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Dokumentenidentifikation EP1821405 04.10.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001821405
Titel Verfahren zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder
Anmelder ATMEL Germany GmbH, 74072 Heilbronn, DE
Erfinder Berhorst, Martin, 69123 Heidelberg, DE;
Kurz, Alexander, 74523 Schwäbisch Hall, DE;
Schneider, Peter, 74855 Hassmersheim, DE
Vertragsstaaten AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR
Sprache des Dokument DE
EP-Anmeldetag 09.02.2007
EP-Aktenzeichen 070027909
EP-Offenlegungsdatum 22.08.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 04.10.2007
IPC-Hauptklasse H03G 11/02(2006.01)A, F, I, 20070725, B, H, EP

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Spannungsbegrenzung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine Schaltung zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 6.

Ein solches Verfahren und eine solche Schaltung sind per se insbesondere durch RFID-Anwendungen (RFID = Radio Frequency Identification) bekannt. Unter einer RFID-Anwendung wird hier jede Anwendung verstanden, bei der ein Sendeschwingkreis einen induktiv gekoppelten Empfangsschwingkreis mit Energie versorgt und über den Empfangsschwingkreis Daten ausliest. Solche Verbindungen werden zum Beispiel zur Objektidentifikation verwendet, wobei ein Sendeschwingkreis eines Lesegerätes (reader) über einen Empfangsschwingkreis ein mit einer Marke (tag) ausgezeichnetes Objekt anspricht und Informationen abruft.

Für die Kontaktaufnahme erzeugt der Sendeschwingkreis des Lesegeräts ein hochfrequentes Magnetfeld, das in einer Induktivität eines Empfangsschwingkreises, der sich in der Nähe des Lesegerätes befindet, eine Wechselspannung induziert. Die in dem Empfangsschwingkreis induzierte Wechselspannung wird gleichgerichtet und dient zum Beispiel zur Energieversorgung einer an den Empfangsschwingkreis angeschlossenen integrierten Schaltung. Darüber hinaus lässt sich auch aus der induzierten Wechselspannung eine Taktfrequenz ableiten, die der integrierten Schaltung, also zum Beispiel einem Mikroprozessor und/oder einem Speicherelement als Systemtakt zur Verfügung gestellt werde kann. Durch die Ergänzung der Induktivität des Sendeschwingkreises und/oder Empfangsschwingkreises mit Kapazitäten, insbesondere mit parallel liegenden Kapazitäten, zu Schwingkreisen werden Resonanzeffekte erzielt, die den Wirkungsgrad der Energieübertragung erheblich verbessern.

Eine Übertragung von Daten vom Lesegerät zum Empfangsschwingkreis (downlink) kann zum Beispiel durch Einschalten und Ausschalten des Magnetfeldes erfolgen. Für einen Datentransport in umgekehrte Richtung vom Empfangsschwingkreis zum Lesegerät wird die so genannte Lastmodulation verwendet, die eine hinreichende Nähe (Abstand kleiner 0,16 * Wellenlänge) von Sende- und Empfangsschwingkreis erfordert. Bei hinreichender Nähe kommt es zur transformatorischen Kopplung, bei der sich die Energieaufnahme der Empfangsspule durch eine Rückwirkung auf den Sendeschwingkreis in Spannungsänderungen am Sendeschwingkreis abbildet. Gesteuerte Modulationen der Last, also der Impedanz des Empfangsschwingkreises, rufen daher Spannungsänderungen im Sendeschwingkreis hervor, die für eine Datenübertragung auswertbar sind.

Mit zunehmender Güte der im Empfangsschwingkreis verwendeten Induktivitäten, also mit zunehmendem Verhältnis von Blindwiderstand zu Wirkwiderstand verringern sich die Dämpfung des Schwingkreises und die Breite der Resonanzkurve. Die Verwendung von Spulen höhere Güte bewirkt also eine höhere Frequenzselektivität und, bei gleicher Spannung auf der reader-Seite, eine höhere Spannung auf der tag-Seite, was die Reichweite der Kommunikationsverbindung vergrößert. Bei kleinen Abständen zwischen Reader und Tag können je nach Sendeleistung im Tag derart große Spannungen induziert werden, dass eine im Tag vorhandene integrierte Schaltung zerstört werden kann.

Aus der DE 10 2004 020 816 A1 ist es bekannt, die Spannung am Empfangsschwingkreis auf bestimmte Werte zu reduzieren oder zu begrenzen, welche im Folgenden als erste Klemmspannung bezeichnet wird. Ferner wird im Rahmen der Lastmodulation zwischen einer ersten Spannung d.h. ersten Klemmspannung und einer zweiten niedrigeren Spannung umgeschaltet. Hierzu werden Sperrschichtbauelemente zwischen Schwingkreisanschlüssen und ein Bezugs- oder Massepotential geschaltet. Eine untere Klemmspannung wird zum Beispiel dadurch realisiert, dass über den Sperrschichtbauelementen deren Durchlassspannung abfällt, wobei der Spannungsabfall wegen der exponentiellen Abhängigkeit des Stroms von der Spannung in erster Näherung stromunabhängig ist.

Als Folge wirken die Sperrschichtbauelemente auch bei hohen Spulenströmen wie eine zuverlässige Begrenzung der Schwingkreisspannung auf einen zugehörigen Wert. Dies ist insbesondere bei Systemen mit Induktivitäten hoher Güte von Bedeutung, die bei räumlicher Nähe von Sendeschwingkreis und Empfangsschwingkreis sonst unerwünscht hohe Spannungen verursachen können.

Die obere Klemmspannung kann durch eine in Reihe mit umgekehrter Durchlassrichtung geschaltete Zenerdiode realisiert sein, die gesteuert oder geschaltet kurzzuschließen ist. Im kurzgeschlossenen Zustand erfolgt die beschriebene Begrenzung auf die untere Klemmspannung, während im nicht kurzgeschlossenen Zustand die Durchbruchspannung der Zenerdiode für eine additiven Spannungsversatz sorgt, der in der Summe mit den genannten Durchlassspannungen eine obere Klemmspannung definiert. Im Zustand mit kurzgeschlossener Zenerdiode fließt ein vergleichsweise großer Strom aus dem Empfangsschwingkreis heraus, was dem belasteten Zustand des Schwingkreises entspricht. Entsprechend wird die Stromentnahme aus dem Schwingkreis sowie die Belastung des Schwingkreises durch Öffnen des Kurzschlusses über der Zenerdiode verringert.

Bei der Lastmodulation aus der DE 10 2004 020 816 A1 ist das folgende Problem beobachtet worden: Wenn beim Einschalten der Modulation, also beim Begrenzen der Schwingkreisspannung auf die untere Klemmspannung, gerade ein hoher Spulenstrom induziert wird, so fließt dieser unter Umständen über die Überbrückung der Zenerdiode und die in Durchlassrichtung geschalteten übrigen Sperrschichtbauteile ab, wobei die Schwingkreisspannung unter die untere Klemmspannung und auch unter einen Schwellenwert fallen kann, der zur Detektion von Schwingungen (Pulsen) der Schwingkreisspannung dient. Es kann also bei ungünstigen Phasenbedingungen beim Einschalten der Last vorkommen, dass die Spannung am Sendeschwingkreis aufgrund der Rückwirkung für eine oder mehrere Perioden unter eine Detektionsschwelle sinkt, was die Informationsübertragung verfälscht. Dadurch kann es zu einem Datenverlust bei der Informationsübertragung zum Lesegerät kommen.

Wird nämlich bei einem hohen induzierten Spulensrom die Modulation eingeschaltet, so sorgen die Sperrschichtbauteile für eine Begrenzung der Schwingkreisspannung auf einen durch die Sperrschichtbauteile vorbestimmten Wert. Die Dioden wirken in dieser Phase wie eine Gleichspannungsquelle und setzen somit dem Spulenstrom keine ausreichende Dämpfung entgegen, so dass die induzierte Schwingung verändert wird. Die Folge ist eine Verbreiterung der gerade anliegenden Taktphase (Pulsverbreiterung), die zumindest zur teilweisen Auslöschung der Folgeschwingung führt. Sie tritt dadurch in Erscheinung, dass mindestens eine Schwingung in der Amplitude zu klein für eine vorgegebene Detektionsschwelle ist.

Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung in der Angabe eines Verfahrens und einer Schaltungsanordnung, die diesen Nachteil beseitigen.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die Spannungsbegrenzung bei einem Transponder mit einem ersten Sende- und Empfangsschwingkreis, der mittels einer elektromagnetischen Kopplung mit einem zweiten Sende- und Empfangsschwingkreis einer Basisstation verbunden wird und der einen ersten Schwingkreisanschluss, der mit dem Eingang eines steuerbaren Sperrschichtbauelements verbunden wird und einen zweiten Schwingkreisanschluss aufweist, der mit dem Ausgang des steuerbaren Sperrschichtbauelements verbunden wird, dadurch erfolgt, dass zur Spannungsbegrenzung im Sende- und Empfangsschwingkreis der Steueranschluss des Sperrschichtbauelements mittels der Spannung des ersten und zweiten Anschlusses angesteuert wird.

Dieses Verfahren bietet den Vorteil, dass für beide Spannungshalbwellen insgesamt nur ein Sperrschichtbauteil vorgesehen werden muss, während bei bekannten Verfahren ein symmetrischer Aufbau von mindestens einem Sperrschichtbauteil für je eine Spannungshalbwelle vorgesehen war.

Vorteilhaft bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist weiterhin, dass die Begrenzung der Spannung von einem ersten auf einen zweiten Spannungswert zur Lastmodulation erfolgt.

Als besonders vorteilhaft hat sich erwiesen, dass die Spannungsbegrenzung und die Lastmodulation mittels Ansteuerung desselben Sperrschichtbauelements erfolgt. Hierdurch wird das Verfahren wesentlich vereinfacht.

Eine weitere Ausgestaltung des Verfahrens sieht vor, dass die Änderung von der ersten auf eine zweite Spannung in wenigstens zwei Stufen erfolgt, indem wenigstens zwei Sperrschichtbauelemente zur Senkung der Spannung auf den zweiten, niedrigen Wert kaskadierend also nacheinander überbrückt werden. Dadurch wird der Spulenstrom, der bei Einschalten des Modulationstransistors schlagartig geflossen wäre, über mehrere Schwingungen verteilt. Dabei reduziert sich die Spulenspannung ebenfalls auf das Niveau der zweiten Spannung über mehrere Schwingungen.

Gemäß einem alternativen Verfahren erfolgt die Änderung von der ersten auf eine zweite Spannung linear, indem diese durch ein inverses Signal geregelt wird.

Des Weiteren wird die Aufgabe durch eine Schaltung zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder gelöst, der einen Schwingkreis, wenigstens eine Induktivität, eine Kapazität, ein Sperrschichtbauteil mit einem Eingang, Ausgang und einem Steuereingang, sowie einen ersten Schwingkreisanschluss, der mit dem Eingang des Sperrschichtbauelements und einen zweiten Schwingkreisanschluss, der mit dem Ausgang des Sperrschichtbauelements verbunden ist, umfasst, wobei eine Verbindung des Steuereingangs des Sperrschichtbauteils mit dem ersten Schwingkreisanschluss und mit dem zweiten Schwingkreisanschluss besteht.

Besonders vorteilhaft hat sich hierbei eine Schaltung erwiesen, bei der als Sperrschichtbauteil ein NMOS-Transistor vorgesehen ist.

Bevorzugt ist auch, dass zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils wenigstens zwei in Reihe geschaltete, überbrückbare Sperrschichtbauteile vorgesehen sind.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Schaltung sind zur Überbrückung der in Reihe geschalteten Sperrschichtbauteile mittels zeitlich versetzter Modulationssignale angesteuerte Schalter vorgesehen.

Gemäß einer Weiterbildung der Schaltung ist vor den in Reihe geschalteten Sperrschichtbauteilen eine Polaritätswechselschaltung mit zwei parallel geschalteten Sperrschichtbauteilen mit entgegen gesetzten Durchlassrichtungen vorgesehen.

Bei einer alternativen Schaltung ist als Sperrschichtbauteil ein PMOS-Transistor vorgesehen ist.

Besonders vorteilhaft ist hierbei, wenn zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils eine über ein inverses Modulationssignal schaltbare Kapazität vorgesehen ist.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der Beschreibung und den beigefügten Figuren. Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen, jeweils in schematischer Form:

Fig. 1
einen Sende- und Empfangsschwingkreis mit Elementen zur Lastmodulation für eine erste Spannungshalbwelle
Fig.
2 den Sende- und Empfangsschwingkreis aus Fig.1 mit Elementen zur Lastmodulation für eine zweite Spannungshalbwelle
Fig.
3 einen weiteren Sende- und Empfangsschwingkreis mit Elementen zur Lastmodulation für eine erste Spannungshalbwelle
Fig.
4 den Sende- und Empfangsschwingkreis aus Fig.3 mit Elementen zur Lastmodulation für eine zweite Spannungshalbwelle
Fig. 5
den Verlauf der Schwingkreisspannungen UL, UC1; UC2
Fig. 6
ein gewünschtes Modulationsverhalten

Fig. 1 und Fig. 2 zeigen einen Sende- und Empfangsschwingkreis 10 eines Empfangsteils oder tags. Parallel zum Schwingkreis 10, der eine Induktivität L 12 und eine Kapazität C 13 umfasst, liegt zwischen einem ersten Schwingkreisanschluss C1 25 und einem zweiten Schwingkreisanschluss C2 26 ein Sperrschichtbauteil 27, vorzugsweise ein NMOS-Transistor. Am Ausgang des Sperrschichtbauteils 27 liegt ein Bezugspotentialanschluss 28, der ein Massepotential für die Schaltung darstellt. Da das Sperrschichtbauteil 27 zwischen Source (Quelle) und Drain (Senke) umschalten kann, kann die Schaltung in der vorliegenden Form sowohl für eine erste als auch für eine zweite Spannungshalbwelle verwendet werden.

Ebenfalls parallel zum Schwingkreis 10 und zwischen dem ersten C1 25 und zweiten Schwingkreisanschluss C2 26, liegt eine Reihenschaltung aus Polaritätswechselschaltung 14 und Dioden 19, 20, 21, 22, 23, 24, die zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils 27 dienen. Hierbei können die Dioden als NMOS-Transistoren realisiert werden, die als Diode geschaltet sind. Parallel zum Sperrschichtbauteil 27 liegt weiterhin eine Gleichrichterschaltung 29 mit einem weiteren Bezugspotentialanschluss 30.

Die Polaritätswechselschaltung 14 besteht aus zwei parallelen Reihenschaltungen, die jeweils einem ohmschen Widerstand R1 15 bzw. R2 16 und eine Diode 17 bzw. 18 umfassen, wobei die Durchflussrichtung der Dioden 17, 18 unterschiedlich ist.

Die Dioden 19 bis 24 können durch Schalter S1 31, S2 32, S3 33 überbrückt werden, die von der Steuerschaltung 34 über kaskadierenden MOD-Signale MOD0, MOD1 und MOD2 betätigt werden. Die Schalter 31, 32, 33 werden bevorzugt als Transistoren, insbesondere als MOS-Transistoren realisiert.

Das Sperrschichtbauteil 27 dient zunächst zur Begrenzung der Schwingkreisspannung UL 1 zwischen den Anschlüssen 25 und 26 des Sende- und Empfangsschwingkreises 10 bei offenen Schaltern 31, 32 und 33. In diesem Zustand begrenzt das Sperrschichtbauteil 27 jeweils dann, wenn der Potentialunterschied zwischen dem Bezugspotentialanschluss 28, 30 und einem der Anschlüsse 25 oder 26 die Durchlassspannung des Sperrschichtbauteils 27 überschreitet. Dieser Wert definiert die obere Begrenzungsspannung oder erste Klemmspannung UKL 2.2.

Beim Überbrücken der Dioden 19 bis 24 durch die Schalter 31, 32 und 33, wobei diese zur stufenförmigen Modulation der Spannung nacheinander und nicht zeitgleich geschlossen werden, klemmt das Sperrschichtbauteil 27 die Schwingkreisspannung UL 1 auf einen niedrigeren Wert ULMOD 2.1.

Durch Öffnen und Schließen der Schalter 31, 32, 33 moduliert die Steuerschaltung 34 den Wert der Schwingkreisspannung UL 1 entsprechend der zu übertragenden Datenfolge. Wie beschrieben bildet sich diese Modulation des Sende- und Empfangsschwingkreises 10 des tags als Modulation der Last des Sende- und Empfangsschwingkreises des Lesegeräts unter der Voraussetzung einer transformatorischen Kopplung.

Fig. 3 und Fig. 4 zeigen einen weiteren Sende- und Empfangsschwingkreis 10 eines Empfangsteils oder tags. Hierbei zeigt Fig. 3 eine Schaltung für eine erste Spannungshalbwelle und Fig. 4 die Schaltung aus Fig. 3 für eine zweite Spannungshalbwelle. Parallel zum Schwingkreis 10, der eine Induktivität L 12 und eine Kapazität C 13 umfasst, liegt zwischen einem ersten Schwingkreisanschluss C1 25 und einem zweiten Schwingkreisanschluss C2 26 ein Sperrschichtbauteil 35, vorzugsweise ein PMOS-Transistor. Am Ausgang des Sperrschichtbauteils 35 liegt ein Bezugspotentialanschluss 28, der ein Massepotential für die Schaltung darstellt. Zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils 35 dienen eine Stromquelle IE, die wiederum einen Entladestrom zum Entladen einer parallel geschalteten Kapazität 7 zur Verfügung stellt, sowie eine Spannungsquelle Uref 3. Dabei ist zwischen der Kapazität 7 und der Spannungsquelle Uref 3 ein Schalter S1 9 angeordnet, der mittels eines inversen Signals nMOD 4 betätigt wird.

Das Sperrschichtbauteil 35 dient zur Begrenzung der Schwingkreisspannung UL 1 auf den Wert der oberen Klemmspannung UKL 2.2 zwischen den Anschlüssen 25 und 26 des Sende- und Empfangsschwingkreises 10. Wenn der Schalter S1 9 geschlossen ist, liegt am Sperrschichtbauteil 35 die Spannung Uref 3 an, die durch die vorgegebene Spannung UG 6 am Gate begrenzt wird und somit nicht über die Schwellspannung des PMOS-Transistors hinausgehen kann. Sobald der Schalter S1 9 mittels des nMOD 4 Signals der Steuerschaltung 34 geöffnet wird, wird der Kondensator 7 auf den Wert Uref 3aufgeladen und anschließend mittels des Entladestroms der Stromquelle IE2 8 entladen. Die Folge davon ist, dass die Spannung UG 6 am Gate linear auf null absinkt. Dadurch wird die Schwingkreisspannung UL 1 auf eine zweite, kleinere Klemmspannung ULMOD 2.1 begrenzt, die der Schwellspannung des PMOS-Transistors entspricht.

Fig. 5 zeigt den Verlauf der Schwingkreisspannung UL 1 sowie den Verlauf der jeweiligen Spannungshalbwellen UC1 und UC2 an den beiden Schwingkreisanschlüssen C1 25 und C2 26 Die Schwingkreisspannung UL 1 ergibt sich als Differenz aus den Spannungswerten an den Anschlüssen. UL = UC1-UC2. Wenn UL 1 positiv ist, werden bei der Schaltung gemäß Fig.1 und Fig. 3 der Schwingkreisanschluss C2 über den Gleichrichter 29 mit einer internen Masse 30 verbunden. Im gegenteiligen Fall, wenn UL 1 negativ ist, wird entsprechend der Darstellung in den Fig. 2 und Fig. 4 der Schwingkreisanschluss C1 26 mit der internen Masse 30 verbunden.

Fig. 6 zeigt einen erwünschten Verlauf der resultierenden Schwingkreisspannung UL im Empfangsschwingkreis unter dem Einfluss einer gesteuerten Lastmodulation gemäß der vorliegenden Erfindung über der Zeit t. Die großen Amplituden 2.2 stellen sich bei offenen Schaltern 31, 32, 33 gemäß Fig. 1 und Fig.2 ein und die kleinen Amplituden 2.1 stellen sich bei geschlossenen Schaltern 31, 32, 33 ein, mit denen die Dioden 19, 20, 21, 22 überbrückt werden ein.

Bezugszeichenliste

1
UL Schwingkreisspannung
2.1
ULMOD untere Klemmspannung (modulierte Spannung)
2.2
UKL obere Klemmspannung
3
Uref Spannungsreferenz
4
nMOD inverses Signal
5.1
Modulationssignal MOD0
5.2
Modulationssignal MOD1
5.3
Modulationssignal MOD2
6
UG Gatespannung
7
C2 Kondensator
8
IE2 Stromquelle Entladestrom
9
Schalter S1
10
Sende - und Empfangsschwingkreis
12
Induktivität L
13
Kapazität C
14
Polaritätswechselschaltung
15
Ohmscher Widerstand R1
16
Ohmscher Widerstand R2
17
Diode bei R1
18
Diode bei R2
19
Diode
20
Diode
21
Diode
22
Diode
23
Diode
24
Diode
25
Erster Schwingkreisanschluss C1
26
Zweiter Schwingkreisanschluss C2
27
Sperrschichtbauteil M1
28
Bezugspotentialansch luss
29
29 Gleichrichterschaltung
30
30 Bezugspotentialanschluss
31
31 Schalter S1
32
Schalter S2
33
Schalter S3
34
Steuerschaltung (Digital-Analog-Konverter)
35
Sperrschichtbauteil P1


Anspruch[de]
Verfahren zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder mit • einem ersten Sende- und Empfangsschwingkreis (10), der • einen ersten Schwingkreisanschluss (25), der mit dem Eingang eines steuerbaren Sperrschichtbauelements (27, 35) • und einen zweiten Schwingkreisanschluss (26) aufweist, der mit dem Ausgang des steuerbaren Sperrschichtbauelements (27, 35) verbunden wird, • dadurch gekennzeichnet, dass • zur Spannungsbegrenzung im Sende- und Empfangsschwingkreis (10) der Steueranschluss des Sperrschichtbauelements (27, 35) mittels der Spannung des ersten (25) und zweiten (26) Schwingkreisanschlusses angesteuert wird. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzung der Spannung von einem ersten (2.2) auf einen zweiten (2.1) Spannungswert zur Lastmodulation erfolgt. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsbegrenzung und die Lastmodulation mittels Ansteuerung desselben Sperrschichtbauelements (27, 35) erfolgt. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Änderung von der ersten (2.2) auf eine zweite (2.1) Spannung in wenigstens zwei Stufen erfolgt, indem wenigstens zwei Sperrschichtbauelemente (19, 20, 21, 22, 23, 24) zur Senkung der Spannung auf den zweiten, niedrigen Wert (2.1) nacheinander überbrückt werden. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Änderung von der ersten (2.2) auf eine zweite (2.1) Spannung linear erfolgt, indem diese durch ein inverses Signal (4) geregelt wird. Schaltung zur Spannungsbegrenzung bei einem Transponder • mit einem Schwingkreis (19), • der wenigstens eine Induktivität (12), • eine Kapazität (13), • ein Sperrschichtbauteil (27, 35) mit einem Eingang, Ausgang und Steuereingang • einen ersten Schwingkreisanschluss (25), der mit dem Eingang des Sperrschichtbauelements (27, 35) und • einen zweiten Schwingkreisanschluss (26), der mit dem Ausgang des Sperrschichtbauelements (27, 35) verbunden ist, umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verbindung des Steuereingangs des Sperrschichtbauteils (27, 35) mit dem ersten Schwingkreisanschluss (25) und mit dem zweiten Schwingkreisanschluss (26) besteht. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Sperrschichtbauteil (27) ein NMOS-Transistor vorgesehen ist. Schaltung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils (27) wenigstens zwei in Reihe geschaltete, überbrückbare Sperrschichtbauteile (19, 20, 21, 22, 23, 24) vorgesehen sind. Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass zur Überbrückung der in Reihe geschalteten Sperrschichtbauteile (19, 20, 21, 22, 23, 24) mittels zeitlich versetzter Modulationssignale (5.1, 5.2, 5.3) angesteuerte Schalter (31, 32, 33) vorgesehen sind. Schaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Polaritätswechselschaltung (14) mit zwei parallel geschalteten Sperrschichtbauteilen (17, 18) mit entgegen gesetzten Durchlassrichtungen vorgesehen ist. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Sperrschichtbauteil (35) ein PMOS-Transistor vorgesehen ist. Schaltung nach Anspruch 6 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ansteuerung des Sperrschichtbauteils (35) eine über ein Modulationssignal (4) schaltbare Kapazität (7) vorgesehen ist.






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