Warning: fopen(111data/log202004062008.log): failed to open stream: No space left on device in /home/pde321/public_html/header.php on line 107

Warning: flock() expects parameter 1 to be resource, boolean given in /home/pde321/public_html/header.php on line 108

Warning: fclose() expects parameter 1 to be resource, boolean given in /home/pde321/public_html/header.php on line 113
Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination - Dokument DE102006017904A1
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102006017904A1 18.10.2007
Titel Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination
Anmelder XTREME technologies GmbH, 07745 Jena, DE
Erfinder Klöpfel, Diethard, 06722 Kleinhelmsdorf, DE;
Gäbel, Kai, Dr., 07749 Jena, DE
Vertreter Patentanwälte Oehmke und Kollegen, 07743 Jena
DE-Anmeldedatum 13.04.2006
DE-Aktenzeichen 102006017904
Offenlegungstag 18.10.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 18.10.2007
IPC-Hauptklasse H05G 2/00(2006.01)A, F, I, 20060413, B, H, DE
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz, insbesondere für die Anwendung in Strahlungsquellen für die EUV-Lithographie von Halbleitern.
Die Aufgabe, eine neue Möglichkeit zur Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines energiestrahlinduzierten Plasmas (5) zu finden, die eine effektivere Konversion der Energiestrahlung (4) in EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich um 13,5 nm gestattet und eine hohe Lebensdauer der optischen Komponenten und der Injektionseinheit (13) sichert, wird erfindungsgemäß gelöst, indem bei Verwendung eines Gemisches aus Partikeln (14) mit einem Trägergas (15) die Targetzufuhreinrichtung (1) eine Gasverflüssigungskammer (12) aufweist, wobei das Targetmaterial als Gemisch (16) von festen Partikeln (14) in verflüssigtem Trägergas (17) der Injektionseinheit (13) zugeführt ist, und dass ein Tropfengenerator (131) zur Erzeugung definierter Tropfengröße und Tropfenfolge (2) vorhanden ist, wobei zur Erzeugung der Tropfenfolge (2) an der Injektionseinheit (13) frequenzabhängig steuerbare Mittel (132; 135, 136, 137, 138; 31, 32) angeschlossen sind, die mit der Impulsfrequenz des Energiestrahls (4) getriggert sind.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz, bei der ein gepulster Energiestrahl in einer Plasmaerzeugungskammer auf einen Wechselwirkungsort mit einem Target gerichtet ist, eine Targetzufuhreinrichtung eine Mischkammer zur Erzeugung eines Gemisches aus Partikeln eines emissionseffizienten Targetmaterials mit mindestens einem Trägergas und eine Injektionseinheit zur dosierten Abgabe von einzelnen definierten Targetvolumina in die Plasmaerzeugungskammer enthält, um im Wechselwirkungsort nur soviel emissionseffizientes Targetmaterial bereitzustellen, wie mit einem Energieimpuls in Strahlung konvertiert werden kann. Die Erfindung findet insbesondere Anwendung in Strahlungsquellen für die EUV-Lithographie zur Herstellung von Halbleiterchips.

Für die EUV-Strahlungserzeugung auf Basis eines Plasmas, das durch einen gepulsten Energiestrahl zur Emission im EUV-Spektralband um 13,5 nm angeregt wird, sind bekannte „saubere Brennstoffe" (Targetmaterialien, wie z.B. Xenon) nicht hinreichend effizient, da ihr Konversionswirkungsgrad (Verhältnis der emittierten Energie im gewünschten EUV-Spektralband zur (Laser-) Anregungsenergie) nur ca. 1 % beträgt. Dabei bedeutet sauberer Brennstoff, dass er keine „Bedeckung" von Komponenten der Strahlungsquelle, d.h. keine Abscheidung (Kontamination) auf (insbesondere optischen) Oberflächen, erzeugt. Metallische Targetmaterialien (z.B. Elemente der IV. bis VII. Hauptgruppe der 5. Periode des Periodensystems der Elemente) sind für die EUV-Erzeugung um 13,5 nm wesentlich effizienter (z.B. Zinn: Konversionsfaktor von ca. 3 %), sind aber „bedeckend", d.h. sie erzeugen bei der Plasmaanregung Debris, das vor allem zu Abscheidungen auf, aber auch zu Ablation von insbesondere optischen Komponenten der Strahlungsquelle führt. Weiterhin sind Ablationsprozesse (Abtrag von Optikoberflächen), die durch die hohe kinetische Energie von unverbrauchten, nicht in leuchtendes Plasma umgewandelten Targetteilchen verursacht werden, für „saubere Brennstoffe" (z.B. Xenon) verglichen mit metallischen Targetmaterialien deutlich geringer.

Reines Zinn (Sn) liefert ein breitbandiges Spektrum um 13,5 nm ± 2 % (gewünschtes EUV-Spektralband für die Halbleiterlithographie, sogenannte „EUV-In-Band-Strahlung"), weist aber auch signifikante Anteile außerhalb des gewünschten EUV-Spektralbandes für die Halbleiterlithographie (sogenannte „EUV-Out-of-Band-Strahlung") auf. Diese „Out-of-Band"-Strahlungsanteile sind unerwünscht, da sie unnötig zur Aufheizung der Optik und anderer Komponenten der Quelle beitragen.

Zur Nutzung von metallhaltigen Targets ist im Stand der Technik bekannt geworden, metallische Lösungen bei Raumtemperatur als Targettröpfchen für lasererzeugtes punktförmiges Plasma zu verwenden. In der US 6,831,963 B2 werden dazu als metallische Lösungen vor allem Kupfer- und Zinkverbindungen, wie Chlorid-, Bromid-, Sulfat- und Nitrat- sowie organo-metallische Lösungen, beschrieben, die schadenfrei in der Umgebung von optischen Komponenten angewendet werden können, weil durch diese kaum Debris entsteht. Im Wesentlichen wird allerdings nur Strahlung im Bereich zwischen 11,7 nm und 13 nm erzeugt, die im Sinne der obigen Anforderungen der EUV-Lithographie eher als „Out-of-Band"-Strahlungsanteile zu klassifizieren sind. In der US 2004/0208286 A1 wird derselbe Sachverhalt zusätzlich für Zinnverbindungen, insbesondere für Zinnchlorid, beschrieben.

Wie in der WO 2002/46839 A offenbart, ermöglicht eine Injektion von Tröpfchen in Flüssigkeiten (z.B. von Zinn als Verbindung oder Nanopartikel) eine Begrenzung der Menge an konvertierbarem Targetmaterial. Nachteilig ist jedoch, dass alle dafür bekannten Trägerflüssigkeiten bzw. Lösungsmittel Bestandteile enthalten, die die Optiken schädigen (Kohlenstoff – Bedeckung, Sauerstoff – Oxidation etc.).

In der WO 2004/056158 A2 wird eine Vorrichtung zur Erzeugung von Röntgen- und EUV-Strahlung beschrieben, bei der zum Zwecke der Erhöhung der Targetdichte von möglichst kleinen Tröpfchen (in der Größenordnung der Laserwellenlänge) ein Nebel mit einer Atomdichte von > 108 Atome/cm3 erzeugt werden soll. Die verbesserte Targetdichte wird dabei durch Aufnahme der Targetflüssigkeit in einem nichtreaktiven Gas erzeugt, indem ein elektromagnetisch schaltbares Ventil mit einer Ultraschalldüse über einen Expansionskanal verbunden ist, der mit Heizmitteln zur Temperaturerhöhung ausgestattet ist, um einen übersättigten Dampf zu erzeugen und stoßweise durch die Targetdüse der Plasmaerzeugung zuzuführen. Nachteilig ist hier die aufwendige Dosierungsprozedur und ebenfalls die nach Verlassen der Targetdüse schnell abnehmende Targetdichte.

Gasförmige Injektionen von Nanopartikeln in einem Trägergas, wie sie in EP 0 858 249 B1 und WO 2004/84592 A2 beschrieben werden, sind generell nicht konzentriert genug, da die partikelhaltige „Gaswolke" ziemlich schnell expandiert, so dass bereits in kurzer Entfernung vom Injektionsort (Größenordnung 1 cm) die Dichte zu gering ist für eine effiziente Anregung, z.B. mittels eines Lasers. Daher muss die Anregung in der Nähe der Injektionsöffnung erfolgen und eine Begrenzung der Partikelmenge auf das zur vollständigen Energiekonversion notwendige Maß ist nicht in einfacher Weise möglich.

Eine Möglichkeit zum Dosieren von festem Targetmaterial wird allerdings in der WO 2004/084592 A2 offenbart. Dabei ist ein Kammersystem vorgesehen, bei dem in einer ersten Kammer eine Mischung von festen oder flüssigen Targetclustern in einem Gas erfolgt. Daraus wird in einer zweiten Kammer ein „fokussierter Massenstrom" erzeugt wird, der durch eine periodisch öffnende Verschlusseinrichtung als gepulster Massenstrom in die dritte Kammer zur Plasmaerzeugung gelangt, um für jeden Laserimpuls die nötige Menge an konvertierbarem Targetmaterial bereitzustellen und dadurch den Anteil nicht konvertierten Targetmaterials in der Plasmakammer zu reduzieren. Das in der zweiten Kammer durch die Verschlusseinrichtung geblockte Targetmaterial wird abgesaugt und steht somit einer Wiederverwendung zur Verfügung.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Möglichkeit zur Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines energiestrahlinduzierten Plasmas zu finden, die bei Verwendung metallischen Targetmaterials eine effektivere Konversion der Energiestrahlung in EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich um 13,5 nm gestattet, ohne dass dabei nachfolgende optische Komponenten durch infolge überschüssigen Targetmaterials erzeugtes Debris geschädigt werden. Ferner soll die Zuführung des Targetmaterials einen großen Abstand der Strahlungserzeugung von der Injektionseinrichtung ermöglichen, um eine hohe Lebensdauer der Injektionseinrichtung zu sichern.

Eine erweiterte Aufgabe der Erfindung ist es, für metallisches Targetmaterial eine Injektionsform zu finden, die

  • (a) zur effizienten Absorption von Laserstrahlung von ca. 1 &mgr;m geeignet ist,
  • (b) zur spektralen Einengung des Emissionsbandes bei 13,5 nm beiträgt, und
  • (c) außer den metallischen Targetanteilen keine Bestandteile enthält, die funktionswesentliche Quellenkomponenten schädigen.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz, bei der ein gepulster Energiestrahl in einer Plasmaerzeugungskammer auf einen Wechselwirkungsort mit einem Target gerichtet ist und eine Targetzufuhreinrichtung eine Mischkammer zur Erzeugung eines Gemisches aus Partikeln eines emissionseffizienten Targetmaterials mit mindestens einem Trägergas sowie eine Injektionseinheit zur dosierten Abgabe von einzelnen definierten Targetvolumina in die Plasmaerzeugungskammer enthält, um im Wechselwirkungsort nur soviel emissionseffizientes Targetmaterial bereitzustellen, wie mit einem Energieimpuls in Strahlung konvertiert werden kann, dadurch gelöst, dass die Targetzufuhreinrichtung eine Gasverflüssigungskammer aufweist, wobei das Targetmaterial als Gemisch von festen metallischen Partikeln in verflüssigtem Trägergas der Injektionseinheit zugeführt ist, und dass die Injektionseinheit einen Tropfengenerator mit einer Düsenkammer und einer Targetdüse zur Erzeugung definierter Tropfengröße und Tropfenfolge aufweist, wobei zur Erzeugung einer zeitlich gesteuerten Folge von Tropfen an die Injektionseinheit frequenzabhängig steuerbare Mittel angeschlossen sind, die mit der Impulsfrequenz des Energiestrahls getriggert sind.

Vorteilhaft ist die Verflüssigungskammer der Mischkammer nachgeordnet, so dass die festen Partikel mit dem Trägergas gemischt der Verflüssigungskammer zugeleitet werden und die Verflüssigungskammer zur Verflüssigung des Partikel-Gas-Gemisches ausgebildet ist.

In einer anderen zweckmäßigen Variante ist die Verflüssigungskammer der Mischkammer vorgeordnet, so dass die Verflüssigungskammer zur Verflüssigung des reinen Trägergases und die Mischkammer zur Mischung der festen Partikel mit dem verflüssigten Trägergas ausgebildet ist.

Die festen emissionseffizienten Partikel bestehen vorteilhaft aus Zinn, einer Zinn-Verbindung, aus Lithium oder einer Lithium-Verbindung. Dabei haben die festen Partikel vorzugsweise eine Größe von weniger als 10 &mgr;m, vorzugsweise im Nanometerbereich, so dass sie nachfolgend – ohne Beschränkung der Allgemeinheit als Nanopartikel bezeichnet werden.

Als Trägergas werden vorteilhaft Inertgase, wie Stickstoff oder Edelgase, verwendet. Sehr gut geeignet ist Argon. Einem solchen als Hauptkomponente gewählten Trägergas werden zweckmäßig zusätzlich leichte Edelgase (z.B. Helium, Neon) beigemischt, um die spektrale Bandbreite der EUV-Emission um 13,5 nm einzuschränken, d.h. Out-of-Band-Strahlung zu unterdrücken.

Die aus der Injektionseinheit ausgestoßenen Einzeltargets (Tropfen) weisen vorteilhaft einen Durchmesser zwischen 0,01 mm und 0,5 mm auf.

Es erweist sich für die Verminderung der Kontamination durch überschüssiges Targetmaterial als besonders zweckdienlich, wenn der Targetdüse der Injektionseinheit Mittel zum Entfernen von Einzeltargets nachgeordnet sind, so dass die Frequenz der im Wechselwirkungsort eintreffenden Einzeltargets genau mit der Impulsfrequenz des Energiestrahls übereinstimmt.

In einer vorteilhaften ersten Variante sind dazu der Targetdüse der Injektionseinheit elektrische oder magnetische Ablenkmittel nachgeordnet zur selektiven lateralen Ablenkung von nicht benötigten Einzeltargets aus der von der Targetdüse abgegebenen Tropfenfolge.

In einer zweite Ausführung zur Eliminierung von Einzeltargets sind nach der Targetdüse der Injektionseinheit mechanische Verschlussmittel (z.B. mechanischer Verschluss, Chopper-Rad) zum definierten Ausblenden und Durchlassen von Einzeltargets aus der von der Targetdüse abgegebenen Tropfenfolge vorhanden.

Eine dritte Variante weist in der Injektionseinheit einen Targetgenerator mit einem Druckmodulator an der Düsenkammer auf, um bei Bedarf den Kammerdruck kurzeitig zum Ausstoß eines einzelnen Tropfens zu erhöhen, sowie eine der Targetdüse nachgeordnete Düsenvorkammer, in der ein gegenüber der Plasmaerzeugungskammer erhöhter Druck, der an den Gasdruck der Gaszufuhr an der Mischkammer angepasst ist, aufrechterhalten wird. Diese Druckanpassung in der die Targetdüse umgebenden Düsenvorkammer verhindert ein unerwünschtes Abtropfen von Targetmaterial aus der Targetdüse, solange kein Druckimpuls vom Druckmodulator erzeugt wird. Für eine geeignete Druckanpassung in der Düsenvorkammer wird der Druck der Gaszufuhr an der Mischkammer vorzugsweise leicht erhöht (Größenordnung von 0,5–1 bar höher) gegenüber dem in der Düsenvorkammer eingestellt.

Für die Herstellung des flüssigen Partikel-Gas-Gemisches können die Partikel auch zweckmäßig in ausreichender Menge in einem Reservoir vorhanden sein und werden mehreren parallel angeordneten Mischkammern zugeleitet, die zur kontinuierlichen Injektion in die Plasmaerzeugungskammer seriell umschaltbar mit dem Targetgenerator verbunden sind.

In einer anderen vorteilhaften Variante sind die Partikel mit dem Trägergas gemischt in einer Mischkammer vorhanden und nach der Mischkammer ist ein Leitungsverbindungspunkt angeordnet mit einer Zuleitung von einer weiteren Trägergaszufuhr, wobei mindestens eine der Zuleitungen zum Verbindungspunkt einen Durchflussregler aufweist, der von einer dem Verbindungspunkt nachgeordneten Messeinrichtung, die den Anteil der Partikel im Gasstrom ermittelt, gesteuert wird, um ein gewünschtes Mischungsverhältnis von gemischtem und reinem Trägergas einzustellen. Dabei ist die Messeinrichtung zur Steuerung des Mischungsverhältnisses vorzugsweise eine optische Streulichtmesseinheit.

Der zur Plasmaanregung benötigte gepulste Energiestrahl kann aus mindestens einem Laserstrahl, einem Elektronen- oder einem Ionenstrahl bestehen.

Die Grundidee der Erfindung basiert auf der Überlegung, dass bei Anregung metallischer Targetmaterialien, insbesondere Zinn, mit einem gepulsten Energiestrahl die Konversion von eingestrahlter Anregungsenergie in das gewünschte Strahlungsband um 13,5 nm sehr effizient ist (3-fache Konversionseffizienz gegenüber herkömmlich verwendetem Xenon). Metalle lassen sich aber nur dann in einer Strahlungsquelle für die EUV-Lithographie einsetzen, wenn eine weitgehende Kontaminationsfreiheit, die sich bekanntermaßen durch Begrenzung des emittierenden Targetmaterials auf die zur Strahlungserzeugung notwendige Menge erzielen lässt, gesichert werden kann.

Die Erfindung löst dieses Problem durch Kombination aus einer Gemischerzeugung von festen metallischen Partikeln („Nanopartikel" mit Durchmessern < 10 &mgr;m) mit einem inerten Trägergas, einer Gasverflüssigung und einer dosierten Tropfeninjektion in die Plasmaerzeugungskammer.

Die Zuführung des flüssigen Gemisches aus festen metallischen Partikeln und dem Trägergas mittels einer Injektionseinrichtung in Form eines Tropfengenerators in die Plasmaerzeugungskammer ermöglicht (gegenüber Gaspuffs) eine wesentlich höhere Targetdichte und einen deutlich größeren Abstand des Wechselwirkungsortes des Targets mit dem Energiestrahl vom Injektionsort, wodurch einerseits die Strahlungsausbeute (Konversionseffizienz) und andererseits die Kontamination (Debrisschädigung der Injektionsdüse) erheblich verringert wird.

Durch den Einsatz von Edelgasen oder Stickstoff als Trägermedium, die selbst keine optikschädigenden Bestandteile enthalten, gehen von dem so erzeugten flüssigen Targetmaterial auch keinerlei weitere Kontaminationen aus. Bevorzugt werden Sn-Nanopartikel als Emitter verwendet und durch die Beimischung eines leichten Trägergases (Helium und/oder Neon) zum hauptsächlichen Trägergas unerwünschte spektrale Bänder außerhalb des EUV-Bandes für die Halbleiterlithographie weitgehend unterdrückt.

Für die Partikelbeimischung kann auch direkt verflüssigtes Edelgas oder flüssiger Stickstoff verwendet werden.

Mit der erfindungsgemäßen Lösung ist es möglich, EUV-Strahlung mittels eines energiestrahlinduzierten Plasmas zu erzeugen, die eine effektivere Konversion der Energiestrahlung in EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich um 13,5 nm gestattet, ohne dass dabei nachfolgende optische Komponenten durch überschüssiges Targetmaterial zusätzlich geschädigt werden. Ferner wird durch den erreichbaren großen Abstand des Plasmas von der Injektionseinrichtung eine höhere Lebensdauer der Injektionseinrichtung und eine größere Stabilität der Strahlungserzeugung gesichert.

Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Zeichnungen zeigen:

1: eine schematische Darstellung einer energiestrahlbasierten EUV-Strahlungsquelle, bei der ein Gemisch von metallischen Partikeln in einem Trägergas verflüssigt einer Injektionseinrichtung zugeführt wird, wobei ein Tropfengenerator eine Tropfenfolge erzeugt, die zu den Impulsen des Energiestrahls synchronisiert ist;

2: eine Ausgestaltung der EUV-Quelle gemäß 1 auf Basis eines laserproduzierten Plasmas (LPP), bei der nach der Injektordüse eine elektrische Ablenkeinrichtung und eine Pumpeinrichtung angeordnet sind, um den Tropfenstrom „auszudünnen" und die Frequenz der Tropfen im Plasmaerzeugungsgebiet genau an die Pulsfolgefrequenz des Lasers anzupassen;

3: eine vorzugsweise Realisierung der erfindungsgemäßen EUV-Quelle, bei der an eine der Injektordüse nachgeordnete Düsenvorkammer ein Druckausgleich angeschlossen ist, der einen gegenüber der Plasmaerzeugungskammer erhöhten Druck, der etwa dem Druck der Trägergaszufuhr entspricht, bereitstellt, so dass die Tropfen durch einen Druckmodulator der Düsenkammer genau mit der Impulsrate des Lasers erzeugt werden;

4: eine weitere Gestaltung einer LPP-Strahlungsquelle, bei der nach der Targetdüse eine mechanische Einrichtung (Chopper) zum „Ausdünnen" der Tropfenfolge angeordnet ist, um die Frequenz der Tropfen im Wechselwirkungsort an die Impulsrate des Lasers anzupassen;

5: eine weitere Modifikation der erfindungsgemäßen EUV-Quelle, bei der in der Mischkammer bereits verflüssigtes reines Trägergas mit den festen Partikel gemischt und der Injektionseinrichtung zur Erzeugung einer definierten Tropfenfolge zugeführt wird;

6: eine weitere Ausgestaltung der erfindungsgemäßen EUV-Quelle, bei der nach der Mischkammer ein Leitungsverbindungspunkt mit einer weiteren Zuleitung von Trägergas vorhanden ist, wobei eine dem Verbindungspunkt nachgeordnete Messeinrichtung Durchflussregler in den Zuleitungen zum Verbindungspunkt steuert, um die Partikeldichte und Gasdruck zu regeln.

Die EUV-Strahlungsquelle weist eine Targetzufuhreinrichtung 1 auf, die in ihrem Grundaufbau – wie die schematische Darstellung in 1 zeigt – eine Mischkammer 11 eine Verflüssigungskammer 12 und eine Injektionseinheit 13 enthält, wobei die Injektionseinheit 13 einen Tropfengenerator 131, einen Druckmodulator 132, eine Targetdüse 133 und eine Düsenkammer 134 beinhaltet.

In der Mischkammer 11 werden feste Partikel 14, die aus im EUV-Spektralbereich (um 13,5 nm) effizient emittierenden Metallen oder Metallverbindungen, wie z.B. Zinn oder Lithium (oder bevorzugt auch deren Oxide, SnO, SnO2, LiO, LiO2) bestehen und ein sauberes (d.h. ein von emittierenden Partikeln freies) Trägergas 15, wie z.B. Edelgase oder Stickstoff, zusammengeführt und gemischt. Das daraus resultierende partikelhaltige Gemisch 16 wird der Verflüssigungskammer 12 zugeleitet, wobei die Verflüssigung bei tiefen Temperaturen (T < 173 K) und Drücken > 1 bar erfolgt. Bevorzugt werden Sn-Partikel (Einzelpartikel von höchstens 10 &mgr;m Größe) beigemischt, um eine große Effizienz der EUV-Erzeugung (≈ 3 %) zu erreichen. Es sind aber auch Beimischungen anderer Elemente (z.B. Lithium) oder Verbindungen (vorzugsweise Zinn- oder Lithium-Verbindungen) möglich.

Die Beimischung der Partikel 14 zum Trägergas 15 in einer Gasphase ist – wie in 1 schematisch dargestellt – so gestaltet, dass die Partikel 14 und das Trägergas 15 in einer Mischkammer 11 zusammengeführt werden. Aus der Partikeltechnologie sind mehrere Verfahren zur Vereinzelung von Partikeln aus einem vorhandenen Haufwerk und deren dosierten Eintrag in einen Gasstrom bekannt. Ein mögliches Verfahren ist es, die Partikel einzeln über eine spezielle rotierende Bürste aus dem Haufwerk herauszureißen und an einen an der Bürste vorbeisteifenden Trägergasstrom zu übergeben.

Die Partikel 14 können aber auch in ausreichender Menge in einer Mischkammer 11 vorhanden sein, wobei zum kontinuierlichen Betrieb der EUV-Quelle dann zwischen mehreren parallel geschalteten Mischungskammern 11 umgeschaltet wird.

Eine Beimischung der festen Partikel 14 ist auch in ein bereits vorhandenes Flüssiggas 17 möglich, wie unten in einem Beispiel zu 5 näher beschrieben wird.

Das partikelhaltige Flüssiggas 17 wird der Injektionseinheit 13 zugeführt und in die Düsenkammer 134 eingeleitet. Vermittelt durch einen Druckmodulator 132 (z.B. Piezoaktuator) wird über die Targetdüse 133 in Resonanz mit der natürlichen Zertropfungsfrequenz des Flüssiggases 17 eine stabile, kontinuierliche Tropfenfolge 2 entlang einer Targetachse 21 in der Plasmaerzeugungskammer 3 abgegeben. Auf die Targetachse 21 ist am gewünschten Wechselwirkungsort 41 ein Energiestrahl 4 gerichtet, mit dessen aufeinanderfolgenden Impulsen jeweils ein Einzeltarget 23 (Tropfen), wenn dieses den Wechselwirkungsort 41 passiert, zu EUV-emittierendem Plasma 5 angeregt wird.

Die Targetzufuhreinrichtung 1 ist mit dem Gehäuse der Injektionseinheit 13 in die Plasmaerzeugungskammer 3 eingebunden, wobei das Gehäuse der Injektionseinheit 13 um die Targetdüse 133 eine Düsenvorkammer 135 ausbildet, um einen erhöhten Druck gegenüber der evakuierten Plasmaerzeugungskammer 3 einzustellen, wodurch der Flüssiggasaustritt und die Tropfenbildung stabilisiert werden.

Die Targetzufuhreinrichtung 1 kann auch an anderen Positionen in die Plasmaerzeugungskammer 3 eingeführt sein, z.B. an der Zuleitung zwischen Verflüssigungskammer 12 und der Injektionseinheit 13 oder zwischen Mischkammer 11 und Verflüssigungskammer 12, erfolgen.

Gemäß 1 wird – ohne Beschränkung der Allgemeinheit – eine Tropfenfolge 2 von Einzeltargets 23 resonatorisch mit der natürlichen Zertropfungsfrequenz erzeugt, indem zunächst ein geschlossener Targetstrahl 22 generiert wird, der kurz nach Verlassen der Targetdüse 133 in eine stabile, kontinuierliche Folge aus Einzeltargets (Tropfen) 23 übergeht. Im Allgemeinen kann dabei – wie 1 schematisch zeigt – nicht jedes Einzeltarget 23 von einem Impuls des Energiestrahls 4 getroffen werden. Am Wechselwirkungsort ungenutzt vorbeifliegende Tropfen 23 können aber nahezu unbeschadet in einer Senke, gekoppelt mit einer Vakuumpumpe (nicht gezeichnet) am Ende der Targetachse 21 abgesaugt werden.

Die Injektion des partikelhaltigen Flüssiggases 17 erfolgt so, dass sich Tropfen 23 der gewünschten Größe ausbilden, die in der Regel, wenn sie den Wechselwirkungsort 41 erreichen, in Form fester Kügelchen vorliegen, da das Flüssiggas 17 bei der Injektion ins Vakuum der Plasmaerzeugungskammer 2, d.h. nach Verlassen der Düsenvorkammer 135 (mit höherem Druck), adiabatisch expandiert und dabei gefriert.

Die Größe der Tropfen 23 wird definiert durch die Gemischmenge, die mit vorgegebener Energie eines Anregungsimpulses des Energiestahls 4 optimal zu einem strahlenden Plasma 5 angeregt wird. Der Anteil von festen Partikeln 14 im Flüssiggas 17 wird dabei so eingestellt, dass die Effizienz der EUV-Erzeugung und die Breite des Spektrums optimiert sind. Für die hier angenommenen Sn-Partikel 14 wird dadurch eine Mengenbegrenzung erreicht, d.h. die Sn-Menge in der Plasmaerzeugungskammer 3 ist auf das zur Strahlungserzeugung notwendige Maß beschränkt, so dass kein überschüssiges metallisches Targetmaterial, das infolge unzureichender Anregung als Debris die Komponenten der Strahlungsquelle schädigen könnte, in der Plasmaerzeugungskammer 3 verbleibt.

Das Trägergas 15 (N2 oder ein Edelgas) kann höchstens aufgrund der kinetischen Energie seiner Teilchen potenziell optikschädigend sein. Eine Unterdrückung von derartigen Sputterprozessen ist einfach möglich und von Xenon-basierten EUV-Quellen bekannt, z.B. durch das Einbringen eines Sperrgases (z.B. Argon-Querströmung) zwischen Plasma 5 und Kollektoroptik. Auf jeden Fall enthält das Trägergas 15 selbst keine Bestandteile, die optikschädigend sind, wie Kohlenstoff (C) oder Sauerstoff (O2). Aufgrund der Injektion des partikelhaltigen Gemisches 16 in flüssiger Form kann ein sehr großer Abstand der Strahlungserzeugung (Plasma 5) von allen wichtigen Komponenten des Systems, wie Targetdüse 133, Kollektoroptik zur Bündelung der erzeugten EUV-Strahlung (nicht gezeichnet) etc., erreicht werden. Der große Abstand führt zu einer höheren Lebensdauer dieser Komponenten. Insbesondere wird auch die Targetdüse 133 durch Wärme- und Teilchenstrahlung aus dem Plasma 5 wesentlich weniger geschädigt (erodiert), so dass über eine längere Betriebsdauer eine stabile Targetbereitstellung im Wechselwirkungsort 41 erreicht werden kann.

Aufgrund der bedeckenden Eigenschaft von metallischen „Brennstoffen" (festen Targets) muss deren Menge auf das zur Strahlungserzeugung nötige Maß begrenzt werden. Bei Verwendung von Zinn (Sn), das starke Spektrallinien bei 13,5 nm aufweist, werden bei einer Anregungsenergie von ca. 1 J pro Einzelanregung etwa 5·1014 Sn-Ionen (das entspricht einem Sn-Volumen von ca. 30 &mgr;m Durchmesser) benötigt für eine EUV-Quellgröße von 0,5 mm Durchmesser. Die Quellgröße ist aus der Etendue-Forderung der EUV-Lithographie abgeleitet. Die Größenanpassung des kleinen Sn-Volumens vor der Anregung auf die erforderliche Quellgröße der Emission wird sinnvoll durch Expansion mit einem Vorimpuls des Energiestrahls 4 erreicht. Die notwendige Energie ist von der Größenordnung 10 mJ und erfolgt ca. 100 ns vor der Einstrahlung des hochenergetischen Impulses.

Bei einer Wiederholfrequenz von etwa 10 kHz würde eine Quelle mit diesen Parametern hinter einer Kollektoroptik eine EUV-In-Band-Leistung (13,5 nm ± 2%) von ca. 100 W erreichen. Der Sn-Verbrauch pro Tag beträgt in diesem Fall etwa 85 g, wenn die Sn-Menge auf die zur Strahlungserzeugung notwendige Menge begrenzt ist.

Die Ionendichte (und Elektronendichte) ist allein aus der optimierten EUV-Emission für ein homogenes Volumen abgeleitet. Zur effizienten Absorption von Laserstrahlung mit 1 &mgr;m Wellenlänge ist die Elektronendichte zu gering. Das Trägergas 15 fungiert daher zusätzlich als Elektronendonator, um nahezu 100 % Laserabsorption zu erreichen. Für Stickstoff (N2) und Argon (Ar) ist das bei einem stöchiometrischen Anteil des Trägergases ab etwa 2/3 gewährleistet. Dabei bedeutet der stöchiometrische Anteil das Verhältnis der Anzahl der Atome bzw. Moleküle von (in Partikeln gebundenem) Targetmaterial und Trägergas, bezogen auf ein betrachtetes Volumenelement.

Zusätzlich wird durch die Beimischung leichterer Trägergase (He, Ne) die spektrale Bandbreite der Strahlungsemission von Zinn bei 13,5 nm reduziert, die sonst bei reinem Zinn deutlich größer als die geforderten ± 2% ist (J. Opt. Soc. Am. B 17 (2000) 1616, Choi et al.). Außerdem wird der Anteil von Strahlung außerhalb des gewünschten EUV-Spektrums ebenfalls deutlich reduziert.

Eine echte Mengenbegrenzung des „Brennstoffes" (feste Partikel 14) auf das zur Strahlungserzeugung notwendige Maß wird nur erreicht, wenn die Frequenz der Bereitstellung der Targetvolumina genau mit der Frequenz der Einstrahlung der Energieimpulse (Größenordnung 10 kHz) übereinstimmt, d.h. für jede einzelne Strahlungserzeugung wird genau ein Targetvolumen am Wechselwirkungsort 41 bereitgestellt. Gegenüber einer in 1 dargestellten Variante, eine partikelhaltige Tropfenfolge 2 hoher Frequenz (typisch 100 kHz) zu erzeugen, wobei die natürliche Zertropfungsfrequenz durch einen Druckmodulator 132 stabilisiert ist, werden in den folgenden drei Beispielen aus der zu dicht erzeugten Tropfenfolge 2 (durch verschiedene Maßnahmen) einzelne Volumina entfernt, so dass im Ergebnis die Frequenz der Volumina im Wechselwirkungsort 41 (Plasma 5) mit der Frequenz der Energieimpulse übereinstimmt.

2 zeigt eine solche Ausgestaltung der EUV-Quelle, bei der – ohne Beschränkung der Allgemeinheit – angenommen werden soll, dass der Energiestrahl 4 ein Laserstrahl 42 ist.

Die Targetzufuhreinrichtung 1 ist gegenüber 1 dadurch ergänzt, dass an die Injektionseinheit 13 nach dem Ausgang der Düsenvorkammer 135 eine elektrische Ablenkeinrichtung 136 und eine Absaugeinrichtung 137 angeschlossen sind, um die dichte Folge der Tropfen 23 „auszudünnen" und die Frequenz der Tropfen 23 im Wechselwirkungsort 41 mit einem Laserstrahl 42 genau an die Pulsfolgefrequenz des Lasers anzupassen. Die überschüssigen Tropfen 23 werden von der Absaugeinrichtung 137 aufgenommen und wieder der Verflüssigungskammer 12 zugeführt. Dadurch wird gegenüber der Ausführung von 1 vermieden, dass überschüssige Tropfen 23 in unmittelbarer Nähe des Plasmas 5 teilweise verdampft werden oder generell zur Erhöhung der Gaslast innerhalb der Plasmaerzeugungskammer 3 beitragen können.

In einer zweiten Variante (gemäß 3) werden die partikelhaltigen Tropfen 23 bereits genau in Übereinstimmung mit der Impulsfrequenz des Laserstrahls 42 erzeugt. 3 zeigt dazu eine modifizierte Tropfenselektion, bei der an die Düsenvorkammer 135 ein Druckausgleich 138 angeschlossen ist, der einen Druck pVorkammer bereitstellt, der etwa dem der Mischkammer 11 zugeführten Gasdruck pTrägergas entspricht. Dadurch werden die Tropfen 23 durch den Druckmodulator 132 genau mit der gleichen Frequenz wie die Impulsfrequenz des Laserstrahls 42 ausgelöst, so dass die Injektionseinrichtung 13 lediglich noch so viele Tropfen 23 ausstößt, dass jeder Tropfen 23 genau von einem Impuls des Laserstrahls 42 getroffen wird.

Realisiert wird das zuverlässig, indem die der Targetdüse 133 nachgeordnete Düsenvorkammer 135 der Injektionseinheit 13 an einen Druckausgleich 138 angeschlossen ist, der an den Druck pTrägergas der Gaszufuhr zur Mischkammer 11 angepasst ist, so dass das flüssige Targetmaterial ohne eine kurze Druckerhöhung des Druckmodulators 132 in der Düsenkammer 134 kein Tropfen 23 ungewollt abtropfen und in die Plasmaerzeugungskammer 3 eintreten kann. Der Druckmodulator 132, der z.B. ein an der Düsenkammer 134 angebrachter Piezoaktuator sein kann, erzeugt Druckimpulse mit der Frequenz der Energieimpulse, d.h. es werden nur Einzeltargets 23 nach Bedarf (entsprechend der ausgelösten Impulse des Laserstrahls 42) bereitgestellt.

4 beinhaltet eine Topfenselektion mit gleicher Wirkung wie in 3, die jedem Impuls des Laserstrahls 42 genau einen einzelnen Tropfen 23 zuordnet. In dieser Ausführung sind aber mechanische Mittel in Form einer rotierenden Lochblende 32 vorhanden, um lediglich jeden n-ten Tropfen 23 in die Plasmaerzeugungskammer 3 durchzulassen. Die Lochblende 32 ist zugleich Teil einer Gefäßwand, die von der Plasmaerzeugungskammer 3 eine Vorkammer 31 abteilt, wobei in der Vorkammer 31 – wie bei den vorherigen Beispielen in der Düsenvorkammer 135 – ein höherer Druck pVorkammer eingestellt ist. Damit kann in diesem Beispiel auf eine separate Düsenvorkammer 135 der Injektionseinheit 13 verzichtet werden.

Stilisiert ist in 4 für jeden zweiten Tropfen 23 dargestellt, dass dieser auf der Lochblende 32 abgefangen wird, dort sublimiert oder verdampft und durch eine separate Pumpeinheit (nicht dargestellt) aus der Vorkammer 31 abgesaugt werden kann. Unter realen Verhältnissen wird etwa nur jeder zehnte Tropfen 23 zur Wechselwirkung mit dem Laserstrahl 42 durchgelassen.

Wie bereits oben erwähnt, ist die Beimischung fester Partikel 14 auch in bereits zuvor verflüssigtes Trägergas 15 sinnvoll. Eine solche Anordnung zeigt 5. In dieser Ausführung sind gegenüber den vorherigen Beispielen die Mischkammer 11 und die Verflüssigungskammer 12 miteinander vertauscht. Zusätzlich erfolgt die Trägergaszufuhr in die Verflüssigungskammer 12 und das dort hergestellte Flüssiggas 17 wird in die Mischkammer 11 eingeleitet, um mit den festen Partikeln 14 vermischt zu werden der übrige Aufbau ist wie in 1 dargestellt, könnte aber auch gemäß den Ausführungen der 2 bis 4 realisiert sein.

Eine bevorzugte Variante der Erfindung ist in 6 dargestellt. Hier wird davon ausgegangen, das die festen emissionseffektiven Partikel 14 in einer als Reservoir fungierenden Mischkammer 11 bereits mit dem Trägergas 15 gemischt vorliegen Zur Vereinzelung der Partikel 14 aus einem vorhandenen Haufwerk (nicht gezeigt) und deren dosierten Eintrag in einen Gasstrom werden die Partikel 14 einzeln über eine rotierende Bürste aus dem Haufwerk herausgerissen und an eine vorbeisteifende Strömung von Trägergas 15 übergeben. Im weiteren Verlauf des Gasflusses ist durch eine geeignete Gestaltung der das Trägergas führenden Leitungen dafür zu sorgen, dass eine Entmischung der Partikel vermieden wird.

Die von dieser Mischkammer 11 in Richtung der Injektionseinheit 13 ausgehende Leitung ist dann mit einer weiteren Trägergaszuleitung in einem Verbindungspunkt (+) so eingebunden, dass die Gasströme vor dem Verbindungspunkt (+) relativ zueinander mittels Durchflussregler 18 geregelt werden können.

Zur Ermittlung einer Regelgröße dient eine dem Verbindungspunkt (+) nachgeordnete Messeinrichtung 19, die das aktuelle Mischungsverhältnis, z.B. durch eine Streulichtmessung, misst und damit eine Stellgröße für die relative Einstellung der zugeführten Mengen von sauberem Trägergas 15 und dem partikelhaltigem Gemisch 16 liefert. Mit dieser zusätzlichen Trägergasbeimischung ist eine sehr genaue Einstellung des Anteils an festen Partikeln 14 pro Volumeneinheit des Trägergases 15 und somit eine hochgenaue Dosierung der wirksamen Targetmenge (Partikel 14) pro Tropfen 23 des daraus erzeugten Flüssiggases möglich.

Obwohl in 6 beide Zuleitungen von sauberem Trägergas 15 und partikelhaltigem Gemisch 16 zum Verbindungspunkt (+) mit Durchflussreglern 18 gezeigt sind, würde es auch ausreichen, wenn eine der Zuleitungen, vorzugsweise die Trägergaszuleitung, mit einem Durchflussregler 18 ausgestattet ist. Ferner kann die Messeinrichtung 19, die gemäß 6 direkt die Druckeinstellung vor der Verflüssigungskammer 12 beeinflusst, auch für eine angepasste Druckregelung des Druckes pVorkammer in der Düsenvorkammer 135 verwendet werden. Damit ist dann gemäß der Ausführung von 4 eine geeignet angepasste Druckregelung zur Bereitstellung von Tropfen 23 ausschließlich nach Bedarf (drop on demand), d.h. übereinstimmend mit der Impulsrate des Laserstrahls 42, möglich.

1
Targetzufuhreinrichtung
11
Mischkammer
12
Verflüssigungskammer
13
Injektionseinheit
131
Tropfengenerator
132
Druckmodulator
133
Targetdüse
134
Düsenkammer
135
Düsenvorkammer
136
Ablenkeinrichtung
137
Absaugeinrichtung
138
Druckausgleich
14
(feste) Partikel
15
Trägergas
16
partikelhaltiges Gemisch
17
Flüssiggas
18
Durchflussregler
19
Messeinrichtung
2
Tropfenfolge
21
Targetachse
22
Targetstrahl (Jet)
23
Einzeltarget (Tropfen)
3
Plasmaerzeugungskammer
31
Vorkammer (der Plasmaerzeugungskammer)
32
(rotierende) Lochblende
4
Energiestrahl
41
Wechselwirkungsort
42
Laserstrahl
5
Plasma
p
Druck


Anspruch[de]
Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz, bei der ein gepulster Energiestrahl in einer Plasmaerzeugungskammer auf einen Wechselwirkungsort mit einem Target gerichtet ist und eine Targetzufuhreinrichtung eine Mischkammer zur Erzeugung eines Gemisches aus Partikeln eines emissionseffizienten Targetmaterials mit mindestens einem Trägergas sowie eine Injektionseinheit zur dosierten Abgabe von einzelnen definierten Targetvolumina in die Plasmaerzeugungskammer enthält, um im Wechselwirkungsort nur soviel emissionseffizientes Targetmaterial bereitzustellen, wie mit einem Energieimpuls in Strahlung konvertiert werden kann,

dadurch gekennzeichnet, dass

– die Targetzufuhreinrichtung (1) eine Gasverflüssigungskammer (12) aufweist, wobei das Targetmaterial als Gemisch (16) von festen metallischen Partikeln (14) in verflüssigtem Trägergas (15) der Injektionseinheit (13) zugeführt ist, und

– die Injektionseinheit (13) einen Tropfengenerator (131) mit einer Düsenkammer (134) und einer Targetdüse (133) zur Erzeugung definierter Tropfengröße und Tropfenfolge (2) aufweist, wobei zur Erzeugung einer zeitlich gesteuerten Folge von Tropfen (23) an die Injektionseinheit (13) frequenzabhängig steuerbare Mittel (132, 135, 136, 137, 138; 31, 32) angeschlossen sind, die mit der Impulsfrequenz des Energiestrahls (4) getriggert sind.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verflüssigungskammer (12) der Mischkammer (11) nachgeordnet ist, so dass die festen Partikel (14) mit dem Trägergas (15) gemischt der Verflüssigungskammer (12) zugeleitet sind und die Verflüssigungskammer (12) zur Verflüssigung des Gemisches (16) ausgebildet ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verflüssigungskammer (12) der Mischkammer (11) vorgeordnet ist, so dass die Verflüssigungskammer (12) zur Verflüssigung des sauberen Trägergases (15) und die Mischkammer (11) zur Mischung der festen Partikel (14) mit dem verflüssigten Trägergas (17) ausgebildet ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die festen emissionseffizienten Partikel (14) aus Zinn oder einer Zinn-Verbindung bestehen. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die festen Partikel (14) aus Lithium oder einer Lithium-Verbindung bestehen. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die festen emissionseffizienten Partikel (14) eine Größe von weniger als 10 &mgr;m haben. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas (15) ein Edelgas, vorzugsweise Argon ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas (15) Stickstoff ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass einem als Hauptkomponente gewählten Trägergas (15) zusätzlich leichte Edelgase beigemischt sind, um die spektrale Bandbreite der EUV-Emission um 13,5 nm enger einzuschränken. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass aus der Injektionseinheit (13) ausgestoßene Einzeltropfen einen Durchmesser zwischen 0,01 mm und 0,5 mm aufweisen. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetdüse (133) der Injektionseinheit (13) Mittel zum Entfernen von Einzeltargets (23) nachgeordnet sind, so dass die Frequenz der im Wechselwirkungsort (41) eintreffenden Einzeltargets (23) genau mit der Impulsfrequenz des Energiestrahls (4) übereinstimmt. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetdüse (133) der Injektionseinheit (13) elektrische Ablenkmittel (136) nachgeordnet sind zur lateralen Ablenkung von nicht benötigten Einzeltargets (23) aus der von der Targetdüse (133) abgegebenen Tropfenfolge (2). Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetdüse (133) der Injektionseinheit (13) mechanische Verschlussmittel (32) nachgeordnet sind zum definierten Ausblenden und Durchlassen von Einzeltargets (23) der von der Targetdüse (133) abgegebenen Tropfenfolge (2). Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Targetgenerator (131) der Injektionseinheit (13) einen Druckmodulator (132) an der Düsenkammer (134) aufweist, um den Kammerdruck bei Bedarf kurzeitig zum Ausstoß eines Einzeltropfens (23) zu erhöhen, und der Targetdüse (133) nachgeordnet eine Düsenvorkammer (135) vorhanden ist, in der ein gegenüber der Plasmaerzeugungskammer (3) erhöhter Druck, der an den Gasdruck der Gaszufuhr an der Mischkammer (11) angepasst ist, eingestellt ist, um ein unerwünschtes Abtropfen von Targetmaterial aus der Targetdüse (133) zu verhindern, solange kein Druckimpuls vom Druckmodulator (132) erzeugt wird. Anordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zur Druckanpassung in der Düsenvorkammer (135) der Druck der Gaszufuhr an der Mischkammer (11) etwas größer als in der Düsenvorkammer (135) eingestellt ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel (14) in ausreichender Menge in einem Reservoir vorhanden sind und mehreren parallel angeordneten Mischkammern (11) zugeleitet werden, die zur kontinuierlichen Injektion in die Plasmaerzeugungskammer (3) seriell umschaltbar mit der Injektionseinheit (13) verbunden sind. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel (14) mit dem Trägergas (15) gemischt in einer Mischkammer (11) vorhanden sind und nach der Mischkammer (11) ein Leitungsverbindungspunkt mit einer Zuleitung von einer weiteren Trägergaszufuhr angeordnet ist, wobei mindestens eine der Zuleitungen zum Verbindungspunkt einen Durchflussregler (18) aufweist, der von einer dem Verbindungspunkt nachgeordneten Messeinrichtung (19), die den Anteil der Partikel im Gasstrom ermittelt, steuerbar ist, um ein gewünschtes Mischungsverhältnis von gemischtem (16) und sauberem Trägergas (15) einzustellen. Anordnung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Messeinrichtung (19) zur Steuerung des Mischungsverhältnisses eine optische Streulichtmesseinheit ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der gepulste Energiestrahl (4) mindestens ein Laserstrahl (42) ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der gepulste Energiestrahl (4) ein Elektronenstrahl ist. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der gepulste Energiestrahl (4) ein Ionenstrahl ist.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com