PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE60216433T2 20.09.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001374306
Titel LOTHÖCKERMETALLURGIESCHIENEN FÜR VERSORGUNGS- UND MASSENLEITUNGSFÜHRUNG
Anmelder Intel Corp., Santa Clara, Calif., US
Erfinder BOHR, T., Mark, Aloha, OR 97007, US
Vertreter Hauck Patent- und Rechtsanwälte, 20354 Hamburg
DE-Aktenzeichen 60216433
Vertragsstaaten AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 22.03.2002
EP-Aktenzeichen 027215433
WO-Anmeldetag 22.03.2002
PCT-Aktenzeichen PCT/US02/08905
WO-Veröffentlichungsnummer 2002080273
WO-Veröffentlichungsdatum 10.10.2002
EP-Offenlegungsdatum 02.01.2004
EP date of grant 29.11.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 20.09.2007
IPC-Hauptklasse H01L 23/528(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01L 23/485(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
STAND DER TECHNIK 1. GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Mikrochipgehäuse und im Besonderen das Führen von stromführenden und Erdungsverbindungen zwischen dem Mikrochip und dem Substrat des Gehäuses bzw. der Einheit.

2. BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK

Integrierte Schaltungen, die hohe Leistungs- bzw. Stromwerte einsetzen, erfordern ein dichtes Muster bzw. eine dichte Anordnung von stromführenden und Erdungsleitungen, um den erforderlichen Strom bereitzustellen und um die erwartete Leistung zu erreichen. Im Zuge der Zunahme der Leistungsanforderungen für eine Schaltung werden mehr normale Zwischenverbindungsschichten (z.B. M5 und M6 bei P860) benötigt, um die Leistung bzw. den Strom und die Erdung zu führen, und wobei diese für die Wegführung von Signalen weniger verfügbar sind. Die Erfordernis des Führens von Strom und Erdung muss durch das Hinzufügen von mehr Zwischenverbindungsschichten adressiert werden. Die Abbildung aus 1A zeigt eine Darstellung einer Mikroplättchen- bzw. Chipoberfläche mit einem C4 Erhebungsmuster mit E/A für Signal, Strom und Erdung. Die Notwendigkeit für Erhebungen mit engeren Abständen zwischen einem Mikroplättchen bzw. Chip und einem Mikroplättchengehäuse haben das Routing (Führung) selbst und die Komplexität des Routings auf der Chipoberfläche umfassender gestaltet. Die Abbildung aus 1B veranschaulicht eine Chip- bzw. Mikroplättchenoberfläche mit ABM-Erhebungen, die mit den Erdungsleitungen (Vss) und stromführenden Leitungen (Vdd) auf dem Chip verbunden sind. Bei diesem Design beträgt der Mindestabstand zwischen Erhebungen ungefähr 75 Mikron, wobei die Erhebungsdurchmesser ungefähr 75 Mikron entsprechen, mit einer Breite von mindestens 150 Mikron, um Signalleitungen effizient zu führen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Vorgesehen ist gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren gemäß dem gegenständlichen Anspruch 1.

Vorgesehen ist gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung gemäß dem gegenständlichen Anspruch 6.

Bevorzugte Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

In den Zeichnungen zeigen:

1A eine Mikroplättchenoberfläche mit einem C4 Erhebungsmuster mit E/A für Signal, Strom und Masse;

1B eine Mikroplättchenoberfläche mit ABM-Erhebungen, die mit Erdungsleitungen (Vss) und stromführenden Leitungen (Vdd) auf dem Mikroplättchen verbunden sind;

2A das Mikroplättchen mit stromführenden und Erdungsleisten unter Verwendung einer alternativen Erhebungsmetallurgie;

2B das Mikroplättchen mit stromführenden und Erdungsleisten und einem Randring;

3 ABM-Leisten, die über Erdungs- und stromführenden Leitungen platziert sind, die sich in einer Metallschicht befinden und mit Leitungspassivierungsöffnungen zwischenverbunden sind;

4A die ABM-Leiste, die mit der M7-Kuperschicht, die in der Ansicht im Vergleich zu der Abbildung aus 4A um 90 Grad gedreht ist;

die 5A-5H ein Verfahren zur Erzeugung von ABM-Leisten auf dem Mikroplättchen;

die 6A und 6B eine Mikroplättchen-Substrat-Einheit 600;

5A das Mikroplättchen, das stromführende und Erdungsleitungen in einer Metallschicht aufweist;

5B das Mikroplättchen mit einer über der Metallschicht abgeschiedenen dielektrischen Schicht;

5C das Mikroplättchen mit einer über der dielektrischen Schicht abgeschiedenen Passivierungsschicht;

5D das Mikroplättchen mit durch die dielektrische Schicht und die Passivierungsschicht geätzten Passivierungsöffnungen;

5E das Mikroplättchen mit ausgekleideten Passivierungsöffnungen;

5F das Mikroplättchen mit einer mit Muster versehenen Photoresist-Schicht;

5G das Mikroplättchen, wobei die Muster mit Kupfer gefüllt sind; und

5H das Mikroplättchen mit stromführenden Leisten, Erdungsleisten und einer Erhebung mit einer alternativen Erhebungsmetallurgie.

GENAUE BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG

Offenbart werden eine Struktur und ein Verfahren zur Bereitstellung von stromführenden und Erdungsleisten, die in einer Anordnung von E/A-Signalerhebungen auf einer Mikroplättchen- bzw. Chipoberfläche zentriert sind. In einem Ausführungsbeispiel können die E/A-Signalerhebungen und die stromführenden und Erdungsleisten in Form von Kupfererhebungen gegeben sein. Die Struktur und das Verfahren kann ein effizientes Mittel bereitstellen, um Strom und Masse zwischen einem Mikrochip (Mikroplättchen) und einem Substrat zu verbinden. Die Struktur und das Verfahren können eine Erhebungsmetallurgie einsetzen, die sich von Lötmittel unterscheidet (d.h. eine alternative Erhebungsmetallurgie bzw. ABM als englische Abkürzung von Alternate Bump Metallurgy). Somit können sich die stromführenden und Erdungsstrukturen auf dem Mikroplättchen befinden, wobei sie umgeben werden von den E/A-Signalerhebungen (Signalerhebungen), die in einer geordneten Anordnung positioniert sind. Eine weitere Folge ist es, dass die stromführenden und Erdungsstrukturen aus der gleichen Metallschicht hergestellt werden können wie die Signalerhebungen. Diese Struktur und dieses Verfahren ermöglichen die Platzierung von mehr stromführenden und Erdungsleitungen innerhalb der Zwischenverbindungs-Metallschichten, da kleinere Zwischenabstände verwendet werden können.

In einem Ausführungsbeispiel können die Signalerhebungen auf dem Mikroplättchen während dem Zusammenbau mit entsprechenden Lötanschlussflächen auf einem Substrat zusammengeführt werden, wie etwa einer Mikroplättcheneinheit. Die Chipeinheit kann eine Mehrzahl von Lötanschlussflächen aufweisen, die sich in Kontakt mit den stromführenden und Erdungsleitungen auf dem Chip sowie mit den Signalerhebungen befinden. Alternativ können die Lötanschlussflächen einen ausreichend großen Bereich abdecken, so dass die ganze Oberfläche einer oder mehrerer der stromführenden Leisten und/oder Erdungsleisten berührt wird.

In der folgenden Beschreibung sind zahlreiche besondere Einzelheiten ausgeführt, wie zum Beispiel besondere Materialien, Ausrüstungen und Verfahren, um ein umfassendes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu vermitteln. In anderen Fällen wurde auf die nähere Ausführung allgemein bekannter Computerzusammenbautechniken und Vorrichtungen bzw. Maschinen verzichtet, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu verschleiern.

Die Abbildungen der 2A und 2B veranschaulichen das Mikroplättchen 202 bzw. den Chip mit stromführenden und Erdungsleisten 204 unter Verwendung der alternativen Erhebungsmetallurgie (ABM). In einem Ausführungsbeispiel gemäß der Abbildung aus 2A werden die Signalerhebungen 206 in einem angeordneten Muster mit darin positionierten stromführenden und Erdungsleisten 204 platziert. In einem alternativen Ausführungsbeispiel gemäß der Abbildung aus 2B wird eine zusätzliche Reihe von Leisten an der Peripherie der Signalerhebungen platziert, das heißt am Rand des Wafers. Der Zweck der Randleisten ist es, einen verbesserten Abschluss bereitzustellen, wenn das Mikroplättchen an einem Substrat angebracht wird, wie zum Beispiel einer Kunststoffeinheit bzw. einem Kunststoffgehäuse. In einem Ausführungsbeispiel können die stromführenden und Erdungsleisten 204 in der Form von Rechtecken ausgebildet und von dem oberen Metall durch einen dielektrischen und einen Passivierungsüberzug getrennt werden. Die stromführenden und Erdungsleisten können in der Folge mit einer dünnen Schicht eines Niedertemperatur-Lötmittels überzogen werden, um deren elektrischen Kontakt mit den zusammenpassenden Lötanschlussflächen oder Leisten an dem zusammenpassenden Substrat zu verbessern.

Die Abbildung aus 3 zeigt eine Darstellung eines Bereichs des Mikroplättchens 302 mitstromführenden 304 und 304' und Erdungs-ABM-Leisten 303, die über den Erdungsleitungen 312 und 312' und den stromführenden Leitungen 314 und 314' platziert sind, die in einer Metallschicht des Mikroplättchens 302 existieren und elektrisch zwischenverbunden sind mit den ausgekleideten Passivierungsöffnungen (in den Passivierungs- und dielektrischen Schichten) 310 und 310'. Die ABM-Leisten 304, 304' und 303 können ungefähr 75 Mikron breit sei und Zwischenabstände von ungefähr 75 auf dem Mikroplättchen 302 aufweisen. Die ausgekleideten Passivierungsöffnungen 310 und 310' können durch einen Bereich gebildet werden, der ungefähr quadratisch ist, wobei jede Seite jeweils eine Länge von ungefähr fünf Mikron aufweist. Eine ausreichende Anzahl von ausgekleideten Passivierungsöffnungen 310 und 310' zwischen den ABM-Leisten 304, 304' und 303 und der Metalloberfläche kann gebildet werden, um die ABM-Leisten 304, 304' und 303 mit den entsprechenden stromführenden Leitungen 314 und 314' sowie den Erdungsleitungen 312 und 312' zwischenzuverbinden.

Die Abbildung aus 3 veranschaulicht ferner eine geringeren verfügbaren Abstand 308 beim Einsatz von ABM-Leisten (Leisten) 304 und 304' im Vergleich zu dem, der beim Einsatz von Erhebungen (1B oben) möglich ist, um stromführende und Erdungsleitungen mit einer Schaltkreisanordnung außerhalb des Mikroplättchens bzw. des Chips 302 zu verbinden. Die ABM-Leisten 304 und 304' eignen sich besser für die Stromführung, da sie die Leistung gleichmäßiger bzw. einheitlicher über das Mikroplättchen 302 verteilen können. In Bezug auf ABM-Erhebungen (1B oben) können die darunter liegenden stromführenden Leitungen in der letzten Metallschicht nur unter einer Erhebung auftreten, und die Erhebungsbreite ist durch Verfahrensbeschränkungen auf ungefähr 150 &mgr;m begrenzt. In erneutem Bezug auf die Abbildung aus 3 können in Verbindung mit den ABM-Leisten 304 und 304' die Passivierungsöffnungen 310 an jeder Position entlang der Leiste 304 und 304' auftreten, so dass die stromführenden und Erdungsleitungen (Vdd/Vss) 312, 312', 314 und 314' praktisch so häufig wie gewünscht platziert werden können, wie etwa alle 30 Mikron. Das Vorhandensein von mehr stromführenden und Erdungsleitungen 312, 312', 314 und 314', die mit enger aneinander liegenden Zwischenabständen angeordnet sind, verbessert die Leistungszufuhr, indem der Widerstandsabfall reduziert wird sowie durch eine niedrigere Induktivität. Das Ergebnis ist eine verbesserte Leistung.

Die Abbildungen der 4A und 4B veranschaulichen Seitenansichten von ABM-Erdungsleisten 402 mit Zwischenverbindungen (ausgekleidete Passivierungsöffnungen) 404 mit der M7-Schicht 406. In einem Ausführungsbeispiel verlaufen die Zwischenverbindungen durch eine dielektrische Si3N4-Schicht 408 und eine Polyimid-Passivierungsschicht 410. Die Abbildungen der 4A und 4B zeigen die ABM-Erdungsleiste 402, die mit einer Kupfer-Erdungsleitung 411 verbunden ist, hergestellt aus der M7-Schicht 406, während eine benachbarte stromführende ABM-Leiste 412 durch die Si3N4- 408 und Polyimid-Schichten 410 von der Erdungsleitung 411 getrennt ist.

Die Abbildungen der 5A bis 5H veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung der ABM-Leisten auf dem Mikroplättchen. Die Abbildung aus 5A veranschaulicht eine fertige metallische Zwischenverbindungsschicht 501, wie etwa M7 (abgeschieden mit einer mit Muster versehenen dielektrischen Schicht), auf dem Mikroplättchen 500, das eine Kombination aus stromführenden Leitungen 502 und 502' und Erdungsleitungen 504 und 504' aufweisen kann. Wie dies in der Abbildung aus 5B dargestellt ist, wird eine Schicht eines dielektrischen Materials 506, wie etwa Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid SiC über die Oberfläche des Mikroplättchens 500 abgeschieden, das die geätzte M7-Schicht 501 aufweist. Die Abbildung aus 5C veranschaulicht die Abscheidung einer Passivierungsschicht 508. In einem Ausführungsbeispiel kann es sich bei der Passivierungsschicht um ein Material wie etwa Polyimid oder Siliziumdioxid handeln, und sie wird abdeckend abgeschieden durch Besputtern, Spinnen, CVD oder Walzen, so dass sie den dielektrischen Überzug 506 überzieht. Nach dem Auftragender Passivierungsschicht kann die Oberfläche mit einem Photoresist (nicht abgebildet) mit Muster versehen werden. Die Abbildung aus 5D veranschaulicht die Passivierungsöffnungen 510 und 510' in der Passivierungsschicht 508 und der dielektrischen Schicht 506, wobei Bereiche der metallischen stromführenden Leitungen 502 und 502', der Erdungsleitungen 504 und 504' in M7 501 exponiert werden. Die Öffnungen 510 und 510' können erzeugt werden, indem zuerst ein Muster mit Photoresist (nicht abgebildet) erzeugt wird, und wobei danach durch die Passivierungsschicht 506 und die dielektrische Schicht 504 geätzt wird, um die Leitungen 502, 502', 504 und 504' bei M7 501 zu exponieren bzw. frei zu legen. Die Abbildung aus 5E zeigt eine Darstellung der ausgekleideten Passivierungsöffnungen 512 und 512', die mit einem leitfähigen Metall oder einer Metalllegierung ausgekleidet sin. In einem Ausführungsbeispiel weisen die Passivierungsöffnungen 512 und 512' eine doppelte Schicht (nicht abgebildet) auf, das durch Besputtern mit Titan und danach mit Kupfer ausgekleidet wird. Die Abbildung aus 5F veranschaulicht ein mit Muster versehenes Photoresist 514, aufgetragen über einen Passivierungsüberzug 506. Die Abbildung aus 5G veranschaulicht die Ergebnisse eines Elektroplattierungsverfahrens zum Füllen der Öffnungen in dem Photoresist-Muster 514 mit Kupfer 516. Die Abbildung aus 5H veranschaulicht einen Querschnitt des Mikroplättchens 500, wobei das Photoresist mit einem Lösemittel entfernt worden ist, und mit einer Mehrzahl von ABM-Leisten 518 und 518' in Verbindung mit einer Kupfer-Signalerhebung 520, die mit den Leitungen 502, 502', 504 und 504' in M7 501 zwischenverbunden bleibt.

Die Abbildungen der 6A und 6B veranschaulichen eine Mikroplättchen-Substrat-Einheit 600. Ein Montageverfahren, wie etwa das vorstehend in Bezug auf die Abbildungen der 5A bis 5H beschriebene Ausführungsbeispiel, kann das Mikroplättchen 602 an dem Substrat 604 anbringen. Das Substrat 604 kann jede zusammenpassende Komponente darstellen, um das Mikroplättchen 602 mit einer externen Schaltkreisanordnung zu verbinden, wie etwa einem Gehäuse oder einer gedruckten Leiterplatte, wobei das Substrat 604 berührende Erdungsbereiche 606 und 606' und stromführende Bereiche 608 aus Lötmittel 609 und 609' aufweisen kann, die mit den Erdungsleistenbereichen 610 und 610' sowie den stromführenden Leistenbereichen 512 auf dem Mikroplättchen 602 zusammenpassen. Das Lötmittel 609 und 609' kann ein Niedertemperatur-Lötmittel darstellen, wie etwa Bleizinn oder Silberzinn, das auf die darunter liegenden Oberflächen aus Kupfer (nicht abgebildet) aufgetragen wird. Ein Vorteil der Bereitstellung äquivalenter, zusammenpassender Lötbereiche 609 und 609' auf dem Substrat 604 mit zusammenpassenden stromführenden Leisten aus Kupfer 610 und 610' sowie Erdungsleisten 612 auf dem Mikroplättchen 602 ist es, dass eine Rate der Wärmeübertragung von dem Mikroplättchen 602 erhöht werden kann, während das Mikroplättchen bzw. der Chip Operationen in einem Computer ausführt.

Danach wird ein Heizzyklus ausgeführt, indem die Mikroplättchen-Substrat-Einheit in einen Schmelzofen gegeben wird, der das Lötmittel erhitzt, bis es wie eine Flüssigkeit fließt. Nach dem Schmelzvorgang werden die Kupfererhebungen elektrisch und mechanisch mit den Lötanschlussflächen verbunden, und die stromführenden/Erdungsleisten des Mikroplättchens werden elektrisch und mechanisch mit den zusammenpassenden stromführenden/Erdungsstreifen oder -anschlussflächen auf dem Substrat verbunden.

Während der Produktion kann ein Substrat, wie etwa ein Kunststoffgehäuse oder eine gedruckte Leiterplatte, die später mit dem Mikroplättchen zusammenpasst, durch eine Lötvorrichtung geführt werden, wobei eine Seite einem Lötvorgang ausgesetzt wird, um hunderte von Anschlüssen an jedes der Substrate zu löten. Der Einsatz von Schwall-Lötvorrichtungen bzw. Anschwemm-Lötvorrichtungen zu diesem Zweck ist allgemein bekannt. Diese Vorrichtungen bzw. Maschinen weisen Fördereinrichtungen auf, die Platten über ein Schmelzbad von Lötmittel führen, das gerührt wird, um gegen die Unterseiten der Platten anzuschwemmen bzw. zu schwappen. Vor dem Schwall-Löten ist eine Lötmaskierungsoperation erforderlich, um Abschnitte des Gehäusesubstrats vor einem Kontakt mit heißem geschmolzenem Lötmittel zu schützen. Die Lötmaske wird als ein Überzug oder mehrere Überzüge unter Verwendung allgemein bekannter Techniken aufgetragen, wie etwa Besputtern, Sprühen oder Siebdruck, wie etwa über ein Stahlsieb. Wenn die Lötmaske mit einem Maschensieb aufgetragen wird, kann ein Muster in dem Sieb Öffnungen in der Lötmaske bereitstellen, die später in Verbindung mit dem Lötvorgang gefüllt werden. Nach dem Härten der Lötemaske wird das Anschwemm-Löten ausgeführt, um die in der Maske offenen Bereiche zu füllen. Die gehärtete Lötmaske bleibt auf dem fertig gestellten Substrat, wobei ein guter dielektrischer Überzug der zu schützenden Schaltungsleitungen bereitgestellt wird.


Anspruch[de]
Verfahren, das folgendes umfasst:

das Abscheiden einer dielektrischen Schicht (506, 408) über eine obere Metallschicht (501, 406) eines Mikroplättchens einer integrierten Schaltung (500, 302, 602) mit einer oder mehreren stromführenden Leitungen (502, 502', 312, 312') und einer oder mehreren Erdungsleitungen (504, 504', 314, 314', 411), die sich in eine erste Richtung erstrecken;

das Abscheiden einer Passivierungsschicht (508, 410) auf die dielektrische Schicht (506, 408);

das Erzeugen einer oder mehrerer Passivierungsöffnungen (510, 510', 310, 310', 404) in der dielektrischen Schicht (506, 408) und er Passivierungsschicht (508, 410), so dass ein Abschnitt mindestens einer der stromführenden Leitungen (502, 502', 312, 312') und der Erdungsleitungen (504, 504', 314, 314', 411) frei liegt;

das Auskleiden der Passivierungsöffnungen (510, 510', 310, 310', 404) mit einem leitfähigen Material; und

das Bilden einer Mehrzahl elektrisch leitfähiger Erhebungsleisten (516, 303-304, 204, 402, 412), die sich in eine zweite Richtung erstrecken, die senkrecht zu der ersten Richtung auf der oberen Oberfläche der Passivierungsschicht (508, 410) ist, wobei mindestens eine der Mehrzahl elektrisch leitfähiger Leisten (516, 303-304, 204, 402, 412) sich in mindestens eine der Passivierungsöffnungen (510, 510', 310, 310', 404) erstreckt, die mit dem leitfähigen Material ausgekleidet sind, so dass ein elektrischer Kontakt mit mindestens einer der stromführenden Leitungen (502, 502', 312, 312') und der Erdungsleitungen (504, 504', 314, 314', 411) hergestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei dieses ferner folgendes umfasst:

das Platzieren einer Anordnung von Lötanschlussflächen (606, 606', 608) auf einem Substrat (604); und

das Verbinden des Mikroplättchens (602) mit dem Substrat (604), so dass die Anordnung der Lötanschlussflächen (606, 606', 608) mit der Mehrzahl elektrisch leitfähiger leisten (610, 610', 612, 612') auf dem Mikroplättchen (602) zusammenpasst.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei mindestens eine der elektrisch leitfähigen Leisten (516, 303-304, 610, 610', 612, 612', 204, 402, 412) eine Stromverbindung aufweist. Verfahren nach Anspruch 2, wobei mindestens eine der elektrisch leitfähigen Leisten (516, 303-304, 610, 610', 612, 612', 204, 402, 412) eine Erdungsverbindung aufweist. Verfahren nach Anspruch 2, wobei dieses ferner das Bilden zusätzlicher leitfähiger Erhebungsleisten (204) an der Peripherie um das Mikroplättchen umfasst. Vorrichtung, die folgendes umfasst:

ein Mikroplättchen (500, 302, 602) mit einer oberen Metallschicht (501, 406), wobei die obere Metallschicht (501, 406) eine oder mehrere stromführende Leitungen (502, 502', 312, 312') und eine oder mehrere Erdungsleitungen (504, 504', 314, 314', 411) aufweist, die sich in eine erste Richtung erstrecken;

eine dielektrische Schicht (506, 408), die auf die obere Metallschicht (501, 406) abgeschieden worden ist; eine Passivierungsschicht (508, 410), die auf die dielektrische Schicht (506, 408) abgeschieden worden ist; wobei die Passivierungsschicht (508, 410) und die dielektrische Schicht (506, 408) darin ausgebildete Öffnungen (510, 510', 310, 310', 404) aufweisen, so dass ein Abschnitt mindestens einer der stromführenden Leitungen und der Erdungsleitungen (502, 502', 504, 504', 312, 312', 314, 314', 411) frei liegt, wobei die Öffnungen (510, 510', 310, 310', 404) mit einem leitfähigen Material ausgekleidet sind; und

eine Mehrzahl elektrisch leitfähiger Erhebungsleisten (516, 303-304, 204, 402, 412), die auf die Passivierungsschicht (508, 410) abgeschieden worden sind, so dass sie sich in eine zweite Richtung erstrecken, die senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei sich mindestens eine der Mehrzahl elektrisch leitfähiger Leisten (516, 303-304, 204, 402, 412) in mindestens eine der Öffnungen (510, 510', 310, 310', 404) erstreckt, die mit dem leitfähigen Material ausgekleidet sind, so dass ein elektrischer Kontakt mit mindestens einer der stromführenden Leitungen und der Erdungsleitungen (502, 502', 504, 504', 312, 312', 314, 314', 411) hergestellt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei jede der elektrisch leitfähiger Leisten (516, 303-304, 610, 610', 612, 612', 204, 402, 412) aus Kupfer besteht. Vorrichtung nach Anspruch 6, mindestens eine der elektrisch leitfähiger Leisten (516, 303-304, 610, 610', 612, 612', 204, 402, 412) eine Stromverbindung aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 6, mindestens eine der elektrisch leitfähiger Leisten (516, 303-304, 610, 610', 612, 612', 204, 402, 412) eine Erdungsverbindung aufweist.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com