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Dokumentenidentifikation DE102005055278A1 31.05.2007
Titel Organischer pixelierter Flachdetektor mit erhöhter Empfindlichkeit
Anmelder Siemens AG, 80333 München, DE
Erfinder Fürst, Jens, Dr., 91093 Heßdorf, DE;
Henseler, Debora, Dr., 91052 Erlangen, DE;
Klausmann, Hagen, 91315 Höchstadt, DE;
Tedde, Sandro, 91058 Erlangen, DE;
Wittmann, Georg, Dr., 91074 Herzogenaurach, DE
DE-Anmeldedatum 17.11.2005
DE-Aktenzeichen 102005055278
Offenlegungstag 31.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 31.05.2007
IPC-Hauptklasse H01L 27/30(2006.01)A, F, I, 20061117, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 51/42(2006.01)A, L, I, 20061117, B, H, DE   G01T 1/29(2006.01)A, L, I, 20061117, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft einen organischen pixelierten Flachdetektor mit erhöhter Empfindlichkeit. Dies wird durch eine Vorverstärkung auf Pixelebene erreicht.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft einen organischen pixelierten Flachdetektor mit erhöhter Empfindlichkeit.

Es sind Flachdetektoren auf anorganischer Basis bekannt, die über einen Photodetektor und einen Szintillator Strahlung mit hoher Empfindlichkeit erfassen.

In den kommerziell erhältlichen Flachdetektoren (für Röntgenstrahlung und andere Strahlung) werden a-Si Dünnfilm Transistoren und a-Si PIN-Dioden kombiniert. Vor allem wegen der PIN-Dioden sind diese Detektoren jedoch sehr aufwendig in der Herstellung, also teuer. Photodioden auf der Basis von organischen Halbleitermaterialien bieten die Möglichkeit, pixelierte Flachdetektoren mit hohen externen Quanteneffizienzen (50 bis 85%) im sichtbaren Bereich des Spektrums herzustellen. Die hierbei eingesetzten dünnen organischen Schichtsysteme können mit bekannten Herstellungsverfahren wie Spin-Coating, Rakeln oder Druckverfahren kostengünstig hergestellt werden und ermöglichen so einen Preisvorteil, vor allem für großflächige Flachdetektoren. Aus der US 2003/0025084 ist beispielsweise eine viel versprechende Anwendung solcher organischer Flachdetektoren z.B. in der medizinischen Bilderkennung als Röntgen-Flachdetektoren bekannt, da hier das Licht einer Szintillatorschicht typischerweise auf relativ großen Flächen von mindestens einigen Zentimetern detektiert wird.

Aus der US 2004/0135911 ist ein Flachdetektor auf anorganischer Basis bekannt, der eine anorganische p-i-n-Photodiode, beispielsweise mit einer amorphes Selen umfassenden photoaktiven Schicht, offenbart, die mit einer Verstärkerschaltung, die mehrere Dünnfilmtransistoren umfasst, verbunden ist. Nachteilig daran ist, neben der Verwendung der teuren PIN-Diode auch Notwendigkeit eines zusätzlichen Widerstandes Rload in jeder Spalte.

Weiterhin ist aus der Druckschrift US 6600160 B2 ein herkömmlicher, auf PIN-Dioden basierender Flachdetektor bekannt, der wiederum neben dem erheblichen Nachteil, dass die photosensitiven Elemente, also die PIN Dioden unwirtschaftlich in der Herstellung sind, eine Schaltung hat, die zwar nur einen Verstärker umfasst, dafür aber eine Anordnung zeigt, in der für jede auszulesende Spalte eine zusätzliche präzise Stromquelle nötig ist.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und kostengünstige Flachdetektoren zur Verfügung zu stellen.

Die Aufgabe wird durch den Gegenstand der Ansprüche, der Beschreibung, der Figuren und die zu den Figuren gehörige Beschreibung gelöst.

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein pixelierter Flachdetektor mit Reihen und Spalten aus Pixeln, die jeweils zumindest eine organische Photodiode, einen Reset-Transistor, einen Verstärkungs-Transistor und einen Lese-Transistor umfassen.

Als „Pixel" wird die vorliegende Einheit aus Photodiode, Transistoren und dazugehörigen Leitungen verstanden. Zum Pixel gehört die kostengünstig herstellbare organische Photodiode, die den Gegenstand der Erfindung grundsätzlich von den bekannten Flachdetektoren unterscheidet.

Der pixelierte Flachdetektor umfasst nach der Erfindung große Aktiv-Matrix-Detektor-Arrays mit über 200, beispielsweise mit über 1000 Zeilen. Bei solch großen Arrays werden typischerweise die Rauschbeiträge der Ausleseelektronik (auch „Verstärkerrauschen" genannt) und der Zuleitungen (thermisches Rauschen an der Datenleitung sowie extrinsisches Rauschen durch kapazitive Kopplung mit äußeren Spannungsquellen) im Vergleich zu den Rauschbeiträgen der einzelnen Pixel dominierend.

Nach der Erfindung ist vorgesehen, diese Rauschbeiträge durch eine Vorverstärkung jedes einzelnen Pixels, also einer Verstärkung des entstehenden Signals bereits auf Pixelebene, wirksam zu reduzieren und damit einen Einsatz organischer Photodioden in der Industrie der Flachdetektoren möglich zu machen. Hierfür sind zwei zusätzliche Transistoren pro Pixel nötig: ein Verstärkungstransistor und ein Reset-Transistor.

Die verschiedenen Transistoren, die gemäß der Erfindung in jedem Pixel enthalten sind, können sowohl auf anorganischer als auch auf organischer Basis aufgebaut sein. Der Einsatz anorganisch basierter Transistoren ist unter anderem deshalb möglich, weil Dünnfilmtransistoren aus amorphem Silizium durch die Flachbildschirmindustrie technologisch weit entwickelt und daher kostengünstig erhältlich sind.

Es ist jedoch nach der Erfindung auch vorgesehen, Transistoren auf organischer Basis zum Teil oder im Ganzen zum Einsatz zu bringen.

Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die organische Diode mit einer für alle Pixel gemeinsamen Versorgungsspannung V1 verbunden ist. Sie führt bei Beleuchtung zu einer Veränderung der Spannung VSignal, die vor jedem Beleuchtungszyklus mit einem Spannungspuls Vreset auf dem Gate des Reset-Transistors auf die Spannung V2 zurückgesetzt wird.

Nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist im Pixel die organische Photodiode direkt mit dem Verstärkertransistor und dem Reset-Transistor verbunden.

Nach einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist im Pixel der Auslese-Transistor mit dem Verstärker-Transistor verbunden, der wiederum mit dem Reset-Transistor und der Photodiode verbunden ist.

Der Begriff „organisch" in Verbindung mit den Bauelementen Diode und/oder Transistor ist hier ganz allgemein gemeint und schließt die Bedeutung des englischen „plastics" ein. So sollen vor allem auch andere, nicht zwangsläufig Kohlenstoff enthaltende Verbindungen und Polymere sowie metallorganische Materialien, alle Arten von Blends und Polymermischungen oder Mischungen nicht polymer vorliegender Verbindungen wie Oligomere und Monomere mit umfasst sein. Hinzu kommen beispielsweise auch Silicone oder andere gebräuchliche Kunststoffe, also alle Materialien außer den anorganischen Halbleitern, die gebräuchlicher Weise die klassischen p-i-n-Dioden ausmachen.

Eine organische Photodiode nach der Erfindung umfasst zumindest die Schichten Substrat, untere Elektrode, photoaktive Schicht, obere Elektrode und gegebenenfalls eine Verkapselung. Das Substrat kann aus einem Glas im Dickenbereich von 50 &mgr;m bis 2 mm, aus einer flexiblen Kunststoff- oder Metallfolie oder sonstigem üblichen Material geschaffen sein. Dabei ist es vorteilhaft, wenn auf dem Substrat außer der organischen Photodiode noch weitere Bauelemente, wie Transistoren, angeordnet sind. Durch die Anordnung auf einem Substrat werden Leitungen verkürzt, Produktionsschritte vereinfacht und grundsätzlich Kosten gespart.

Die erfindungsgemäße Vorverstärkung der Pixel mit organischer Photodiode schließt natürlich nicht aus, dass der Flachdetektor noch über weitere, der Verstärkung des Signals dienende Mittel verfügt. Beispielsweise könnten Signal verstärkend noch Widerstände, Kondensatoren, weitere Dioden und/oder Transistoren eingesetzt werden.

Im Folgenden wird die Erfindung noch anhand von 4 Figuren, die bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung betreffen, näher erläutert:

1 zeigt das Schema eines Schaltkreises eines aktiven Pixels,

2 zeigt das Schema eines Arrays aus zwei Zeilen und zwei Spalten eines Flachdetektors,

3 zeigt einen aktiven organischen Pixel in der Aufsicht und

4 zeigt den in 3 markierten Querschnitt durch einen aktiven Pixel.

In 1 ist ein aktiv verstärkender Pixel 1 gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt. Jeder Pixel 1 enthält eine organische Photodiode 2, einen Reset-Transistor 3, einen Verstärkungs-Transistor 4 und einen Lese-Transistor 5. Die organische Photodiode 2 ist mit einer, im hier gezeigten Beispiel für alle Pixel gemeinsamen, Versorgungsspannung V1 verbunden. Sie führt bei Beleuchtung zu einer Veränderung der Spannung Usignal, die vor jedem Beleuchtungszyklus mit einem Spannungspuls Vreset auf dem Gate 6 des Reset-Transistors 3 auf die Spannung V2 zurückgesetzt wird. Nach Beleuchtung wird das Signal über den Verstärkertransistor 4 ausgelesen, auf dessen Drain-Seite 7 die Spannung V3 anliegt und dessen Source-Seite 8 über den Lese-Transistor 5 mit der Datenleitung 9 und schließlich über diese mit der Ausleseelektronik verbunden ist. Die Versorgungsspannungen V2 und V3 sind ebenfalls für alle Pixel gemeinsam. Sie können auf dem gleichen Spannungspegel liegen und über eine gemeinsame Leitung angeschlossen sein. Für eine Optimierung der Signalverstärkung ist es jedoch vorteilhaft, über zwei getrennte Leitungen unterschiedliche Spannungen V2 und V3 anzulegen.

Wie zu sehen ist, ist die Photodiode direkt mit dem Gate Kontakt des Verstärkertransistors und dem Source Kontakt des Reset-Transistors verbunden. Der Drain Kontakt des Auslese-Transistors 5 ist mit dem Source Kontakt 8 des Verstärker-Transistors 4 verbunden letzterer wiederum über sein Gate mit dem Reset-Transistor 3 und der Photodiode 2.

Beispielhafte Spannungswerte sind +15V für V1, +10V für V2 und +20V für V3. Die Spannungen Vreset und Vread bilden gepulste Signale, die beispielsweise zwischen den werten –5V (OFF) und +15V (ON) geschaltet werden.

2 zeigt schematisch den Schaltkreis für ein Array aus mehreren aktiven Pixeln 1 wie in 1 gezeigt. Pro Zeile sind zwei Treiber 10, 11 für die gepulsten Versorgungsspannungen Vreset und Vread nötig. An jede Spalte ist ein Signal-Verstärker über die Leitung 9 angeschlossen. Außerdem ist jeder Pixel an die, in diesem Beispiel gemeinsamen, Versorgungsleitungen für V1, V2 und V3 angeschlossen. Der Anschluss für die Versorgungsspannung V1 ist hier beispielsweise eine vollflächige Elektrode, die mit dem gesamten Array überlappt, und ist in der Abbildung nicht gezeigt. Die gemeinsamen Versorgungsspannungen V2 und V3 sind hier beispielsweise jeweils spaltenweise zusammengefasst, wobei die einzelnen Stränge am Rand des Arrays jeweils zu einem gemeinsamen Anschluss zusammengefasst werden. Prinzipiell ist es auch möglich, diese Stränge erst zeilenweise zusammenzufassen und entsprechend am rechten Rand mit einer Zuleitung zu verbinden. Ebenso ist möglich, die Versorgungsspannung V1 anders als gezeigt aufzubauen.

Die Versorgungsspannungen V2 und/oder V3 können für alle Pixel verbunden sein, wie in 2 gezeigt, sie können jedoch auch für einzelne Pixel ausgelegt sein. Das Potential von V2 kann dem von V3 gleich oder ungleich sein.

3 zeigt schematisch einen aktiven organischen Pixel in der Aufsicht, 4 zeigt einen Querschnitt durch den markierten Bereich dieses Pixels.

In diesem Beispiel sind die Spannungsversorgungen für V2 und V3 in einer vertikalen Leitung zusammengefasst, diese beiden Potentiale sind also hier identisch.

Nach einer anderen Ausführungsform sind die beiden Potentiale V2 und V3 ungleich.

Zurückgehend auf 4 ist noch zu sehen, dass in dem dort gezeigten Beispiel die Pixel-Anode 14 mit dem Reset-Dünnfilm-Transistor 3 (TFT) und dem Verstärker-Dünnfilm-Transistor 4 (TFT) überlappt. Dies erhöht den Füllfaktor wesentlich gegenüber einem Design ohne Überlapp zwischen Anode und Transistoren. Der effektive Füllfaktor eines organischen Photodiodenpixels ist in diesem Fall durch die Fläche der Pixel-Anode 14 plus einen diesen umgebende Einzugsbereich von einigen &mgr;m bestimmt. Um den Füllfaktor noch weiter zu erhöhen, ist auch ein zusätzlicher Überlapp mit dem Auslese-Transistor 5 möglich, was allerdings den Nachteil zusätzlicher parasitärer Kapazitäten mit sich bringt. Für Anwendungen, bei denen der Füllfaktor weniger kritisch ist, kann auch auf den Überlapp mit Reset 3 und/oder Verstärkertransistor 4 verzichtet werden.

Bei einem Flachdetektor nach der Erfindung überlappt nach einem Ausführungsbeispiel die strukturierte Elektrode der organischen Photodiode mit dem Reset-Transistor und/oder mit dem Verstärker-Transistor und/oder mit dem Auslese-Transistor.

Bei einem Flachdetektor nach der Erfindung ist nach einer weiteren Ausführungsform die organische Halbleiterschicht vollflächig.

Bei einem Flachdetektor nach der Erfindung ist nach einer weiteren Ausführungsform die organische Halbleiterschicht auf Pixelebene strukturiert.

Im Beispiel aus 4 sind sowohl die organische Halbleiterschicht 16 als auch die gemeinsame (hier semitransparente) Kathode 18 vollflächig und unstrukturiert auf allen Pixeln des Arrays. Grundsätzlich kann der organische Halbleiter 16 auch auf die Geometrie der einzelnen Pixel-Anoden strukturiert sein. Die obere Elektrode 18 ist immer zusammenhängend, auf einem Potential V1.

Die Funktion der Pixel-Anode 14 und Pixel-Kathode 18 kann auch gegenüber dem Beispiel in 4 getauscht sein, es ist nur jeweils die mit dem Verstärker- und Reset-Transistor verbundene Elektrode in einzelne Pixel strukturiert und die andere Elektrode zusammenhängend. Die organische Halbleiterschicht 16 kann mehrere organische Teilschichten umfassen und es können oberhalb oder unterhalb der organischen Schichten zusätzliche anorganische Barriereschichten aufgebracht sein.

Typische Materialien und Schichtdicken der Transistor-Aufbauten aus amorphem Silizium:

  • – Gate-Metall: Cr oder Al, zwischen 50 und 500 nm
  • – erste Passivierung: SiNx oder SiOxNy, zwischen 100 und 500 nm
  • – a-Si: zwischen 30 und 300 nm (teilweise dotiert)
  • – Source/Drain-Metall: Cr oder Al, zwischen 50 und 500 nm
  • – zweite Passivierung. SiNx, SiOxNy oder organische Photolacke, zwischen 100 und 500 nm

Typische Materialien für organische Transistoren:

  • leitend: Polymere auf der Basis von Polyanilin, als Halbleiter Polymere auf Basis von Polythiophen und als Isolatoren Polymere auf der Basis von Polyethylen zu nennen. Die Schichtdicken sind je nach Transistoraufbau verschieden, üblicherweise in Dünnfilmschichttechnik.

Typische Materialien und Schichtdicken der organischen Dioden:

  • – Pixel-Anode: Au, Pd, Pt, ITO zwischen 20 und 200 nm
  • – organischer Halbleiter: Blend aus organischer Elektronentransportkompontente (z.B. C60 oder PCBM = Phenyl-C61-buttersäuremethylester) und einer organischen Lochtransportkomponente (z.B. ein P3AT = Poly-3-alkylthiophen oder ein PPV = Polyphenylenvinylen), zwischen 50 und 500 nm
  • – semitransparente Kathode: erste Schicht aus Ba, Ca, Mg, LiF oder CsF zwischen 1 und 10 nm

    und gegebenenfalls eine Deckschicht aus Ag, Al oder ITO mit einer Schichtdicke zwischen 3 und 30 nm.

Das gesamte Bauteil wird schließlich meist durch eine Verkapselung (z.B. Glaskappe oder Dünnfilmverkapselung) vor dem Einfluss von Sauerstoff und Feuchtigkeit geschützt.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel können die Dünnfilmtransistoren als organische Feldeffekt-Transistoren (OFETs) realisiert sein. Dies könnte auch für die Transistoren die Möglichkeit noch kostengünstigerer Herstellungsprozesse eröffnen. Weiterhin würde ein solcher Aufbau sich zur Herstellung von biegsamen bzw. formbaren Detektor-Arrays auf flexiblen Substraten anbieten.

Der Vorteil des erfindungsgemäßen aktiv verstärkten organischen Detektorarrays besteht in einer Reduktion des Gewichts der Rauschbeiträge, die in der Datenleitung und im Verstärker entstehen. Der Effekt dieser Reduktion auf das Gesamtrauschen ist umso höher, je größer das Array ist. Bei Röntgendetektor-Arrays für Fluoroskopie- und Radiographianwendungen liegt die Zeilenzahl typischerweise zwischen 1000 und 3000. In diesem Bereich führen die oben genannten, nach dem Pixel entstehenden Rauschbeiträge zu einem Anteil von typischerweise 40 – 90% des Gesamtrauschens. Der Effekt der Rauschbeiträge wird bei Verwendung von aktiv verstärkten Pixeln dadurch reduziert, dass das Signal bereits vor dem Entstehen von bestimmten Rauschbeiträgen verstärkt wird. Dadurch kann zwar das Rauschen insgesamt nicht verringert werden, aber durch die frühe Verstärkung werden das Signal-Rausch-Verhältnis und die Empfindlichkeit des Detektors deutlich erhöht.

Der Grad der Verbesserung im Signal-Rausch-Verhältnis hängt vom Gain G des verstärkenden Pixels ab. Der Gain gibt das Verhältnis der im Pixel generierten Photoladungen zu der Ladungsmenge am Ausgangsverstärker an. Er ist durch folgende Formel gegeben: G = g·t/C

Hierin ist g die Transconductance des Verstärkungstransistors, t die Sampling Time zur Auslesung eines Pixels und C die Pixelkapazität. Typische Werte für diese Größen bei Verwendung von a-Si-Transistoren sind:

G
= 1 × 10–6 bis 5 × 10–6 A/V
T
= 10 bis 50 &mgr;s
C
= 1 bis 5 pF (bei einem Pixel-Pitch zwischen 80 &mgr;m und 200 &mgr;m).

Typische Gain-Faktoren liegen hiermit im Bereich zwischen 3 und 30.

Simulationen zeigen, dass mit einem Gain-Faktor von 10 für einen organischen Detektorarray mit 150 &mgr;m Pixel-Pitch, 20 &mgr;s Auslesezeit und 4 pF Pixelkapazität das Signal-Rausch-Verhältnis um einen Faktor 2 bis 3 verbessert werden kann (gegenüber einem Pixel ohne Verstärkung, nur mit einfachem Auslese-Transistor).

Das kleinste detektierbare Signal wird durch das auf den Eingang des Pixelverstärkers bezogene Gesamtrauschen bestimmt. Durch die erfindungsgemäße Verwendung von aktiv verstärkenden Pixeln im organischen Detektorarray kann dieser Eingangsrauschwert für ein Array von 1000 × 1000 Pixeln laut Simulationen von 2000 Elektronen auf 1200 Elektronen reduziert werden. Der Faktor wird noch größer für größere Arrays. Bei einem Eingangs-Rauschwert von unterhalb etwa 1500 Elektronen können mit einem Röntgendetektor einzelne Röntgenquanten detektiert werden.

Die Verbesserung gemäß der vorliegenden Erfindung könnte somit die kommerzielle Verwendung von organischen Photodioden in Röntgen-Flachdetektoren für niedrige Dosisbereiche ermöglichen.

Die Erfindung betrifft einen organischen pixelierten Flachdetektor mit erhöhter Empfindlichkeit. Dies wird durch eine Vorverstärkung auf Pixelebene erreicht.


Anspruch[de]
Pixelierter Flachdetektor mit Reihen und Spalten aus Pixeln, die jeweils zumindest eine organische Photodiode, einen Reset-Transistor, einen Verstärkungs-Transistor und einen Lese-Transistor umfassen. Flachdetektor nach Anspruch 1, wobei die organische Diode mit einer für alle Pixel gemeinsamen Versorgungsspannung V1 verbunden ist. Flachdetektor nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei im Pixel die organische Photodiode direkt mit dem Gate Kontakt des Verstärkertransistors und dem Source Kontakt des Reset-Transistors verbunden ist. Flachdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei im Pixel der Drain Kontakt des Auslese-Transistors mit dem Source Kontakt des Verstärker-Transistors verbunden ist und/oder letzterer wiederum über sein Gate mit dem Reset-Transistor und/oder der Photodiode. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Potential V2 am Drain Kontakt des Reset- Transistors für alle Pixel gemeinsam ist. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Potential V3 am Drain Kontakt des Verstärker Transistors für alle Pixel gemeinsam ist. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Potentiale V2 und V3 gleich sind. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei V2 und V3 ungleich sind. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei einer oder mehrere Transistoren auf organischer Basis, aus amorphem Silizium und/oder aus LTPS, Low Temperature Poy Silicones aufgebaut ist. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Materialien der organischen Photodiode ausgewählt sind aus der Gruppe folgender Materialien

– Pixel-Anode: Au, Pd, Pt, ITO

– organischer Halbleiter: Blend aus C60 oder PCBM und P3HT oder PPV

– semitransparente Kathode: Ba, Ca, Mg, LiF oder CsF.
Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die organische Photodiode eine semitransparente Kathode mit einer Deckschicht aus einem Material ausgewählt aus der Gruppe folgender Materialien Ag, Al oder ITO hat. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Elektrode der organischen Photodiode mit dem Reset-Transistor überlappt. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Elektrode der organischen Photodiode zusätzlich mit dem Verstärker-Transistor überlappt. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Elektrode der organischen Photodiode zusätzlich mit dem Auslese-Transistor überlappt. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die organische Halbleiterschicht vollflächig ist. Flachdetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die organische Halbleiterschicht auf Pixelebene strukturiert ist.






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