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Dokumentenidentifikation DE69935495T2 29.11.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001049157
Titel Herstellungsverfahren für vergrabene Kanäle und Hohlräume in Halbleiterscheiben
Anmelder STMicroelectronics S.r.l., Agrate Brianza, Mailand/Milano, IT
Erfinder Barlocchi, Gabriele, 20010 Cornaredo, IT;
Villa, Flavio, 20159 Milano, IT;
Corona, Pietro, 00185 Roma, IT
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Aktenzeichen 69935495
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 29.04.1999
EP-Aktenzeichen 998302558
EP-Offenlegungsdatum 02.11.2000
EP date of grant 14.03.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 29.11.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/764(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01L 21/20(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen vergrabener Kanäle und Hohlräume in Halbleiterscheiben.

Bekanntlich erfordern viele Anwendungen Kanäle oder Hohlräume innerhalb eines Siliziumsubstrats, etwa zur Ausbildung abgefederter Massen von Mikroaktuatoren und/oder Sensoren verschiedener Art wie etwa Geschwindigkeits-, Beschleunigungs- und Drucksensoren, oder zur Isolation von elektronischen Komponenten.

Derzeit können vergrabene Hohlräume grundsätzlich über verschiedene Wege hergestellt werden. Gemäß einer ersten Lösung, die in 1 gezeigt ist, werden zwei monokristalline Siliziumscheiben 1, die in geeigneter Weise ausgehoben sind, so dass jede von diesen einen Halbhohlraum darstellt, gegeneinander über eine Haftvermittlungsschicht (z. B. Siliziumoxid 2) gebondet, so dass die beiden Halbhohlräume einen vergrabenen Hohlraum 3 ausbilden.

Gemäß einer zweiten Lösung, die in 2 gezeigt ist, wird eine Scheibe 1 aus monokristallinem Silizium, die in geeigneter Weise ausgehoben ist, um einen endgültigen Hohlraum 4 bereitzustellen, auf eine Glasschicht 5 gebondet (anodischer Bondprozess).

Derartige Lösungen sind kostenträchtig, höchst kritisch, weisen eine geringe Produktivität auf und sind nicht gänzlich mit herkömmlichen Technologiestadien, die in die Herstellung mikroelektronischer Komponenten eingebunden sind, kompatibel. Zusätzlich ist es bei der Lösung von 2 nicht immer möglich, einen integrierten Schaltkreis auszubilden.

EP 0 890 998 lehrt eine weitere Lösung einschließlich eines Ausbildens eines vergrabenen Opfergebiets auf einem Substrat, epitaktisches Aufwachsen einer Halbleitermaterialschicht mit einem polykristallinen Siliziumbereich über dem vergrabenen Opfergebiet sowie eines monokristallinen Gebiets anderswo, Ausbilden von Öffnungen in dem Substrat bis zum vergrabenen Opfergebiet und Entfernen des vergrabenen Opfergebiets durch die Öffnungen zur Ausbildung eines vergrabenen Hohlraums.

Eine weitere Lösung ist aus US-A-4 993 143 bekannt, worin mit Hilfe einer Maske eine Mulde in einer Scheibe ausgebildet wird. Eine Oxidschicht wird auf den Seitenwänden der Mulde ausgebildet. In einem weiteren Ätzschritt wird mittels der Mulde ein Hohlraum ausgebildet, der dann überwachsen werden kann, um einen vergrabenen Hohlraum anzugeben.

Das Ziel dieser Erfindung liegt somit darin, ein Verfahren anzugeben, das die Nachteile bekannter Lösungen beseitigt.

Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen vergrabener Hohlräume in Halbleitermaterialscheiben als auch eine Halbleitermaterialscheibe gemäß der Definition in den jeweiligen Patentansprüchen 1 und 12 angegeben.

Dem Verständnis der Erfindung dienend wird nun eine bevorzugte Ausführungsform als nicht beschränkendes Beispiel mit Bezug auf die begleitenden Abbildungen beschrieben, wobei:

1 eine Querschnittsansicht einer gemäß einer bekannten Lösung hergestellten Halbleitermaterialscheibe zeigt;

2 einen Querschnitt einer weiteren bekannten Lösung zeigt;

3 bis 11 Querschnittsansichten einer Halbleitermaterialscheibe während aufeinander folgender Herstellungsschritte gemäß der Erfindung zeigen; und

12 die mit dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren erzielte Scheibe auf reduzierter Skala zeigt.

3 zeigt eine Scheibe 10 aus monokristallinem Silizium, die aus einem Substrat 11 mit einer Oberfläche 12 gebildet ist. Auf der Oberfläche 12 ist ein Ätzungsunterstützungsgebiet 13 ausgebildet mit einer Dicke von vorzugsweise zwischen 450 und 1000 nm. Das Ätzungsunterstützungsgebiet 13 wird beispielsweise durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) einer polykristallinen Siliziumschicht und nachfolgende Gestaltung der polykristallinen Siliziumschicht mit Hilfe einer Fotolackmaske erzielt. Das Ätzungsunterstützungsgebiet 13 dient der Änderung der Form der gewünschten Hohlräume oder Kanäle, wie nachfolgend erläutert wird.

Nachfolgend wird eine thermische Oxidation ausgeführt (4); eine erste Padschicht 15 aus Siliziumoxid wird dann auf das Ätzungsunterstützungsgebiet 13 und auf die Oberfläche 12 der Scheibe 10 gewachsen, wobei Letztere nicht von dem Ätzungsunterstützungsgebiet 13 bedeckt ist. Die erste Padschicht 15 weist beispielsweise eine Dicke zwischen 20 und 100 nm auf. Danach werden eine erste Ätzungsabschirmungsschicht 16 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von z. B. zwischen 90 und 200 nm und dann eine Keimschicht 17 aus polykristallinem Silizium mit einer Dicke zwischen 1 und 2 &mgr;m abgeschieden. Die Keimschicht 17 wird vorzugsweise mittels CVD abgeschieden. Dann erfolgt eine thermische Oxidation, wodurch eine zweite Padschicht 18 aus Siliziumoxid mit einer Dicke von z. B. zwischen 20 und 60 nm auf der Keimschicht 17 abgeschieden wird; und daraufhin wird eine zweite Ätzabschirmungsschicht 19 aus Siliziumnitrid mit einer Dicke von etwa zwischen 90 und 200 nm abgeschieden. Auf diese Weise wird die Zwischenstruktur von 4 erzielt, welche einen Schichtstapel 16-19 darstellt.

Eine Fotolackmaske 20 wird sodann ausgebildet (5), und bedeckt die gesamte Scheibe 10, ausgenommen eines Fensters 21 oberhalb des Ätzungsunterstützungsgebiets 13. Unter Zuhilfenahme der Fotolackmaske 20 werden die zweite Ätzabschirmungsschicht 19, die zweite Padschicht 18, die Keimschicht 17 und die erste Ätzabschirmschicht 16 aufeinander folgend trocken und nass geätzt. Die Ätzung endet automatisch auf der ersten Padschicht 15. Am Ende der Ätzung erstreckt sich ein Loch 22 durch den Schichtstapel 16-19 hinunter zur ersten Padschicht 15. In vorteilhafter Weise liegt die Breite des Lochs 22 zwischen 1 und 5 &mgr;m und dessen Länge und Form (in der Richtung senkrecht zur Zeichenebene) werden von der Länge und Form des Ätzungsunterstützungsgebiets 13 und schlussendlich von den gewünschten Eigenschaften des herzustellenden Hohlraums bestimmt.

Nachfolgend (6) wird die Fotolackmaske 20 entfernt und die freigelegte Oberfläche der Keimschicht 17, die dem Loch 22 gegenüberliegt wird thermisch oxidiert und bildet einen Oxidbereich 24 mit einer Dicke zwischen etwa 20 und 100 nm aus und schließt, ohne Auflösung der Kontinuität, an die zweite Padschicht 18 an.

Dann wird eine dritte Ätzabschirmschicht 25 aus Siliziumnitrid abgeschieden und diese weist eine Dicke von vorzugsweise zwischen 90 und 200 nm auf (7) und bedeckt die Wände und die Unterseite des Lochs 22 vollständig. Die dritte Ätzabschirmungsschicht 25 wird dann anisotrop geätzt und in den horizontalen Bereichen auf der zweiten Ätzabschirmschicht 19 sowie auf der Unterseite des Lochs 22 entfernt. Ein Abdeckungsgebiet 25' verbleibt auf den lateralen Wänden des Lochs (nun mit 22' gekennzeichnet) und schließt ohne Unterbrechung der Kontinuität an die ersten und zweiten Ätzabschirmschichten 16, 19, die ebenso aus Siliziumnitrid bestehen, an, und bildet mit Letzteren eine Schutzstruktur 26 aus, die die zweite Keimschicht 17 vollständig umgibt (8).

Als nächstes wird der freiliegende Bereich der ersten Padschicht 15 unterhalb des Lochs 22' zeitlich gesteuert trocken- oder nassgeätzt, wodurch das Ätzungsunterstützungsgebiet 13 freigelegt wird. Somit wird die in 8 gezeigte Zwischenstruktur erzielt.

Dann wird das Substrat 11 in zeitlich gesteuerter Weise unter Verwendung von Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) mit der Formel (CH3)4NOH geätzt (9). Die Form der Ätzung wird sowohl von dem Vorhandensein des Ätzungsunterstützungsgebiets 13 als auch der Ätzausrichtung bestimmt. Da das Ätzungsunterstützungsgebiet 13 aus polykristallinem Silizium besteht, wird dieses bevorzugt in Bezug auf das Substrat 11 entfernt, das aus monokristallinem Silizium aufgebaut ist, und bestimmt das Ätzausmaß parallel zur Oberfläche 12. Weist die Oberfläche 12 der Scheibe andererseits bei der Struktur von 9 die Ausrichtung <100> auf, so ist die schräge Ätzgeschwindigkeit entsprechend der <111> Ausrichtung erheblich niedriger als die Ätzgeschwindigkeit entsprechend der <100> Ausrichtung (V<111> << V<100>) und das monokristalline Silizium des Substrats 11 wird vorzugsweise entlang der Vertikalen geätzt.

Daraus folgt, dass die Ätzung insgesamt entlang von Fronten mit einer durch das voranschreitende Entfernen des Ätzungsunterstützungsgebiets 13 bestimmten Breite erfolgt und sich, wie in 9 gezeigt, in die Tiefe des Substrats erstreckt, wo die gestrichelten Linien und die gestrichelten und punktierten Linien die voranschreitenden Ätzfronten kennzeichnen und die Pfeile die Richtung der voranschreitenden Ätzung markieren. Am Ende der Ätzung wird nach einer vorgegebenen Zeitspanne abhängig von der Breite des Ätzungsunterstützungsgebiets 13 ein hammerförmiger Hohlraum 30 innerhalb des Substrats 11 ausgebildet. In diesem Schritt wird die Keimschicht 17 von der Schutzstruktur 26 geschützt. Die Wand des Hohlraums 13 wird dann thermisch oxidiert und bildet eine Schutzschicht 31 (10) aus mit einer vorzugsweise im Bereich zwischen 60 und 300 nm liegenden Dicke.

Nachfolgend (11) wird das Nitridmaterial geätzt, wodurch die zweite Ätzabschirmungsschicht 19 entfernt wird und daraufhin wird die zweite Oxid-Padschicht 18 geätzt. Da die Schutzschicht 31 verglichen mit der zweiten Padschicht 19 die größere Dicke aufweist, wird die Schutzschicht 31 in diesem Schritt höchstens teilweise entfernt.

Unter Verwendung einer Fotolackmaske wird die Keimschicht 17 geeignet geformt, so dass diese überall entfernt wird, jedoch nicht über und um den Hohlraum 30; zusätzlich werden die erste Ätzabschirmungsschicht 16 und die erste Padschicht 15 dort geätzt und entfernt, wo diese freiliegen. Folglich ist die Oberfläche 12 des Substrats 11 einmal mehr freigelegt, abgesehen vom Hohlraum 30.

Schließlich (12) erfolgt ein epitaktisches Wachstum ausgehend vom Substrat 11 (dort wo dieses nicht bedeckt ist) als auch von der Keimschicht 17 aus. Insbesondere wird eine sogenannte pseudo-epitaktische Schicht 33 ausgebildet, die aus einem monokristallinem Bereich 33a auf dem Substrat 11 und einem polykristallinen Bereich 33b auf der Keimschicht 17 gebildet wird, wobei diese Bereiche von einem Übergangsgebiet 33c getrennt sind, wie in 12 gezeigt ist. Das Substrat 11 und die pseudo-epiktaktische Schicht 33 bilden somit eine Scheibe 34 aus. Zusätzlich findet das epitaktische Wachstum über der Keimschicht 17 ebenso horizontal statt, wodurch das Loch 22' geschlossen wird. Folglich ist der Hohlraum 30 an all seinen Seiten geschlossen und vollständig in die Scheibe 34 eingebettet.

Die Scheibe 34 wird dann entsprechend den auszubildenden Vorrichtungen weiteren Verarbeitungsschritten unterzogen. Insbesondere werden im polykristallinen Bereich 33b abgefederte Strukturen ausgebildet wie etwa Membranen, Induktionsspulen, Beschleunigungssensoren, usw. und im monokristallinen Bereich 33a der pseudo-epitaktischen Schicht 33 werden elektronische Verarbeitungs- und Steuerkomponenten integriert.

Die Vorteile des beschriebenen Verfahrens sind wie folgt: zunächst ermöglicht das Verfahren ein Ausbilden geschlossener Hohlräume in einer Siliziumscheibe über Prozessschritte, die vollständig kompatibel sind zu Halbleiterherstellungsprozessen. Das Verfahren weist keine besonders kritischen Aspekte auf und ermöglicht eine gute Produktivität, zurückhaltende Kosten, als auch die Integration von Mikrostrukturen und elektronischen Komponenten.

Schließlich ist klar, dass Modifikationen und Variationen im Hinblick auf das beschriebene und hierin veranschaulichte Verfahren erfolgen können, welche allesamt innerhalb des Schutzbereiches der Erfindung, der in den beigefügten Patentansprüchen definiert ist, fallen. Insbesondere werden die Größe, Form und Anzahl der Löcher 22' auf Basis der Größe und Form des auszubildenden Hohlraums 30 und der Eigenschaften der TMAH Ätzung auf dem Substrat 11 geeignet gewählt. So ist es im Falle eines Lochs 22' mit gestreckter Form möglich, verlängerte Kanäle zu erzielen; im Falle von abgefederten Strukturen großer Fläche ist es möglich, eine Anzahl von Löcher 22' oberhalb eines selben Ätzungsunterstützungsgebiets 13 auszubilden, um eine Anzahl von anfänglichen Hohlräumen zu erzeugen, die dann zur Ausbildung eines endgültigen, großen Hohlraums parallel zur Oberfläche 12 des Substrats 11 kombiniert werden.

Zusätzlich kann die zur Ausbildung der Schutzschicht 31 verwendete thermische Oxidation weggelassen werden, und die Keimschicht 17 kann in zwei Schritten durch Abscheiden einer dünnen Gasphasenschicht sowie epitaktisches Aufwachsen einer polykristallinen Schicht bis zur gewünschten Dicke erzeugt werden.

Nach dem Ausbilden des Hohlraums 30 kann das Entfernen der zweiten Ätzabschirmungsschicht 19 und der zweiten Padschicht 18 durch Nassätzung erfolgen, wodurch das Abdeckungsgebiet 25' und der Oxidbereich 24 ebenso entfernt werden.


Anspruch[de]
Verfahren zum Herstellen vergrabener Hohlräume in Halbleitermaterialscheiben, gekennzeichnet durch die Abfolge von Schritten:

– Ausbilden eines Schichtstapels (16-19) auf einem einkristallinen Körper (11) aus Halbleitermaterial, wobei der Schichtstapel (16-19) eine erste Ätzabschirmungsschicht (16), eine Keimschicht (17) aus polykristallinem Silizium und eine zweite Ätzabschirmungsschicht (19) aufweist;

– Ausbilden eines Fensters (22) innerhalb des Schichtstapels mit seitlich abgrenzenden Wänden;

– Beschichten der seitlich abgrenzenden Wände des Fensters mit einem Abdeckungsgebiet (25'), wodurch die Keimschicht (17) von einer Schutzstruktur (26) umgeben ist und über eine Öffnung (22') abgegrenzt ist;

– Ausbilden eines Hohlraums (30) im einkristallinen Körper (11) unterhalb der Keimschicht (17) durch die Öffnung hindurch;

– Entfernen wenigstens eines oberen Bereichs (19) der Schutzstruktur (26); und

– Aufwachsen einer epitaktischen Schicht (33) auf dem einkristallinen Körper (11) und der Keimschicht (17).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden eines Hohlkörpers (30) den Schritt Ätzen des einkristallinen Körpers (11) durch die Öffnung (22'), welche von der Schutzstruktur (26) abgegrenzt ist, aufweist. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzschritt als TMAH-Ätzung ausgeführt wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Ausbilden einer Keimschicht (17) ein Ätzungsunterstützungsgebiet (13) direkt auf dem einkristallinen Körper (1) ausgebildet wird, wobei das Ätzungsunterstützungsgebiet unterhalb der Keimschicht (17) angeordnet wird und von der Keimschicht (17) durch die Schutzstruktur (26) getrennt ist. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzungsunterstützungsgebiet (13) aus polykristallinem Silizium besteht. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Keimschicht (17) auf dem Ätzungsunterstützungsgebiet (13) ausgebildet wird. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Ätzabschirmungsschichten (16, 19) und das Abdeckungsgebiet (25') aus Siliziumnitrid sind. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch Ausbilden einer thermischen Oxidschicht (15, 18) unterhalb der ersten und zweiten Ätzabschirmungsschichten (16, 19) und Ausbilden thermischer Oxidgebiete (24) unterhalb des Abdeckungsgebiets (25'). Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch Ausbilden eines Schutzgebiets (31) auf Seitenwänden des Hohlraums (30), bevor ein oberer Bereich (19) der Schutzstruktur (26) entfernt wird. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausbilden eines Schutzgebiets (31) ein thermisches Oxidieren der Wände des Hohlraums (30) beinhaltet. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Ausbilden eines Schutzgebiets (31) ein Schritt zum Aufwachsen einer epitaktischen Schicht (33) ausgeführt wird, wobei der Schritt ein Ausbilden eines einkristallinen Gebiets (33a) auf dem einkristallinen Körper (11) und eines polykristallinen Gebiets (33b) auf der Keimschicht (17) beinhaltet. Scheibe (34) aus einem Halbleitermaterial, die wenigstens einen vergrabenen Hohlkörper (30) beinhaltet, der in einem einkristallinen Gebiet (11) ausgebildet ist, und an der Oberseite über eine epitaktische Schicht (33) geschlossen ist, wobei die epitaktische Schicht (33) einen polykristallinen Bereich (33b) oberhalb des vergrabenen Hohlkörpers (30) und ein einkristallines Gebiet (33a) auf dem einkristallinen Gebiet (11) aufweist, gekennzeichnet durch eine Keimschicht (17) aus polykristallinem Silizium, die sich entlang des Hohlkörpers erstreckt und von einer Schutzstruktur (26) umgeben ist, wobei die Schutzstruktur (26) eine dem Hohlkörper gegenüberliegende Ätzabschirmungsschicht (16) sowie ein eine Öffnung (22') in der Keimschicht (17) abgrenzendes Abdeckungsgebiet (25') beinhaltet.






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