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Dokumentenidentifikation DE102004008500B4 27.09.2007
Titel Verfahren zum Ermitteln einer Strahlungsleistung und eine Belichtungsvorrichtung
Anmelder Qimonda AG, 81739 München, DE
Erfinder Schwarzl, Siegfried, 85579 Neubiberg, DE;
Wurm, Stefan, Austin, Tex., US
Vertreter Müller-Boré & Partner, Patentanwälte, European Patent Attorneys, 81671 München
DE-Anmeldedatum 20.02.2004
DE-Aktenzeichen 102004008500
Offenlegungstag 08.09.2005
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 27.09.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.09.2007
IPC-Hauptklasse G01J 1/10(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse G05D 25/02(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   

Beschreibung[de]

Lithographieprozesse stellen einen wesentlichen Prozeßschritt der Halbleiterindustrie dar. Bei herkömmlichen lithographischen Verfahren werden Strukturen einer Maske im Verhältnis 1:1 oder verkleinert, z.B. im Verhältnis 4:1, auf eine lichtempfindliche Polymerschicht (Photolack/Photoresist) übertragen, die auf einen (ggfs. strukturierten) Halbleiterwafer aufgebracht wurde. Die dabei verwendeten Wellenlängenbereiche können beispielsweise im Sichtbaren, im DUV (Deep Ultraviolet) oder im weichen Röntgenbereich, auch EUV (Extreme Ultraviolet) genannt, liegen. Als Photoresists werden oftmals sogenannte Positivresists verwendet, die nach Belichtung mit Photonen bestimmter Wellenlängen in geeigneten Entwicklern löslich werden und dadurch beim Entwicklungsprozeß an den belichteten Stellen entfernt werden. Es können allerdings auch Negativresists eingesetzt werden, bei denen unbelichtete Bereiche des Photoresits abgelöst werden und belichtete Bereiche erhalten bleiben.

Die optimale Belichtungsdosis, d.h. die optimale auf den Photoresist eintreffende Strahlungsleistung pro Flächeneinheit über einen bestimmten Zeitraum, ist von entscheidender Bedeutung, damit die Strukturübertragung von der Maske in den Photoresist möglichst maßgetreu erfolgt und die Resistprofile nach der Entwicklung möglichst steil sind. Unterbelichtung kann zu unvollständiger Entfernung des Resists in den belichteten Bereichen führen. Die Resistflanken können zu flach und für eine anschließende maßhaltige Strukturübertragung vom Resist in die darunterliegende Schicht oder das Substrat durch Plasmaätzen oder Ionenimplantation ungeeignet sein. Überbelichtung kann zu einer Aufweitung der belichteten Bereiche und damit zu unerwünscht schmalen Resiststegen führen.

In der bisherigen Praxis wird zur Ermittlung der richtigen Belichtungsdosis für jedes Los von Wafern ein sogenannter Vorläuferwafer bzw. Testwafer mit unterschiedlichen Dosen (Belichtungsstaffel) belichtet, entwickelt und in einem in-line CD-Meßgerät auf Strukturgenauigkeit vermessen. Mit der daraus ermittelten 'idealen' Belichtungsdosis werden die Wafer des Loses einheitlich belichtet. Schwankungen der Resistempfindlichkeit, der mittleren Resistdicke, der Resistunterlage etc. von Waferlos zu Waferlos werden auf diese Weise berücksichtigt. Das Verfahren ist allerdings zeitaufwendig, senkt den Durchsatz des Belichtungsgerätes, das während der Prozessierung des Testwafers nicht genutzt werden kann, und verursacht dadurch erhöhte Kosten. Nicht erfaßt werden bei dieser Methode Variationen der Resistdicke über den Wafer und von Wafer zu Wafer und Dosisschwankungen, die vom Belichtungsgerät während der Belichtung eines Loses verursacht werden.

Bei den herkömmlichen optischen Steppern und Scannern im sichtbaren Bereich und im DUV werden mit geeigneten Komponenten, wie beispielsweise Strahlteilern etc. Anteile des Lichtes ausgekoppelt und in Echtzeit gemessen. Durch elektronische Regelmechanismen werden dann über Shutter, Blenden und/oder die Geschwindigkeit der Scannig-Tische zeitliche Schwankungen der Belichtungsleistung kompensiert.

Im EUV sind derartige Strahlteiler nicht möglich, da die Lichtabsorption der Materialien für derartige Komponenten zu groß ist.

DE 29 49 564 C2 offenbart eine Einrichtung zur Messung der Strahlungsleistung von leistungsmodulierten optischen Sendern, wobei es sich bei einem optischen Sender um einen Laser handeln kann. Die Strahlungsmodulation wird anhand eines piezoelektrischen Elementes bestimmt, welches an einem durchleuchteten Fenster bzw. an ein reflektierendes Fenster angebracht wird. Ferner kann die Modulation der Strahlung dadurch bestimmt werden, daß ein mit der zu messenden Strahlung durchleuchtetes Fenster mit einem Meßstrahl M beleuchtet wird, wobei im Strahlengang des Meßstrahls M zwei Polarisationsfilter angeordnet sind, und das Fenster im Strahlengang zwischen den Polarisationsfiltern angeordnet ist. Die Helligkeitsmodulation des Meßstrahls, welche aufgrund der Spannungsmodulation des mit der Laserstrahlung durchleuchteten Fensters erzeugt wird, wird mit einer Photomeßzelle gemessen wird. Aufgrund der gemessenen Modulation kann die Leistung des Laserstrahls bestimmt werden.

DE 24 46 610 C3 offenbart eine Einrichtung zur Messung der Energie von Lichtimpulsen oder der mittleren Leistung von Dauerlicht, wobei in den Strahlengang dem Strahlungsquelle, beispielsweise eines Gas- oder Festkörperlasers, eine Photozelle angeordnet ist. Anhand der Photozelle und entsprechender Elektronik kann die Leistung der Strahlungsquelle gemessen werden.

US 2002/0 060 296 A1 offenbart eine Lithographievorrichtung insbesondere im EUV-Wellenlängenbereich, wobei die Intensität der EUV-Strahlung anhand eines akustischen Sensors, welcher beispielsweise an einen Reflektor angebracht ist, bestimmt wird.

WO 03/046 494 A2 offenbart ein Verfahren zur Messung der Lichtintensität eines Laserstrahls, wobei der Laserstrahl von einem Spiegel umgeleitet wird und der Spiegel aufgrund der Intensitätsverteilung des Laserstrahls erwärmt wird. Aufgrund der Intensitätsverteilung des Laserstrahls wird der Spiegel nicht gleichmäßig erwärmt, sondern es erfolgt eine bestimmte Temperaturverteilung des Spiegels. Von dem Spiegel kann weiterhin ein zweiter Laserstrahl reflektiert werden, wobei der zweite Laserstrahl derart angeordnet ist, daß ein Interferenzmuster entsteht. Wird die Temperaturverteilung aufgrund des ersten Laserstrahls des Spiegels verändert, so verändert sich auch die Wärmeausdehnung an der Spiegeloberfläche des Spiegels, was zu einer Deformation des Interferenzmusters führt. Aufgrund dieser Deformation kann die Lichtintensität des ersten Laserstrahls bestimmt werden.

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren anzugeben, mit welchem die mittlere Strahlungsleistung elektromagnetischer Strahlen einer Strahlungsquelle im EUV-Spektralbereich in einem vorbestimmten Zeitintervall gemessen werden kann. Aufgabe der Erfindung ist ferner die Bereitstellung einer entsprechenden Belichtungsvorrichtung.

Diese Aufgabe wird gelöst durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 und die Belichtungsvorrichtung gemäß Anspruch 9. Bevorzugte Ausführungsformen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.

Die vorliegende Erfindung beinhaltet ein Verfahren zum Ermitteln einer mittleren Strahlungsleistung P 0Str einer mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierten elektromagnetischen Strahlung einer Strahlungsquelle in einem vorbestimmten Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t umfassend die Schritte:

  • – Bereitstellen einer Reflektoreinrichtung, welche ausgelegt ist, elektromagnetische Strahlung der Strahlungsquelle und elektromagnetische Strahlung einer Teststrahlungsquelle zu reflektieren;
  • – Bestrahlen einer vorbestimmten Fläche der Reflektoreinrichtung mit der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle;
  • – zumindest teilweise Bestrahlen der Fläche der Reflektoreinrichtung mit elektromagnetischer Strahlung der Teststrahlungsquelle;
  • – Messen eines mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
    einer reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) einer von der Fläche reflektierten elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle in dem vorbestimmten Zeitintervall;
  • – Ermitteln eines Mittelwertes
    des gemessenen mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
    der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) in dem vorbestimmten Zeitintervall;
  • – Ermitteln der mittleren Strahlungsleistung
    der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle aus der Beziehung
    wobei a eine vorbestimmte oder vorbestimmbare Konstante ist, und wobei

    es sich bei der Strahlungsquelle um eine EUV-Strahlungsquelle handelt.

Das erfindungsgemäße Verfahren basiert insbesondere darauf, daß aufgrund bekannter physikalischer Vorgänge die Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle bei der Reflexion von der Reflektoreinrichtung einen mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 der Strahlungsquelle intensitätsmodulierten Intensitäts- bzw. Leistungsanteil

aufweist.

Bei der Teststrahlungsquelle der Erfindung handelt es sich vorzugsweise um eine Konstantstrahlungsquelle, d.h. die Teststrahlungsleistung bzw. eine Intensität der auf die Reflektoreinrichtung einfallenden elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle ist vorzugsweise konstant.

Die Intensitätsmodulation der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle kann beispielsweise im wesentlichen sinusförmig oder rechteckförmig ausgebildet sein. Ferner kann die elektromagnetische Strahlung beispielsweise gepulst sein oder einen anderen im wesentlichen periodischen Verlauf aufweisen.

Die mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierte elektromagnetische Strahlung der Strahlungsquelle erzeugt in der Reflektoreinrichtung, insbesondere in dem bestrahlten Bereich der Reflektoreinrichtung, ein moduliertes Temperaturprofil. Handelt es sich bei der Reflektoreinrichtung beispielsweise um einen Halbleiter, so wird zusätzlich eine modulierte Elektronen/Loch-Plasmadichte erzeugt. Dabei weist der Temperaturverlauf und gegebenenfalls der Plasmadichteverlauf die Charakteristika einer kritisch gedämpften Welle auf.

Wenn nun die Eigenschaften der Reflektoreinrichtung, d.h. beispielsweise die Zusammensetzung der Reflektoreinrichtung, aus einem oder mehreren Materialien bekannt sind, d.h. die Reflektivität der Reflektoreinrichtung bekannt ist, wobei die Reflektivität der Reflektoreinrichtung über den Zeitraum einer Belichtungsdauer im wesentlichen konstant ist, so ist die mittlere Leistung der auf die Reflektoreinrichtung eingestrahlten elektromagnetischen Strahlung während des Zeitintervalls &Dgr;t im wesentlichen proportional zu dem mittleren, mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierten Leistungsanteil

der von der Reflektoreinrichtung reflektierten elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle. Die über den Zeitraum der Belichtungsdauer im wesentlichen konstante Reflektivität der Reflektoreinrichtung weist aufgrund des modulierten Temperaturprofils bzw. der modulierten Elektronen/Loch-Plasmadichte einen im wesentlichen mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Anteil auf. Vorteilhafterweise weist daher die Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle einen im wesentlichen mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil
auf.

Fällt somit auf die Reflektoreinrichtung die elektromagnetische Strahlung der Teststrahlungsquelle, welche eine im wesentlichen konstante Teststrahlungsleistung aufweist, so wird diese Strahlung von der Reflektoreinrichtung reflektiert und aufgrund des modulierten Temperaturverlaufs bzw. der modulierten Elektronen/Loch-Plasmadichte die Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 moduliert. Wird der modulierte Leistungsanteil

der Teststrahlungsleistung Ptest(t) gemessen, kann daraus auf die modulierte Strahlungsleistung PStr(t) der Strahlung der Strahlungsquelle geschlossen werden. Bevorzugt wird hierbei der modulierte Leistungsanteil
der Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung nicht nur über beispielsweise eine Modulationsperiode gemessen, sondern über eine Vielzahl von Modulationsperioden, beispielsweise über 5 bis 500 Modulationsperioden, insbesondere 10 Modulationsperioden. Der Mittelwert des modulierten Leistungsanteils
der Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung der Teststrahlungsquelle über beispielsweise 10 Modulationsperioden liefert aufgrund der obigen Beziehung die mittlere Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle während dieser beispielsweise 10 Modulationsperioden.

Wird beispielsweise die mittlere Strahlungsleistung

der Strahlungsquelle für eine Modulationsperiode ermittelt, so entspricht das Zeitintervall &Dgr;t im wesentlichen der Dauer einer Modulationsperiode. Wird die mittlere Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle beispielsweise für eine Vielzahl von Modulationsperioden ermittelt, beispielsweise 10 Modulationsperioden, so entspricht das Zeitintervall &Dgr;t im wesentlichen der Dauer der 10 Modualtionsperioden.

Die mittlere Strahlungsleistung

der Strahlungsquelle in dem Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t kann beispielsweise anhand der Beziehung:
bestimmt werden, wobei PStr(t) die intensitätsmodulierte Strahlungsleistung der Strahlungsquelle zum Zeitpunkt t repräsentiert. Da ferner die intensitätsmodulierte Strahlungsleistung PStr(t) der Strahlungsquelle zu dem mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) der Teststrahlungsquelle proportional ist, kann aus dem mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) die Leistung PStr(t) der Strahlungsquelle bestimmt werden. Gleichsam kann aus dem mittleren mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) im Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t die mittlere Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle bestimmt werden. Ferner ist es möglich, die mittlere Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle anhand einer anderen Beziehung als der oben genannten zu bestimmen, um z.B. Einflüsse durch Rauschen zu vermindern bzw. eine bestimmte Normierung zu erreichen.

Das Zeitintervall &Dgr;t ist vorzugsweise klein gegenüber der Belichtungsdauer. Bei einer bevorzugt gepulsten Strahlungsquelle umfaßt das Zeitintervall &Dgr;t eine Vielzahl von Pulsen der bevorzugt gepulsten Strahlungsquelle, beispielsweise 5 bis 100 Pulse, insbesondere 10 Pulse.

Die Proportionalitätskonstante a kann beispielsweise mit Hilfe des Testwafers bestimmt werden und somit aus der gemessenen mittleren intensitätsmodulierten reflektierten Teststrahlungsleistung

der Absolutwert der mittleren Strahlungsleistung
in Watt berechnet werden. Weiterhin ist es beispielsweise möglich, daß die Proportionalitätskonstante a derart gewählt wird, daß die mittlere Strahlungsleistung
pro Fläche, d.h. beispielsweise in Watt/m2 gemessen wird. Es ist allerdings auch möglich, daß die Proportionalitätskonstante a derart gewählt wird, daß die mittlere Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle in einer beliebigen Einheit angegeben wird. Dies kann insbesondere von Vorteil sein, wenn lediglich die relative Änderung der mittleren Strahlungsleistung
der Strahlungsquelle von Interesse ist.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform kann die Proportionalitätskonstante a so gewählt werden, daß die mittlere Strahlungsenergie der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle pro Fläche berechnet werden kann.

Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ermöglicht es daher vorteilhafterweise, die in dem Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t auf die Reflektoreinrichtung auftreffende mittlere Strahlungsintensität der Strahlung der Strahlungsquelle zu bestimmen. Diese Strahlung kann beispielsweise von der Reflektoreinrichtung reflektiert werden und bestrahlt beispielsweise eine Fläche eines zu strukturierenden Materials, wie z.B. eine Fläche eines Photoresists. Die mittlere Intensität der auf die Fläche des zu strukturierenden Materials gestrahlten Strahlung kann bei einer bekannten Reflektivität der Reflektoreinrichtung im wesentlichen aus der mittleren Intensität der auf der Fläche der Reflektoreinrichtung auftreffenden Strahlung der Strahlungsquelle bestimmt werden.

Das Verfahren gemäß der Erfindung wird zur Strahlungsleistungsbestimmung bei einer EUV-Belichtung eingesetzt. Der EUV-Spektralbereich umfaßt vorzugsweise elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm.

Somit kann beispielsweise bei der Belichtung eines Photoresists mit EUV-Strahlung einer EUV-Belichtungseinheit die mittlere Strahlungsleistung der auf dem Photoresist auftreffenden EUV-Strahlung ermittelt werden, indem die mittlere Strahlungsleistung

der Strahlung ermittelt wird, welche beispielsweise auf die Fläche der Reflektoreinrichtung der EUV-Belichtungseinheit gestrahlt wird.

Insbesondere kann auch festgestellt werden, ob beispielsweise die tatsächliche mittlere Strahlungsleistung

in dem Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t mit einer gewünschten Sollstrahlungsleistung P SollStr übereinstimmt, wobei es sich bei der Sollstrahlungsleistung P SollStr beispielsweise um eine vorbestimmte Strahlungsleistung handeln, welche zum exakten Belichten eines Photoresists gewünscht bzw. notwendig ist. Eine bevorzugte Ausführungsvariante des Verfahrens der Erfindung umfaßt den weiteren Schritt:
  • – Regeln einer Ausgangsleistung der Strahlungsquelle derart, daß eine Differenz einer mittleren Strahlungsleistung
    elektromagnetischer Strahlung der Strahlungsquelle in einem Zeitintervall t1 bis t1 + &Dgr;t und einer Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen minimiert ist, wobei t1 > t0 + &Dgr;t gilt.

Insbesondere ist es dadurch möglich, daß Schwankungen der Strahlungsleistung der Strahlungsquelle, welche beispielsweise durch eine Fehlfunktion der Strahlungsquelle bedingt sind, festgestellt werden. Weiterhin ist es möglich, daß die Ausgangsleistung der Strahlungsquelle diesen Schwankungen jeweils angepaßt wird und somit beispielsweise eine Fehlbelichtung eines Photoresists vermieden werden kann. Die Schwankungen der mittleren Strahlungsleistung können in einer absoluten Einheit, beispielsweise in Watt gemessen werden. Es ist jedoch auch möglich, daß relative Schwankungen der Strahlungsleistung gemessen werden und diese relativen Schwankungen jeweils abhängig von den Messungen ausgeglichen bzw. nachgeregelt werden.

Mit anderen Worten wird anhand der Differenz der Sollstrahlungsleistung P SollStr und der Strahlungsleistung

bestimmt, ob und gegebenenfalls wie die Ausgangsleistung der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle geregelt werden muß, so daß die Differenz der mittleren Strahlungsleistung
und der Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen minimiert ist. Somit wird im wesentlichen die Abweichung der mittleren Strahlungsleistung
von der Sollstrahlungsleistung P SollStr in einem ersten Zeitintervall von t0 bis t0 + &Dgr;t ermittelt und diese Abweichung dazu benutzt, die Ausgangsleistung der Strahlungsquelle zu regeln, so daß in einem nächsten Zeitintervall von t1 bis t1 + &Dgr;t die ermittelte Strahlungsleistung
der Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen entspricht.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsvariante der vorliegenden Erfindung werden die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge wiederholt durchgeführt.

Somit wird ermöglicht, daß die Strahlungsleistung der Strahlungsquelle über einen langen Zeitraum, d.h. über eine Vielzahl bevorzugt aufeinanderfolgender Zeitintervalle &Dgr;t gemessen bzw. geregelt werden kann. Das Verfahren eignet sich daher besonders für den Einsatz zur industriellen Fertigung beispielsweise von Halbleiterbauelementen mit einer EUV-Belichtungseinrichtung, wie einer EUV-Lithographieeinrichtung, da beispielsweise in einem oder einer Vielzahl von nacheinander ablaufenden Verfahrensschritten die Strahlungsleistung der Strahlungsquelle ermittelt, kontrolliert und geregelt werden kann.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung ist das vorbestimmte Zeitintervall &Dgr;t im wesentlichen gleich 0,1 ms bis 10 ms, insbesondere 1 ms.

Aufgrund der geringen Größe des vorbestimmten Zeitintervalls &Dgr;t, insbesondere im Vergleich zu einer üblicherweise benutzten Belichtungszeit von im wesentlichen 0,1 s bis 1 s, entspricht die mittlere Strahlungsleistung der Strahlungsquelle im wesentlichen der tatsächlichen momentanen Strahlungsleistung, so daß die tatsächliche momentane Strahlungsleistung näherungsweise in dem Zeitintervall &Dgr;t konstant ist.

Bei der Strahlungsquelle handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle, welche elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich von bevorzugt 5 nm bis 20 nm abgibt.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei der EUV-Strahlungsquelle um eine gepulste EUV-Strahlungsquelle mit einer Pulsdauer von vorzugsweise 10 ns bis 500 ns.

Vorzugsweise handelt es sich bei der Teststrahlungsquelle um einen He-Ne Laser oder einen Halbleiterlaser.

Es kann sich bei der Teststrahlungsquelle jedoch auch um eine andersartige Strahlungsquelle handeln, wobei vorzugsweise eine solche Strahlungsquelle ausgewählt wird, deren Strahlungsleistung möglichst genau bestimmt werden kann bzw. deren reflektierte Strahlungsleistung möglichst genau gemessen werden kann.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsvariante der Erfindung sind eine Strahlrichtung der Strahlungsquelle und eine Strahlrichtung der Teststrahlungsquelle unter einem Winkel zueinander angeordnet.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsvariante beträgt dieser Winkel im wesentlichen 0°.

Vorzugsweise sind in den Strahlengang der Teststrahlungsquelle weitere optische Vorrichtungen eingefügt, wie z.B. ein &lgr;/4-Plättchen, so daß der einfallende Strahl von dem reflektierten Strahl der Teststrahlungsquelle unterschieden werden kann.

In einer weiteren besonders bevorzugten Ausführungsvariante liegt der Winkel vorzugsweise zwischen 0° und 90°, d.h. zwischen senkrechtem und nahezu streifenden Einfall, besonders bevorzugt zwischen 30° und 70°.

Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine Belichtungsvorrichtung zum Belichten eines Materials mit elektromagnetischer Strahlung bereit, umfassend:

  • – eine Strahlungsquelle, welche ausgelegt ist, eine mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierte elektromagnetische Strahlung zu erzeugen;
  • – eine Teststrahlungsquelle, welche ausgelegt ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen;
  • – eine Reflektoreinrichtung, welche ausgelegt ist, sowohl die elektromagnetische Strahlung der Strahlungsquelle als auch die elektromagnetische Strahlung der Teststrahlungsquelle zu reflektieren;
  • – eine Meßeinrichtung, welche zum Messen eines mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
    einer reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) einer von der Reflektoreinrichtung reflektierten elektromagnetischen Strahlung der Teststrahlungsquelle ausgelegt ist; und
  • – eine Ermittelungseinrichtung, welche ausgelegt ist: einen Mittelwert
    des gemessenen mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
    der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) in dem vorbestimmten Zeitintervall zu ermitteln und

    die mittlere Strahlungsleistung
    der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle aus der Beziehung
    zu ermitteln, wobei a eine vorbestimmte oder vorbestimmbare Konstante ist, und wobei

    es sich bei der Strahlungsquelle um eine EUV-Strahlungsquelle handelt.

Analog zu dem oben beschriebenen Verfahren gemäß der Erfindung kann mit der Belichtungsvorrichtung der Erfindung während der Belichtung eines Materials, die mittlere Strahlungsleistung

in dem Zeitinvervall von t0 bis t0 + &Dgr;t der auf der Reflektoreinrichtung auftreffenden elektromagnetischen Strahlung PStr(t) der Strahlungsquelle bestimmt werden. Somit kann auch die mittlere Strahlungsleistung
der auf dem Material auftreffenden elektromagnetischen Strahlung bestimmt werden.

Insbesondere kann die Proportionalitätskonstante a derart gewählt werden, daß die mittlere Strahlungsleistung

als Absolutwert, beispielsweise in Watt, oder als relativer Wert bestimmbar ist. Die mittlere Strahlungsleistung kann jedoch auch auf die Größe der bestrahlten Fläche normiert werden.

Insbesondere ist es dadurch möglich, die mittlere Strahlungsleistung

in dem Zeitintervall von t0 bis t0 + &Dgr;t mit einer Sollstrahlungsleistung P SollStr zu vergleichen. Dabei kann die Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen die zur Belichtung des Materials benötigte Leistung darstellen und Abweichungen der Strahlungsleistung der Strahlungsquelle können durch Vergleichen des gemessenen Werts mit dem Sollstrahlungswert P SollStr leicht nachgewiesen und ggfs. ausgeglichen werden. Dabei können solche Abweichungen sowohl in Absolutwerten als auch als relative Abweichungen ermittelt werden.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Belichtungsvorrichtung der Erfindung umfaßt weiterhin eine Regelungseinrichtung, welche zum Regeln einer Ausgangsleistung der elektromagnetischen Strahlung der Strahlungsquelle ausgelegt ist, so daß eine Differenz einer mittleren Strahlungsleistung

elektromagnetischer Strahlung der Strahlungsquelle in dem Zeitintervall t1 bis t1 + &Dgr;t und der Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen minimiert ist, wobei t1 > t0 + &Dgr;t gilt.

Insbesondere ist es dadurch möglich, daß Schwankungen der Strahlungsleistung der Strahlungsquelle, welche beispielsweise durch eine Fehlfunktion der Strahlungsquelle bedingt sind, festgestellt werden. In diesem Zusammenhang wird auf die obigen Ausführungen zu dem erfindungsgemäßen Verfahren verwiesen.

Gemäß der Erfindung handelt es sich bei der Strahlungsquelle um eine EUV-Strahlungsquelle, d.h. um eine Strahlungsquelle mit einer elektromagnetischen Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm.

Besonders bevorzugt handelt es sich bei der EUV-Strahlungsquelle um eine gepulste EUV-Strahlungsquelle mit einer Pulsdauer von vorzugsweise 10 ns bis 500 ns und Repetitionsraten von vorzugsweise 1 kHz bis 10 kHz.

Die Reflektoreinrichtung der Belichtungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise Teil eines Steppers/Scanners einer EUV-Lithographie-Belichtungsvorrichtung sein, wie sie in der Halbleiterindustrie benutzt werden können. Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Belichtungsvorrichtung gemäß der Erfindung handelt es sich bei der Belichtungsvorrichtung um eine EUV-Lithographie-Belichtungsvorrichtung.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Belichtungsvorrichtung gemäß der Erfindung beträgt das vorbestimmte Zeitintervall 0,1 ms bis 10 ms, insbesondere 1 ms.

Aufgrund der geringen Größe des vorbestimmten Zeitintervalls &Dgr;t, insbesondere im Vergleich zu einer üblicherweise benutzten Belichtungszeit von im wesentlichen 0,1 s bis 1 s, entspricht die mittlere Strahlungsleistung der Strahlungsquelle im wesentlichen der tatsächlichen momentanen Strahlungsleistung.

Vorzugsweise handelt es sich bei der Teststrahlungsquelle der Belichtungsvorrichtung gemäß der Erfindung um einen He-Ne Laser oder einen Halbleiterlaser.

Es kann sich bei der Teststrahlungsquelle jedoch auch um eine andere Strahlungsquelle handeln, wobei vorzugsweise eine solche Strahlungsquelle ausgewählt wird, deren Strahlungsleistung möglichst genau bestimmt werden kann.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind eine Strahlrichtung der Strahlungsquelle und eine Strahlrichtung der Teststrahlungsquelle unter einem Winkel zueinander angeordnet.

Weiterhin vorzugsweise sind eine Strahlrichtung der Strahlungsquelle und eine Strahlrichtung der Teststrahlungsquelle unter einem Winkel zueinander angeordnet.

Besonders bevorzugt beträgt dieser Winkel im wesentlichen 0°.

Vorzugsweise sind in den Strahlengang Teststrahlungsquelle noch weitere optische Vorrichtungen eingefügt, wie z.B. ein &lgr;/4-Plättchen, so daß der einfallende Strahl von dem reflektierten Strahl der Teststrahlungsquelle unterschieden werden kann.

Weiterhin besonders bevorzugt liegt dieser Winkel zwischen 0° (im wesentlichen senkrechter Einfall) und 90° (im wesentlichen streifender Einfall) besonders bevorzugt zwischen 30° und 70°.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand begleitender Zeichnungen bevorzugter Ausführungsformen beispielhaft beschrieben. Es zeigt:

1: eine schematische Ansicht einer Belichtungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

2: eine Ausschnittsansicht der Ausführungsform von 1;

3: eine Draufsicht einer Reflektoreinrichtung einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

4a: einen beispielhaften zeitlichen Verlauf einer Strahlungsleistung PStr(t) einer intensitätsmodulierten elektromagnetischen Strahlung einer Strahlungsquelle;

4b: einen beispielhaften zeitlichen Verlauf einer Teststrahlungsleistung Ptest(t) einer reflektierten elektromagnetischen Strahlung einer Teststrahlungsquelle.

Anhand der Figuren wird beispielhaft eine Belichtungsvorrichtung einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung beschrieben.

1 zeigt in schematischer Schnittansicht eine von einer Maske 10 reflektierte elektromagnetische Strahlung 12 einer (nicht gezeigten) Strahlungsquelle. Diese elektromagnetische Strahlung 12 trifft auf eine erste, zweite, dritte und vierte Reflektoreinrichtung 14, 16, 18 und 20, bevor sie auf ein zu belichtendes Material 22 fällt. Die Struktur der Maske 10 wird dabei auf das zu belichtende Material 22 beispielsweise durch Durchleuchten der Maske bzw. Reflexion der elektromagnetischen Strahlung von der Maske übertragen. In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform wird die dritte Reflektoreinrichtung 18 vollständig von der elektromagnetischen Strahlung 12 bestrahlt. Weiterhin gezeigt ist eine einfallende elektromagnetische Strahlung 24 einer (in 2 gezeigten) Teststrahlungsquelle. Die einfallende elektromagnetische Strahlung 24 der Teststrahlungsquelle bestrahlt im wesentlichen die gleiche Fläche der dritten Reflektoreinrichtung 18, welche auch durch die elektromagnetische Strahlung 12 der Strahlungsquelle bestrahlt wird. Die reflektierte Teststrahlungsleistung einer von der dritten Reflektoreinrichtung 18 reflektierten elektromagnetischen Strahlung 26 der Teststrahlungsquelle kann durch eine Meßeinrichtung (gezeigt in 2) gemessen werden.

Da sich Reflektivitäten der jeweiligen Reflektoreinrichtungen 14, 16, 18 und 20 während einer Belichtungsdauer im wesentlichen nicht ändern, ist die Strahlungsleistung PStr(t) der auf die dritte Reflektoreinrichtung 18 gestrahlten elektromagnetischen Strahlung im wesentlichen proportional zu dem gemessenen mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil

der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten elektromagnetischen Strahlung 26 der Teststrahlungsquelle. Geht man weiterhin davon aus, daß die Reflektivität der vierten Reflektoreinrichtung 20 bzw. eine Transmissivität eines (nicht gezeigten) Mediums zwischen der dritten und vierten Reflektoreinrichtung 18, 20 bzw. eine Transmissivität eines Mediums (nicht gezeigt) zwischen der vierten Reflektoreinrichtung 20 und dem zu belichtenden Material 22 bekannt sind und sich diese Reflektivitäten bzw. Transmissivitäten jeweils im wesentlichen über den Zeitraum der Belichtungsdauer nicht ändern, so kann die mittlere Strahlungsleistung
der auf dem zu belichtenden Material 22 auftreffenden elektromagnetischen Strahlung 12 aus dem gemessenen mittleren mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil
der reflektierten Testleistung Ptest(t) der reflektierten elektromagnetischen Strahlung 26 bestimmt werden.

Insbesondere kann auch eine Proportionalitätskonstante mit einem Testmaterial, wie z.B. einem Testwafer (nicht gezeigt) bestimmt werden, so daß es möglich ist, sowohl die absolute Strahlungsleistung als auch die relative Strahlungsleistung der auf dem zu belichtenden Material 22 auftreffenden elektromagnetischen Strahlung 12 zu bestimmen. Insbesondere ist es möglich, durch sukzessives Bestimmen der Strahlungsleistung PStr(t) der auf dem zu belichtenden Material 22 auftreffenden elektromagnetischen Strahlung 12 Schwankungen einer Leistungsabgabe bzw. einer Ausgangsleistung der Strahlungsquelle festzustellen bzw. so zu regeln, daß diese Schwankungen ausgeglichen werden. Weiterhin ist es möglich, die Strahlungsleistung PStr(t) der auf dem zu belichtenden Material 22 auftreffenden elektromagnetischen Strahlung 12 an einen gewünschten Sollwert anzupassen.

2 zeigt einen schematisierten Ausschnitt der Schnittansicht von 1 mit der dritten Reflektoreinrichtung 18. Schematisch dargestellt ist ferner die elektromagnetische Strahlung 12, welche ein Temperaturprofil in der dritten Reflektoreinrichtung 18 moduliert, die einfallende und reflektierte elektromagnetische Strahlung 24, 26, eine Teststrahlungsquelle 28 und ein Meßgerät 30 zum Messen des mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils

der Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung 26.

Die einfallende elektromagnetische Strahlung 24 der Teststrahlungsquelle 28 wird von der dritten Reflektoreinrichtung 18 reflektiert. Die Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung 26 wird mit einer Meßeinrichtung 30 gemessen, wobei die Meßeinrichtung 30 so ausgelegt ist, den mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteil

der Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Strahlung 26 zu messen. Anhand des modulierten Leistungsanteils
bzw. des mittleren modulierten Leistungsanteils
der Teststrahlungsleistung der reflektierten Strahlung 26 kann die Leistung PStr(t) bzw. die mittlere Leistung
der Strahlungsquelle bestimmt werden.

3 zeigt eine Draufsicht der dritten Reflektoreinrichtung 18 mit einer Fläche 32 auf der elektromagnetischen Strahlung 12der (nicht gezeigten) Strahlungsquelle auftrifft. Ferner ist eine Fläche 34 gezeigt, auf welche die einfallende elektromagnetische Strahlung 24 der (nicht gezeigten) Teststrahlungsquelle auftrifft, und auch davon reflektiert wird. Wie aus 2 ersichtlich, entspricht die von der elektromagnetischen Strahlung 12 bestrahlte Fläche 32 nicht der vollständigen Fläche der dritten Reflektoreinrichtung 18, sondern lediglich einem Teil davon. Ferner entspricht die von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung 24 der Teststrahlungsquelle bestrahlte Fläche 34 der dritten Reflektoreinrichtung 18 weder der gesamten Fläche der dritten Reflektoreinrichtung 18 noch der Fläche 32, welche von der elektromagnetischen Strahlung 12 bestrahlt wird. Es ist daher nötig, um die mittlere Strahlungsleistung der elektromagnetischen Strahlung 12 der Strahlungsquelle zu ermitteln, die Flächenverhältnisse der von der elektromagnetischen Strahlung 12 bestrahlten Fläche 32 und der von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung 24 der Teststrahlungsquelle bestrahlten Fläche 34, sowie eine gemeinsame Fläche, welche sowohl von der elektromagnetischen Strahlung 12 als auch von der einfallenden elektromagnetischen Strahlung 24 bestrahlt wird, in die Berechnung der mittleren Strahlungsleistung der elektromagnetischen Strahlung 12 aufzunehmen.

4a zeigt einen beispielhaften Verlauf der mit einer Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Strahlungsleistung PStr(t) der Strahlungsquelle 12 in Abhängigkeit von der Zeit t. Ferner umfaßt in der Ausführungsvariante der 4a das Zeitintervall &Dgr;t im wesentlichen 9 Modulationsperioden.

4b zeigt einen Verlauf der Teststrahlungsleistung Ptest(t) der reflektierten Teststrahlung 26 der Teststrahlungsquelle 28 in Abhängigkeit von der Zeit t. Dargestellt ist in 4b die im wesentlichen konstante Teststrahlungsleistung Ptest,konst der einfallenden Strahlung 24 der Teststrahlungsquelle 28, welche nach Reflexion von der dritten Reflektoreinrichtung 18 durch den modulierten Temperaturverlauf bzw. die modulierte Elektron/Loch-Plasmadichte in der dritten Reflektoreinrichtung 18 im wesentlichen mit der Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitäts- bzw. leistungsmoduliert ist. Ändert sich der Verlauf (4a) der Strahlungsleistung PStr(t) der Strahlungsquelle, so ändert sich auch das Temperaturprofil bzw. der Verlauf der Elektron/Loch-Plasmadichte in der dritten Reflektoreinrichtung 18. Das veränderte Temperaturprofil bzw. der veränderte Verlauf der Elektron/Loch-Plasmadichte beeinflußt die Reflektivität der dritten Reflektoreinrichtung 18, wodurch sich der Verlauf des modulierten Leistungsanteils

der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) der Strahlung 26 der Teststrahlungsquelle 28 ändert. Diese Änderung des modulierten Leistungsanteils
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) der Strahlung 26 kann durch die Meßeinrichtung 30 gemessen werden und folglich die Strahlungsleistung PStr(t) aufgrund der Beziehung zwischen dem mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) und der Strahlungsleistung PStr(t) bestimmt werden. Analog zu 4a umfaßt das Zeitintervall &Dgr;t im wesentlichen 9 Modulationsperioden.

Die Erfindung ist nicht auf die oben beispielhaft beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr kann die Anordnung der Reflektoreinrichtungen bzw. die Anzahl der Reflektoreinrichtungen variieren. So können anstelle der oben beschrieben vier Reflektoreinrichtungen beispielsweise auch sechs, acht oder eine andere Anzahl von Reflektoreinrichtungen verwendet werden. Entsprechend ist es nicht notwendig für die Erfindung, daß der Teststrahl auf die dritte Reflektoreinrichtung auftrifft und von dieser reflektiert wird.

Vielmehr kann der Teststrahl auch auf die erste, zweite oder vierte Reflektoreinrichtung auftreffen. Bei einer größeren Anzahl von Reflektoreinrichtungen kann der Teststrahl entsprechend auch auf eine beliebige andere Reflektoreinrichtung auftreffen.

10
Maske
12
elektromagnetische Strahlung
14
erste Reflektoreinrichtung
16
zweite Reflektoreinrichtung
18
dritte Reflektoreinrichtung
20
vierte Reflektoreinrichtung
22
zu belichtendes Material
24
einfallende elektromagnetische Strahlung
26
reflektierte elektromagnetische Strahlung
28
Teststrahlungsquelle
30
Meßeinrichtung
32
Fläche
34
Fläche


Anspruch[de]
Verfahren zum Ermitteln einer mittleren Strahlungsleistung
einer mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierten elektromagnetischen Strahlung (12) einer Strahlungsquelle in einem vorbestimmten Zeitintervall t0 bis t0 + &Dgr;t umfassend die Schritte

– Bereitstellen einer Reflektoreinrichtung (14, 16, 18, 20), welche ausgelegt ist, elektromagnetische Strahlung (12) der Strahlungsquelle und elektromagnetische Strahlung (24) einer Teststrahlungsquelle (28) zu reflektieren;

– Bestrahlen einer vorbestimmten Fläche (32) der Reflektoreinrichtung (18) mit der elektromagnetischen Strahlung (12) der Strahlungsquelle;

– zumindest teilweise Bestrahlen der Fläche (32) der Reflektoreinrichtung (18) mit elektromagnetischer Strahlung (24) der Teststrahlungsquelle;

– Messen eines mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
einer reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) einer von der Fläche (32) reflektierten elektromagnetischen Strahlung (26) der Teststrahlungsquelle in dem vorbestimmten Zeitintervall;

– Ermitteln eines Mittelwertes
des gemessenen mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) in dem vorbestimmten Zeitintervall;

– Ermitteln der mittleren Strahlungsleistung
aus der
wobei a eine vorbestimmte oder vorbestimmbare Konstante ist und wobei

es sich bei der Strahlungsquelle um eine EUV-Strahlungsquelle handelt.
Verfahren nach Anspruch 1, umfassend den weiteren Schritt:

– Regeln einer Ausgangsleistung der Strahlungsquelle derart, daß eine Differenz einer mittleren Strahlungsleistung
elektromagnetischer Strahlung (12) der Strahlungsquelle in einem Zeitintervall t1 bis t1 + &Dgr;t und einer Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen minimiert ist, wobei t1 > t0 + &Dgr;t gilt.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge wiederholt durchgeführt werden. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das vorbestimmte Zeitintervall 0,1 ms bis 10 ms, insbesondere 1 ms groß ist. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei es sich bei der Teststrahlungsquelle um einen He-Ne Laser oder einen Halbleiterlaser mit im wesentlichen konstanter Teststrahlungsleistung handelt. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei eine Strahlrichtung der Strahlungsquelle und eine Strahlrichtung der Teststrahlungsquelle unter einem Winkel zueinander angeordnet sind. Verfahren nach Anspruch 6, wobei dieser Winkel im wesentlichen 0° beträgt. Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Winkel vorzugsweise zwischen im wesentlichen 0° und im wesentlichen 90°, besonders bevorzugt zwischen 30° und 70° beträgt. Belichtungsvorrichtung zum Belichten eines Materials (22) mit elektromagnetischer Strahlung (12), umfassend:

– eine Strahlungsquelle, welche ausgelegt ist, eine mit Modulationsfrequenz &ohgr;0 intensitätsmodulierte elektromagnetische Strahlung (12) zu erzeugen;

– eine Teststrahlungsquelle, welche ausgelegt ist, elektromagnetische Strahlung (24) zu erzeugen;

– eine Reflektoreinrichtung (14, 16, 18, 20), welche ausgelegt ist, sowohl die elektromagnetische Strahlung (12) der Strahlungsquelle als auch die elektromagnetische Strahlung (24) der Teststrahlungsquelle zu reflektieren;

– eine Meßeinrichtung (30), welche zum Messen eines mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
einer reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) einer von der Reflektoreinrichtung reflektierten elektromagnetischen Strahlung (26) der Teststrahlungsquelle ausgelegt ist; und

– eine Ermittelungseinrichtung, welche ausgelegt ist, einen Mittelwert
des gemessenen mit &ohgr;0 modulierten Leistungsanteils
der reflektierten Teststrahlungsleistung Ptest(t) in dem vorbestimmten Zeitintervall zu ermitteln und die mittlere Strahlungsleistung
aus der Beziehung
zu ermitteln, wobei a eine vorbestimmte oder vorbestimmbare Konstante ist und wobei

es sich um eine EUV-Lithographie-Belichtungsvorrichtung handelt.
Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 9, weiterhin umfassend eine Regelungseinrichtung, welche zum Regeln einer Ausgangsleistung der elektromagnetischen Strahlung (12) der Strahlungsquelle ausgelegt ist, derart, daß eine Differenz einer mittleren Strahlungsleistung
elektromagnetischer Strahlung (12) der Strahlungsquelle in einem Zeitintervall t1 bis t1 + &Dgr;t und einer Sollstrahlungsleistung P SollStr im wesentlichen minimiert ist, wobei t1 > t0 + &Dgr;t gilt.
Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei das vorbestimmte Zeitintervall 0,1 ms bis 10 ms, insbesondere 1 ms groß ist. Belichtungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei es sich bei der Teststrahlungsquelle um einen He-Ne Laser oder einen Halbleiterlaser handelt, welcher jeweils ausgelegt ist, Strahlung mit einer im wesentlichen konstanten Teststrahlungsleistung auszustrahlen. Belichtungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei eine Strahlrichtung der Strahlungsquelle und eine Strahlrichtung der Teststrahlungsquelle unter einem Winkel zueinander angeordnet sind. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, wobei dieser Winkel im wesentlichen 0° beträgt. Belichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Winkel vorzugsweise zwischen im wesentlichen 0° und im wesentlichen 90°, besonders bevorzugt zwischen 30° und 70° beträgt.






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