ersten Metallschicht 116 den Graben 113 aus, während ein Teil dieser Schicht auf die Dielektrikumschicht 112 übertritt.

Wenn die erste Metallschicht 116 als ein Arbeitsfunktionsmetall des n-Typs dient, weist Schicht 116 vorzugsweise eine Arbeitsfunktion auf, die zwischen etwa 3,9 eV und etwa 4,2 eV liegt. Zu den Materialien des n-Typs, die benutzt werden können, um die erste Metallschicht 116 zu bilden, gehören Hafnium, Zirkonium, Titan, Tantal, Aluminium und Metallkarbide, zu denen folgende Elemente gehören, nämlich Titankarbid, Zirkoniumkarbid, Tantalkarbid, Hafniumkarbid und Aluminiumkarbid. Die erste Metallschicht 116 sollte dick genug sein, um sicherzustellen, daß jedes auf ihr gebildete Material ihre Arbeitsfunktion nicht wesentlich beeinflußt. Vorzugsweise ist die erste Metallschicht 116 zwischen etwa 25 Angström und etwa 300 Angström dick, und insbesondere zwischen etwa 25 Angström und etwa 200 Angström dick.

In dieser Ausführungsform wird nach dem Ausbilden der ersten Metallschicht 116 auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 eine zweite Metallschicht 121 auf der ersten Metallschicht 116 ausgebildet. Die zweite Metallschicht 121 füllt den übrigen Graben 113, und deckt die Dielektrikumschicht 112 ab, wie in 1e gezeigt. Die zweite Metallschicht 121 umfaßt vorzugsweise ein Material, das leicht polierbar ist, und wird vorzugsweise mittels eines üblichen Metallaufbringverfahrens über der gesamten Vorrichtung aufgebracht. Ein solches Füllmetall kann Titannitrid, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Tantalnitrid, Kobalt, Kupfer, Nickel oder jedes andere Metall umfassen, das poliert werden kann, und das in zufriedenstellender Weise den Graben 113 füllen kann.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfaßt das Füllmetall 121 Titannitrid. Titannitrid kann mittels eines geeigneten CVD- oder PVD-Verfahrens aufgebracht werden, das die darunterliegende erste Metallschicht 116 oder High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 nicht wesentlich beeinflußt. Außerdem kann, wenn die zweite Polysiliziumschicht 106 im Folgenden entfernt wird (wie unten beschrieben), Titannitrid beständiger gegenüber der Ätzchemie sein, die benutzt wird, um die Schicht zu entfernen, als andere Metalle. Wenn das Füllmetall 121 Wolfram umfaßt, kann ein CVD-Verfahren benutzt werden, das einen WF6-Vorläufer verwendet, um eine Wolframschicht aufzubringen. Es sollte sorgfältig sichergestellt werden, daß das Verfahren, das zum Aufbringen einer solchen Wolframschicht benutzt wird, die darunterliegende Arbeitsfunktions- und High-k-Gate-Dielektrikumschicht nicht beeinträchtigt. Wenn das Füllmetall 121 Wolfram umfaßt, kann es außerdem nötig sein, eine Ätzchemie zum Entfernen der zweiten Polysiliziumschicht 106 auszuwählen, die nicht wesentliche Abschnitte des Füllmetalls entfernt.

Als eine Alternative zur Benutzung von PVD-, CVD- oder Atomschicht-CVD-Verfahren zum Ausbilden der zweiten Metallschicht 121 auf der ersten Metallschicht 116 kann die zweite Metallschicht 121 auf der ersten Metallschicht 116 mittels eines Elektroplattierungs- oder stromlosen Plattierungsverfahrens ausgebildet werden. Plattierungstechnologien können insbesondere zum Füllen von Gräben mit hohen Seitenverhältnissen geeignet sein. Verschiedene Kombinationen von Aufbringungs- und Plattierungsverfahren können benutzt werden, um die zweite Metallschicht 121 auszubilden.

Obwohl die zweite Metallschicht 121 in dieser Ausführungsform direkt auf der ersten Metallschicht 116 ausgebildet wurde, kann in einer alternativen Ausführungsform vor dem Ausbilden der zweiten Metallschicht 121 eine relativ dünne Versiegelungsschicht auf der ersten Metallschicht 116 ausgebildet werden. 2a bis 2b zeigen Querschnitte von Strukturen, die ausgebildet werden können, wenn eine solche alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird. Wie in 2a gezeigt, ist eine Versiegelungsschicht 130 auf der ersten Metallschicht 116 ausgebildet. Die Versiegelungsschicht 130 kann etwa 100 Angström dick sein, und kann mittels eines üblichen Aufbringungsverfahrens ausgebildet werden.

Die Versiegelungsschicht 130 sollte eine hochkonforme leitfähige Schicht aufweisen, die das Arbeitsfunktionsmetall 116 während nachfolgender Verfahrensschritte schützt. In dieser Hinsicht sollte die Versiegelungsschicht 130 ein Material umfassen, das verhindert, daß Chemikalien (z.B. Schlämme und Reinigungslösungen nach dem Polieren), die in nachfolgenden Polierschritten benutzt werden, die Leistung des Arbeitsfunktionsmetalls 116 und/oder der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 beeinträchtigen. Zu geeigneten Materialien gehören Metallkarbide, Metallkarbidlegierungen, Metallnitride und Metallnitridlegierungen. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfaßt die Versiegelungsschicht 130 Titankarbid, und wird mittels eines üblichen Atomschicht-CVD-Verfahrens ausgebildet. Alternativ kann die Versiegelungsschicht 130 eine Titannitrid- oder Tantalnitridschicht umfassen, die mittels eines Atomschicht-CVD- oder anderen CVD-Verfahrens ausgebildet wird.

In dieser alternativen Ausführungsform ist die zweite Metallschicht 121 auf der Versiegelungsschicht 130 ausgebildet, wie in 2b gezeigt – z.B. durch Benutzen der Materialien und Verfahrensschritte, die oben in Zusammenhang mit 1e aufgeführt wurden.

Nach Ausbilden der Struktur aus 1e wird wenigstens ein Teil der zweiten Metallschicht 121 von der Dielektrikumschicht 112 mittels eines Polierschritts entfernt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird ein CMP-Schritt angewandt, um im wesentlichen die gesamte zweite Metallschicht 121 von der Dielektrikumschicht 112 zu entfernen, um die Struktur aus 1f zu erzeugen – wobei das Arbeitsfunktionsmetall 116 als eine Poliersperre dient. Obwohl ein solcher CMP-Schritt anwendbar ist, um die gesamte Füllschicht 121 von der Dielektrikumschicht 112 zu entfernen, wobei eine Sperrung durch die erste Metallschicht 116 erfolgt, kann in alternativen Ausführungsformen nach dem CMP-Vorgang ein relativ dünner Abschnitt der zweiten Metallschicht 121 über der Dielektrikumschicht 112 verbleiben. Alternativ kann der CMP-Schritt einen Teil oder das gesamte Arbeitsfunktionsmetall 116 von der Dielektrikumschicht 112 entfernen, und außerdem das Füllmetall 121 von der Dielektrikumschicht 112 entfernen.

Nach dem CMP-Schritt wird mittels eines Ätzschrittes weiteres Material von der Dielektrikumschicht 112 entfernt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird im wesentlichen die gesamte erste Metallschicht 116, die nach dem chemo-mechanischen Polierschritt zurückbleibt, mittels eines Trockenätzschritts von der Dielektrikumschicht entfernt. In einer bevorzugten Ausführungsform ist ein solcher Trockenätzschritt hochselektiv für High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115, was es Schicht 115 ermöglicht, als eine Ätzsperre zu dienen. Der Ätzschritt kann ein Plasmatrockenätzverfahren umfassen, z.B. eines, das ein chlorbasiertes Plasma benutzt. Die Dauer eines solchen Plasmatrockenätzverfahrens kann gesteuert werden, um zu verhindern, daß ein wesentlicher Teil der darunterliegenden High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 während des Verfahrens entfernt wird. Alternativ kann ein solches Plasmatrockenätzverfahren im wesentlichen die gesamte High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115von der Dielektrikumschicht 112 entfernen, wenn das übrige Arbeitsfunktionsmetall 116 entfernt wird.

Wenn der Füllmetallpolierschritt zuvor das gesamte Arbeitsfunktionsmetall 116 entfernt hat, kann ein nachfolgendes Trockenätzverfahren angewandt werden, um im wesentlichen die gesamte High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115, die nach dem Polierschritt zurückgeblieben ist, von der Dielektrikumschicht zu entfernen. Alternativ kann jeder verbleibende Abschnitt von Schicht 115 mittels eines Naßätzverfahrens entfernt werden. Ein solches Naßätzverfahren kann eine relativ starke Säure benutzen, z.B. eine haloidbasierte Säure (wie z.B. Bromwasserstoff- oder Chlorwasserstoffsäure) oder Phosphorsäure. Ebenso kann, wenn ein vorhergehendes Trockenätzverfahren das Arbeitsfunktionsmetall 116 von der Dielektrikumschicht 112 entfernt hat, ohne die gesamte darunterliegende Schicht 115 zu entfernen, ein solches Naßätzverfahren verwendet werden, um die übrige Schicht 115 zu entfernen. Ein solches Naßätzverfahren kann auch angewandt werden, um die Fläche der resultierenden Struktur zu reinigen, nachdem die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 von der Dielektrikumschicht 112 entfernt wurde.

Nachdem eines oder mehrere Ätzverfahren benutzt wurden, um im wesentlichen das gesamte Arbeitsfunktionsmetall 116 und/oder die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 von der Dielektrikumschicht 112 zu entfernen, um die Struktur aus 1g zu erzeugen, wird die zweite Polysiliziumschicht 106 entfernt. Wenn Schicht 106 eine Polysiliziumschicht des p-Typs umfaßt, kann diese Schicht selektiv zur zweiten Metallschicht 121 entfernt werden, indem die Schicht 106 für eine ausreichende Zeit bei einer ausreichenden Temperatur (z.B. zwischen etwa 60°C und etwa 90°C) einer Lösung ausgesetzt wird, die zwischen etwa 20 und etwa 30 Prozent TMAH nach Volumen in entionisiertem Wasser umfaßt, während Schallenergie angewandt wird.

Nach dem Entfernen der zweiten Polysiliziumschicht 106 wird die Dielektrikumschicht 107 entfernt, z.B. durch Benutzen desselben Verfahrens, das benutzt wurde, um die Dielektrikumschicht 105 zu entfernen. Das Entfernen der Dielektrikumschicht 107 erzeugt einen Graben 114, wie 1h zeigt. Nach dem Entfernen dieser Dielektrikumschicht wird in Graben 114 und auf Dielektrikumschicht 112 High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 ausgebildet. Dieselben Verfahrensschritte und Materialien, die benutzt werden, um die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 auszubilden, können benutzt werden, um die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 auszubilden.

In dieser Ausführungsform wird dann eine dritte Metallschicht 120 auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 aufgebracht. Wenn die erste Metallschicht 116 ein Metall des n-Typs umfaßt, umfaßt die dritte Metallschicht 120 vorzugsweise ein Metall des p-Typs. Beispiele für Metalle des p-Typs, die benutzt werden können, sind: Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nickel und leitfähige Metalloxide, z.B. Rutheniumoxid. Obwohl hier einige Beispiele von Materialien beschrieben werden, die zum Ausbilden der dritten Metallschicht 120 benutzt werden, kann diese Schicht auch aus vielen anderen Materialien hergestellt werden.

Die dritte Metallschicht 120 kann ein zweites Arbeitsfunktionsmetall umfassen, das auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht mittels eines üblichen PVD- oder CVD-Verfahrens ausgebildet wird. Die dritte Metallschicht 120 ist vorzugsweise zwischen etwa 25 Angström und etwa 300 Angström dick, und insbesondere zwischen etwa 25 Angström und etwa 200 Angström dick. Wenn die dritte Metallschicht 120 ein Metall des p-Typs umfaßt, weist Schicht 120 vorzugsweise eine Arbeitsfunktion auf, die zwischen etwa 4,9 eV und etwa 5,2 eV liegt.

Nach Ausbilden der dritten Metallschicht 120 auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 kann eine vierte Metallschicht 118, z.B. ein zweites Füllmetall, auf der dritten Metallschicht 120 ausgebildet werden, um die Struktur aus 1i zu erzeugen. Dieselben Verfahrensschritte und Materialien, die benutzt werden, um die zweite Metallschicht 121 auszubilden, können benutzt werden, um die vierte Metallschicht 118 auszubilden. Die Abschnitte des zweiten Füllmetalls 118, des zweiten Arbeitsfunktionsmetalls 120 und der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117, die die Dielektrikumschicht 112 abdecken, können entfernt werden, um die Struktur aus 1j zu erzeugen. Dieselbe Kombination aus Polier- und Ätzschritten, die benutzt wird, um das erste Füllmetall 121, das erste Arbeitsfunktionsmetall 116 und die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 115 von der Dielektrikumschicht 112 zu entfernen, kann benutzt werden, um das zweite Füllmetall 118, das zweite Arbeitsfunktionsmetall 120 und die High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 von der Dielektrikumschicht 112 zu entfernen.

Nach Entfernen des zweiten Füllmetalls 118, des zweiten Arbeitsfunktionsmetalls 120 und der High-k-Gate-Dielektrikumschicht 117 von der Dielektrikumschicht 112 kann mittels eines üblichen Aufbringungsverfahrens eine Capping-Dielektrikumschicht (nicht dargestellt) auf der resultierenden Struktur ausgebildet werden. Verfahrensschritte zum Fertigstellen der Vorrichtung, die auf das Aufbringen einer solchen Capping-Dielektrikumschicht folgen, z.B. Ausbilden der Kontakte, Metallverbindung und Passivierungsschicht der Vorrichtung, sind Fachleuten gut bekannt und werden hier nicht beschrieben.

Wie oben dargestellt, ermöglicht das Verfahren der vorliegenden Erfindung die Herstellung einer CMOS-Vorrichtung, die eine High-k-Gate-Dielektrikumschicht und Metall-Gateelektroden aufweist. Dieses Verfahren ermöglicht das Entfernen von Füll- und Arbeitsfunktionsmetallen von einer darunterliegenden Dielektrikumschicht, ohne wesentliche Abschnitte dieser darunterliegenden Schicht zu entfernen, und ohne wesentliche Schwankungen der Dicke der Dielektrikumschicht zu verursachen. Dieses Verfahren kann ein solches Resultat unterstützen, indem ein hochselektives Trockenätzverfahren angewandt wird, um schwer zu polierende Arbeitsfunktionsmetalle zu entfernen, anstatt sie mittels eines Polierverfahrens zu entfernen. Obwohl die oben beschriebenen Ausführungsformen Beispiele für Verfahren zum Ausbilden von CMOS-Vorrichtungen mit einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht und Metall-Gateelektroden bereitstellen, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese spezifischen Ausführungsformen beschränkt.

Obwohl die vorangehende Beschreibung bestimmte Schritte und Materialien spezifiziert hat, die in der vorliegenden Erfindung benutzt werden können, werden Fachleute verstehen, daß viele Modifikationen und Ersetzungen vorgenommen werden können. Entsprechend fallen alle solchen Modifikationen, Änderungen, Ersetzungen und Hinzufügungen in den Geist und Umfang der Erfindung, wie er durch die beiliegenden Ansprüche definiert ist.

ZUSAMMENFASSUNG

Beschrieben ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung. Das Verfahren umfaßt das Ausbilden einer Dielektrikumschicht, das Ausbilden eines Grabens in der Dielektrikumschicht, und das Ausbilden einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht in dem Graben. Nach dem Ausbilden einer ersten Metallschicht auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht wird auf der ersten Metallschicht eine zweite Metallschicht ausgebildet. Wenigstens ein Teil der zweiten Metallschicht wird von der Dielektrikumschicht mittels eines Polierschritts entfernt, und mittels eines Ätzschrittes wird weiteres Material von der Dielektrikumschicht entfernt.


Anspruch[de]
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:

Ausbilden einer Dielektrikumschicht auf einem Substrat;

Ausbilden eines Grabens in der Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht in dem Graben;

Ausbilden einer ersten Metallschicht auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer zweiten Metallschicht auf der ersten Metallschicht;

Entfernen wenigstens eines Teils der zweiten Metallschicht von der Dielektrikumschicht mittels eines Polierschritts; und

Entfernen von weiterem Material von der Dielektrikumschicht mittels eines Ätzschritts.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die High-k-Gate-Dielektrikumschicht ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafniumoxid, Hafniumsiliziumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Zirkoniumsiliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid und Bleizinkniobat zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht ein Arbeitsfunktionsmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafnium, Zirkonium, Titan, Tantal, Aluminium, einem Metallkarbid, Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nicken, und einem leitfähigen Metalloxid zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die erste Metallschicht zwischen etwa 25 und etwa 300 Angström dick ist, und eine Arbeitsfunktion aufweist, die zwischen etwa 3,9 eV und etwa 4,2 eV liegt. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die erste Metallschicht zwischen etwa 25 und etwa 300 Angström dick ist, und eine Arbeitsfunktion aufweist, die zwischen etwa 4,9 eV und etwa 5,2 eV liegt. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Metallschicht ein Füllmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Titannitrid, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Tantalnitrid, Kobalt, Kupfer und Nickel zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 1, wobei im wesentlichen die gesamte zweite Metallschicht mittels eines chemo-mechanischen Polierschritts von der Dielektrikumschicht entfernt wird. Verfahren nach Anspruch 7, wobei im wesentlichen die gesamte erste Metallschicht, die nach dem chemo-mechanischen Polierschritt zurückbleibt, mittels eines Trockenätzschritts von der Dielektrikumschicht entfernt wird. Verfahren nach Anspruch 7, wobei im wesentlichen die gesamte High-k-Gate-Dielektrikumschicht, die nach dem chemo-mechanischen Polierschritt zurückbleibt, mittels eines Trockenätzschritts von der Dielektrikumschicht entfernt wird. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:

Ausbilden einer Dielektrikumschicht auf einem Substrat;

Ausbilden eines Grabens in der Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht in dem Graben;

Ausbilden einer ersten Metallschicht auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer Versiegelungsschicht auf der ersten Metallschicht; und

Ausbilden einer zweiten Metallschicht auf der Versiegelungsschicht.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die High-k-Gate-Dielektrikumschicht ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafniumoxid, Hafniumsiliziumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Zirkoniumsiliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid und Bleizinkniobat zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Metallschicht ein Arbeitsfunktionsmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafnium, Zirkonium, Titan, Tantal, Aluminium, einem Metallkarbid, Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nicken, und einem leitfähigen Metalloxid zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die erste Metallschicht zwischen etwa 25 und etwa 300 Angström dick ist, und eine Arbeitsfunktion aufweist, die zwischen etwa 3,9 eV und etwa 4,2 eV liegt. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die erste Metallschicht zwischen etwa 25 und etwa 300 Angström dick ist, und eine Arbeitsfunktion aufweist, die zwischen etwa 4,9 eV und etwa 5,2 eV liegt. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die zweite Metallschicht ein Füllmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Titannitrid, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Tantalnitrid, Kobalt, Kupfer und Nickel zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Versiegelungsschicht ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Metallkarbid, einer Metallkarbidlegierung, einem Metallnitrid und einer Metallnitridlegierung zusammengesetzt ist. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Versiegelungsschicht mittels eines Atomschicht-Gasphasenabscheidungsverfahrens ausgebildet wird, und ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Titankarbid, Titannitrid und Tantalnitrid zusammengesetzt ist. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend:

Ausbilden einer Dielektrikumschicht auf einem Substrat;

Ausbilden eines Grabens in der Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer High-k-Gate-Dielektrikumschicht in dem Graben;

Ausbilden einer ersten Metallschicht auf der High-k-Gate-Dielektrikumschicht;

Ausbilden einer Versiegelungsschicht auf der ersten Metallschicht; und

Ausbilden einer zweiten Metallschicht auf der Versiegelungsschicht;

Entfernen wenigstens eines Teils der zweiten Metallschicht von der Dielektrikumschicht mittels eines Polierschritts; und

Entfernen weiteren Materials von der Dielektrikumschicht mittels eines Ätzschritts.
Verfahren nach Anspruch 18, wobei:

die High-k-Gate-Dielektrikumschicht ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafniumoxid, Hafniumsiliziumoxid, Lanthanoxid, Lanthanaluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Zirkoniumsiliziumoxid, Tantaloxid, Titanoxid, Bariumstrontiumtitanoxid, Bariumtitanoxid, Strontiumtitanoxid, Yttriumoxid, Aluminiumoxid, Bleiscandiumtantaloxid und Bleizinkniobat zusammengesetzt ist;

die erste Metallschicht ein Arbeitsfunktionsmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Hafnium, Zirkonium, Titan, Tantal, Aluminium, einem Metallkarbid, Ruthenium, Palladium, Platin, Kobalt, Nicken, und einem leitfähigen Metalloxid zusammengesetzt ist;

die Versiegelungsschicht ein Material umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Metallkarbid, einer Metallkarbidlegierung, einem Metallnitrid und einer Metallnitridlegierung zusammengesetzt ist; und

die zweite Metallschicht ein Füllmetall umfaßt, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Titannitrid, Wolfram, Titan, Aluminium, Tantal, Tantalnitrid, Kobalt, Kupfer und Nickel zusammengesetzt ist.
Verfahren nach Anspruch 18, wobei:

im wesentlichen die gesamte zweite Metallschicht mittels eines chemo-mechanischen Polierschritts von der Dielektrikumschicht entfernt wird; und

im wesentlichen die gesamte erste Metallschicht, die nach dem chemo-mechanischen Polierschritt zurückbleibt, und im wesentlichen die gesamte High-k-Gate-Dielektrikumschicht von der Dielektrikumschicht mittels eines Ätzschritts entfernt werden.






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