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Rauscharmer Abwärtsumsetzer mit einer Temperaturcharakteristikkompensationsschaltung - Dokument DE60124198T2
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE60124198T2 06.09.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001198061
Titel Rauscharmer Abwärtsumsetzer mit einer Temperaturcharakteristikkompensationsschaltung
Anmelder Sharp K.K., Osaka, JP
Erfinder Motoyama, Koji, Osaka-shi, Osaka, JP
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Aktenzeichen 60124198
Vertragsstaaten DE, FR, GB, TR
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 04.09.2001
EP-Aktenzeichen 013075072
EP-Offenlegungsdatum 17.04.2002
EP date of grant 02.11.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 06.09.2007
IPC-Hauptklasse H03D 7/12(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H03F 1/30(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft einen rauscharmen Abwärtsumsetzer (nachfolgend als LNB bezeichnet) und insbesondere einen LNB in einem Satellitenübertragungsempfangssystem.

Beschreibung verwandter Technik

In dem Satellitenübertragungsempfangssystem dient ein LNB zum Verstärken eines von einem Übertragungssatelliten empfangenen Satellitenübertragungswellensignals in einem 12 GHz Band bei geringem Rauschen und dieser dient ebenso zur Frequenzumsetzung des Signals in ein Zwischenfrequenz (IF)-Band. Die oben beschriebene Frequenzumsetzung erfolgt in einem Mixer (nachfolgend als MIX bezeichnet) innerhalb des LNB.

9 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines MIX. Die MIX Schaltung beinhaltet einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (nachfolgend als HEMT bezeichnet) 50, der als Transistor zur tatsächlichen Durchführung der Frequenzumsetzung verwendet wird, und eine Ansteuerschaltung 10. Die Ansteuerschaltung 10 beinhaltet einen PNP Bipolartransistor Tr1 und eine Mehrzahl von Widerstandselementen.

Die Ansteuerschaltung 10 versorgt das Drain des HEMT 50 mit einer Konstantspannung und die Konstantspannung ermöglicht dem MIX die Durchführung einer stabilen Frequenzumsetzung. Somit hängen die Eigenschaften des MIX in erheblichem Maße von der Drainspannung des HEMT 50 ab.

Ändert sich jedoch die Umgebungstemperatur des PNP Bipolartransistors Tr1 innerhalb der Ansteuerschaltung 10 im MIX, verursacht die Temperaturcharakteristik des PNP Bipolartransistors Tr1 ihrerseits eine Änderung der dem Drain des HEMT 50 bereitgestellten Spannung. Die Änderung in der Drainspannung verursacht eine Änderung in der Verstärkungsfrequenzcharakteristik des HEMT 50, was eine stabile Frequenzumsetzung behindert.

EP 0 853 378 offenbart eine DC Bias-Schaltung eines FET mit einer Source auf Masse, um eine Drain-Source Spannung und einen Drainstrom des FET, unabhängig von einer Schwankung von DC Parametern, automatisch konstant zu halten, und ein erster PNP Transistor ist zwischen dem Drain und dem Gate des FET vorgesehen. Eine Bias-Schaltung mit einem zweiten PNP Transistor ist an die Basis des ersten PNP Transistors angeschlossen.

Die Transistoren weisen im Wesentlichen dieselben Eigenschaften auf, so dass eine Schwankung einer Drainspannung und eines Drainstroms aufgrund einer Temperaturänderung in der Emitter-Basisspannung des Transistors kompensiert werden kann und eine beachtliche Schwankung des Drainstroms verhindert wird.

EP 0 854 568 beschreibt eine integrierte Mikrowellenhalbleiterschaltung zum Erzeugen einer Bias-Spannung, die an ein aktives Schaltungselement angelegt ist, umfassend: einen Feldeffekttransistor, dessen Source auf Masse liegt und dessen Gate und Drain gemeinsam verbunden sind; ein negatives Element zum Anlegen einer Leistungsversorgungsspannung an den gemeinsamen Gate-Drain Verbindungspunkt des Feldeffekttransistors, und ein Hochimpedanzelement zum Bereitstellen eines Potentials am gemeinsamen Gate-Drain Verbindungspunkt des Feldeffekttransistors als Bias-Spannung für das aktive Schaltungselement.

ÜBERSICHT ÜBER DIE ERFDINGUNG

Es wäre wünschenswert, einen rauscharmen Abwärtsumsetzer einschließlich einer Ansteuerschaltung, die einem eine Frequenzumsetzung durchführenden Transistor eine stabile Spannung anzugeben vermag, bereitzustellen, so dass der rauscharme Abwärtsumsetzer keine Auswirkungen bei einer Umgebungstemperaturänderung zeigt.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein rauscharmer Abwärtsumsetzer zum Empfangen von Satellitenübertragung angegeben mit einem Mixer zum Umsetzen eines empfangenen Hochfrequenzsignals in ein Zwischenfrequenzsignal, wobei der Mixer einen Transistor zum Durchführen der Frequenzumsetzung, einen ersten Bipolartransistor Tr1, dessen Emitter/Kollektor-Paar zwischen ein Drain des Transistors und ein Gate des Transistors geschaltet ist, und eine Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung, die an eine Basis des ersten Bipolartransistors angeschlossen ist zum Ausgleichen einer Temperaturcharakteristik des ersten Bipolartransistors Tr1, enthält, wobei die Temperaturcharkteristik-Kompensationsschaltung einen zweiten Bipolartransistor Tr2 enthält, der einen mit der Basis des ersten Bipolartransistors Tr1 verbundenen leitfähigen Anschluss aufweist und die ersten und zweiten Bipolartransistoren Tr1, Tr2 vom entgegengesetzten Polaritätstyps sind.

Somit gleicht die Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung die Temperaturcharakteristik des ersten Bipolartransistors aus und ermöglicht dem ersten Bipolartransistor die Angabe einer stabilen Spannung am Drain des Transistors, der die Frequenzumsetzung durchführt, selbst dann, falls die Umgebungstemperatur des ersten Bipolartransistors sich ändert.

Zusätzlich stabilisiert der zweite Bipolartransistor den Kollektorstrom des ersten Bipolartransistors in Bezug auf eine Änderung in der Umgebungstemperatur und folglich kann der erste Bipolartransistor dem Drain des die Frequenzumsetzung durchführenden Transistors eine stabile Spannung bereitstellen.

In bevorzugter Weise entspricht der erste Bipolartransistor Tr1 einem PNP Transistor und der zweite Bipolartransistor Tr2 stellt einen NPN Transistor dar.

In vorteilhafter Weise reagiert der zweite Bipolartransistor Tr2 auf eine Temperaturänderung mit der Erzeugung einer Spannungsänderung an der Basis des ersten Bipolartransistors Tr1, die einer Änderung im Kollektorstrom des ersten Bipolartransistors Tr1, welche ebenso von der Temperaturänderung herrührt, entgegenwirkt.

Insbesondere sind die ersten und zweiten Bipolartransistoren als Dual-Transistoren verpackt.

Somit sind der erste Bipolartransistor und der zweite Bipolartransistor gemeinsam verpackt, so dass beide unter denselben Temperaturbedingungen arbeiten. Folglich kann dem Drain des die Frequenzumsetzung durchführenden Transistors eine stabile Spannung bereitgestellt werden. Darüber hinaus kann die von den Transistoren innerhalb der Schaltung belegte Fläche kleiner gestaltet werden, indem beide Transistoren gemeinsam in ein einzelnes Gehäuse aufgenommen werden.

Wie oben beschrieben ist, ermöglicht die erfindungsgemäße Eingliederung einer Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung in die Ansteuerschaltung im MIX innerhalb des LNB das Bereitstellen einer stabilen Spannung für einen die Frequenzumsetzung durchführenden Transistor ohne Auswirkungen bei Umgebungstemperaturänderungen.

Dem weiteren Verständnis der Erfindung dienend werden nachfolgend bestimmte Ausführungsformen mit Bezug auf die begleitenden Abbildungen beschrieben.

KURZBESCHREIBUNG DER ABBILDUNGEN

1 zeigt den schematischen Aufbau eines Satellitenübertragungsempfangssystems;

2 zeigt ein Blockdiagramm zum schematischen Aufbau eines LNB in 1;

3 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau eines MIX in 2, der in einer Ausführungsform der Erfindung eingegliedert sein kann;

4 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines Beispiels des in 3 gezeigten MIX;

5 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Beispiels des in 3 gezeigten MIX;

6 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau eines MIX gemäß einem Beispiel dieser Erfindung, der zur Messung einer Drainspannung verwendet wird;

7 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau eines für die Messung einer Drainspannung gewöhnlich verwendeten MIX.

8A und 8B zeigen Messergebnisse der Drainspannung; und

9 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau des gewöhnlichen MIX.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Ausführungsformen der Erfindung werden unten detailliert mit Bezug auf die Abbildungen erläutert. Es gilt zu beachten, dass übereinstimmende oder sich entsprechende Teile mit denselben Bezugskennzeichen versehen werden und deren Beschreibung nicht wiederholt wird.

Erste Ausführungsform

1 zeigt ein typisches Satellitenübertragungsempfangssystem. Das Satellitenübertragungsempfangssystem enthält eine Antenne 101, einen LNB 102, ein BS-IF Kabel 103, einen BS Tuner 104 und einen Fernseher 105.

Ein Aufwärtslinksignal von 14 GHz, das von einer Basisstation ausgesendet wird, wird von einem Übertragungssatelliten 100 empfangen. Der Übertragungssatellit 100 setzt das Aufwärtslinksignal ins 12 GHz Band um, verstärkt dieses und übermittelt das Signal erneut zum Boden als Satellitenübertragungswellensignal. Das Satellitenübertragungswellensignal wird von einer Antenne 101 empfangen und in einen LNB 102 eingespeist. Der LNB 102 verstärkt das Satellitenübertragungswellensignal, das eine schwache elektrische Welle mit einer Frequenz im 12 GHz Band darstellt, mit geringem Rauschen und setzt das Signal danach in ein Signal in einem Zwischenfrequenzband (nachfolgend als BS-IF Signal bezeichnet) in einem Mixer, der eine interne Schaltung darstellt, in der Frequenz um. Das BS-IF Signal wird an den BS Tuner 104 über ein BS-IF Kabel 103 übermittelt. Nachdem ein User den Kanal eines gewünschten Programms ausgewählt hat, wird das Signal im BS Tuner 104 FM-demoduliert zur Erzeugung eines Videosignals und eines Hörsignals. Die wiedergegebenen Video- und Hörsignale werden an einen Fernseher 105 übermittelt.

Nachfolgend wird der interne Aufbau des LNB 102 erläutert.

2 zeigt ein Schaltungsblockdiagramm des LNB 102.

Der LNB 102 beinhaltet einen zirkularen Wellenleiter 1 zum Empfan gen eines Satellitenübertragungswellensignals; einen rauscharmen Verstärker (nachfolgend als LNA bezeichnet) 2 zum Verstärken des Satellitenübertragungswellensignals mit geringem Rauschen; einen BPF (Bandpassfilter) 3 zum Hindurchlassen eines Signals in einem gewünschten Frequenzband und zum Aussondern eines Signals in einem Spiegelfrequenzband; einen MIX 4; einen lokalen Oszillator 5 zum Bereitstellen eines Oszillationssignals an den MIX 4; einen Zwischenfrequenzverstärker (nachfolgend als IF-AMP bezeichnet) 6 zum Verstärken eines an den BS Tuner 104 zu übermittelnden Signals; eine Leistungsversorgungseinheit 7; und einen Ausgangsanschluss 8.

Ein Satellitenübertragungswellensignal mit einer Frequenz zwischen 11.71 und 12.01 GHz wird von einer Antennensonde innerhalb des Wellenleiters 1 empfangen. Nachfolgend wird das Satellitenübertragungswellensignal in den LNA 2 eingespeist und mit geringem Rauschen verstärkt. Das verstärkte Signal im 12 GHz Band wird in den BPF 3 eingespeist und das Signal im Spiegelfrequenzband wird hierdurch ausgemustert.

Das durch den BPF 3 hindurchgetretene Satellitenübertragungssignal wird in den MIX 4 eingespeist. Dem MIX 4 wird vom lokalen Oszillator 5 ein Oszillationssignal von 10.678 GHz bereitgestellt. Im MIX 4 wird das Satellitenübertragungssignal im 12 GHz Band in der Frequenz in ein BS-IF Signal zwischen 1035 und 1335 MHz umgesetzt.

Nachfolgend wird das BS-IF Signal in den IF-AMP 6 eingespeist, wo das Signal für geeignete Rauscheigenschaften und Verstärkungseigenschaften verstärkt wird. Das verstärkte BS-IF Signal wird über den Ausgangsanschluss 8 ausgegeben und an den BS Tuner 104 über das BS-IF Kabel 103 übermittelt.

Nachfolgend wird der MIX 4 im LNB 102 erläutert.

3 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau des MIX 4, der in eine Ausführungsform der Erfindung eingegliedert sein kann.

Der MIX 4 beinhaltet einen Eingangsanschluss 20, einen Ausgangsanschluss 21, einen HEMT 50 zur Frequenzumsetzung eines eingegangenen Satellitenübertragungswellensignals, Widerstandselemente R1, R2 und eine Ansteuerschaltung 10.

Die Ansteuerschaltung 10 beinhaltet einen PNP Transistor Tr1 zur Bereitstellung einer stabilen Drainspannung für den HEMT 50, eine Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung 11 zum Ausgleichen der Temperaturcharakteristik des Transistors Tr1, und Widerstandselemente R3, R4, R5.

Das Widerstandselement R1 ist zwischen das Gate des HEMT 50 und den Kollektor des Transistors Tr1 geschaltet. Das Widerstandselement R2 ist zwischen das Drain des HEMT 50 und den Emitter des Transistors Tr1 geschaltet. Das Widerstandselement R3 ist zwischen einen negativen Leistungsversorgungsknoten 25 und den Kollektor des Transistors Tr1 geschaltet. Zusätzlich ist das Widerstandselement R4 zwischen einen positiven Leistungsversorgungsknoten 22 und den Emitter des Transistors Tr1 geschaltet. Das Widerstandselement R5 ist zwischen die Basis des Transistors Tr1 und einen Masseknoten 24 geschaltet. Die Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung 11 ist zwischen einen positiven Leistungsversorgungsknoten 23 und die Basis des Transistors Tr1 geschaltet. Zusätzlich ist die Source des HEMT 50 mit dem Masseknoten 24 verbunden.

Der HEMT 50 setzt ein Satellitenübertragungssignal, das vom Eingangsanschluss 20 dem Gate des HEMT 50 zugeführt wird, unter Einsatz eines lokalen Oszillationssignals, das dem Drain des HEMT 50 vom lokalen Oszillator 5 eingespeist wird, in der Frequenz um.

4 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau des MIX 4 gemäß der ersten Ausführungsform.

Hierbei wird ein NPN Bipolartransistor als Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung in 3 hinzugefügt. Die Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung 11 beinhaltet einen NPN Bipolartransistor Tr2 und Widerstandselemente R6, R7 und R8.

Das Widerstandselement R6 ist zwischen den positiven Leistungsversorgungsknoten 23 und den Kollektor des Transistors Tr2 geschaltet. Das Widerstandselement R7 ist zwischen einen positiven Leistungsversorgungsknoten 26 und die Basis des Transistors Tr2 geschaltet. Das Widerstandselement R8 ist zwischen die Basis des Transistors Tr2 und den Masseknoten 24 geschaltet. Der Emitter des Transistors Tr2 ist mit der Basis des Transistors Tr1 verbunden.

Nachfolgend wird der Betrieb des in 4 gezeigten MIX 4 erläutert.

In 4 bestimmt sich der Kollektorstrom des Transistors Tr1 entsprechend einer Spannung an einem Punkt B1, der einen Verbindungspunkt der Basis des Transistors Tr1 und des Widerstandselements R5 darstellt. Zusätzlich wird eine Drainspannung des HEMT 50 über den Kollektorstrom des Transistors Tr1 bestimmt.

Die Spannung am Punkt B1 wird entsprechend dem Kollektorstrom des Transistors Tr2 festgelegt, welcher über eine Spannung am Punkt B2 bestimmt ist, wobei der Punkt B2 ein Verbindungspunkt des Transistors Tr2 und des Widerstandselements R7 darstellt.

Nun wird ein Fall betrachtet, bei dem der Ansteuerschaltung 10 eine Temperaturänderung auferlegt wird. Wird die Umgebungstemperatur des Transistors Tr1 erhöht, zeigt die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Tr1 eine negative Temperaturabhängigkeit, so dass der Kollektorstrom des Transistors Tr1 entsprechend der Temperaturcharakteristik ansteigt. Deshalb wirkt sich eine Erhöhung im Kollektorstrom des Transistors Tr1 auf die Drainspannung des HEMT 50 derart aus, dass die Drainspannung erniedrigt wird.

Dann wird, wie im Falle des Transistors Tr1, die Umgebungstemperatur ebenso im Transistor Tr2 erhöht. Die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Tr2 zeigt, wie im Falle des Transistors Tr1, eine negative Temperaturabhängigkeit. Somit steigt der Kollektorstrom des Transistors Tr2 ebenso an. Der Anstieg im Kollektorstrom des Transistors Tr2 führt ebenso zu einem Anstieg der Spannung am Punkt B1. Der Anstieg der Spannung am Punkt B1 kommt einer Erniedrigung der Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors Tr1 gleich und beeinflusst den Kollektorstrom von Tr1 derart, dass der Kollektorstrom abnimmt. Deshalb wird der Anstieg im Kollektorstrom des Transistors Tr1 aufgrund des Temperaturanstiegs ausgeglichen und folglich wird die Drainspannung des HEMT 50 stabilisiert, obwohl die Umgebungstemperatur ansteigt.

Wie oben beschrieben ist, wird durch Verbinden des als Kompensationsschaltung für die Temperaturcharakteristik dienenden Transistors Tr2, der eine zum Transistor Tr1 entgegen gesetzte Polarität aufweist, mit dem Transistor Tr1 als Ansteuerschaltung zur Bereitstellung einer stabilen Spannung für den HEMT 1, eine Schwankung in der Drainspannung des HEMT 50 aufgrund der Temperatur verringert.

Zweite Ausführungsform

Obwohl eine Ausführungsform dieser Erfindung beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt und kann in weiteren Ausführungen umgesetzt werden.

5 zeigt ein Schaltungsdiagramm eines weiteren Beispiels des MIX 4 im LNB 102.

Dieser MIX 4 verwendet einen Dual-Transistor 12, in dem der Transistor Tr1 und der Transistor Tr2 gemeinsam verpackt sind, anstelle der in 4 gezeigten Transistoren Tr1 und Tr2 in Form unabhängiger Elemente.

Der Betrieb des MIX 4 in Bezug auf eine Änderung in der Umgebungstemperatur ähnelt demjenigen der ersten Ausführungsform und der Dual-Transistor 12 stabilisiert die Drainspannung des HEMT 50 in Bezug auf die Änderung der Umgebungstemperatur.

Durch gemeinsames Verpacken der Transistoren Tr1 und Tr2 zur Ausbildung eines Dual-Transistors 12 werden die Temperaturbedingungen für jeden der Transistoren Tr1, Tr2 gleich und dadurch wird eine Schwankung in Bezug auf die Temperaturänderung vermieden, wodurch dem HEMT 50 eine stabilere Spannung zugeführt werden kann.

Zusätzlich lässt sich die von dem Transistor innerhalb der Schaltung beanspruchte Fläche durch diese Verpackungstechnik reduzieren und dadurch kann eine Gewichtserniedrigung der Vorrichtungen aufgrund der Volumeneinsparung erzielt werden.

Beispiel

6 zeigt ein Schaltungsdiagramm zum Aufbau des MIX 4 dieser Erfindung, falls eine Änderung in der Drainspannung des HEMT 50 in Bezug auf eine Temperaturänderung gemessen wird.

In der Ansteuerschaltung wird der Dual-Transistor 12, bei dem die Transistoren Tr1 und Tr2 gemeinsam verpackt sind, verwendet.

Das Widerstandselement R1 in 5 besteht in 6 aus Widerstandselementen R11, R12 und einem seriell verschalteten Bypass-Kondensator C1. Auf ähnliche Weise besteht das Widerstandselement R2 aus 5 in 6 aus den Widerstandselementen R21, R22 und einem seriell verschalteten Bypass-Kondensator C2.

Zusätzlich ist in 6 ein Bypass-Kondensator C3 zwischen die Basis des Transistors Tr1 und den Masseknoten 24 geschaltet und ein Bypass-Kondensator C4 ist zwischen die Basis des Transistors Tr2 und den Masseknoten 24 geschaltet.

Als vergleichendes Beispiel zeigt 7 einen Schaltungsaufbau des herkömmlichen MIX, falls eine Änderung in der Drainspannung des HEMT 50 in Bezug auf eine Änderung in der Temperatur gemessen wird.

Eine positive Leistungsversorgung ist auf 7 Volt eingestellt und eine negative Leistungsversorgung ist auf -2 Volt eingestellt und die Änderungen in der Drainspannung des HEMT 50 wurden in dem herkömmlichen MIX und in dem MIX dieser Erfindung bei Umgebungstemperaturen von -30°C, 25°C und 50°C gemessen.

Für den zu messenden MIX wurden in Bezug zum ersten herkömmlichen MIX zwei Schaltungen mit identischem Aufbau hergestellt und als erste herkömmliche und zweite herkömmliche Schaltung bezeichnet und auf ähnliche Weise wurden zwei Schaltungen mit identischem Aufbau ebenso für den MIX dieser Erfindung hergestellt und als erste erfindungsgemäße Schaltung und zweite erfindungsgemäße Schaltung bezeichnet.

Die Messergebnisse des Wertes (V) der Drainspannung Vd des HEMT 50 bei der jeweiligen Umgebungstemperatur sind in Tabelle 1 gezeigt und das die Ergebnisse darstellende Diagramm ist in 8A gezeigt. Zusätzlich ist die Änderungsrate (%) in der Drainspannung des HEMT 50 bei jeder Umgebungstemperatur in Tabelle 2 unter Verwendung des Werts der Drainspannung des HEMT 50 bei der Umgebungstemperatur von 25°C als Referenz gekennzeichnet und ein anschauliches Diagramm ist zusätzlich in 8B gezeigt.

Tabelle 1 Änderung in der Drainspannung Vd des MIX-HEMT [V]
Tabelle 2 Änderungsrate in Vd des MIX-HEMT [%] (Referenz: 25°C)

Die Messungen haben ergeben, dass die Änderung in der Drainspannung des HEMT 50 in Bezug auf die Änderungen der Umgebungstemperatur beim MIX dieser Erfindung kleiner ausfällt.

Somit ermöglicht das Bereitstellen des Transistors Tr2 als Temperatur-Kompensationsschaltung eine Unterdrückung der Schwankungen im Kollektorstrom des Transistors Tr1 und damit lässt sich eine Schwankung in der Drainspannung des HEMT 50 unterdrücken.


Anspruch[de]
Rauscharmer Abwärtsumsetzer zum Empfangen von Satellitenübertragung mit einem Mixer (4) zum Umsetzen eines empfangenen Hochfrequenzsignals in ein Zwischenfrequenzsignal,

wobei der Mixer (4) aufweist:

einen Transistor (50) zum Durchführen der Frequenzumsetzung,

einen ersten Bipolartransistor (Tr1), dessen Emitter/Kollektor-Paar zwischen ein Drain des Transistors (50) und ein Gate des Transistors (50) geschaltet ist, und

eine Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung (11), die an eine Basis des ersten Bipolartransistors (Tr1) angeschlossen ist zum Ausgleichen einer Temperaturcharakteristik des ersten Bipolartransistors (Tr1), wobei

die Temperaturcharakteristik-Kompensationsschaltung (11) einen zweiten Bipolartransistor (Tr2) enthält, der einen mit der Basis des ersten Bipolartransistors (Tr1) verbundenen leitfähigen Anschluss aufweist,

und die ersten und zweiten Bipolartransistoren (Tr1, Tr2) vom entgegengesetzten Polaritätstyp sind.
Rauscharmer Abwärtsumsetzer nach Anspruch 1, wobei der erste Bipolartransistor (Tr1) ein PNP Transistor ist und der zweite Bipolartransistor (Tr2) einem NPN Transistor entspricht. Rauscharmer Abwärtsumsetzer nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Bipolartransistor (Tr2) auf eine Temperaturänderung reagiert, um an der Basis des ersten Bipolartransistors (Tr1) eine Spannungsänderung hervorzurufen, die einer ebenso von der Temperaturänderung hervorgerufenen Änderung des Kollektorstroms des ersten Bipolartransistors (Tr1) entgegensteht. Rauscharmer Abwärtsumsetzer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die ersten und zweiten Bipolartransistoren (Tr1, Tr2) als Dual-Transistor verpackt sind.






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