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Dokumentenidentifikation DE69934392T2 27.09.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001039529
Titel Verfahren zur Herstellung einer mikrointegrierten Struktur mit vergrabener Verdrahtung, speziell eines Mikroaktuators für ein Festplattenlaufwerk
Anmelder STMicroelectronics S.r.l., Agrate Brianza, Mailand/Milano, IT
Erfinder Vigna, Benedetto, 85100 Potenza, IT;
Ferrari, Paolo, 21013 Gallarate, IT
Vertreter Viering, Jentschura & Partner, 81675 München
DE-Aktenzeichen 69934392
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 22.03.1999
EP-Aktenzeichen 998301584
EP-Offenlegungsdatum 27.09.2000
EP date of grant 13.12.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.09.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/74(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01L 23/535(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   H02N 1/00(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   G11B 21/08(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   
IPC additional class G11B 5/55  (2006.01)  A,  L,  N,  20051017,  B,  H,  EP

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer mikrointegrierten Struktur mit vergrabenen Leitungen, insbesondere einen integrierten Mikro-Aktuator für eine Festplatten-Antriebseinheit.

Wie bekannt, sind Festplatten das meist verbreitete Medium, welches zum Speichern von Daten in Personal-Computern verwendet werden; konsequenterweise werden sie in großen Mengen produziert und die maximale Datenspeicherkapazität nimmt von Jahr zu Jahr zu. Festplatten werden mittels einer Antriebseinheit gelesen und beschrieben, deren wesentliche Struktur in 1 und 2 gezeigt ist und hiernach beschrieben wird.

Insbesondere zeigt die 1 eine Antriebseinheit 1 des Drehtyps, welche einen Motor 2 (auch als "Schwingspulmotor" bezeichnet), welcher an einem Tragekörper 3 befestigt ist, welcher gewöhnlich als E-Block bezeichnet wird, wegen seiner E-Gestalt, wenn er seitlich betrachtet wird (siehe 2). Der Tragekörper 3 weist eine Mehrzahl von Armen 4 auf, wobei jeder eine Aufhängung 5 trägt, welche von einem Stahlblatt ausgebildet ist, welches auf freitragende Weise befestigt ist. Jede Aufhängung 5 weist an dem nicht an dem Tragekörper 3 befestigten Ende ein Anschlussstück auf, welches als kardanischer Bügel oder als Biegeelement 8 bezeichnet wird, welches aus Stahl hergestellt ist und einen Schreibel/Lese-Wandler, auch Läufer 6 bezeichnet, trägt und so angeordnet ist, dass er (im Betätigungszustand) einer Fläche der Festplatte 7 zugewandt ist.

Der Läufer 6 wird von einem daran befestigten Trägerkörper, einem magneto/widerstandsfähigen und induktiven R/W-Kopf 9 ausgebildet, welcher die eigentliche Lese/Schreibe-Vorrichtung ausbildet; elektrische Drähte (nicht gezeigt) erstrecken sich aus dem R/W-Kopf 9 entlang dem Biegeelement 8 und der Aufhängung 5 bis zu einer Signalbearbeitungs-Vorrichtung (auch nicht gezeigt), welche auf der Hauptplatine des Personal-Computers oder an anderen, die Datenspeicherungs-Festplatten aufweisenden Vorrichtungen befestigt ist.

In den gegenwärtig kommerziell verfügbaren Schreib/Lesevorrichtungen für Festplatten ist der Läufer 6 direkt an das Biegeelement 8 geklebt. Zum Erzielen einer präziseren und feineren Steuerung der Position des Läufers 6 wurde bereits vorgeschlagen, eine doppelte Betätigungsstufe mit einer ersten Läuferbetätigungsstufe, welche den Motor 2 aufweist, welcher die Anordnung, welche von dem Trägerkörper 3, der Aufhängung 5, dem Biegeelement 8 und dem Läufer 6 ausgebildet wird, quer über die Festplatte 7 verschiebt, wenn eine angenäherte Spursuche durchgeführt wird, und mit einer zweite Betätigungsstufe zu verwenden, welche einen integrierten Mikro-Aktuator 10 aufweist, welcher zwischen dem Läufer 6 und dem Biegeelement 8 angeordnet ist und die Feinsteuerung der Position des Läufers 6 durchführt, wenn eine Bahn gesucht wird.

Es wurden unterschiedliche Technologien zum Herstellen des integrierten Mikro-Aktuators vorgeschlagen, wie beispielsweise eine Oberflächenmikrobearbeitung, welche polykristalline Oberflächenschichten aus Halbleitermaterial, welches über einen Wafer aus Halbleitermaterial abgelagert werden, elektrogalvanisches Wachstum oder ad hoc Prozesse verwenden, die anders als jene sind, welche normalerweise in der Mikroelektronik verwendet werden.

Die vorgeschlagenen Verfahren, welche die Technik der Oberflächenbehandlung verwenden, weisen den Nachteil auf, dass sie keine Integration von Mikro-Aktuatoren mit dem Steuerungs- und Antriebs-Schaltkreis erlauben oder sehr kostspielige Nachbearbeitungsschritte oder einen geringen Ertrag aufweisen.

Andere bekannte Lösungen weisen die Verwendung von duktilen Materialien wie beispielsweise Nickel oder dessen Legierungen auf. Jedoch sind diese Lösungen auch nicht frei von Nachteilen. Obwohl Nickel die mechanische Energie im Inneren verteilen kann, macht dessen plastisches Verhalten die endgültige Qualitätskontrolle der Endvorrichtung besonders aufwendig und schwierig.

P.T.J. Gennissen et al "Thick polysilicon microstructures by combination of epitaxial and poly growth in a single deposition step", Proceedings der Nationalen Sensor Konferenz von 1996, Delft, Niederlande, am 20–21 März 1996; Seiten 189–192 Delft University Press, ISBN 90-407-1321-9 lehrt ein Verfahren zum Herstellen einer mikrointegrierten Struktur gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Die Europäische Patentanmeldung Nr. 97830537.3, datiert auf den 29.10.97, im Namen des gleichen Anmelders beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Mikro-Aktuators, welcher in der Epitaxie-Schicht eines Wafers aus Halbleitermaterial ausgebildet ist. Insbesondere werden gemäß der in dieser Patentanmeldung beschriebenen Lösung vergrabene Leitungsverbindungsbereiche in einem mikrokristallinen Siliziumsubstrat ausgebildet und dann werden ein Opfer-Bereich und Isolations-Bereiche, welche Siliziumoxid aufweisen, auf der Substratfläche ausgebildet; eine polykristalline Siliziumkeimschicht wird dann auf das Substrat und auf den Siliziumoxidbereichen abgelagert und dann wird eine Epitaxieschicht gezüchtet, welche über den Siliziumoxidbereichen polykristallin und woanders monokristallin ist; die elektronischen Komponenten der Schaltung werden dann in und über dem monokristallinen Abschnitt der Epitaxieschicht ausgebildet, wobei die leitfähigen Bereiche, welche zum Ausbilden des Mikro-Aktuators notwendig sind, in dem polykristallinen Abschnitt ausgebildet werden; dann wird die Epitaxieschicht zum Ausbilden und zum voneinander Trennen eines Rotors und eines Stators geätzt; schließlich wird der Opferbereich zum Befreien der bewegbaren Strukturen vom Rest des Wafers beseitigt.

Die Lösung hat, obwohl sie sehr vorteilhaft bezüglich der mechanischen Eigenschaften wegen des geringen Risikos des Anhaftens der bewegbaren Strukturen und geringen Herstellungskosten im Vergleich zu anderen bekannten Lösungen ist, das Problem, dass die pn-Übergänge zwischen den vergrabenen n-leitenden Verbindungsregionen, welche zum Vorspannen der verschiedenen Bereiche des Aktuators notwendig sind, und zwischen der p-leitenden Keimschicht vorhanden sind, welche für das Epitaxielwachstum in den einander zugewandten Zonen notwendig sind. Diese pn-Übergänge weisen niedrige und insbesondere nicht steuerbare Durchbruchsspannungen auf, welche die anwendbare Betätigungs-Vorspannung des Mikro-Aktuators einschränkt.

Die Aufgabe der Erfindung ist daher, die Nachteile zu überwinden, welche mit der vorhergehenden Lösung einhergehen, und das Erhöhen der verwendbaren Vorspannungswerte.

Gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer mikrointegrierten Struktur, wie in Anspruch 1 definiert, bereitgestellt. Außerdem wird eine mikrointegrierte Struktur wie in Anspruch 7 definiert ausgebildet.

Zum Darstellen der Verbindung wird nun ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel davon, ausschließlich über ein nicht einschränkendes Beispiel, mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei

1 eine Draufsicht auf eine Antriebseinheit für Festplatten des bekannten Typs zeigt;

2 eine Teilschnittseitenansicht im größeren Maßstab der Antriebseinheit gemäß der 1 zeigt;

3 eine schematische Ansicht eines Mikro-Aktuators des bekannten Typs zeigt, welcher unter Anwendung des gegenwärtigen Verfahrens hergestellt werden kann, und

4 bis 10 Querschnitte durch einen Wafer aus Halbleitermaterial, geschnitten entlang der Linie IV-IV aus der 3, während unterschiedlichen Schritten des gegenwärtigen Verfahrens zeigen.

Die 3 zeigt einen Mikro-Aktuator 10 des drehbaren, elektrostatischen Typs, welcher in einer Festplatten-Antriebseinheit (nicht gezeigt) verwendbar ist, wobei nur ein Teil davon vollständig in seiner axialsymmetrischen Ansicht dargestellt ist.

Der Mikro-Aktuator 10 weist einen Stator 17 und einen Rotor 11 auf, welcher auf kapazitive Weise an dem Stator 17 gekoppelt ist.

Der Rotor 11 weist eine aufgehängte Masse 12 mit einer im Wesentlichen kreisförmigen Gestalt und eine Mehrzahl von bewegbaren Armen 13 auf, welche sich radial nach außen aus der aufgehängten Masse 12 erstrecken. Jeder bewegbare Arm trägt eine Mehrzahl von bewegbaren Elektroden 14, welche sich im Wesentlichen in Umfangsrichtung und zueinander äquidistant erstrecken. Der Rotor 11 weist auch eine elastische Aufhängung und Verankerungselemente (Federn 15) zum Halten und zum Spannen des Rotors 11 durch fixierte Vorspannbereiche 16 auf.

Der Stator 17 weist eine Mehrzahl von fixierten Armen 18, 19 auf, welche sich radial erstrecken und jeweils eine Mehrzahl von fixierten Elektroden 20 halten; insbesondere weist jeder bewegbare Arm 13 daran zugehörig ein Paar von fixierten Armen auf, welche von einem fixierten Arm 18 und einem fixierten Arm 19 ausgebildet werden; die fixierten Elektroden 20 von jedem Paar von fixierten Armen 18, 19 erstrecken sich hin zu dem zugehörigen, bewegbaren Arm 13 und sind zwischen den bewegbaren Elektroden 14 angeordnet oder mit denselben imeingriff-stehend ausgebildet. Die fixierten Arme 18 sind alle auf derselben Seite des jeweiligen, bewegbaren Armes 13 (beispielsweise auf der rechten Seite) angeordnet und werden alle bei demselben Potential mittels Vorspannbereichen 21 vorgespannt; auf ähnliche Weise sind alle fixierten Arme 19 auf der anderen Seite des jeweiligen, bewegbaren Armes 13 (beispielsweise auf der linken Seite) angeordnet und werden alle bei demselben Potential durch Vorspannbereiche 22 vorgespannt.

Die fixierten Arme 18 und 19 werden mit unterschiedlichen Potentialen zum Erzeugen von zwei Potentialunterschieden bezüglich der bewegbaren Armen 13 vorgespannt und bewirken die Rotation des Rotors 11 in jeder Richtung.

Das Verfahren zum Herstellen des Mikro-Aktuators 10 wird nun mit Bezug auf die 4 bis 10 beschrieben, welche entlang einer Schnittlinie geschnitten sind, so dass der vergrabene Kontakt der Federn 15 und der fixierten Arme 18 gezeigt werden kann. Die fixierten Arme 19 sind auf ähnliche Weise wie die fixierten Armen 18 angeschlossen.

Im Detail wird mit einem Wafer 30 begonnen, welcher von einem mikrokristallinen Substrat 31 aus p-leitenden Halbleitermaterial (Silizium) ausgebildet ist, wobei anfänglich ein fotochemischer Maskierungs- und selektiver Implantationsschritt von Antimon-Ionen zum Ausbilden von n-leitenden, vergrabenen Leitungsbereichen durchgeführt wird. Insbesondere zeigt die 4 einen vergrabenen Leitungsbereich 32a zum elektrischen Anschließen einer Feder (15 in der 3) und einen vergrabenen Anschlussbereich 32b zum elektrischen Anschließen eines fixierten Armes (18 in der 3). Ein erstes Epitaxiewachstum, welches die Ausbildung eines p-leitenden monokristallinen Epitaxie-Bereichs 33 ergibt, vorzugsweise mit einer Dicke von 10 Mikrometer und einem Widerstand von 15 Ohm/cm, wird dann durchgeführt. Die Struktur gemäß der 3 wird dadurch erzielt.

Die Oberfläche des monokristallinen Epitaxie-Bereichs 33 wird dann oxidiert, so dass eine Oxid-Unterlagenschicht 36 mit einer Dicke von ungefähr 500 nm ausgebildet wird; dann wird eine maskierte, selektive Implantation und nachfolgende Diffusion von POCl3 durchgeführt, so dass n-leitende, untere Versenkbereiche ausgebildet werden, welche sich über die gesamte Dicke des monokristallinen Epitaxie-Bereichs 33 erstrecken und im direkten Kontakt mit den Enden der vergrabenen Verbindungsbereiche 32a, 32b stehen. Die Struktur gemäß der 5 wird deshalb erzielt, wobei die unteren Versenkbereiche bei 35a bzw. 35b gezeigt sind, nahe der radialen Innen- und Außenenden der vergrabenen Verbindungsbereiche 32a und 32b.

Eine Siliziumnitrid-Schicht 37 wird dann auf die Oxid-Unterlagenschicht 36 abgelagert. Die Siliziumnitrid-Schicht 37 wird dann definiert und wahlweise beseitigt, so dass geschützte Bereiche erzielt werden, welche mit 38 angegeben werden, welche wahlweise die Oberfläche des monokristallinen Epitaxie-Bereichs 33 bedecken. Danach werden die Abschnitte des monokristallinen Epitaxie-Bereichs, welche nicht von den Schutzbereichen 36, 37 bedeckt werden, lokal oxidiert und bilden Oxidbereiche aus, welche einen Opferbereich 40 und vergrabene Oxidbereiche 41 mit einer Dicke von beispielsweise 2 &mgr;m aufweisen. Die Struktur gemäß der 6 wird daher erzielt.

Dann werden durch einen geeigneten Maskierungsschritt die Abschnitte der jeweiligen Schutz-Bereiche 38, welche zum Ausbilden der Kontakte mit den vergrabenen Verbindungsbereichen 32a, 32b vorgesehen sind und die Bereiche der Schutzbereiche 38, welche außerhalb des Aktuatorbereichs (auf dem rechten und auf dem linken Ende in der 7) angeordnet sind, beseitigt. Insbesondere werden die Schutzbereiche 38 unter der Schaltungszone (nicht gezeigt) beseitigt. Öffnungen 42 werden zwischen dem Opferoxidbereich 40 und den dazu nächstliegenden vergrabenen Oxidbereichen 41 (in den radial inneren, unteren Versenkbereichen 35a) ausgebildet. Deshalb wird die Struktur der 7 erzielt, wobei zur Vereinfachung die Oxid-Unterlagenschicht 36 unter der Siliziumnitrid-Schicht 37 nicht gezeigt worden ist.

Es wird dann eine polykristalline oder amorphe Siliziumschicht mit einer Dicke von beispielsweise 300–4000 nm abgelagert; durch einen plasma-fotochemischen Ätzschritt wird dann die polykristalline oder amorphe Silikonschicht außerhalb der Zone beseitigt, welche zum Unterbringen des Aktuators 10 vorgesehen ist, wobei ein Versenkbereich 43 (8) ausgebildet wird. Dann wird ein zweites Epitaxielwachstum durchgeführt, wobei eine p-leitende Pseudo-Epitaxieschicht 45 mit einer Dicke von beispielsweise 10–30 &mgr;m ausgebildet wird. Die Pseudo-Epitaxieschicht 45 weist eine polykristalline Struktur (polykristalliner Abschnitt 45') über dem Versenkbereich und anderswo eine monokristalline Struktur (monokristalliner Abschnitt 45'') auf. Ein Wafer 44, welcher in der 8 gezeigt ist, wird daher erzielt.

Danach wird die Pseudo-Epitaxieschicht 45 mit Dotier-Ionen dotiert, welche zum Ergeben einer n-leitenden Leitfähigkeit zum Ausbilden von Versenkbereichen geeignet sind; insbesondere gemäß der 9 werden obere Versenkbereiche 46 in dem monokristallinen Abschnitt 45'' über und fluchtend mit den radial äußeren, unteren Versenkbereichen 35b über die Gesamtdicke der Pseudo-Epitaxieschicht 45 ausgebildet. Außerdem wird eine Tasche 47, welche zum Ausbilden der aufgehängten Masse 12, der bewegbaren und fixierten Arme 13, 18 und 19, der Federn 15, der fixierten Bereiche 21, 22 und 16 vorgesehen ist, in dem polykristallinen Abschnitt 45'ausgebildet, wobei sich die Tasche auch aus der Oberfläche 48 der Pseudo-Epitaxieschicht 45 bis zu der monokristallinen Epitaxie-Bereich 33 erstreckt.

Danach werden in nicht gezeigten durchgeführten Standartschritten elektronische Bauteile der Schaltung in und über dem monokristallinen Abschnitt 45' sowie eine oder mehrere Schutzschichten, Metallkontaktbereiche und eine Passivierungsschicht über der Fläche 48 ausgebildet.

Nachfolgend wird unter Anwendung einer geeigneten widerstandsfähigen oder abgelagerten Oxidmaske der monokristalline Epitaxie-Bereich 33 geätzt, wobei ein Graben 50 ausgebildet wird, welcher die aufgehängte Masse 12, die bewegbaren Arme 13 und die Verankerungsbereiche 15 von den fixierten Armen 18, 19 sowie den Vorspannbereichen 16, 21, 22 voneinander trennt.

Schließlich wird über den Graben 50 der Opferbereich 40 durch Ätzen in Fluorwasserstoffsäure zum Ausbilden einer Luftlücke 51 und zum Freilegen der bewegbaren Arme 13 und der bewegbaren und fixierten Elektroden 14, 20 beseitigt. Die endgültige Struktur, welche in der 10 gezeigt ist, wird deshalb erzielt.

Die Vorteile des beschriebenen Herstellungsverfahrens sind die Folgenden. Wegen der zweistufigen Ausbildung der Epitaxieschicht werden die vergrabenen Verbindungsbereiche 32a, 32b nur von monokristallinen Siliziumbereichen 31, 33 (welche in Bereichen in der Masse eingegraben sind) umgeben; insbesondere gibt es keinen längeren Kontakt zwischen den vergrabenen Verbindungsbereichen 32a, 32b und dem p-leitenden, polykristallinen Versenkbereich 43; konsequenterweise gibt es nicht mehr pn-Übergange innerhalb des Polykristallinabschnitts 45', außer der Grenze der Tasche 47, wo jedoch keine aktiven Strukturen vorhanden sind und keine Hochspannungen angelegt werden. Die Struktur ist daher imstande, Hochspannungen (80–100V) zu widerstehen, welche in dem Fall notwendig sind, wo große Verschiebungen (bis zu 10 &mgr;m) erzielt werden müssen und/oder hohe Massen (mehr als einige Milligramms) bereitgestellt werden müssen.

Die daher erzielte Struktur kann vollständig mit den gegenwärtigen elektronischen Schaltungen ausgebildet werden, insbesondere mit der zugehörigen Antriebs- und Steuerungs-Schaltung; außerdem ist sie, da sie aus einem Halbleitersilizium hergestellt ist, nicht zerbrechlich und zum Herstellen von Antriebseinheiten für Festplatten geeignet.

Schließlich können viele Modifikationen und Variationen an dem hierin beschriebnen und dargestellten Verfahren durchgeführt werden, welche alle in den Umfang von der Erfindung fallen, wie von den beigefügten Ansprüchen definiert. Insbesondere wird betont, dass die beschriebene Lösung nicht nur zum Herstellen von Mikro-Aktuatoren für Festplatten-Antriebsschaltungen sondern auch für Sensoren, elektromechanische und opto-elektromechanischen Bauteile und im Wesentlichen für alle Mikrostrukturen, welche auf der Halbleitertechnologie basieren, an welchen Hochspannungen (≥ 40 V) angelegt werden müssen, verwendbar ist.


Anspruch[de]
Verfahren zum Anfertigen einer mikrointegrierten Struktur (10), welches die Schritte aufweist:

– Ausbilden von Verbindungs-Bereichen (32a, 32b) in einem Substrat (31) aus Halbleiter-Material,

– Durchführen eines ersten Epitaxie-Wachstums, wobei ein monokristalliner Epitaxie-Bereich (33) ausgebildet wird,

– Ausbilden von in unmittelbaren Kontakt mit den Verbindungs-Bereichen (32a, 32b) stehenden unteren Versenk-Bereichen (35a, 35b) in den monokristallinen Epitaxie-Bereichen (33),

– Ausbilden von isolierenden Material-Bereichen (40, 41) auf einem Strukturabschnitt des monokristallinen Epitaxie-Bereiches (33),

dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die

Schritte aufweist:

– Durchführen eines zweiten Epitaxie-Wachstums, wobei ein Pseudo-Epitaxie-Bereich (45) ausgebildet wird, welcher einen polykristallinen Abschnitt (45') oberhalb des Strukturabschnitts und anderswo einen monokristallinen Abschnitt (45'') aufweist, und

– in dem Pseudo-Epitaxie-Bereich Ausbilden von in unmittelbarem Kontakt mit den unteren Versenk-Bereichen (35a, 35b) stehenden oberen Versenk-Bereichen (46, 47).
Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (31), der monokristalline Epitaxie-Bereich (33) und der monokristalline Abschnitt (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches (45) einen ersten Leitfähigkeits-Typ haben und die Verbindungs-Bereiche (32a, 32b), die unteren Versenk-Bereiche (35a, 35b) und die oberen Versenk-Bereiche (46, 47) einen zweiten Leitfähigkeits-Typ haben. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,

dass die unteren Versenk-Bereiche (35a, 35b) erste Bereiche (35a), welche in Kontakt mit einem ersten Ende von jeweiligen Verbindungs-Bereichen (32a, 32b) stehen, und zweite Bereiche (35b), welche mit einem zweiten Ende der jeweiligen Verbindungs-Bereiche (32a, 32b) in Kontakt stehen, aufweisen, und

dass die oberen Versenk-Bereiche (46, 47) dritte Bereiche (46) aufweisen, welche im wesentlichen mit den zweiten Bereichen (35b) und einem Taschenbereich (47) ausgerichtet sind, wobei der Taschenbereiche sich in den polykristallinen Bereich (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches (45) erstreckt und Abschnitte aufweist, welche in unmittelbarem elektrischen Kontakt mit den ersten Bereichen (35a) stehen.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,

dass der Schritt des Ausbildens von isolierenden Material-Bereichen das Ausbilden von isolierenden Bereichen (41) und von mindestens einem Opfer-Bereich (40) aufweist, und

dass es ferner die Schritte des Ausbildens von Gräben (50) in dem polykristallinen Abschnitt (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches und das Beseitigen des mindestens einen Opfer-Bereiches (40) durch die Gräben aufweist, wodurch schwebend gehaltene Strukturen (12, 13, 15) ausgebildet werden.
Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Mikrostruktur ein Mikroaktuator (1) ist, welcher einen Rotor (11) und einen Stator (17) aufweist, wobei der Rotor eine schwebend gehaltene Masse (12) aufweist, welche mittels Aufhänge-Elementen (15) an Verankerungs- und Vorspann-Abschnitte (16) angeschlossen ist, welche in dem polykristallinen Abschnitt (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches (45) ausgebildet sind und an jeweilige Verbindungs-Bereiche (32a) mittels jeweiliger erster Bereiche (35a) angeschlossen sind, wobei der polykristalline Abschnitt (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches (45) auch arretierte Vorspann-Bereiche (21, 22) unterbringt, welche an arretierte Elektroden (18, 19) des Stators (17) und durch jeweilige erste Bereiche (35a) an jeweilige Verbindungs-Bereiche (32b) angeschlossen sind. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Ausbildens isolierender Material-Bereiche die Schritte des Ausbildens von Schutzbereichen (38) aus nicht oxidierbarem Material, welches sich über dem monokristallinen Epitaxie-Bereich (33) erstreckt und die unteren Versenk-Bereiche (35a, 35b) bedeckt, des Durchführens einer lokalen Oxidation, des selektiven Beseitigens der Schutzbereiche (38) wenigsten teilweise über den unteren Versenk-Bereichen aufweist. Mikrointegrierte Struktur aus Halbleitermaterial, welche aufweist:

– einen Halbleitermaterial-Körper (31, 33) mit einer monokristallinen Struktur,

– eine Halbleiter-Schicht (45) mit einer gemischten Struktur, welche einen polykristallinen Abschnitt (45') und einen monokristallinen Abschnitt (45'') aufweist,

– isolierende Material-Bereiche (40, 41) zwischen dem Halbleitermaterial-Körper (31, 33) und dem polykristallinen Abschnitt (45'') der Halbleiter-Schicht (45),

– vergrabene Verbindungs-Bereiche (32a, 32b) und Versenk-Bereiche (35a, 35b, 46, 47), dadurch gekennzeichnet,

dass die vergrabenen Verbindungs-Bereiche (32a, 32b) sich innerhalb des Halbleitermaterial-Körpers (31, 33) erstrecken und von demselben vollständig umgeben sind, und

dass die Versenk-Bereiche in unmittelbarem Kontakt mit den vergrabenen Verbindungs-Bereichen stehende untere Versenk-Bereiche (35a, 35b), welche sich in dem Halbleitermaterial-Körper von der Halbleiter-Schicht (45) zu den vergrabenen Verbindungs-Bereichen (32a, 32b) erstrecken, und obere Versenk-Bereiche (46, 47) aufweisen, welche sich in der Halbleiter-Schicht (45) erstrecken und im unmittelbaren Kontakt mit den unteren Versenk-Bereichen (35a, 35b) stehen.
Struktur gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleitermaterial-Körper (31, 33) und der monokristalline Abschnitt (45'') der Halbleiter-Schicht (45) einen ersten Leitfähigkeits-Typ haben und die vergrabenen Verbindungs-Bereiche (32a, 32b), die unteren Versenk-Bereiche (35a, 335b) und die oberen Versenk-Bereiche (46, 47) einen zweiten Leitfähigkeits-Typ haben. Struktur gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,

dass die unteren Versenk-Bereiche (35a, 35b) erste Bereiche (35a), welche in Kontakt mit einem ersten Ende von jedem der Verbindungs-Bereiche stehen, und zweite Bereiche (35b), welche in Kontakt mit einem zweiten Ende von jeweiligen vergrabenen Verbindungs-Bereichen (32a, 32b) stehen, aufweisen, und

dass die oberen Versenk-Bereiche (46, 47) dritte Bereiche (46) aufweisen, welche im wesentlichen mit den zweiten Bereichen (35b) und einem Taschenbereich (47) ausgerichtet sind, wobei sich der Taschenbereich in den polykristallinen Bereich (45'') des Pseudo-Epitaxie-Bereiches (45) erstreckt und Abschnitte hat, welche in unmittelbarem elektrischen Kontakt mit den ersten Bereichen (35a) stehen.
Struktur gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Mikrostruktur ein Mikroaktuator (10) ist, welcher einen Rotor (11) und einen Stator (17) aufweist, wobei der Rotor (11) eine schwebend gehaltene Masse (12) aufweist, welche mittels Aufhänge-Elementen (15) an Verankerungs- und Vorspann-Abschnitten (16) angeschlossen ist, welche in dem polykristallinen Abschnitt (45'') der Halbleiter-Schicht (45) ausgebildet sind und an jeweilige vergrabene Verbindungs-Bereiche (32a) durch jeweilige untere Versenk-Abschnitte (35a) angeschlossen ist, wobei der polykristalline Abschnitt (45') der Halbleiter-Schicht (45) auch arretierte Vorspann-Bereiche (21, 22) unterbringt, welche an arretierten Elektroden (18, 19, 14) des Stators (17) und durch jeweilige untere Versenk-Bereiche (35a) an jeweilige vergrabene Verbindungs-Bereiche (32b) angeschlossen sind. Struktur gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Mikroaktuator (10) Teil einer Festplatten-Antriebseinheit (1) mit einer zweistufigen mikrometrischen Betätigung ist.






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