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Dokumentenidentifikation DE112005001661T5 31.05.2007
Titel Halbleitervorrichtung, Substrat zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
Anmelder Dai Nippon Printing Co., Ltd., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Ikenaga, Chikao, Tokyo, JP;
Seki, Kentarou, Tokyo, JP;
Hosokawa, Kazuhito, Ibaraki, Osaka, JP;
Okeyui, Takuji, Ibaraki, Osaka, JP;
Yoshikawa, Keisuke, Ibaraki, Osaka, JP;
Ikemura, Kazuhiro, Ibaraki, Osaka, JP
Vertreter Müller-Boré & Partner, Patentanwälte, European Patent Attorneys, 81671 München
DE-Aktenzeichen 112005001661
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, EP, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, OA, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, AP, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, EA, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM
WO-Anmeldetag 13.07.2005
PCT-Aktenzeichen PCT/JP2005/012907
WO-Veröffentlichungsnummer 2006009030
WO-Veröffentlichungsdatum 26.01.2006
Date of publication of WO application in German translation 31.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 31.05.2007
IPC-Hauptklasse H01L 23/12(2006.01)A, F, I, 20070308, B, H, DE

Beschreibung[de]
HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein technisches Gebiet einer oberflächenmontageartigen Halbleitervorrichtung, und insbesondere auf ein technisches Gebiet einer Oberflächenmontageart-Halbleitervorrichtung, die eine zuleitungs- bzw. leiterlose Struktur aufweist.

Stand der Technik

Allgemein beinhaltet eine Halbleitervorrichtung einen metallischen Leiterrahmen als eine Komponente davon, und ein Mikrobearbeiten für den Abstand von Leitern bzw. Zuleitungen in dem Leiterrahmen ist erforderlich, um eine größere Anzahl von Zapfen bzw. Stiften bzw. Pins darin auszubilden. Jedoch ist bzw. wird, wenn versucht wird, die Breite jedes Leiters selbst zu reduzieren, die Festigkeit bzw. Stärke des Leiters herabgesetzt, und ein Kurzschluß kann dazu tendieren, aufgrund eines Verbiegens oder dgl. des Leiters aufzutreten. Dementsprechend ist es nicht vermeidbar, die Packung zu vergrößern, um den Abstand bzw. die Größe jedes Leiters sicherzustellen. Somit tendiert eine Halbleitervorrichtung, beinhaltend einen Leiterrahmen, dazu, daß sie eine Packung einer größeren Größe und Dicke aufweist. Daher wurde eine Oberflächenmontageart-Halbleitervorrichtung, die eine leiterlose Struktur aufweist, vorgeschlagen.

Patentdokument 1: TOKUKAIHEI Nr. 9-252014, KOHO

Patentdokument 2: TOKUKAI Nr. 2001-210743, KOHO

Eine Halbleitervorrichtung, die im Patentdokument 1 beschrieben ist, ist in 11(a) und 11(b) gezeigt. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung umfaßt ein Festlegen einer Metallfolie auf einem Basismaterial 101 und ein Ätzen derselben, so daß die Metallfolie auf vorbestimmten Abschnitten verbleibt, ein Festlegen bzw. Fixieren eines Halbleiterelements 102 auf einer Metallfolie 103a (Chipkontaktstelle), die im wesentlichen dieselbe Größe wie jene des Halbleiterelements 102 aufweist, ein elektrisches Verbinden eines Halbleiterelements 102 und von Metallfolien 103b über Drähte 105, und ein Transfer- bzw. Übertragungsformen der verbundenen Struktur mit einem abdichtenden bzw. Dichtharz 106 unter Verwendung einer Form. Schließlich wird das geformte Dichtharz 106 von dem Basismaterial 101 entfernt, um eine Packung des Halbleiterelements auszubilden (11b). Jedoch ist in der durch dieses Herstellungsverfahren hergestellten Halbleitervorrichtung keine Gegenmaßnahme zum Verstärken bzw. Erhöhen der Festigkeit bzw. Stärke der Verbindung jeder Metallfolie 103b als einen Anschluß zu dem Dichtharz 106 zur Verfügung gestellt bzw. vorgesehen. Daher tendieren in dem Fall eines weiteren Erhöhens der Anzahl von Stiften bzw. Pins der Halbleitervorrichtung, eines Hinunterdimensionierens bzw. Verkleinerns der Vorrichtung und eines Mikrobearbeitens für die Metallfolien 103b die Drähte dazu, sich aufgrund eines Abschälens der Metallfolien 103b zu lösen. Es besteht somit ein Erfordernis zum Verstärken bzw. Erhöhen der Festigkeit eines Verbindens der Metallfolien 103b mit dem Harz.

In dem in Patentdokument 1 beschriebenen Verfahren ist eine ausreichend nahe bzw. unmittelbare Anhaftung zwischen dem Basismaterial und den Metallfolien in dem Schritt eines Ätzens der Metallfolie und dem Gieß- bzw. Formschritt unter Verwendung eines Dichtharzes erforderlich. Jedoch ist nach dem Formschritt ebenfalls eine leichte Trennung zwischen dem Basismaterial und dem Formharz und zwischen dem Basismaterial und den Metallfolien erforderlich. Als solches ist es erforderlich, daß das Basismaterial und die Metallfolien Eigenschaften besitzen, welche entgegengesetzt zueinander in der Eigenschaft einer engen Anhaftung sind. Nämlich bzw. insbesondere ist, während eine Dauerhaftigkeit gegenüber Chemikalien, die für das Ätzen verwendet werden, ebenso wie eine Dauerhaftigkeit bzw. Haltbarkeit, welche eine Fehlregistrierung bzw. -ausrichtung des Halbleiterelements unter einer Hochtemperaturbedingung in dem Formschritt oder unter Druck, der aufzubringen ist, verhindert, wenn das Dichtharz in die Form fließt, erforderlich sind, nach dem Formschritt eine leichte Trennung zwischen dem Basismaterial und dem Dichtharz und zwischen dem Basismaterial und den Metallfolien erforderlich. Jedoch können Teflon®-Materialien, Silikonmaterialien oder Metalle, die Teflon®-Beschichtungen besitzen, möglicherweise nicht eine derartige erforderliche Eigenschaft einer engen Anhaftung erfüllen.

12(a) und 12(b) illustrieren eine Halbleitervorrichtung, wie sie im Patentdokument 2 beschrieben ist. Allgemein ist bzw. wird die Halbleitervorrichtung durch das folgende Verfahren hergestellt. Zuerst wird eine Metallplatte 201 erhalten, indem quadratisch geformte konkave Rillen bzw. Nuten 201a in einer Metallplatte 201 ausgebildet werden, die als ein Basismaterial verwendet wird. Als nächstes wird eine Halbleitervorrichtung 202 auf die Metallplatte 201 unter Verwendung eines Klebers 203 fixiert bzw. festgelegt, Drähte 204 werden dann durch ein Drahtbonden an Positionen ausgebildet, die für ein Design erforderlich sind, wonach die so gebildete Struktur mit einem Dichtharz 205 (12(a)) transfer- bzw. übertragungsgeformt wird. Nachfolgend werden die Metallplatte 201 und der Kleber 203 miteinander geschliffen, und die Metallplatte 201 wird mit dem Dichtharz 205 in Übereinstimmung mit Abmessungen entsprechend dem Design geschnitten, um eine Halbleitervorrichtung zu erhalten (12(b)). Jedoch ist auch in diesem Verfahren die Halbleitervorrichtung nicht mit irgendeiner Gegenmaßnahme zum Verstärken der Festigkeit eines Verbindens der Metallplatte 201, die als die Anschlüsse verwendet ist, mit dem Dichtharz 205 versehen. Wie in dem Fall des Patentdokuments 1 sollte mit einem weiteren Anstieg der Anzahl von Stiften der Halbleitervorrichtung und dem Erfordernis eines Verkleinerns der Vorrichtung ein Mikrobearbeiten der Metallplatte 201 erforderlich sein. Jedoch tendiert, wenn die Metallplatte 201 einem Mikrobearbeiten unterworfen ist, das Dichtharz dazu abgeschält zu werden. Somit besteht ein Erfordernis für ein Erhöhen der Festigkeit eines Verbindens des Dichtharzes 205 und der Metallplatte 201 ebenso wie ein Erfordernis für eine mehrstiftartige, klein dimensionierte, hoch zuverlässige Halbleitervorrichtung.

Wie dies oben beschrieben ist, muß in den konventionellen Herstellungsverfahren zum Realisieren einer mehrstiftartigen, klein dimensionierten Halbleitervorrichtung ein Mikrobearbeiten von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten (Anschlüssen) erforderlich sein, wodurch die Festigkeit eines Verbindens der elektrisch leitfähigen Abschnitte mit dem Dichtharz verschlechtert wird und die elektrisch leitfähigen Abschnitte dazu tendieren, von dem Dichtharz abgeschält zu werden. Daher gab es ein Erfordernis für eine hoch zuverlässige, mehrstiftartige, klein dimensionierte Halbleitervorrichtung. Zusätzlich ist es in bezug auf das Erfordernis für ein Verdünnen der Halbleitervorrichtung für die konventionellen Verfahren erforderlich, das Halbleiterelement (den Chip) selbst in einen dünneren zu schleifen, um eine Halbleitervorrichtung dünnen Typs zu erhalten, wodurch ein Auftreten eines Brechens oder von Sprüngen in dem Halbleiterelement während eines derartigen Herstellungsschritts ansteigt und somit zu einem Kostenanstieg führt.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung wurde im Lichte der obigen Probleme getätigt. Es ist daher ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, die eine hoch zuverlässige, mehrstiftartige, klein dimensionierte, zuleitungslose bzw. leiterlose (leiterfreie) Struktur aufweist. Spezifisch ist ein Gegenstand dieser Erfindung, eine Oberflächenmontageart-Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, welche exzellent in der Festigkeit eines Verbindens des Dichtharzes und der elektrisch leitfähigen Abschnitte ist, ebenso wie ein Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung der Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben zur Verfügung zu stellen. Ein weiteres Ziel dieser Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung, die eine leiterlose Struktur besitzt, welche zu einem Verdünnen fähig ist, ein Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung der Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben zur Verfügung zu stellen.

Die vorliegende Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung, umfassend: ein Halbleiterelement, das Elektroden aufweist; eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten, die um das Halbleiterelement angeordnet sind; Drähte zum entsprechenden bzw. jeweiligen Verbinden der Elektroden des Halbleiterelements und der elektrisch leitfähigen Abschnitte; und ein versiegelndes bzw. Dichtharz zum Dichten des Halbleiterelements, der elektrisch leitfähigen Abschnitte und der Drähte; wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferlegierung, und eine plattierende bzw. Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt ist; wobei die Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt, der auf einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt ist, einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher außerhalb bzw. nach außen von der Metallfolie überhängt; und wobei eine Rückseite jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts außerhalb des Dichtharzes freigelegt ist.

Die vorliegende Erfindung ist die Halbleitervorrichtung, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt weiterhin eine Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt an einem unteren Abschnitt der Metallfolie enthält, wobei die untere Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt nach außerhalb von dem Dichtharz vorragt.

Die vorliegende Erfindung ist die Halbleitervorrichtung, wobei eine Seitenfläche der Metallfolie jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts aufgerauht ist.

Die vorliegende Erfindung ist ein Substrat zur Verwendung in bzw. bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend: ein anhaftendes bzw. Kleberblatt, das eine Basisschicht bzw. -lage und eine Kleberschicht aufweist, die auf der Basisschicht vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt ist; und eine Mehrzahl von elektrisch leitenden bzw. leitfähigen Abschnitten, die auf der Kleberschicht des Kleberblatts zur Verfügung gestellt sind; wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferlegierung, und eine Plattierschicht für den elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt ist; und wobei die Plattierschicht für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt, die auf einem oberen Abschnitt des elektrisch leitfähigen Abschnitts zur Verfügung gestellt ist, einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher nach außen von der Metallfolie überhängt.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt weiterhin eine Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt an einem unteren Abschnitt der Metallfolie beinhaltet, wobei die untere Plattierschicht für den elektrisch leitfähigen Abschnitt in der Kleberschicht eingebettet ist.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei eine Seitenfläche der Metallfolie für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt aufgerauht ist.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei die Basisschicht aus einem Metallmaterial gebildet ist.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei die Dicke der Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferfolie, eines elektrisch leitfähigen Abschnitts in dem Bereich von 0,01 bis 0,1 mm liegt.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei die Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt eine mehrschichtige bzw. mehrlagige Struktur aufweist, beinhaltend eine Nickelplattierschicht als eine Diffusionsbarriereschicht für Kupfer, und eine einlagige oder mehrlagige Edelmetallplattierschicht, die auf der Nickelplattierschicht vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt ist, und wobei ein Edelmetall, das für die Edelmetallplattierschicht verwendet ist, irgendeines von Au, Ag, Pd ist.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei der Elastizitätsmodul bei 200°C der Basisschicht des Kleberblatts größer als 1,0 GPa ist und der Elastizitätsmodul bei 200°C der Kleberschicht größer als 0,1 MPa ist.

In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß der Elastizitätsmodul bei 100 bis 150°C vor einem Härten des Klebers, der die Kleberschicht des Kleberblatts ausbildet bzw. darstellt, niedriger als 0,1 MPa ist, und daß der Elastizitätsmodul bei 200°C nach einem Härten größer als 0,1 MPa ist. Während die Art des Klebers nicht speziell beschränkt ist, ist es bevorzugt, einen thermohärtenden Kleber als den Kleber zu verwenden.

In der vorliegenden Erfindung ist es, während der thermohärtende Kleber nicht speziell beschränkt ist, bevorzugt, einen zu verwenden, der beispielsweise ein Epoxyharz, ein Epoxyhärtungsagens und ein Elastomer enthält.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei die Klebefestigkeit bzw. Haftstärke an einer Testmetallfolie der Kleberschicht des Kleberblatts in dem Bereich von 0,1 bis 15 N/20 mm ist bzw. liegt.

Die vorliegende Erfindung ist das Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Substrat zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Blöcken beinhaltet, die in einem Quadratmuster angeordnet sind, wobei jeder der Blöcke einen Bereich bzw. eine Region zum Festlegen eines Halbleiterelements beinhaltet, wobei jeder der Blöcke von einem anderen durch einen Schneidbereich unterteilt ist, und wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt derart angeordnet ist, daß er sich nicht über den Schneidbereich erstreckt.

Die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Substrats zur Verwendung in bzw. bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend die Schritte: Herstellen bzw. Vorbereiten einer Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferfolie als ein Material für elektrisch leitende bzw. leitfähige Abschnitte; Bereitstellen eines teilweisen Plattierens auf einem Abschnitt entsprechend jedem elektrisch leitfähigen Abschnitt der Metallfolie, um eine teilweise plattierende bzw. Plattierschicht auszubilden; Befestigen bzw. Festlegen der Metallfolie, die die teilweise plattierenden Schichten darauf ausgebildet aufweist, mit Druck an einer Kleberschichtseite eines Kleberblatts, das eine Basisschicht und die anhaftende bzw. Kleberschicht aufweist; Ausbilden jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts durch ein Ätzen der Metallfolie unter Verwendung von jeder teilweise plattierenden bzw. abdeckenden Schicht als einen Resist; und Definieren einer Außenform bzw. -gestalt des Kleberblatts durch ein Bearbeiten desselben.

Die vorliegende Erfindung ist das Verfahren zum Herstellen eines Substrats zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei in dem Schritt eines Ausbildens jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts durch ein Ätzen der Metallfolie unter Verwendung jeder teilweise plattierenden Schicht als einen Resist eine Seitenfläche der Metallfolie jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts aufgerauht wird.

Die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend die Schritte: Herstellen bzw. Vorbereiten eines Substrats zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Substrat ein Kleberblatt, das eine Basisschicht und eine Kleberschicht aufweist, die auf der Basisschicht zur Verfügung gestellt ist, und eine Mehrzahl von elektrisch leitenden bzw. leitfähigen Abschnitten beinhaltet, die auf der Kleberschicht des Kleberblatts zur Verfügung gestellt sind, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer und eine Kupferlegierung, und eine plattierende bzw. Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt wird, und wobei die Plattierschicht für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt, die auf einem oberen Abschnitt des elektrisch leitfähigen Abschnitts zur Verfügung gestellt wird, einen überhängenden Abschnitt ausbildet bzw. darstellt, welcher nach außen von der Metallfolie überhängt; Fixieren bzw. Festlegen jedes Halbleiterelements, das Elektroden aufweist, auf der Kleberschicht des Substrats zur Verwendung in einer Herstellung der Halbleitervorrichtung, und elektrisches Verbinden der elektrisch leitfähigen Abschnitte und der Elektroden des Halbleiterelements mit Drähten; Dichten des Halbleiterelements, der Drähte und der elektrisch leitfähigen Abschnitte durch ein Verwenden eines versiegelnden bzw. Dichtharzes; Trennen des Kleberblatts von dem Dichtharz; und Unterteilen des Dichtharzes in ein individuelles bzw. einzelnes Stück für jedes Halbleiterelement.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Verbindungsfestigkeit bzw. -stärke zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten, welche als Verbindungsstellen relativ zu externen Abschnitten verwendet sind, und dem Dichtharz signifikant erhöht werden, wodurch eine Halbleitervorrichtung erhalten wird, welche exzellent in der Zuverlässigkeit ist, selbst wenn die elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitte eine kleine Form aufweisen. Die plattierende bzw. Plattierschicht, die auf einer Bodenfläche jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt ist, ist mit einem Harz versiegelt bzw. abgedichtet, während sie durch die Dicke eines Plattierens von der Rückseite der Halbleitervorrichtung vorragt, wodurch eine Zuverlässigkeit eines Montierens erhöht wird, wenn die Halbleitervorrichtung auf eine Leiterplatte bzw. gedruckte Leiterplatte montiert wird. Weiterhin können, da die Halbleitervorrichtung eine leiterlose Struktur aufweist, welche frei von einem Leiterrahmen ist, die elektrisch leitfähigen Abschnitte einem Mikrobearbeiten unterworfen werden, um einen weiter verringerten Abstand zur Verfügung zu stellen. Zusätzlich kann, indem eine Chipkontaktstelle eliminiert wird, welche konventioneller Weise verwendet wurde, ein weiteres Verdünnen des Halbleiters erzielt werden, wobei die Bodenfläche eines Halbleiterelements von der Rückseite der Halbleitervorrichtung freigelegt ist. Durch ein Verwenden des Substrats zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann jedes Halbleiterelement während des Herstellungsverfahrens bzw. -prozesses fixiert bzw. festgelegt werden, selbst ohne eine Chipkontaktstelle zu verwenden, und es kann mit einem Harz versiegelt werden, ohne daß irgendeine Fehlregistrierung bzw. -ausrichtung bewirkt wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

2 ist eine vergrößerte Ansicht eines elektrisch leitenden bzw. leitfähigen Abschnitts der Halbleitervorrichtung, die in 1 gezeigt ist.

3 ist eine schematische Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

4 ist eine schematische Ansicht, die noch ein weiteres Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

5 ist eine vergrößerte Ansicht eines elektrisch leitfähigen Abschnitts in der Halbleitervorrichtung, die in 4 gezeigt ist.

6(a) bis 6(d) sind Diagramme, die jeweils Schritte eines Herstellungsverfahrens der Halbleitervorrichtung illustrieren, die in 1 gezeigt ist.

7 ist ein Diagramm, das schematisch eine Draufsicht auf ein Kleberblatt (Substrat) an einem Zeitpunkt zeigt, wo elektrisch leitfähige Abschnitte in einem Schritt ausgebildet werden, der in 6 gezeigt ist.

8(a) bis 8(e) sind Diagramme, die jeweils Schritte eines Herstellens bzw. Vorbereitens eines Substrats illustrieren.

9(a) und 9(b) sind Diagramme, die einen Aspekt eines Aufrauhens einer Seitenfläche einer Metallfolie in einem elektrisch leitfähigen Abschnitt illustrieren.

10(a) und 10(b) sind Draufsichten, die jeweils einen Schritt eines Herstellens eines Substrats in einem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung illustrieren, wobei elektrisch leitfähige Abschnitte auf einem Kleberblatt ausgebildet sind.

11(a) und 11(b) sind Diagramme, die ein Beispiel einer konventionellen Halbleitervorrichtung illustrieren, die eine leiterlose Struktur besitzt.

12(a) und 12(b) sind Diagramme, die ein weiteres Beispiel einer konventionellen Halbleitervorrichtung illustrieren, die eine leiterlose Struktur besitzt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Eine Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird im Detail unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Wie dies in 1 und 2 gezeigt ist, umfaßt eine Halbleitervorrichtung P ein Halbleiterelement 10, das Elektroden 11 aufweist, eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten 20, die um das Halbleiterelement 10 angeordnet sind, Drähte 30 für ein entsprechendes Verbinden der Elektroden 11 des Halbleiterelements 10 und der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20, und ein versiegelndes bzw. Dichtharz 40, um das Halbleiterelement 10, die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 und die Drähte 30 abzudichten bzw. zu versiegeln.

Unter diesen Elementen beinhaltet jeder der elektrisch leitfähigen Abschnitte eine Metallfolie 60, die aus Kupfer oder einer Kupferlegierung gebildet ist, und plattierende bzw. abdeckende bzw. Plattierschichten 20a für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt, die sowohl auf Ober- als auch Bodenseiten der Metallfolie 60 vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt sind, wobei jede Plattierschicht 20a einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher außerhalb von der Metallfolie 60 überhängt.

Jeder Draht 30 ist mit der oberen Plattierschicht 20a des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 verbunden, und die obere Plattierschicht 20a dient als eine funktionelle Fläche, die mit jedem Draht 30 zu verbinden ist.

Die Rückseite des Halbleiterelements 10 ist nach außen von der Rückseite Pa (welche auch die Rückseite der Halbleitervorrichtung ist) des Dichtharzes 40 freigelegt, die untere Plattierschicht 20a des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 ragt um ihre Dicke von der Rückseite Pa des Dichtharzes 40 vor. Die Metallfolie 60 jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 hat eine aufgerauhte Seitenfläche 60a.

Dementsprechend hat die Halbleitervorrichtung P, die in 1 gezeigt ist, eine Konfiguration, daß die Bodenfläche des Halbleiterelements 10 und die untere Plattierschicht 20a jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 nach außen von der Rückseite des Dichtharzes 40 freigelegt sind, um eine zuleitungs- bzw. leiterlose Struktur auszubilden, welche frei von einer Chipkontaktstelle und einer Kleberschicht für ein Festlegen des Halbleiterelements ist. Der obere überhängende Abschnitt 20a jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 zeigt einen Verankerungseffekt in dem Dichtharz 40 und die aufgerauhte Seitenfläche 60a jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 ist aufgerauht, um fest mit dem Dichtharz 40 in Eingriff zu stehen. Daher ist selbst in dem Fall, wo jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 eine kleine bzw. winzige Form hat, die Festigkeit bzw. Stärke eines Verbindens des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 mit dem Dichtharz 40 signifikant bzw. merklich erhöht. Zusätzlich ist der untere überhängende Abschnitt 20a, der an der Bodenfläche des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 zur Verfügung gestellt bzw. vorgesehen ist, von einer Plattierschicht gebildet, und der elektrisch leitfähige Abschnitt 20 ist mit einem Harz abgedichtet, wobei die untere Plattierschicht 20a nach außen durch bzw. um ihre Dicke von der Rückseite Pa der Halbleitervorrichtung P vorragt. Somit kann nach bzw. bei einem Montieren der Halbleitervorrichtung P auf eine gedruckte Leiterplatte ein Schwimmen der elektrisch leitfähigen Abschnitte (Anschlüsse) aufgrund einer Unebenheit oder von Fremdmaterialien auf der montierten Leiterplatte verhindert werden, wodurch eine Zuverlässigkeit des Montageverfahrens bzw. -prozesses verbessert wird. Zusätzlich kann ein Kurzschluß, der durch eine zerbrochene Lötpaste wird bzw. bewirkt ist, verhindert werden.

3 ist eine schematische Ansicht, die ein weiteres Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Während die Halbleitervorrichtung P, die in 3 gezeigt ist, ein Beispiel ist, in welchem eine Chipkontaktstelle wie konventionelle verwendet wird bzw. ist, hat sie eine Konfiguration, so daß jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 und ein Chipkontaktstellenabschnitt 21 jeweils obere und untere überhängende Abschnitte 20a, 21a aufweisen. Daher ist selbst in dem Fall, wo jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 eine kleine Form aufweist, die Festigkeit eines Verbindens des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 mit dem Dichtharz 40 signifikant erhöht, da der obere überhängende Abschnitt 20a einen signifikanten Verankerungseffekt in dem Dichtharz 40 zeigt, wodurch eine Halbleitervorrichtung mit einer höheren Zuverlässigkeit erzielt wird. Zusätzlich ist der untere überhängende Abschnitt 20a, der an der Bodenfläche des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 zur Verfügung gestellt ist, aus einer Plattierschicht gebildet, und der elektrisch leitfähige Abschnitt 20 ist mit einem Harz abgedichtet, wobei die untere Plattierschicht 20a nach außen um ihre Dicke von der Rückseite Pa der Halbleitervorrichtung P vorragt. Somit kann bei bzw. nach einem Montieren der Halbleitervorrichtung P auf eine Leiterplatte ein Schwimmen der elektrisch leitfähigen Abschnitte (Anschlüsse) aufgrund einer Unebenheit oder von Fremdmaterialien auf der Leiterplatte verhindert werden, wodurch eine Zuverlässigkeit des Montageverfahrens verbessert wird. Zusätzlich kein ein Kurzschluß, der durch eine zerbrochene Lötpaste bewirkt wird, verhindert werden. Es kann erwartet bzw. geschätzt werden, daß lediglich der überhängende Abschnitt 20a auf jedem elektrisch leitfähigen Abschnitt 20 zur Verfügung gestellt sein kann, ohne daß der überhängende Abschnitt 21a auf der Rückseite der Chipkontaktstelle 21 zur Verfügung gestellt ist.

4 ist eine schematische Ansicht, die noch ein weiteres Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Halbleitervorrichtung, die in 4 gezeigt ist, hat eine leiterlose Struktur ähnlich zu derjenigen, die in 1 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 einen überhängenden Abschnitt 20a lediglich an seiner oberen funktionellen Seite bzw. Fläche aufweist. In einer derartigen Halbleitervorrichtung zeigt der überhängende Abschnitt 20a jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 einen Verankerungseffekt in dem Dichtharz 40. Wie dies in einer vergrößerten Ansicht von 5 gezeigt ist, weist jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 eine aufgerauhte Fläche 60a an seiner Metallfolie 60 auf, um fest mit dem Dichtharz 40 in. Eingriff zu gelangen.

In konventionellen Halbleitervorrichtungen ist die Dicke der Chipkontaktstelle in dem Bereich von etwa 100 bis 200 &mgr;m und die Dicke der Kleberschicht zum Festlegen bzw. Fixieren des Halbleiterelements ist in dem Bereich von etwa 10 bis 50 &mgr;m. Daher kann gemäß der Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung, da es kein Erfordernis für ein Bereitstellen der Chipkontaktstelle oder der Kleberschicht gibt, wenn die Dicke des Halbleiterelements und die Dicke des Dichtharzes, das das Halbleiterelement abdichtet, dieselben sind, die Gesamtdicke um 110 bis 250 &mgr;m verringert werden.

6(a) bis 6(d) sind Diagramme, die jeweils Schritte eines Herstellungsverfahrens der Halbleitervorrichtung zeigen, die in 1 gezeigt ist. Das Herstellungsverfahren wird unten unter Bezugnahme auf diese Zeichnungen beschrieben.

Zuerst wird, wie dies in 6(a) gezeigt ist, ein anhaftendes bzw. Kleberblatt 50, das eine Basisschicht 51 und eine Kleberschicht 52 aufweist, hergestellt bzw. vorbereitet, und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 wird dann an ausgewählten Positionen auf der Kleberschicht 52 des Kleberblatts ausgebildet, um ein Substrat B herzustellen. Wie dies in der Zeichnung gezeigt ist, weist jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 überhängende Abschnitte 20a an ihren oberen bzw. Oberseiten- und Bodenabschnitten auf. Der Schritt eines Herstellens des Substrats B zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, beinhaltend derartige elektrisch leitfähige Abschnitte 20, wird später beschrieben.

7 ist ein Diagramm, das schematisch eine Draufsicht auf das Kleberblatt 50 oder Substrat zu einem Zeitpunkt zeigt, wo die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 ausgebildet sind. In der Zeichnung sind elektrisch leitfähige Abschnitt 20 auf dem Kleberblatt 50 in großen Zahlen entsprechend der Anzahl der Halbleiterelemente 10 ausgebildet, wobei die Mehrzahl der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 elektrisch voneinander unabhängig ist.

Als nächstes wird, wie dies in 6(b) gezeigt ist, das Halbleiterelement 10, das Elektroden 11 darauf ausgebildet aufweist, an einer vorbestimmten Position auf dem Substrat B über die Kleberschicht 52 derart festgelegt bzw. fixiert, daß die Seite des Halbleiterelements 10, auf welcher die Elektroden 11 nicht ausgebildet sind, zu dem Substrat B schaut bzw. gerichtet ist. Dann wird die Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 elektrisch mit den Elektroden 11 des Halbleiterelements 10 jeweils über die Drähte 30 verbunden. Wenn die Festigkeit eines Fixierens des Halbleiterelements 10 auf dem Kleberblatt 50 aufgrund einer kleineren Chipgröße des Elements 10 nicht ausreichend ist, kann das Halbleiterelement 10 fest auf dem Kleberblatt 50 unter Verwendung eines Chipbefestigungsmaterials, wie einer Silberpaste, Chipbefestigungsfilms oder dgl. festgelegt werden. In diesem Fall kann, da die Chipkontaktstelle nicht verwendet wird, die Gesamtdicke um 100 bis 200 &mgr;m verglichen mit den konventionellen Halbleitervorrichtungen verringert werden. Es ist festzuhalten, daß, wenn die Dicke der Halbleitervorrichtung nicht so kritisch ist, es auch möglich ist, ein Substrat zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu verwenden, die mit dem Chipkontaktstellenabschnitt 21 wie in dem Fall der Halbleitervorrichtung P versehen ist, die in 3 gezeigt ist.

Als nächstes wird, wie dies in 6(c) gezeigt ist, die Halbleitervorrichtung P auf dem Kleberblatt 50 durch ein Dichten des Halbleiterelements 10, der Drähte 30 und der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 mit dem Dichtharz 40 ausgebildet. Die Dichtung mit dem Dichtharz 40 wird durch ein typisches Transfer- bzw. Übertragungsformverfahren unter Verwendung einer Form ausgeführt. Nach dem Formverfahren bzw. -prozeß wird das Dichtharz 40 für ein Nachhärten, sofern erforderlich, erhitzt. Ein derartiges Heizverfahren für das Nachhärten kann vor oder nach der Trennung des Kleberblatts 50 durchgeführt werden, die unten beschrieben ist. Nachfolgend wird, wie dies in 6(d) gezeigt ist, das Kleberblatt 50 von dem Dichtharz 40 getrennt, um die Halbleitervorrichtung P zu erhalten, die in 1 gezeigt ist.

Die Schritte eines Ausbildens des Substrats, d.h. das Verfahren eines Herstellens des Substrats B zur Verwendung in bzw. bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch ein Ausbilden von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 an ausgewählten Positionen auf der Kleberschicht 52 ist in 8(a) bis 8(e) gezeigt. Diese Schritte können wie folgt beschrieben werden.

Zuerst wird, wie dies in 8(a) gezeigt ist, die Metallfolie 60, umfassend Kupfer oder eine Kupferlegierung, als ein Material für die elektrisch leitfähigen Abschnitte hergestellt. Als die Metallfolie 60 wird ein Material, das eine Dicke von 0,01 bis 0,1 mm aufweist, in Hinblick auf die Festigkeit bzw. Stärke verwendet. Danach werden Trockenfilmresists 61 auf beiden Seiten der Metallfolie 60 festgelegt, und es wird, wie dies in 8(a) gezeigt ist, ein Mustern der Trockenfilmresists 61 auf beiden Seiten bzw. Flächen der Metallfolie 60 unter Verwendung eines Musters, welches umgekehrt zu der Form der elektrisch leitfähigen Abschnitte ist, durch Verwendung von Photolithographie ausgeführt.

Als nächstes werden, wie dies in 8(b) gezeigt ist, durch ein Verwenden des Musters von Trockenfilmresist 61 als eine Maske, Nickelplattierschichten als Diffusionsbarriereschichten 63 für Kupfer und Edelmetallplattierschichten 64 teilweise in die Form bzw. Gestalt der elektrisch leitfähigen Abschnitten plattiert. Danach werden, wie dies in 8(c) gezeigt ist, die Trockenfilmresists 61 entfernt, um Plattierschichten (teilweise plattierende bzw. Plattierschichten) 62 für die elektrisch leitfähigen Abschnitte auszubilden. In diesem Fall kann ein Edelmetall, das als die Edelmetallplattierschicht 64 verwendet ist bzw. wird, irgendeines von wenigstens Au, Ag, Pd sein. Zusätzlich kann jede Edelmetallplattierschicht 64 einlagig oder mehrlagig sein.

Nachfolgend wird, wie dies in 8(d) gezeigt ist, die Metallfolie 60, auf welcher die Plattierschichten 62 für die elektrisch leitfähigen Abschnitte, die jeweils die Diffusionsbarriereschicht 63 und die Edelmetallplattierschicht 64 aufweisen, ausgebildet werden, an der Kleberschicht 52 des Kleberblatts 50 festgelegt, während sie gegen das Kleberblatt 50 gepreßt werden, so daß die Plattierschichten 62 für die elektrisch leitfähigen Abschnitte in der Kleberschicht 52 eingebettet sind. Danach wird, wie dies in 8(e) gezeigt ist, die Metallfolie 60 in einer derartigen festgelegten Struktur unter Verwendung der Plattierschichten 62 für die elektrisch leitfähigen Abschnitte als einem Resist geätzt, so daß die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 ausgebildet werden. In diesem Fall kann ein Ätzen einer Seitenfläche 60a jeder Metallfolie 60 eine derartige Form ausbilden, daß die oberen und unteren überhängenden Abschnitte 20a, die jeden Plattierabschnitt 60a der Metallfolie 60 umfassen, an den Oberseiten- und Bodenabschnitten der Metallfolie 60 zur Verfügung gestellt sind, wie dies in der Zeichnung gezeigt ist. Als nächstes wird, wie dies in 9(a) gezeigt ist, eine chemische Behandlung an der Seitenfläche 60a jeder Metallfolie 60 zur Verfügung gestellt, um die Seitenfläche 60a jeder Metallfolie 60 aufzurauhen, wie dies in 9(b) gezeigt ist. Auf diese Weise wird nach einem Bereitstellen der überhängenden Abschnitte 20a sowohl an oberen bzw. Oberseiten- als auch Bodenflächen jeder Metallfolie 60 ebenso wie einem Aufrauhen der Seitenfläche 60a jeder Metallfolie 60 das Kleberblatt 50 durch Verwenden von Schneidmitteln, wie ein Preßbearbeiten oder dgl. bearbeitet, um die Außenform des Kleberblatts 50 zu bestimmen.

8(a) bis 8(e) illustrieren jeweils den Fall eines Ausbildens von elektrisch leitfähigen Abschnitten, die jeweils überhängende Abschnitte sowohl an ihren oberen als auch Bodenflächen aufweisen. Jedoch ist in dem Fall eines Ausbildens der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20, die jeweils den überhängenden Abschnitt 20a lediglich auf der funktionellen Fläche (der Fläche, die für ein Drahtbonden jedes Drahts verwendet wird) der Metallfolie wie in Halbleitervorrichtung P aufweisen, die in 4 gezeigt ist, die Plattierschicht 62 für den elektrisch leitfähigen Abschnitt lediglich auf der funktionellen Seite bzw. Fläche der Metallfolie zur Verfügung gestellt, während die Fläche auf der Seite, die nicht mit der Plattierschicht versehen ist, der Metallfolie 60 an dem Kleberblatt befestigt wird, um die Metallfolie 60 in diesem befestigten bzw. festgelegten Zustand zu ätzen. Auf diese Weise können die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20, die jeweils den überhängenden Abschnitt 20a lediglich auf der funktionellen Fläche aufweisen, ausgebildet werden. Nachfolgend wird ein Aufrauhungsverfahren für die Seitenfläche jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 ausgeführt, wie dies bereits unter Bezugnahme auf 9(a) und 9(b) beschrieben ist. In dem Fall eines Ausbildens der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 und der Chipkontaktstelle 21 wie in der Halbleitervorrichtung P, die in 3 gezeigt ist, wird das Mustern des Trockenfilmresists 61 derart ausgeführt, daß ein Raum entsprechend der Chipkontaktstelle in dem Schritt von 8(a) zur Verfügung gestellt wird.

Es wird bemerkt bzw. festgehalten, daß es in dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung praktisch ist, die Halbleitervorrichtungen gemeinsam bzw. kollektiv in mehreren Anzahlen herzustellen. 10(a) und 10(b) zeigen einen derartigen Fall. 10(a) ist ein Diagramm, das schematisch eine Draufsicht auf das Kleberblatt 50 zeigt, beinhaltend eine Mehrzahl eines Substrats B zur Verwendung bei einer Herstellung von mehreren Halbleitervorrichtungen. Auf dem Kleberblatt 50 sind ein Bereich bzw. eine Region 71 zum Festlegen einer Halbleitervorrichtung darauf und elektrisch leitfähige Abschnitten, die um sie ausgebildet sind, als ein Block 70 gezeigt, wobei jeder Block 70 in einem quadratischen bzw. Quadratmuster ausgebildet und in großen Anzahlen zur Verfügung gestellt ist. 10(b) ist eine vergrößerte Ansicht eines Blocks 70, in welchem lediglich eine erforderliche Anzahl von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 um den Bereich 71 zum Festlegen einer Halbleitervorrichtung darauf ausgebildet ist.

In 10(a) ist beispielsweise die Breite (W) des Kleberblatts 50 65 mm und die zahlreichen Blöcke 70 sind auf dem Kleberblatt 50 durch vorbestimmte Schritte so ausgebildet, daß ein Basismaterial kontinuierlich um eine Rolle gewickelt hergestellt werden kann. Das so erhaltene, 65 mm breite Kleberblatt 50 wird geeignet geschnitten, um eine erforderliche Anzahl von Blöcken zur Verwendung in den Schritten eines Ladens von Halbleiterelementen und eines Dichtens derselben mittels eines Harzes zu erhalten, um die geschnittenen als die Substrate B zu verwenden, die für ein Herstellen von Halbleitervorrichtungen zu verwenden sind. Danach wird in dem Fall eines gemeinsamen Abdichtens von derartigen mehreren Halbleitervorrichtungen mit einem Harz das Kleberblatt nach einem Abdichten mit einem Harz getrennt, gefolgt durch ein Zerteilen bzw. Dicen oder Stanzen in vorbestimmte Dimensionen bzw. Abmessungen, um einzelne bzw. individuelle Stücke zu erzeugen, wodurch Halbleitervorrichtungen P erhalten werden.

In dem Substrat B zur Verwendung bei einer Herstellung von Halbleitersubstraten gemäß 10(a) kann, wenn sich der elektrisch leitfähige Abschnitt 20 in einem Schneidbereich 72 erstreckt, der in vorbestimmte Abmessungen unter Verwendung eines Zerteilens oder Stanzens zu schneiden ist, d.h. in einem Bereich, der durch eine vorbestimmte Breite für eine Schneidlinie definiert ist, um einen Bereich abzudecken, mit welchem Schneidmittel in Kontakt sein können, Metallpulver bei der Schneidtätigkeit bzw. dem Schneidvorgang hergestellt werden, so daß ein Kurzschluß aufgrund des Metallpulvers, das an der Halbleitervorrichtung angehaftet verblieben ist, in dem nachfolgenden Montageschritt auftreten kann. Als eine Gegenmaßnahme für einen derartigen Nachteil bzw. eine derartige Unannehmlichkeit ist es bevorzugt, daß sich jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 nicht über den Schneidbereich 72 erstreckt. In der Halbleitervorrichtung P, die durch Verwenden des Substrats B zur Verwendung in einer Herstellung von Halbleitervorrichtungen, beinhaltend eine derartige Anordnung, hergestellt ist bzw. wird, ist jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 nicht nach außen von Seitenflächen nach der Ausbildung jedes individuellen geschnittenen Stücks freigelegt. Daher sind bzw. werden in einem Zustand, wo die Halbleitervorrichtung P auf eine Leiterplatte montiert ist, die Anschlüsse (elektrisch leitfähigen Abschnitte) versteckt, wenn von der Außenseite gesehen, wodurch eine Illegalität eines direkten Zugreifens der Anschlüsse verhindert wird.

Als ein spezifisches Beispiel der Plattierschicht 62 des elektrisch leitfähigen Abschnitts ist es möglich, die Plattierschicht 62 durch ein Legen bzw. Schichten einer Palladiumplattierung, die eine Dicke von 0,1 &mgr;m aufweist, und einer Goldplattierung 64, die eine Dicke von 0,05 &mgr;m aufweist, als der Edelmetallschicht auf eine Nickelplattierung, die eine Dicke von 5 &mgr;m aufweist, als die Diffusionsbarriereschicht 63 auszubilden. Selbstverständlich ist die Plattierschicht 62 nicht auf dieses Beispiel beschränkt, sondern kann in verschiedenen Kombinationen und Dicken abhängig von den Erfordernissen für die herzustellende Halbleitervorrichtung P ausgebildet werden. Zusätzlich hängt die Gesamtdicke der Plattierschicht 62 für den elektrisch leitfähigen Abschnitt auch von den Erfordernissen für die Halbleitervorrichtung P ab, jedoch üblicherweise ist ein Bereich von 0,05 bis 50 &mgr;m bevorzugt.

Das Kleberblatt 50, das für das Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann vorzugsweise sicher das Halbleiterelement 10 und die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 bis zu einer Vervollständigung des versiegelnden bzw. Dichtschritts unter Verwendung des Harzes festlegen bzw. fixieren, und kann mit Leichtigkeit abgeschält werden, wenn es von dem Dichtharz 40 getrennt wird. Wie oben beschrieben, hat ein derartiges Kleberblatt 50 die Basisschicht 51 und die Kleberschicht 52. Die Dicke der Basisschicht 51 ist nicht kritisch beschränkt, obwohl sie üblicherweise in dem Bereich von 12 bis 200 &mgr;m, und vorzugsweise 50 bis 150 &mgr;m liegt. Die Dicke der Kleberschicht 52 ist nicht speziell beschränkt, jedoch ist sie üblicherweise in dem Bereich von 1 bis 50 &mgr;m, und vorzugsweise 5 bis 20 &mgr;m.

Für das Kleberblatt 50 ist es bevorzugt, daß der Elastizitätsmodul bei 200°C der Basisschicht 51 größer als 1,0 GPa ist und der Elastizitätsmodul bei 200°C der Kleberschicht 52 größer als 0,1 MPa ist. Durch Verwenden eines Materials, das einen derartigen Elastizitätsmodul aufweist, als der Kleberschicht 52, kann jede untere Plattierschicht 62 für den elektrisch leitfähigen Abschnitt gepreßt und in der Kleberschicht 52 aufgrund des Drucks in dem Schritt eingebettet werden, der in 8(d) gezeigt ist. Somit kann in der Stufe einer Vervollständigung bzw. Fertigstellung der Halbleitervorrichtung P, die in 6(d) gezeigt ist, der sogenannte Standoff-Zustand, daß der untere überhängende Abschnitt 20a jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 aus der Oberfläche des Dichtharzes vorragt, erzielt werden, wodurch die Zuverlässigkeit eines Montierens der Halbleitervorrichtung verbessert wird.

In dem Schritt eines Ladens des Halbleiterelements, wobei ein Drahtbonden zur Verfügung gestellt ist bzw. wird, wird die Temperatur auf eine Hochtemperaturbedingung von etwa 150 bis 200°C gesteuert bzw. geregelt. Daher ist eine Wärmebeständigkeit, welche einer derartigen Hochtemperaturbedingung widerstehen kann, für die Basisschicht 51 und die Kleberschicht 52 des Kleberblatts 50 erforderlich. Im Hinblick auf eine derartige Situation ist es bevorzugt, ein Material als die Basisschicht 51 zu verwenden, das einen Elastizitätsmodul bei 200°C von mehr als 1,0 GPa, bevorzugter von mehr als 10 GPa aufweist. Allgemein ist es bevorzugt, daß der Elastizitätsmodul der Basisschicht 51 etwa 1,0 GPa bis 1000 GPa ist bzw. beträgt. Als die Kleberschicht 52 ist es bevorzugt, ein Material zu verwenden, das einen Elastizitätsmodul von mehr als 0,1 MPa, bevorzugter von mehr als 0,5 MPa, noch bevorzugter von mehr als 1 MPa aufweist. Allgemein ist es bevorzugt, daß der Elastizitätsmodul der Kleberschicht 52 etwa 0,1 bis 100 MPa beträgt. Für die Kleberschicht 52, die einen derartigen Elastizitätsmodul aufweist, ist es unwahrscheinlich, in dem Schritt eines Ladens des Halbleiterelements zu erweichen und zu fließen, wodurch ein stabiles Drahtbonden ermöglicht wird. Die Details einer Messung des Elastizitätsmoduls werden in den folgenden Beispielen beschrieben werden.

Die Basisschicht 51 des Kleberblatts 50 kann organisch oder anorganisch sein. Unter Berücksichtigung der Handhabungseigenschaft nach bzw. bei einem Fördern, einer Verformung bzw. Krümmung, die durch ein Formen bewirkt ist, und dgl. ist es bevorzugt, eine Metallfolie zu verwenden. Als die Metallfolie kann eine SUS-Folie, Ni-Folie, Al-Folie, Kupferfolie oder Kupferlegierungsfolie erwähnt werden. Es ist bevorzugt, die Kupferfolie oder Kupferlegierungsfolie auszuwählen, da sie bei einem niedrigen Preis und einer Vielzahl von Arten verfügbar ist. Die Metallfolie, die als die Basisschicht 51 zu verwenden ist, ist bzw. wird vorzugsweise einer Aufrauhungsbehandlung auf ihrer einen Seite unterworfen, um die Verankerungseigenschaft an der Kleberschicht 52 sicherzustellen. Als das Verfahren einer Aufrauhungsbehandlung kann irgendeine einer physikalischen Aufrauhungstechnik, wie ein traditionell bekanntes Sandstrahlen, oder einer chemischen Aufrauhungstechnik, wie ein Ätzen oder Plattieren verwendet werden.

Als der Kleber zum Ausbilden der Kleberschicht 52 des Kleberblatts 50, obwohl dies nicht besonders beschränkt ist, ist es bevorzugt, einen thermohärtenden Kleber, enthaltend ein Epoxyharz, ein Epoxyhärtungsagens und ein Elastomer, zu verwenden. In dem Fall des thermohärtenden Klebers kann üblicherweise eine Befestigung bzw. Festlegung des Substrats in einem nicht gehärteten Zustand oder in der sogenannten B-Stufe ausgeführt werden, d.h. sie kann bei einer relativ niedrigen Temperatur, d.h. niedriger als 150°C ausgeführt werden. Zusätzlich kann durch ein Härten des Klebers nach der Befestigung der Elastizitätsmodul erhöht werden, ebenso wie die Wärmebeständigkeit verbessert werden kann.

Als das Epoxyharz können Glycidilamin-artige Epoxyharze, Bisphenol F-artige Epoxyharze, Bisphenol A-artige Epoxyharze, Phenol-Novalac-artige Epoxyharze, Cresol-Novalac-artige Epoxyharze, Biphenyl-artige Epoxyharze, Naphthalin-artige Epoxyharze, aliphatische Epoxyharze, aliphatische zyklische Epoxyharze, heterozyklische Epoxyharze, einen Spiro-Ring enthaltende Epoxyharze oder halogenierte Epoxyharze erwähnt werden, wobei diese Verbindungen alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren von ihnen verwendet werden können. Als das Epoxyhärtungsagens können verschiedene Imidazolverbindungen und Derivate davon, Aminartige Verbindungen, Dicyandiamid, Hydrazinverbindungen oder Phenolharze erwähnt werden, wobei diese Verbindungen alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren von ihnen verwendet werden können. Als das Elastomer können Acrylharze, Acrylnitril-Butadien-Copolymere, Phenoxyharze oder Polyamidharze erwähnt werden. Diese Verbindungen können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren von ihnen verwendet werden.

Die Kleberfestigkeit bzw. anhaftende Stärke an einer Testmetallfolie der Kleberschicht 52 ist vorzugsweise in dem Bereich von 0,1 bis 15 N/20 mm, bevorzugter 0,3 bis 15 N/20 mm. Die Kleberfestigkeit kann geeignet in dem Bereich, der oben beschrieben ist, in Abhängigkeit von der Größe jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts ausgewählt werden. Es ist nämlich bzw. insbesondere bevorzugt, daß, wenn jeder elektrisch leitfähige Abschnitt von einer großen Größe ist, die Kleberfestigkeit auf einem niedrigeren Wert festgelegt wird, während, wenn der elektrisch leitfähige Abschnitt von einer kleinen Größe ist, die Kleberfestigkeit auf einen größeren Wert festgelegt bzw. eingestellt wird. Das Kleberblatt 50, das eine derartige Kleberfestigkeit aufweist, zeigt eine geeignete bzw. ordnungsgemäße Kleberfestigkeit, wodurch eine Fehlregistrierung jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts reduziert oder eliminiert wird, der an der Kleberschicht im Verlauf von dem Schritt eines Ausbildens von Substraten bis zum Schritt eines Ladens von Halbleiterelementen festgelegt wird. Währenddessen kann in dem Schritt eines Trennens des Kleberblatts die Trennbarkeit des Kleberblatts 50 von der Halbleitervorrichtung erhöht bzw. gesteigert werden, wodurch eine Beschädigung, die an der Halbleitervorrichtung zu bewirken ist, reduziert wird. Die Details einer Messung der Kleberfestigkeit werden in den folgenden Beispielen beschrieben.

An dem Kleberblatt 50 kann eine antistatische Funktion, falls dies erforderlich ist, zur Verfügung gestellt werden. Um eine antistatische Funktion an dem Kleberblatt 50 zur Verfügung zu stellen, gibt es ein Verfahren eines Inkorporierens bzw. Aufnehmens eines antistatischen Agens und eines elektrisch leitfähigen Füllstoffs in die Basisschicht 51 und/oder die Kleberschicht 52. Alternativ gibt es ein Verfahren eines Beschichtens eines antistatischen Agens auf einer Zwischen- bzw. Grenzfläche zwischen der Basisschicht 51 und der Kleberschicht 52 und/oder auf der Rückseite der Basisschicht 51. Das Vorsehen einer derartigen antistatischen Funktion kann eine statische Elektrizität steuern bzw. regeln, die beim Trennen des Kleberblatts von der Halbleitervorrichtung zu generieren bzw. zu erzeugen ist.

Als das antistatische Agens kann irgendein Material, das eine geeignete antistatische Funktion aufweist, ohne Beschränkung verwendet werden. Spezifisch können beispielsweise acrylartige amphotere, acrylartige kationische oder Maleinanhydrid-Styrol-artige anionische Surfaktants oder dgl. verwendet werden. Als das Material für die antistatische Schicht können spezifisch Bondip PA, Bondip PX, Bondip P (hergestellt durch Konishi Co., Ltd.) oder dgl. erwähnt werden. Als der elektrisch leitfähige Füllstoff können üblicherweise bzw. allgemein bekannte Materialien verwendet werden. Beispielsweise können Metalle, wie Ni, Fe, Cr, Co, Al, Sb, Mo, Cu, Ag, Pt, Au oder dgl., Legierungen oder Oxide davon, Kohlenstoff, wie Ruß, erwähnt werden. Diese Materialien können alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren davon verwendet werden. Der elektrisch leitfähige Füllstoff kann Pulver oder faserig sein. Darüber hinaus können üblicherweise bekannte, verschiedene Additive, wie Antioxidantien, Pigmente, Weichmacher, Füllstoffe, eine Adhäsion verleihende Agentien oder dgl. hinzugefügt werden.

BEISPIELE Beispiel 1 (Herstellung eines Kleberblatts)

100 Gewichtsteile eines Bisphenol A-artigen Epoxyharzes (hergestellt von Japan Epoxy Resin Co., Ltd ("Epicoat 1002)), 35 Gewichtsteile eines Acrylnitril-Butadien-Copolymers (hergestellt durch Nippon Zeon Co., Ltd. ("Nippol 1072)")), 4 Gewichtsteile eines Phenolharzes (hergestellt durch Arakawa Kagaku Co., Ltd ("P-180")) und 2 Gewichtsteile Imidazol (hergestellt durch Shikoku Fine Co., Ltd. ("C11Z")) wurden in 350 Gewichtsteilen Methyl-Ethyl-Keton gelöst, um eine Lösung eines Klebers zu erhalten. Diese Lösung wurde dann auf eine Kupferlegierungsfolie 51 (hergestellt durch Japan Energy Co., Ltd. ("BHY-13B-7025")) beschichtet, die eine Dicke von 100 &mgr;m aufweist, wobei ihre eine Seite aufgerauht ist. Danach wurde die beschichtete Lösung für 3 Minuten bei 150°C getrocknet, um ein Kleberblatt 50 zu erhalten, auf welchem eine Kleberschicht 2, die eine Dicke von 15 &mgr;m aufweist, ausgebildet ist. Der Elastizitätsmodul der Kleberschicht 52 des Kleberblatts 50 bei 100°C vor dem Härten war 2,5 × 10–3 Pa, wobei ihr Elastizitätsmodul bei 200°C nach dem Härten 4,3 MPa war, und die Kleberfestigkeit an der Kupferlegierungsfolie war 12 N/20 mm. Zusätzlich war der Elastizitätsmodul bei 200°C der Kupferlegierungsfolie, die als eine Basisschicht 51 verwendet wurde, 130 GPa.

(Herstellung eines Substrats zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen)

Zuerst wurde ein Trockenfilmresist 61 (hergestellt durch Tokyo Ouka Co., Ltd. ("Odil AR330")) auf beiden Seiten bzw. Flächen einer Kupferfolie ("Olin 7025") 60 laminiert, die eine Dicke von 40 &mgr;m aufwies. Dann wurde ein Mustern der Trockenfilmresists unter Verwendung eines Musters, welches umgekehrt zu der Form der elektrisch leitfähigen Abschnitte ist, durch Verwendung der Photolithographie durchgeführt. Als nächstes wurden unter Verwendung der so gemusterten Trockenfilmresists als eine Maske teilweise Nickel-Plattierschichten 62 für die elektrisch leitfähigen Abschnitte durch ein aufeinanderfolgendes Bereitstellen eines Nickelplattierens und Au-Plattierens auf beiden Seiten der Kupferfolie ausgebildet. Danach wurden die Trockenfilmresists entfernt. Nachfolgend wurde die Kupferfolie 60, auf welcher geschichtete Strukturen, die jeweils aus der Nickelplattierschicht und der Au-Plattierschicht bestehen bzw. zusammengesetzt sind, teilweise angeordnet waren, auf das Kleberblatt 50 über die Kleberschicht 52 festgelegt. Zu dieser Zeit wurde die Befestigung ausgeführt, wobei die geschichteten Strukturen gegen das Kleberblatt 50 gepreßt wurden, so daß sie in der Kleberschicht eingebettet werden können. Dann wurde ein ausreichendes Erhitzen und unter Druck Setzen angewandt, um zu verhindern, daß ein Spalt zwischen den Plattierabschnitten 62 und der Kleberschicht 52 gebildet wird. Danach wurde die Kupferfolie unter Verwendung der Au-Plattierschichten als einem Resist geätzt, um die elektrisch leitfähigen Abschnitte auszubilden. In diesem Fall kann ein Ätzen einer Seitenfläche der Kupfermetallfolie 60 überhängende Abschnitte 20a zur Verfügung zu stellen, die jeweils Au und Nickel an den oberen und Bodenabschnitten der Kupferfolie aufweisen. Nachfolgend wurde die so ausgebildete Struktur in ein chemisches, flüssiges System eingetaucht, umfassend Schwefelsäure und Wasserstoffoxid, um die Seitenfläche 60a jeder Kupferfolie 60 aufzurauhen. In der Behandlung der Seitenfläche 60a jeder Kupferfolie 60 wurde das Aufrauhungsverfahren durch ein Steuern bzw. Regeln der Behandlungsbedingungen derart durchgeführt, daß die Ra (Oberflächenrauhigkeit) mehr als 0,2 &mgr;m wird. Schließlich wurde die Außenform des Kleberblatts durch ein Preßbearbeiten bearbeitet.

Danach wurden die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 auf dem Kleberblatt 50 unter Verwendung eines Musters ausgebildet, wie dies durch das Beispiel von 10(a) und 10(b) illustriert ist (W war 65 mm). In diesem Fall wurden auf jeder Seite eines Quadrats, das einen Block 70 definiert, sechzehn Einheiten von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 ausgebildet, womit insgesamt 64 Einheiten von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 in jedem Block 70 zur Verfügung gestellt wurden.

(Laden eines Halbleiterelements)

Ein Testaluminium abgeschiedener Siliziumchip 10 (6 mm × 6 mm) wurde sicher auf einer Seite bzw. Fläche (entsprechend einem Bereich, der durch Bezugszeichen 71 in 10(b) bezeichnet ist) der Kleberschicht 52 des Kleberblatts 50 fixiert. Spezifisch wurde nach einer Befestigung unter Bedingungen von 175°C, 0,3 MPa für 1 Sekunde, der Chip durch ein Trocknen bei 150°C für 1 Stunde festgelegt. Dann wurden unter Verwendung von Golddrähten einer Dicke von 25 &mgr;m Elektroden des Siliziumchips und der elektrisch leitfähigen Abschnitte gebondet. Die Anzahl von Punkten des Drahtbondens waren vierundsechzig für einen Chip.

Für 10 Einheiten (eine Einheit ist 4 × 4 Chips), d.h. 160 Stück der Aluminium abgeschiedenen Chips, wurde das Drahtbonden ausgeführt. Als ein Ergebnis war die erfolgreiche bzw. Erfolgsrate des Drahtbondens 100 %. Nachfolgend wurde ein Gießen bzw. Formen mit einem Dichtharz (hergestellt durch Nitto Denko Co., Ltd. ("HC-100")) unter Verwendung eines Transfer- bzw. Übertragungsformens ausgeführt. Nach dem Harzformen wurde das Kleberblatt von dem Harzformling bei einer Raumtemperatur abgeschält. Darüber hinaus wurde ein Nachhärten in einer Trocknungsvorrichtung bei 175°C für 5 Stunden ausgeführt. Danach wurde die nachgehärtete Struktur durch eine Dicing-Maschine bzw. Zerteilmaschine in jeweils einen Block geschnitten, um die Halbleitervorrichtungen P zu erhalten.

Wenn das Innere jeder Halbleitervorrichtung P durch ein Verwenden einer Weichstrahlvorrichtung (Microfocus-Röntgen-Fernseh-Fluoroskop, hergestellt durch Shimazu Seisakusho Co., Ltd. ("SMX-100")) beobachtet wurde, konnte bestätigt werden, daß Halbleitervorrichtungen P, die Drahtdeformation oder Chipverlagerung beinhalten und eine stark erhöhte Verbindungsfestigkeit zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 und dem Dichtharz 40 zeigen, erhalten wurden. Zusätzlich hat jeder elektrisch leitfähige Abschnitt 20 einen unteren überhängen Abschnitt 20a, der nach außen von dem Dichtharz 40 vorragt.

Die Bedingungen des Drahtbondens, Übertragungsformens, Elastizitätsmodul-Meßverfahrens, Kleberfestigkeits-Meßverfahrens und die Erfolgsrate des Drahtbondens sind wie folgt:

(Bedingungen eines Drahtbondens)

  • Vorrichtung: hergestellt durch Shinkawa Co., Ltd. ("UTC-
  • 300BI SUPER")
  • Ultraschallfrequenz: 115 kHz
  • Ultraschallausgabezeit: 15 Millisekunden
  • Ultraschallausgabe bzw. -leistung: 120 mW
  • Bondinglast: 1018 N
  • Suchlast: 1037 N

(Bedingungen eines Übertragungsformens)

  • Vorrichtung: TOWA Formmaschine
  • Formtemperatur: 175°C
  • Zeit: 90 Sekunden
  • Klemmdruck: 200 kN
  • Übertragungsgeschwindigkeit: 3 mm/s
  • Übertragungsdruck: 5 kN

(Elastizitätsmodul-Meßverfahren)

  • Gegenstände, die zu messen sind: sowohl die Basisschicht
  • als auch die Kleberschicht
  • Evaluierungseinrichtung: Visko-Elastizitäts-Spektrometer,
  • hergestellt durch Reometrics Co., Ltd. ("ARES")
  • Temperaturanstiegsgeschwindigkeit: 5°C/min
  • Frequenz: 1 Hz
  • Meßmodus: Zugmodus

(Klebefestigkeits-Meßverfahren)

Nach einem Laminieren des Kleberblatts 50, das eine Breite von 20 mm und eine Länge von 50 mm aufweist, auf einer 35 &mgr;m Kupferfolie (hergestellt durch Japan Energy Co., Ltd. ("C7025")), unter den Bedingungen von 120°C, 0,5 MPa und 0,5 m/min wurde die laminierte Struktur in einem 150°C Heißluftofen für 1 Stunde belassen und die 35 &mgr;m Kupferfolie wurde dann in einer Atmosphäre einer Temperatur von 23°C und einer relativen Feuchtigkeit von 65 % RH mit bzw. bei einer Zuggeschwindigkeit von 300 mm/min in der Richtung von 180° abgezogen, wodurch die anhaftende bzw. Kleberfestigkeit als der zentrale Wert der Messungen bestimmt wird.

(Erfolgsverhältnis bzw. -rate des Drahtbondens)

Die Zugfestigkeit des Drahtbondens wurde unter Verwendung eines Bondingtesters ("PTR-30"), hergestellt durch Reska Co., Ltd. in dem Meßmodus des Zugtests bei einer Meßgeschwindigkeit von 0,5 mm/s gemessen. Die Zugfestigkeit wurde als ein Erfolg betrachtet, wenn sie 0,04 N oder größer war, während sie als ein Fehler bzw. Versagen betrachtet wurde, wenn sie niedriger als 0,04 N war. Die Erfolgsrate des Drahtbondens wurde durch ein Berechnen der Erfolgsrate aus den gemessenen Ergebnissen erhalten.

Beispiel 2

Halbleitervorrichtungen wurden auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß eine 18 &mgr;m Kupfer-Nickel-Legierungsfolie (hergestellt durch Japan Energy Co., Ltd. ("C7025")) als die Metallfolie verwendet wurde. Als ein Ergebnis war die Erfolgsrate des Drahtbondens 100 %. Wenn das Innere jeder Halbleitervorrichtung betrachtet bzw. beobachtet wurde, konnte bestätigt werden, daß Halbleitervorrichtungen, die keine Drahtdeformation oder Chipverlagerung beinhalten und eine erhöhte Verbindungsfestigkeit zwischen den elektrisch leitfähigen Abschnitten und dem Dichtharz zeigen, erhalten wurden.

Während die Ausbildungen der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben wurden, sind die Halbleitervorrichtung und das Verfahren zum Herstellen derselben gemäß der vorliegenden Erfindung in keiner Weise auf diese Ausbildungen beschränkt. Es sollte verstanden bzw. gedeutet werden, daß verschiedene Modifikationen gemacht werden können, ohne vom Rahmen und Geist der vorliegenden Erfindung abzugehen.

Zusammenfassung:

Ein Substrat B zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird verwendet, wobei das Substrat ein Kleberblatt 50, das eine Basisschicht 51 und eine Kleberschicht 52 aufweist, und eine Mehrzahl von unabhängig zur Verfügung gestellten elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten 20 beinhaltet. Ein Halbleiterelement, das Elektroden 11 darauf ausgebildet aufweist, wird fest auf dem Substrat B festgelegt, und obere Abschnitte der Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Abschnitten 20 und die Elektroden 11 des Halbleiterelements 10 sind bzw. werden elektrisch durch Verwenden von Drähten 30 verbunden. Das Halbleiterelement 10, die Drähte 30 und die elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 sind bzw. werden durch ein Verwenden eines Dichtharzes 40 versiegelt bzw. abgedichtet. Jeder der elektrisch leitfähigen Abschnitte 20 hat überhängende Abschnitte 20a, und eine Seitenfläche 60a des elektrisch leitfähigen Abschnitts 20 ist aufgerauht, wodurch die Verbindungsstärke bzw. -festigkeit zwischen jedem elektrisch leitfähigen Abschnitt 20 und dem Dichtharz 40 verstärkt wird.


Anspruch[de]
Halbleitervorrichtung, umfassend:

ein Halbleiterelement, das Elektroden aufweist;

eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten, die um das Halbleiterelement angeordnet sind;

Drähte zum entsprechenden Verbinden der Elektroden des Halbleiterelements und der elektrisch leitfähigen Abschnitte; und

ein Dichtharz zum Dichten des Halbleiterelements, der elektrisch leitfähigen Abschnitte und der Drähte; wobei

jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferlegierung, und eine plattierende bzw. Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt ist; wobei

die Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt, der auf einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt ist, einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher außerhalb von der Metallfolie überhängt; und wobei

eine Rückseite jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts außerhalb des Dichtharzes freigelegt ist.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt weiterhin eine Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt an einem unteren Abschnitt der Metallfolie enthält, wobei die untere Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt nach außerhalb von dem Dichtharz vorragt. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Seitenfläche der Metallfolie jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts aufgerauht ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend:

ein anhaftendes bzw. Kleberblatt, das eine Basisschicht und eine anhaftende bzw. Kleberschicht aufweist, die auf der Basisschicht zur Verfügung gestellt ist; und

eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten, die auf der Kleberschicht des Kleberblatts zur Verfügung gestellt sind; wobei

jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferlegierung, und eine plattierende bzw. Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt ist; und wobei

die Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt, die auf einem oberen Abschnitt des elektrisch leitfähigen Abschnitts zur Verfügung gestellt ist, einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher nach außen von der Metallfolie überhängt.
Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt weiterhin eine Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt an einem unteren Abschnitt der Metallfolie beinhaltet, wobei die untere Plattierschicht für den elektrisch leitfähigen Abschnitt in der Kleberschicht eingebettet ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei eine Seitenfläche der Metallfolie für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt aufgerauht ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Basisschicht aus einem Metallmaterial gebildet ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Dicke der Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferfolie, eines jeden elektrisch leitfähigen Abschnitts in dem Bereich von 0,01 bis 0,1 mm liegt. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt eine mehrschichtige bzw. mehrlagige Struktur aufweist, beinhaltend eine Nickelplattierschicht als eine Diffusionsbarriereschicht für Kupfer, und eine einlagige oder mehrlagige Edelmetallplattierschicht, die auf der Nickelplattierschicht zur Verfügung gestellt ist, und wobei ein Edelmetall, das für die Edelmetallplattierschicht verwendet ist, irgendeines von Au, Ag, Pd ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Elastizitätsmodul bei 200°C der Basisschicht des Kleberblatts größer als 1,0 GPa ist und das Elastizitätsmodul bei 200°C der Kleberschicht größer als 0,1 MPa ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Elastizitätsmodul bei 100 bis 150°C vor einem Härten des Klebers, der die Kleberschicht des Kleberblatts ausbildet bzw. darstellt, niedriger als 0,1 MPa ist, und das Elastizitätsmodul bei 200°C nach einem Härten größer als 0,1 MPa ist. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, wobei der thermohärtende Kleber ein Epoxyharz, ein Epoxyhärtungsagens bzw. -mittel und ein Elastomer beinhaltet. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Klebefestigkeit an einer Testmetallfolie der Kleberschicht des Kleberblatts in dem Bereich von 0,1 bis 15 N/20 mm liegt. Substrat zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Substrat zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Blöcken beinhaltet, die in einem Quadratmuster angeordnet sind, wobei jeder der Blöcke einen Bereich zum Festlegen eines Halbleiterelements beinhaltet, wobei jeder der Blöcke von einem anderen durch einen Schneidbereich unterteilt ist, und wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt derart angeordnet ist, daß er sich nicht über den Schneidbereich erstreckt. Verfahren zum Herstellen eines Substrats zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, umfassend die Schritte:

Herstellen bzw. Vorbereiten einer Metallfolie, umfassend Kupfer oder eine Kupferfolie als ein Material für elektrisch leitfähige bzw. leitende Abschnitte;

Bereitstellen eines teilweisen Plattierens auf einem Abschnitt entsprechend jedem elektrisch leitfähigen Abschnitt der Metallfolie, um eine teilweise plattierende bzw. Plattierschicht auszubilden;

Befestigen der Metallfolie, die die teilweise plattierenden Schichten darauf ausgebildet aufweist, mit Druck an einer Kleberschichtseite eines Kleberblatts, das eine Basisschicht und die Kleberschicht aufweist;

Ausbilden jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts durch ein Ätzen der Metallfolie unter Verwendung jeder teilweisen plattierenden Schicht als einen Resist; und

Definieren einer Außenform des Kleberblatts durch ein Bearbeiten desselben.
Verfahren zum Herstellen eines Substrats zur Verwendung bei einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 15, wobei in dem Schritt eines Ausbildens jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts durch ein Ätzen der Metallfolie unter Verwendung jeder teilweisen plattierenden Schicht als einen Resist eine Seitenfläche der Metallfolie jedes elektrisch leitfähigen Abschnitts aufgerauht wird. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, umfassend die Schritte:

Herstellen eines Substrats zur Verwendung in einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei das Substrat ein Kleberblatt, das eine Basisschicht und eine Kleberschicht aufweist, die auf der Basisschicht zur Verfügung gestellt ist, und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen bzw. leitenden Abschnitten beinhaltet, die auf der Kleberschicht des Kleberblatts zur Verfügung gestellt sind, wobei jeder elektrisch leitfähige Abschnitt eine Metallfolie, umfassend Kupfer und eine Kupferlegierung, und eine plattierende bzw. Plattierschicht für einen elektrisch leitfähigen Abschnitt beinhaltet, wobei die Plattierschicht auf wenigstens einem oberen Abschnitt der Metallfolie zur Verfügung gestellt wird, und wobei die Plattierschicht für jeden elektrisch leitfähigen Abschnitt, die auf einem oberen Abschnitt des elektrisch leitfähigen Abschnitts zur Verfügung gestellt wird, einen überhängenden Abschnitt ausbildet, welcher nach außen von der Metallfolie überhängt;

Fixieren bzw. Festlegen jedes Halbleiterelements, das Elektroden aufweist, auf der Kleberschicht des Substrats zur Verwendung in einer Herstellung der Halbleitervorrichtung, und elektrisches Verbinden der elektrisch leitfähigen Abschnitte und der Elektroden des Halbleiterelements mit Drähten;

Dichten des Halbleiterelements, der Drähte und der elektrisch leitfähigen Abschnitte durch ein Verwenden eines Dichtharzes;

Trennen des Kleberblatts von dem Dichtharz; und

Unterteilen des Dichtharzes in ein individuelles Stück für jedes Halbleiterelement.






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