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Dokumentenidentifikation DE102005028919A8 31.05.2007
Titel Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes und elektronisches Bauelement
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Riess, Philipp, Dr., Saint Ismier, FR;
Wendel, Martin, Dr., 85662 Hohenbrunn, DE;
Feick, Henning, Dr., 01099 Dresden, DE
Vertreter Viering, Jentschura & Partner, 80538 München
DE-Anmeldedatum 22.06.2005
DE-Aktenzeichen 102005028919
Offenlegungstag 28.12.2006
Date of publication of correction 31.05.2007
Information on correction Berichtigung zu INID-Code (57)
IPC-Hauptklasse H01L 23/60(2006.01)A, F, I, 20051117, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 29/78(2006.01)A, L, I, 20051117, B, H, DE   
Zusammenfassung Bei einem Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes wird ein Substrat durch Einbringen von Dotieratomen dotiert. In dem dotierten Substrat wird mindestens ein Anschlussbereich des elektronischen Bauelementes mittels Dotierung mit Dotieratomen ausgebildet. Ferner wird zumindest unterhalb des mindestens einen Anschlussbereiches mittels Dotierung mit Dotieratomen mindestens ein zusätzlicher dotierter Bereich ausgebildet. Weiterhin wird in dem Substrat mindestens ein Wannenbereich mittels Dotierung mit Dotieratomen gebildet, derart, dass zumindest unterhalb des mindestens einen zusätzlichen dotierten Bereiches die Wannenbereich-Dotierung blockiert wird.








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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