PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE112005002032T5 27.09.2007
Titel Lumineszenzvorrichtung auf GaN-Basis auf einem Metallsubstrat
Anmelder Sumitomo Chemical Co., Ltd., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Ono, Yoshinobu, Ibaraki, JP;
Yamanaka, Sadanori, Tsukuba, Ibaraki, JP
Vertreter Henkel, Feiler & Hänzel, 80333 München
DE-Aktenzeichen 112005002032
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, EP, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, OA, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, AP, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, EA, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM
WO-Anmeldetag 30.08.2005
PCT-Aktenzeichen PCT/JP2005/016191
WO-Veröffentlichungsnummer 2006025571
WO-Veröffentlichungsdatum 09.03.2006
Date of publication of WO application in German translation 27.09.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.09.2007
IPC-Hauptklasse H01L 33/00(2006.01)A, F, I, 20070302, B, H, DE

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtungen.

Da Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtungen, die eine GaN-Schicht umfassen, wie blaue LEDs, breit verwendet werden, sind Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtungen, die eine größere Lumineszenzausbeute aufweisen, erforderlich.

In einer herkömmlichen Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung werden eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf einem Zuchtsubstrat, das aus elektrisch isolierendem Saphir besteht, angebracht und zwei Elektroden auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht angebracht. Im Falle einer herkömmlichen Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung behindern zwei lichtundurchlässige Elektroden, die auf einer lumineszierenden Oberfläche angebracht sind, Lumineszenzlicht, wodurch die Lumineszenzausbeute verringert wird, wobei die lumineszierende Oberfläche die eine der zwei Oberflächen der Verbindungshalbleiterfunktionschicht ist, die entgegengesetzt zum Saphirzuchtsubstrat liegt.

Daher wurde eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung vorgeschlagen (siehe beispielsweise Patentdokument 1), die eine Struktur aufweist, die aus einem elektrisch leitenden Substrat (Wärmeausdehnungskoeffizient 16,2 × 10–6/°C), das aus Cu besteht, einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, und einer Elektrode, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, besteht. Bei einer derartigen Struktur kann eine andere Elektrode auf der der einen Oberfläche des elektrisch leitenden Substrats, auf der die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht angebracht ist, entgegengesetzten Oberfläche angebracht werden oder das elektrisch leitende Substrat kann die Rolle der anderen Elektrode spielen; daher kann nur eine einzige Elektrode auf der lumineszierenden Oberfläche angebracht werden.

Die EP 1385215 A2 (Patentdokument 2) beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Nitridhalbleitervorrichtung, die mindestens eine oder mehrere p-Nitridhalbleiterschichten, eine aktive Schicht mit einer Quantentopfstruktur, die mindestens eine Topfschicht, die aus AlaInbGa1-a-bN (0 ≤ a ≤ 1, 0 ≤ b ≤ 1, a + b ≤ 1) besteht, und eine Barrierenschicht, die aus AlcIndGa1-c-dN (0 ≤ c ≤ 1, 0 ≤ d ≤ 1, c + d ≤ 1) besteht, umfasst, und eine oder mehrere n-Nitridhalbleiterschichten auf einer Hauptoberfläche eines zwei entgegengesetzte Hauptoberflächen aufweisenden Substrats aufweist, wobei das Verfahren das Züchten mindestens einer n-Nitridhalbleiterschicht, einer aktiven Schicht und einer p-Nitridhalbleiterschicht auf einer Hauptoberfläche eines Zuchtsubstrats, das zwei entgegengesetzte Hauptoberflächen aufweist und einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als die oben beschriebenen n- und p-Nitridhalbleiterschichten aufweist, unter Bildung eines Bindungslaminats und das Anbringen einer ersten Bindungsschicht, die aus einer oder mehreren Metallschichten besteht, auf der oben beschriebenen p-Nitridhalbleiterschicht, während eine zweite Bindungsschicht, die aus einer oder mehreren Metallschichten besteht, auf einer Hauptoberfläche eines Substrats, das zwei entgegengesetzte Hauptoberflächen aufweist und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der größer als die der oben beschriebenen n- und p-Nitridhalbleiterschichten ist und gleich dem des oben beschriebenen Zuchtsubstrats oder kleiner als dieser ist, aufweist, angebracht wird, das Bewirken, dass die erste Bindungsschicht und die zweite Bindungsschicht einander gegenüberliegen, zum Verbinden des Bindungslaminats mit dem oben beschriebenen Substrat durch Druckverschweißen unter Hitze, und das Entfernen des Zuchtsubstrats von dem oben beschriebenen Bindungslaminat umfasst. Jedoch wird eine noch höhere Lumineszenzausbeute gefordert, d.h. eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung gefordert, die ein aus Metall bestehendes elektrisch leitendes Substrat verwendet, eine GaN-Schicht umfasst und eine noch höhere Lumineszenzausbeute aufweist.

  • [Patentdokument 1] JP-A-2004-47704
  • [Patentdokument 2] EP 1385215 A2

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die ein ein Metall umfassendes elektrisch leitendes Substrat verwendet, eine GaN-Schicht umfasst und eine hohe Lumineszenzausbeute aufweist.

Zur Lösung der im vorhergehenden genannten Probleme untersuchten die Erfinder der vorliegenden Erfindung intensiv Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtungen, die jeweils ein ein Metall umfassendes elektrisch leitendes Substrat verwenden und eine GaN-Schicht umfassen und sie gelangten so zur vorliegenden Erfindung.

Das heißt, die vorliegende Erfindung betrifft:

  • [1] eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie

    ein elektrisch leitendes Substrat,

    eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

    eine Elektrode,

    eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

    eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst,

    wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist und
  • [2] eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie

    ein elektrisch leitendes Substrat,

    eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

    eine Elektrode,

    eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

    eine Bindungsschicht in dieser Reihenfolge aufweist,

    wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist.

    Die vorliegende Erfindung betrifft ferner:
  • [3] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach [1] oder [2], wobei das oben beschriebene Metallmaterial hauptsächlich aus einem oder mehreren Bestandteilen besteht, die aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir, Ru, Os und Nb ausgewählt sind;
  • [4] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach [1] oder [2], wobei das oben beschriebene Metallmaterial eines ist, das aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir, Ru, Os und Nb ausgewählt ist;
  • [5] eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die

    ein elektrisch leitendes Substrat,

    eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

    eine Elektrode,

    eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

    eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst,

    wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist;
  • [6] eine Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die

    ein elektrisch leitendes Substrat,

    eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

    eine Elektrode,

    eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

    eine Bindungsschicht in dieser Reihenfolge aufweist,

    wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist;
  • [7] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach [5] oder [6], wobei das Metallmaterial hauptsächlich aus einem oder mehreren Bestandteilen besteht, die aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt sind;
  • [8] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach [5] oder [6], wobei das Metallmaterial eines ist, das aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt ist;
  • [9] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Punkte [1] bis [8], wobei die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, mindestens eine elektrisch leitende Schicht des n-Typs, eine Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einer Lumineszenzschicht und eine elektrisch leitende Schicht des p-Typs in dieser Reihenfolge aufweist;
  • [10] die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Punkte [1] bis [9], wobei die Adhäsionsverstärkungsschicht ein aus TiPt bestehendes Metallmaterial ist und die Bindungsschicht ein aus AuSn bestehendes Metallmaterial ist;
  • [11] ein Verfahren zur Herstellung der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Punkte [1] bis [10], das dadurch gekennzeichnet ist, dass es

    (1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf ein Zuchtsubstrat zur Bildung eines Laminats 1;

    (2) die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 unter Bildung eines Laminats 2;

    (3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5; oder

    die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5;

    (4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 5 unter Bildung eines Laminats 6 und

    (5) die Stufe der Vorrichtungsteilung des in der oben beschriebenen Stufe 4 erhaltenen Laminats 6, in dieser Reihenfolge aufweist;
  • [12] ein Verfahren zur Herstellung der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Punkte [1] bis [10], das dadurch gekennzeichnet ist, dass es

    (1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf einem Zuchtsubstrat unter Bildung eines Laminats 1;

    (2) die Stufe der Bildung einer Vorrichtungstrennkerbe in der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Verbindungshalbleiterfunktionsschicht unter Bildung eines Laminats 7; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht und der Elektrode und des Stapelns einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Elektrode unter Bildung eines Laminats 8; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode und einer Adhäsionsverstärkungsschicht in dieser Reihenfolge auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Elektrode und Adhäsionsverstärkungsschicht und des Stapelns einer Bindungsschicht auf der getrennten Adhäsionsverstärkungsschicht unter Bildung eines Laminats 9; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Adhäsionsverstärkungsschicht und Bindungsschicht unter Bildung eines Laminats 10;

    (3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11; oder

    die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Stubstrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11;

    (4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 11 unter Bildung eines Laminats 12 und

    (5) die Stufe des Zerschneidens des Laminats 12 längs der in der oben beschriebenen Stufe (2) gebildeten Vorrichtungstrennkerbe;

    in dieser Reihenfolge aufweist;
  • [13] das Verfahren nach [11] oder [12], wobei die oben beschriebene Stufe (1) die Stufe des Stapelns von mindestens einer elektrisch leitenden Schicht des n-Typs, einer Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einer Lumineszenzschicht und einer elektrisch leitenden Schicht des p-Typs in dieser Reihenfolge auf ein Zuchtsubstrat ist; und
  • [14] das Verfahren nach einem der Punkte [11] bis [13], wobei das Metallmaterial spiegelglanzoberflächenpoliert ist.

Da die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung eine höhere Lumineszenzausbeute als die herkömmlichen Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtungen zeigt, kann sie günstigerweise nicht nur für Innenanzeigezwecke, sondern auch für Verwendungszwecke, die eine hohe Lumineszenzausbeute erfordern, beispielsweise für Beleuchtung, Außenanzeige, Anzeigeeinheiten und Ampeln, verwendet werden und sie ist daher gewerblich sehr gut anwendbar.

Die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie ein elektrisch leitendes Substrat, eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, eine Elektrode, eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst, wobei das elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist, zeigt.

Die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie ein elektrisch leitendes Substrat, eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, eine Elektrode, eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht in dieser Reihenfolge aufweist, wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist, zeigt.

Wenn ein elektrisch leitendes Substrat, das ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist, zeigt, als elektrisch leitendes Substrat, das ein Metallmaterial umfasst, verwendet wird, wird die Lumineszenzausbeute einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die das elektrisch leitende Substrat, eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, und eine Elektrode, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst, erhöht.

Der Wärmeausdehnungskoeffizient von GaN beträgt 5,59 × 10–6/°C (bei 300 K in der zur c-Ebene des Kristalls senkrechten Richtung); daher liegt in der vorliegenden Erfindung der Wärmeausdehnungskoeffizient, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist, im Bereich von 4,1 × 10–6 bis 7,1 × 10–6/°C. In diesem Fall besteht die Tendenz zu einer Erhöhung der Lumineszenzausbeute der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung. Vorzugsweise beträgt der Unterschied des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Metallmaterial für das elektrisch leitende Substrat und GaN 1,2 × 10–6/°C oder weniger (d.h. der Wärmeausdehnungskoeffizient liegt in der vorliegenden Beschreibung in einem Bereich von 4,4 × 10–6 bis 6,8 × 10–6/°C). Ferner ist der Wärmeausdehnungskoeffizient in der vorliegenden Erfindung ein linearer Wärmeausdehnungskoeffizient bei 300 K (23°C).

Materialien für das elektrisch leitende Substrat, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist, zeigen, umfassen speziell ein Metallmaterial, das hauptsächlich aus einem oder mehreren Bestandteilen, die aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir, Ru, Os und Nb ausgewählt sind, besteht (hierin im folgenden als „Zusammensetzung A" bezeichnet). Die Wärmeausdehnungskoeffizienten der oben beschriebenen Metallelemente betragen 4,5, 5,1, 5,9, 6,5, 6,5, 6,6, 6,8, 7,0 bzw. 7,1 mit der Einheit 10–6/°C; von den oben beschriebenen Metallelementen sind eines oder mehrere, die aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir und Ru ausgewählt sind, noch günstiger, da die Wärmeausdehnungskoeffizienten derselben von dem von GaN um 1,2 × 10–6/°C oder weniger verschieden sind. Ferner sind ein oder mehrere Elemente, die aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt sind, noch günstiger und Mo noch besser. Um das elektrisch leitende Substrat mit geringen Kosten einfach herzustellen, werden vorzugsweise nur einige Materialien gewählt und noch günstiger nur ein Material aus der Gruppe der Zusammensetzung A gewählt. Darüber hinaus umfassen die Metallelemente in der vorliegenden Erfindung kein Element, das unter die Kategorie eines Halbmetalls (wie Si und Ge) fällt.

Das elektrisch leitende Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung kann zusammen mit der Komponente A einen oder mehrere Bestandteile umfassen, die aus der Gruppe von Si, Ge, Cr, Ti, Rh, Pt, V, Pd, Ni, Co, Fe, Au, Zr, Bi, Cu, Sb, Ag, Mn, Al, Mg, Sn, Cd, Ga, Zn, In, Y, Re, Sr, Ba, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und Lu (im folgenden als „Komponente B" bezeichnet) ausgewählt sind, sofern der Wärmeausdehnungskoeffizient den oben beschriebenen Bereich nicht übersteigt. Das elektrisch leitende Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung besteht vorzugsweise nur aus der Komponente A. Ferner können andere Elemente als die Komponenten A und B auch als beiläufige Verunreinigungen in dem elektrisch leitenden Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten sein. Die Konzentration der beiläufigen Verunreinigungen beträgt normalerweise 100 ppm, bezogen auf das Gewicht, oder weniger, ausgedrückt als die Konzentration jedes Elements.

Ein elektrisch leitendes Substrat, das ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist, aufweist, wird als elektrisch leitendes Substrat, das ein Metallmaterial umfasst, vorzugsweise verwendet, da die Lumineszenzausbeute einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die das elektrisch leitende Substrat, eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, eine Elektrode, eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst, aus unbekannten Gründen weiter erhöht ist.

Als das elektrisch leitende Substrat, das ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist, aufweist, können eines oder mehrere, die aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt sind, genannt werden. Um das elektrisch leitende Substrat mit geringen Kosten einfach herzustellen, werden vorzugsweise nur einige Materialien gewählt, noch günstiger nur ein Material gewählt und noch besser Mo gewählt.

Ferner beträgt die elektrische Leitfähigkeit des elektrisch leitenden Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung vorzugsweise 3 × 104 Scm–1 oder mehr und noch besser 3 × 106 Scm–1 oder mehr. Die Obergrenze der elektrischen Leitfähigkeit ist nicht speziell beschränkt, jedoch beträgt sie normalerweise etwa 1 × 106 Scm–1.

Das elektrisch leitende Substrat wird in Bezug auf die Oberflächenrauheit vorzugsweise spiegelglanzoberflächenpoliert, um das Substrat leicht mit der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht zu verbinden bzw. zu verkleben. Die Oberflächenrauheit beträgt vorzugsweise 1000 Å oder weniger, noch günster 200 Å oder weniger und noch besser 100 Å oder weniger.

Bei einem zu dünnen elektrisch leitenden Substrat treten beispielsweise Schädigungen, wie Risse, auf und ein zu dickes elektrisch leitendes Substrat beinhaltet beispielsweise hohe Materialkosten. Daher weist das elektrisch leitende Substrat eine Dicke von typischerweise 10 &mgr;m bis 2 mm, vorzugsweise 10 bis 500 &mgr;m und noch besser 30 bis 200 &mgr;m auf.

Als die Elektrode, die in der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung enthalten ist, kann eine üblicherweise verwendete p-Elektrode, die aus einem Metall wie Au, Pt, Pd, Ni/Au, Ni/ITO, ITO/Ag oder Au-Teilchen/Pt/Ag besteht und eine üblicherweise verwendete n-Elektrode, die aus einem Metall wie ITO, ZnO, Al oder Ti/Al besteht, verwendet werden.

Die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die in der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung enthalten ist, bezeichnet einen mehrlagigen Film, der für den Betrieb der Lumineszenzvorrichtung notwendig ist; der mehrlagige Film besteht vorzugsweise aus mindestens einer elektrisch leitenden Schicht des n-Typs, einer elektrisch leitenden Schicht des p-Typs und einer Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einer Lumineszenzschicht, die zwischen der elektrisch leitenden Schicht des n-Typs und der elektrisch leitenden Schicht des p-Typs eingefügt ist; wobei in einigen Fällen eine Einzelschicht oder mehrere Schichten, die notwendig sind, um den mehrlagigen Film als Kristall hoher Qualität herzustellen, in der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht enthalten sein können. Der mehrlagige Film, der zum Betrieb der Lumineszenzvorrichtung notwendig ist, bezeichnet speziell einen mehrlagigen Film, der eine elektrisch leitende Schicht des n-Typs, eine elektrisch leitende Schicht des p-Typs und einen mehrlagigen Film mit einer Lumineszenzschicht, der zwischen die elektrisch leitende Schicht des n-Typs und die elektrisch leitende Schicht des p-Typs eingefügt ist, umfasst. Die elektrisch leitende Schicht des n-Typs kann aus einer Mehrzahl von Schichten bestehen, die aus einer Kontaktschicht des n-Typs, einer n-Plattierungsschicht und dgl. bestehen; in ähnlicher Weise kann die elektrisch leitende Schicht des p-Typs aus einer Mehrzahl von Schichten bestehen, die aus einer p-Kontaktschicht, einer p-Plattierungsschicht und dgl. bestehen. Die Einzelschicht oder die mehreren Schichten, die zur Herstellung des mehrlagigen Films als Kristall hoher Qualität notwendig sind, bezeichnen eine Pufferschicht, eine Schicht eines dicken Films, eine Übergitterdünnschicht und dgl. Die Struktur von normalerweise verwendeten Verbindungshalbleiterfunktionsschichten besteht darin, dass eine Pufferschicht, die aus GaN, AlN oder dgl. besteht, eine Plattierungsschicht, die aus n-GaN, n-AlGaN oder dgl. besteht, eine Lumineszenzschicht, die aus InGaN, GaN oder dgl. besteht, eine Plattierungsschicht, die aus undotiertem GaN, p-GaN oder dgl. besteht, eine Deckschicht, die aus Mg-dotiertem AlGaN oder Mg-dotiertem GaN besteht, aufeinanderfolgend gestapelt sind (siehe beispielsweise JP-A-6-260682, JP-A-7-15041, JP-A-9-64419 und JP-A-9-36430).

Das Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung wird im folgenden erklärt.

Das Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass es

  • (1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf ein Zuchtsubstrat zur Bildung eines Laminats 1;
  • (2) die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 unter Bildung eines Laminats 2;
  • (3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5 oder

    die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5;
  • (4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 5 unter Bildung eines Laminats 6 und
  • (5) die Stufe der Vorrichtungsteilung des in der oben beschriebenen Stufe 4 erhaltenen Laminats 6, in dieser Reihenfolge aufweist.

Als erstes wird eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht gemäß der obigen Beschreibung durch ein MOCVD-Verfahren epitaxial auf einem Zuchtsubstrat aufwachsen gelassen, wobei ein Laminat 1 produziert wird.

Als Zuchtsubstrat zur Kristallzüchtung kann ein üblicherweise bekanntes Zuchtsubstrat verwendet werden. Als Zuchtsubstrat zur Züchtung eines Nitridhalbleiters wird ein aus Saphir, SiC oder Si bestehendes Zuchtsubstrat genannt.

Beispielsweise wird bei dem MOCVD-Verfahren durch Erhitzen des Zuchtsubstrats und Zuführen eines Stickstoffausgangsmaterialgases, Galliumausgangsmaterialgases, Aluminiumausgangsmaterialgases, Indiumausgangsmaterialgases oder dgl. der Kristall einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht gezüchtet (siehe beispielsweise JP-A-7-249795 und JP-A-9-116130). Als das Stickstoffausgangsmaterialgas wird typischerweise Ammoniak (NH3) verwendet. Als das Galliumausgangsmaterialgas, das Aluminiumausgangsmaterialgas und das Indiumausgangsmaterialgas wird typischerweise eine trialkylierte Verbindung oder trihydrierte Verbindung verwendet, wobei jedes Metallatom mit einer Alkylgruppe mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen oder mit Wasserstoff gekoppelt ist.

Danach wird ein elektrisch leitendes Substrat an die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht gebunden, wobei das elektrisch leitende Substrat das oben beschriebene Metallmaterial umfasst und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist. Zur Verbindung können Verfahren, die typischerweise in der Industrie verwendet werden, wie Thermokompressionsbonding und Metalllötverklebung, verwendet werden.

Hierbei werden eine Elektrode, eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht gestapelt. Die Adhäsionsverstärkungsschicht verbessert die Adhäsion zwischen der Elektrode und dem elektrisch leitenden Substrat und sie verhindert eine Interdiffusion zwischen diesen, die während eines Prozesses wie der Verbindung auftreten kann und die Wirkung einer Beeinträchtigung der Funktion der Elektrode und dgl. hat.

Als die Adhäsionsverstärkungsschicht kann eine Kombination von einem oder mehreren Bestandteilen, die aus der Gruppe von Cr, Ti, Ni und V ausgewählt sind, mit einem oder mehreren Bestandteilen, die aus der Gruppe von W, Mo, Pt, Ag und Cu ausgewählt sind, genannt werden. Ti/Pt (beispielsweise ein Laminat von einem Ti-Abscheidungsfilm und einem Pt-Abscheidungsfilm) ist aufgrund von dessen hoher Wirkung als Adhäsionsverstärkungsschicht besonders bevorzugt.

Obwohl die Adhäsionsverstärkungsschicht nach Bedarf mit Wärme behandelt werden kann, können Risse oder dgl. in dem Metall der Elektrode oder dgl. auftreten, in denen sich das Metall durch die Wärmebehandlung als Kugeln aggregiert (zusammenballt), was die Funktion der Adhäsionsverstärkungsschicht beeinträchtigt. Ti/Pt wird im Hinblick darauf vorzugsweise verwendet, da eine LED mit hoher Lumineszenzausbeute produziert werden kann, während das Auftreten von Rissen oder dgl. unterdrückt wird und eine Beeinträchtigung der Funktion der Adhäsionsverstärkungsschicht verhindert wird.

Eine zu dünne Adhäsionsverstärkungsschicht führt beispielsweise zu einer Beeinträchtigung der oben beschriebenen Funktion und eine zu dicke Adhäsionsverstärkungsschicht beinhaltet beispielsweise hohe Materialkosten. Daher weist die Adhäsionsverstärkungsschicht eine Dicke von typischerweise 10 bis 50000 Å, vorzugsweise 100 bis 10000 Å und noch besser etwa 500 bis 2000 Å auf. Eine derartige Adhäsionsverstärkungsschicht wird vorzugsweise auch auf dem elektrisch leitenden Substrat produziert. Verschiedene bekannte Verfahren werden als Verfahren zum Anbringen der Adhäsionsverstärkungsschicht verwendet, doch ist ein Vakuumabscheidungsverfahren bevorzugt.

Als die Bindungsschicht kann ein Bestandteil oder eine Kombination von zwei oder mehreren Bestandteilen, die aus der Gruppe von Sn, In, Pb, Cu, Bi, Ga, Ag, Au, Zn, Ge, Si, Al, Cd, Sb, Tl, Fe und Pd ausgewählt sind, genannt werden. Die Bindungsschicht ist im Hinblick auf den Umweltschutz vorzugsweise Pb-frei und noch günstiger Au-Sn. Noch besser ist die Bindungsschicht Au-reiches Au-Sn (beispielsweise Au 80%-Sn 20%), das mit einem gesamten Wafer gleichförmig bei einer niedrigen Temperatur von etwa 300°C oder weniger verbunden werden kann.

Eine zu dünne Bindungsschicht kann beispielsweise nicht verbunden werden und eine zu dicke Bindungsschicht beinhaltet beispielsweise hohe Materialkosten. Daher weist die Bindungsschicht eine Dicke von typischerweise 100 bis 50000 Å, vorzugsweise 1000 bis 50000 Å und noch besser etwa 5000 bis 30000 Å auf. Die Dicke hängt auch von der Oberflächenrauheit der Bindungsoberfläche ab.

Die Kombination der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, der Elektrode, der Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht ist vorzugsweise eine Kombination der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, der Elektrode, von Ti, Pt und Au-Sn, die die Herstellung einer LED mit hoher Lumineszenzausbeute bei hoher Vorrichtungsausbeute (Produktivität) ermöglicht.

Zur Verbesserung der Adhäsion zwischen der Elektrode und dem elektrisch leitenden Substrat wird die Adhäsionsverstärkungsschicht gemäß der obigen Beschreibung ebenfalls auf das elektrisch leitende Substrat gestapelt und vorzugsweise werden die Adhäsionsverstärkungsschicht und die Bindungsschicht darauf gestapelt. Die Adhäsionsverstärkungsschicht ist besonders bevorzugt Ti/Pt (beispielsweise ein Laminat von einem Ti-Abscheidungsfilm und einem Pt-Abscheidungsfilm) aufgrund von deren hoher Wirkung als Adhäsionsverstärkungsschicht. Die Bindungsschicht ist vorzugsweise Au-Sn und noch besser Au-reiches Au-Sn (beispielsweise Au 80%-Sn 20%), das mit einem gesamten Wafer gleichförmig bei einer niedrigen Temperatur von etwa 300°C oder weniger verbunden werden kann.

Danach wird das Zuchtsubstrat entfernt. Als Verfahren zur Entfernung des Zuchtsubstrats können ein Laserabhebeverfahren und ein Entfernungsverfahren durch Schleifen und/oder Läppen oder dgl. genannt werden (siehe beispielsweise JP-B-2001-501778 und JP-A-11-238913).

Dann kann nach dem Entfernen des Zuchtsubstrats eine transparente Elektrode, eine Netzwerkelektrode oder dgl. als Elekrode auf der Oberfläche, von der das Zuchtsubstrat entfernt wurde, gebildet werden. Beispielsweise kann, wenn GaN als Verbindungshalbleiterfunktionsschicht unmittelbar auf einem Saphirsubstrat als Zuchtsubstrat gezüchtet wurde, eine dünne Schicht Ga auf der Oberfläche, von der das Zuchtsubstrat durch das Laserabhebeverfahren entfernt wurde, verbleiben und der dünne Film als halbtransparente Elektrode verwendet werden. Zur Bildung einer LED mit einer höheren Lumineszenzausbeute kann die Oberfläche oder Grenzfläche der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die transparente Elektrode oder dgl. beispielsweise ungleichmäßig behandelt werden.

Danach wird das Laminat in Größen, die notwendig sind, damit die Funktion als Vorrichtung zur Geltung kommt, geteilt (zu Vorrichtungen geteilt). Auf diese Weise kann die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung produziert werden.

Ferner umfasst das oben beschriebene Verfahren vorzugsweise das Durchführen einer Vorrichtungstrennung vor der Stufe der Verbindung der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, mit dem elektrisch leitenden Substrat, da die Vorrichtung in hoher Ausbeute produziert werden kann und die gebildete Lumineszenzvorrichtung eine verbesserte Lumineszenz zeigt.

Das heißt, das Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass es

  • (1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf einem Zuchtsubstrat unter Bildung eines Laminats 1;
  • (2) die Stufe der Bildung einer Vorrichtungstrennkerbe in der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Verbindungshalbleiterfunktionsschicht unter Bildung eines Laminats 7; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht und der Elektrode und des Stapelns einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Elektrode unter Bildung eines Laminats 8; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode und einer Adhäsionsverstärkungsschicht in dieser Reihenfolge auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Elektrode und Adhäsionsverstärkungsschicht und des Stapelns einer Bindungsschicht auf der getrennten Adhäsionsverstärkungsschicht unter Bildung eines Laminats 9; oder

    die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Adhäsionsverstärkungsschicht und Bindungsschicht unter Bildung eines Laminats 10;
  • (3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11 oder die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Stubstrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11;
  • (4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 11 unter Bildung eines Laminats 12 und
  • (5) die Stufe des Zerschneidens des Laminats 12 längs der in der oben beschriebenen Stufe (2) gebildeten Vorrichtungstrennkerbe; in dieser Reihenfolge aufweist.

Vor dem Verbinden des elektrisch leitenden Substrats mit der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die auf dem Zuchtsubstrat gezüchtet wurde, wird eine Kerbe zur Trennung von Vorrichtungen, die eine Tiefe, die das Zuchtsubstrat erreicht, aufweist, (Vorrichtungstrennkerbe) in dem Verbindungshalbleiterkristall gebildet. Auf diese Weise kann eine LED mit einer hohen Lumineszenzausbeute bei einer hohen Vorrichtungsausbeute produziert werden. Die Vorrichtungstrennkerbe wird durch ein Verfahren wie Trockenätzen, Nassätzen, Laserbehandlung oder Plättchenschneidemaschinenbehandlung und vorzugsweise durch Trockenätzen, das eine hohe Behandlungseffizienz aufweist und nur geringe Schädigungen bei der Behandlung verursacht, hergestellt.

Bei der Behandlung zur Bildung der Vorrichtungstrennkerbe wird nur eine kleine Zahl von Laminaten vorzugsweise auf einem Bereich, in dem die Vorrichtungstrennkerbe gebildet werden soll, angebracht, um eine einfache Behandlung zu ermöglichen, und noch besser wird nur die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, darauf angebracht. Das heißt, vorzugsweise wird die Stufe der Bildung einer Vorrichtungstrennkerbe in der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, und des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Verbindungshalbleiterfunktionsschicht unter Bildung eines Laminats durchgeführt.

Die Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die das elektrisch leitende Substrat, eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, eine Elektrode, eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst, eine hohe Lumineszenzausbeute auch in einem Bereich hohen Stroms (beispielsweise 300 mA) zusätzlich zu einem typischen Bereich niedrigen Stroms (beispielsweise 20 mA) auf.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind die oben beschriebenen. Jedoch sind die obigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung einfach zur Erläuterung offenbart und der Umfang der vorliegenden Erfindung sollte nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt sein. Der Umfang der vorliegenden Erfindung wird durch die Ansprüche angegeben und er umfasst Äquivalente der Ansprüche und alle Modifikationen im Umfang der vorliegenden Erfindung.

Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Bezug auf eine Ausführungsform erklärt; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Beispiele beschränkt.

Beispiel 1

Epitaxiale Kristalle eines Nitridhalbleiters von LED-Struktur, die im folgenden beschrieben sind, wurden hergestellt, wobei diese jeweils durch das MOCVD-Verfahren auf der (0001)-Oberfläche eines Saphirzuchtsubstrats eines Durchmessers von 2 Zoll und einer Dicke von 430 &mgr;m als Kristall gezüchtet wurden. Mit anderen Worten waren die epitaxialen Kristalle eine GaN-Pufferschicht einer Dicke von 500 Å, eine Si-dotierte n-GaN-Schicht einer Dicke von 4 &mgr;m mit einer n-Ladungsträgerkonzentration von 5 × 1018/cm3, eine AlGaN (Al0,15Ga0,85N)-Schicht einer Dicke von 0,3 &mgr;m mit einer n-Ladungsträgerkonzentration von 5 × 1018/cm3 und einer Al-Zusammensetzung von 15%, eine Si-dotierte n-GaN-Schicht einer Dicke von 0,3 &mgr;m mit einer n-Ladungsträgerkonzentration von 1 × 1017, eine aktive Mehrfachquantentopfschicht mit einer Emissionswellenlänge von 470 nm, die aus 10 Sätzen einer undotierten GaN-Schicht einer Dicke von 15 nm und einer undotierten InGaN-Schicht einer Dicke von 2,5 nm, besteht, eine undotierte GaN-Schicht einer Dicke von 15 nm, eine Mg-dotierte AlGaN-Schicht einer Dicke von 25 nm mit einer Al-Zusammensetzung von 5% und eine Mg-dotierte GaN-Schicht einer Dicke von 0,2 &mgr;m. Das aus den oben beschriebenen Schichten bestehende Substrat, das auf dem Saphirzuchtsubstrat gezüchtet wurde, wird im folgenden als „Epi-Substrat" bezeichnet.

Durch Herstellen eines Maskenmusters zur Trennung von Vorrichtungen ausgehend von einem 3 &mgr;m dicken Photoresistfilm, der auf der oberen Oberfläche der gezüchteten epitaxialen Nitrid-halbleiterkristalle gebildet wurde, durch Photolitographie und Ätzen des Maskenmusters durch ein ICP-Trockenätzverfahren bis zum Erreichen des Saphirzuchtsubstrats wurden Trennkerben gebildet. Das für das ICP-Trockenätzen verwendete Ätzgas war ein Gasgemisch, das aus Cl2, CH2Cl2 und Ar bestand; die Durchflussraten waren 20, 10 bzw. 40 sccm; der Druck betrug 2 Pa; die ICP-Leistung betrug 200 W und die Vorlast betrug 100 W. Nach der Beendigung des Trockenätzens wurde ein überschüssiger Maskenteil mit einem organischen Lösemittel entfernt.

Anschließend wurde, um eine ohmsche p-Elektrode auf der oberen Oberfläche des epitaxialen Nitridhalbleiterkristalls, der als Vorrichtung getrennt war, auszubilden, durch Anwenden einer Wärmebehandlung auf das Epi-Substrat unter Halten desselben bei 800°C während 20 min in Gegenwart von N2 die Mg-dotierte Schicht in eine p-Schicht niedrigen Widerstands geändert. Als nächstes wurde nach einer Oberflächenbehandlung des epitaxialen Nitridhalbleiterkristalls mit heißem Königswasser (60°C), um eine Ni/Au-Elektrode als ohmsche p-Elektrode auszubilden, in einer Vakuumabscheidungsvorrichtung Ni bis zu einer Dicke von 150 Å und dann Au bis zu einer Dicke von 300 Å abgelagert und dann ein Elektrodenmuster durch das Abhebeverfahren ausgebildet. Danach wurde durch Anwenden einer Wärmebehandlung auf das Elektrodenmuster bei 500°C während 10 min in Gegenwart von N2, das 5 Vol.-% O2 umfasst, die ohmsche p-Elektrode von NiAu hergestellt.

Als nächstes wurden ein elektrisch leitendes Substrat aus Mo eines Durchmessers von 2 Zoll mit einer Dicke von 100 &mgr;m, auf das ein Spiegelglanzoberflächenpolieren so angewandt worden war, dass eine mittlere Oberflächenrauheit von 5,8 nm erhalten wurde, die durch eine Oberflächenrauheitsmessvorrichtung des Stiftsondenverfahrens ermittelt wurde, hergestellt; als Schicht zur Verstärkung der Adhäsion einer Bindungsschicht wurden Ti/Pt-Schichten bis 500 Å/500 Å jeweils auf der Oberfläche des elektrisch leitenden Mo-Substrats durch ein Vakuumabscheidungsverfahren ausgebildet und dann in Gegenwart von N2 unter Halten bei 350°C während 30 min wärmebehandelt. Anschließend wurde als Bindungsschicht eine Au-Sn-Legierungsschicht (Au 80%-Sn 20%) bis zu einer Dicke von 5000 Å durch das Vakuumabscheidungsverfahren ausgebildet.

Eine Adhäsionsverstärkungsschicht und eine Bindungsschicht mit der gleichen Schichtstruktur wie die Schichtstruktur der auf dem elektrisch leitenden Mo-Substrat gebildeten wurden auf den Bereich des Epi-Substrats, in dem die ohmsche p-Elektrode von Ni/Au ausgebildet war, durch das Photolithographie verwendende Abhebeverfahren und das Vakuumabscheidungsverfahren ausgebildet.

Als nächstes wurden das Epi-Substrat und das elektrisch leitende Mo-Substrat, auf denen jeweils eine entsprechende Bindungsschicht gebildet worden war, mit den Bindungsschichten einander gegenüberliegend zusammengesetzt und durch das Vakuumthermokompressions-Verbindungsverfahren miteinander verbunden. Die Bedingungen für Druck, Temperatur, Zeitdauer und Last für das Verbinden betrugen 1 × 10–3 Torr oder weniger, 300°C, 5 min bzw. 6000 N. Die Messung des Verziehens des Substrats, das durch das Verbinden erhalten wurde (im folgenden als „gebundenes Substrat" bezeichnet), ergab 102 &mgr;m in der Mitte des Substrats.

Als nächstes wurde das Saphirzuchtsubstrat von dem gebundenen Substrat durch das Laserabhebeverfahren abgetrennt. Der Laserstrahl, der für das Laserabheben verwendet wurde, wurde durch Umwandeln der dritten Harmonischen (Wellenlänge 355 nm) eines CW-angeregten Q-Switch-Pulsoszillation-YVO4-Laserstrahls durch einen Chopper in einen Puls mit einer Frequenz von 15 kHz erhalten; die dritte Harmonische wies ein Signal von 0,47 W und einen Laserstrahldurchmesser von 40 &mgr;m auf. Der Laserstrahl wurde in das Saphirzuchtsubstrat eintreten gelassen und das verbundene Substrat wurde mit dem Laserstrahl durch Defokussieren derart, dass der Laserstrahl an einer Position, die im Inneren des GaN liegt und sich in einem Abstand von 170 &mgr;m von der Epi-Grenzfläche zwischen dem Saphir und dem GaN befindet, fokussiert wird, bestrahlt. Eine Probe wurde auf einem Objektträger durch Vakuumadsorption fixiert und der Objektträger wurde mit 350 mm/s linear gescannt. Durch Scannen der Probe mit dem Laserstrahl unter Bewegen der Probe um 30 &mgr;m nach Scannen einer Zeile wurde die gesamte Oberfläche der Probe mit dem Laserstrahl bestrahlt. Das laserbestrahlte verbundene Substrat wurde in heißes Wasser mit einer Temperatur von 60°C getaucht, um das an der Epi-Grenzfläche zwischen dem Saphir und dem GaN erzeugte Ga-Metall zu schmelzen, wodurch das Saphirzuchtsubstrat abgestreift wurde.

Durch die im vorhergehenden genannten Verfahren wurde eine Lumineszenzvorrichtung auf einem elektrisch leitenden Mo-Substrat eines vollständigen Wafers erhalten, wobei diese eine Struktur aufweist, in der eine LED-Funktionsschicht über eine Bindungsschicht an ein elektrisch leitendes Mo-Substrat gebunden war. Auf der oberen oberen Oberfläche der Lumineszenzvorrichtung blieb etwas Ga-Metall zurück; da das Ga-Metall selbst als halbtransparente ohmsche Elektrode, die aus n-GaN besteht, verwendet werden kann, wurden die Eigenschaften der Lumineszenzvorrichtung mit dem so wie es war zurückgelassenen GaN-Metall beurteilt. Wenn durch Verwenden des elektrisch leitenden Mo-Substrats und des Ga-Metalls als positive Elektrode bzw. negative Elektrode ein elektrischer Strom von 20 mA der Vorrichtung mit einem Elektrodendurchmesser von 200 &mgr;m zugeführt wurde, zeigte die Vorrichtung eine klare Lumineszenz blauer Farbe und sie zeigte eine Lumineszenzausbeute von bis zu 8 cd.

Beispiel 2

Eine Lumineszenzvorrichtung auf einem elektrisch leitenden Mo-Substrat eines vollen Wafers wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch eine Netzwerk-Al/Pt/Ni-Elektrode als ohmsche Elektrode des n-Typs statt der Ga-Elektrode verwendet wurde.

Zunächst wurde auf der oberen Oberfläche des epitaxialen Nitridhalbleiterkristalls zurückbleibendes Ga entfernt und die oben beschriebene Oberfläche durch Waschen mit BHF und Polieren eben gemacht. Ga mit einer Dicke von etwa 0,2 &mgr;m wurde durch Polieren bei 0,05 MPa mit 60 U/min während 10 min entfernt.

Als nächstes wurde die oben beschriebene Oberfläche mit kolloidem Siliciumdioxid (hergestellt von Fuso Chemical Co., Ltd., Handelsbezeichnung: PL-20) mit einem Teilchendurchmesser von 0,37 &mgr;m, das auf 15 Gew.-% verdünnt war, schleuderbeschichtet. Die Oberfläche wurde mit 200 U/min 10 s in Gegenwart einer Aufschlämmung schleuderbeschichtet und anschließend mit 2500 U/min 40 s schleuderbeschichtet.

Als nächstes wurde ein AlPtNi-Elektrodenmuster durch ein Abhebeverfahren ausgebildet. Zur Bildung einer AlPtNi-Elektrode wurden von kolloidem Siliciumdioxid stammende Siliciumdioxidmikroteilchen auf der oben beschriebenen Oberfläche zur Ablagerung der Elektrode durch gepufferten Fluorwasserstoff (BHF) entfernt und dann wurden in einer Vakuumabscheidungsvorrichtung Al bis 2000 Å und anschließend Pt bis 500 Å und Ni bis 800 Å abgeschieden und das Elektrodenmuster durch das Abhebeverfahren ausgebildet.

Als nächstes wurde das Elektrodenmuster durch ein ICP-Trockenätzverfahren unter Verwendung von von kolloidem Siliciumdioxid abgeleiteten Siliciumdioxidmikroteilchen in der Öffnung der Netzwerkelektrode als Maske geätzt. Daher kann ein epitaxialer Nitridhalbleiterkristall in der Form einer Mikroprojektion ausgebildet werden. Das für das ICP-Trockenätzen vewendete Ätzgas war ein Gasgemisch, das aus Cl2, CH2Cl2 und Ar bestand; die Durchflussraten betrugen 20, 10 bzw. 40 sccm; der Druck betrug 0,8 Pa; die ICP-Leistung betrug 200 W; die Vorlast betrug 100 W und die Ätzdauer betrug 7 min. Ni fungierte als Maske für das ICP-Trockenätzen und ein epitaxialer Nitridhalbleiterkristall in der Form einer etwa 600 nm hohen Mikroprojektion wurde in der Öffnung der Netzwerk-AlPtNi-Elektrode gebildet.

Wenn ein elektrischer Strom von 20 mA der Vorrichtung mit einem Elektrodendurchmesser von 200 &mgr;m, einer Netzwerkelektrodenbreite von 2 &mgr;m, einem Netzwerkelektrodenabstand von 25 &mgr;m, einer Elektrodenauflage von 50-&mgr;m-Quadraten und einer Öffungsrate von 85% zugeführt wurde, zeigte die Vorrichtung eine klare Lumineszenz blauer Farbe gleichförmig innerhalb der Oberfläche und sie zeigte eine Lumineszenzausbeute von bis zu 10 cd.

Beispiel 3

Ein gebundenes Substrat wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch ein spiegelglanzoberflächenpoliertes elektrisch leitendes Substrat, das aus W bestand, eines Durchmessers von 2 Zoll, einer Dicke von 100 &mgr;m und einer durchschnittlichen Oberflächenrauheit von 12,2 nm als das elektrisch leitende Substrat anstelle des aus Mo bestehenden elektrisch leitenden Substrats verwendet wurde. Die Ermittlung des Verziehens des verbundenen Substrats ergab 113 &mgr;m in der Mitte des Substrats. Eine Lumineszenzvorrichtung auf einem elektrisch leitenden W-Substrat eines vollständigen Wafers wurde unter Verwendung dieses Substrats produziert. Wenn ein elektrischer Strom von 20 mA der Vorrichtung mit einem Elektrodendurchmesser von 200 &mgr;m zugeführt wurde, zeigte die Vorrichtung eine klare Lumineszenz blauer Farbe gleichförmig innerhalb der Oberfläche und sie zeigte eine Lumineszenzausbeute von bis zu 6 cd.

Beispiel 4

Ein gebundenes Substrat wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch ein spiegelglanzoberflächenpoliertes elektrisch leitendes Substrat, das aus Ta bestand, eines Durchmessers von 2 Zoll, einer Dicke von 100 &mgr;m und einer durchschnittlichen Oberflächenrauheit von 9,8 nm als das elektrisch leitende Substrat anstelle des aus Mo bestehenden elektrisch leitenden Substrats verwendet wurde. Die Ermittlung des Verziehens des verbundenen Substrats ergab 20 &mgr;m in der Mitte des Substrats. Eine Lumineszenzvorrichtung auf einem elektrisch leitenden Ta-Substrat eines vollständigen Wafers wurde unter Verwendung dieses Substrats produziert. Wenn ein elektrischer Strom von 20 mA der Vorrichtung mit einem Elektrodendurchmesser von 200 &mgr;m zugeführt wurde, zeigte die Vorrichtung eine klare Lumineszenz blauer Farbe gleichförmig innerhalb der Oberfläche und sie zeigte eine Lumineszenzausbeute von bis zu 4 cd.

Vergleichsbeispiel 1

Ein gebundenes Substrat wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch ein spiegelglanzoberflächenpoliertes elektrisch leitendes Substrat, das aus Cu bestand, eines Durchmessers von 2 Zoll, einer Dicke von 100 &mgr;m und einer durchschnittlichen Oberflächenrauheit von 5,5 nm als das elektrisch leitende Substrat anstelle des aus Mo bestehenden elektrisch leitenden Substrats verwendet wurde. Da jedoch die Verbindung des gesamten Wafers mit ausreichender Festigkeit nicht möglich war, konnte keine LED produziert werden. Aufgrund eines übermäßig großen Unterschieds des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Cu und GaN erfolgte ein starkes Verziehen und eine anschließende Trennung zwischen dem elektrisch leitenden Substrat und der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht.

Vergleichsbeispiel 2

Ein gebundenes Substrat wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch ein spiegelglanzoberflächenpoliertes elektrisch leitendes Substrat, das aus Cu bestand, eines Durchmessers von 2 Zoll und einer Dicke von 1000 &mgr;m als das elektrisch leitende Substrat anstelle des aus Mo bestehenden elektrisch leitenden Substrats verwendet wurde. Da jedoch die Verbindung des gesamten Wafers mit ausreichender Festigkeit nicht möglich war, konnte keine LED produziert werden. Ein starkes Verziehen und eine anschließende Trennung zwischen dem elektrisch leitenden Substrat und der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht erfolgten.

Vergleichsbeispiel 3

Ein gebundenes Substrat wurde unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch ein spiegelglanzoberflächenpoliertes elektrisch leitendes Substrat, das aus Al bestand, eines Durchmessers von 2 Zoll, einer Dicke von 1000 &mgr;m und einer durchschnittlichen Oberflächenrauheit von 2,7 nm als das elektrisch leitende Substrat anstelle des aus Mo bestehenden elektrisch leitenden Substrats verwendet wurde. Da jedoch die Verbindung des gesamten Wafers mit ausreichender Festigkeit nicht möglich war, konnte keine LED produziert werden. Ein starkes Verziehen und eine anschließende Trennung zwischen dem elektrisch leitenden Substrat und der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht erfolgten.

Zusammenfassung

Beschrieben wird eine Verbindungs halbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie

ein elektrisch leitendes Substrat,

eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

eine Elektrode,

eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst,

wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist.


Anspruch[de]
Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie

ein elektrisch leitendes Substrat,

eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

eine Elektrode,

eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst,

wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist.
Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass sie

ein elektrisch leitendes Substrat,

eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

eine Elektrode,

eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

eine Bindungsschicht in dieser Reihenfolge aufweist,

wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger von GaN verschieden ist.
Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das oben beschriebene Metallmaterial hauptsächlich aus einem oder mehreren Bestandteilen besteht, die aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir, Ru, Os und Nb ausgewählt sind. Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das oben beschriebene Metallmaterial eines ist, das aus der Gruppe von W, Mo, Hf, La, Ta, Ir, Ru, Os und Nb ausgewählt ist. Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die

ein elektrisch leitendes Substrat,

eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

eine Elektrode,

eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

eine Bindungsschicht, die in dieser Reihenfolge gestapelt sind, umfasst,

wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist.
Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung, die

ein elektrisch leitendes Substrat,

eine Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst,

eine Elektrode,

eine Adhäsionsverstärkungsschicht und

eine Bindungsschich in dieser Reihenfolge aufweist,

wobei das oben beschriebene elektrisch leitende Substrat ein Metallmaterial umfasst, das einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der um 1,5 × 10–6/°C oder weniger kleiner als der von GaN ist.
Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Metallmaterial hauptsächlich aus einem oder mehreren Bestandteilen besteht, die aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt sind. Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Metallmaterial eines ist, das aus der Gruppe von W und Mo ausgewählt ist. Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, mindestens eine elektrisch leitende Schicht des n-Typs, eine Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einer Lumineszenzschicht und eine elektrisch leitende Schicht des p-Typs in dieser Reihenfolge aufweist. Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Adhäsionsverstärkungsschicht ein aus TiPt bestehendes Metallmaterial ist und die Bindungsschicht ein aus AuSn bestehendes Metallmaterial ist. Verfahren zur Herstellung der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, das dadurch gekennzeichnet ist, dass es

(1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf ein Zuchtsubstrat zur Bildung eines Laminats 1;

(2) die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 unter Bildung eines Laminats 2;

(3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5 oder

die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht des Laminats 2 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf ein getrennt hergestelltes elektrisch leitendes Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 5;

(4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 5 unter Bildung eines Laminats 6 und

(5) die Stufe der Vorrichtungsteilung des in der oben beschriebenen Stufe (4) erhaltenen Laminats 6, in dieser Reihenfolge aufweist.
Verfahren zur Herstellung der Verbindungshalbleiter-Lumineszenzvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, das dadurch gekennzeichnet ist, dass es

(1) die Stufe des Stapelns einer Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, auf einem Zuchtsubstrat unter Bildung eines Laminats 1;

(2) die Stufe der Bildung einer Vorrichtungstrennkerbe in der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Verbindungshalbleiterfunktionsschicht unter Bildung eines Laminats 7; oder

die Stufe des Stapelns einer Elektrode auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht und der Elektrode und des Stapelns einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf der getrennten Elektrode unter Bildung eines Laminats 8; oder

die Stufe des Stapelns einer Elektrode und einer Adhäsionsverstärkungsschicht in dieser Reihenfolge auf der Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1, des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Elektrode und Adhäsionsverstärkungsschicht und des Stapelns einer Bindungsschicht auf der getrennten Adhäsionsverstärkungsschicht unter Bildung eines Laminats 9; oder

die Stufe des Stapelns einer Elektrode, einer Adhäsionsverstärkungsschicht und einer Bindungsschicht in dieser Reihenfolge auf die Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, die eine GaN-Schicht umfasst, des Laminats 1 und des Bildens einer Vorrichtungstrennkerbe in der oben beschriebenen Verbindungshalbleiterfunktionsschicht, Adhäsionsverstärkungsschicht und Bindungsschicht unter Bildung eines Laminats 10;

(3) die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Adhäsionsverstärkungsschicht eines Laminats 3, das durch Stapeln der Adhäsionsverstärkungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11; oder

die Stufe der Verbindung der Bindungsschicht von einem beliebigen von Laminat 7, Laminat 8, Laminat 9 und Laminat 10 mit einer Bindungsschicht eines Laminats 4, das durch Stapeln einer Adhäsionsverstärkungsschicht und der Bindungsschicht auf einem getrennt hergestellten elektrisch leitenden Substrat erhalten wurde, unter Bildung eines Laminats 11;

(4) die Stufe der Entfernung des Zuchtsubstrats von dem in der oben beschriebenen Stufe (3) erhaltenen Laminat 11 unter Bildung eines Laminats 12 und

(5) die Stufe des Zerschneidens des Laminats 12 längs der in der oben beschriebenen Stufe (2) gebildeten Vorrichtungstrennkerbe;

in dieser Reihenfolge aufweist.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die oben beschriebene Stufe (1) die Stufe des Stapelns von mindestens einer elektrisch leitenden Schicht des n-Typs, einer Nitridverbindungshalbleiterschicht mit einer Lumineszenzschicht und einer elektrisch leitenden Schicht des p-Typs in dieser Reihenfolge auf ein Zuchtsubstrat ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Metallmaterial spiegelglanzoberflächenpoliert ist.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com