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Dokumentenidentifikation DE602004005442T2 06.12.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001622182
Titel Emitter für eine Ionenquelle und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH, 85551 Kirchheim, DE
Erfinder Pilz, Wolfgang, 01324 Dresden, DE;
Bischoff, Lothar, 01309 Dresden, DE
Vertreter Zimmermann & Partner, 80331 München
DE-Aktenzeichen 602004005442
Vertragsstaaten DE, GB, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 28.07.2004
EP-Aktenzeichen 040178949
EP-Offenlegungsdatum 01.02.2006
EP date of grant 21.03.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 06.12.2007
IPC-Hauptklasse H01J 27/26(2006.01)A, F, I, 20060206, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01J 37/08(2006.01)A, L, I, 20060206, B, H, EP   

Beschreibung[de]
GEBIET DER ERFINDUNG

Die Erfindung bezieht sich auf einen Emitter für eine Ionenquelle und insbesondere auf einen Emitter für eine Flüssigmetalllegierungs-Ionenquelle (LMAIS). Die Erfindung bezieht sich weiter auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Emitters.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die fokussierte Ionenstrahlentechnologie (FIB-Technologie) ist ein wichtiges Werkzeug für die Halbleiterindustrie. Fokussierte Ionenstrahlen werden für die Fehleranalyse, die Vorbereitung von Proben für die Durchlichtelektronenmikroskopie und die Modifizierung von Schaltkreisen und Masken verwendet. Die FIB-Mikro- und Nanofertigung können eingesetzt werden, um die erforderliche Komplexität bei herkömmlichen Fertigungsverfahren, insbesondere bei Lithographie, Ätzen und Dotieren, zu verringern, die verschiedene Anforderungen für die unterschiedlichen Komponenten erfüllen müssen, die auf demselben Substrat gefertigt werden.

Der Erfolg der FIB-Technologie ist auf die Erfindung von Flüssigmetall-Ionenquellen (LMIS) zurückzuführen. Bei einer Flüssigmetall-Ionenquelle werden eine winzige Nadel und ein Filament, die im Allgemeinen aus W, Ta, Ti oder Ni hergestellt sind, als Emitter verwendet (siehe die linke Seite in 6). Emitter vom Reservoirtyp mit und ohne Nadel sowie Emitter vom porösen Typ sind ebenfalls bekannt. Ein Emitter vom Kapillartyp ist auf der rechten Seite in 6 gezeigt.

Der Emitter wird mit einem Quellmaterial benetzt und beladen. Zum Benetzen und für den Betrieb der Quelle muss das Quellmaterial in flüssiger Form bereitgestellt werden. Zu diesem Zweck kann eine Widerstandsheizung oder eine Elektronenstrahlheizung verwendet werden. Dabei wird eine Hochspannung zwischen der Emitterspitze und einer Gegenelektrode angelegt. Aufgrund des starken elektrischen Felds an der Emitterspitze bildet sich eine noch kleinere Spitze flüssigen Quellmaterials an der Emitterspitze, aus der Ionen emittiert werden. Dadurch wird ein stabiler Ionenstrahl aus dem Quellmaterial erzeugt.

Das Quellmaterial muss jedoch verschiedene physikalische und chemische Anforderungen erfüllen. Es ist wichtig, dass das Quellmaterial metallisch ist, einen relativ niedrigen Schmelzpunkt und einen niedrigen Dampfdruck aufweist. Von besonderer Bedeutung ist jedoch, dass das Quellmaterial gute Benetzungseigenschaften im Hinblick auf das Material des Filaments aufweist.

Seltenerdmetalle werden weithin für Anwendungen in der Laser- und optischen Kommunikation verwendet. Unter den Seltenerden hat Praseodym (Pr) großes Interesse gefunden, und zwar wegen der Emission bei 1,3 &mgr;m, die einer Wellenlänge für Absorptions- und Dispersionsminima in optischen Silicafasern entspricht. Außerdem wird Pr in Si- oder GaAs-Halbleitern verwendet. Insbesondere ist in DE 100 39 327 A1 die Verwendung von Pr2O3 als Gate-Oxid in MOSFETs zur weiteren Verringerung der Gate-Länge beschrieben. Daneben wird in „Praseodymium alloy ion source for focused ion beam implantation in superconductors" von F. Machalett et al., Rev. Sci. Instrum. 67 (3), 1996, über das Dotieren von Pr-Ionen in Hoch-Tc-Supraleitern für die Bildung von Josephson-Übergängen berichtet.

S. Papadopoulos berichtet jedoch in „A study of the liquid Pr-ion source", Phys. D, 20 (1987), S. 1302, von einer schlechten Benetzbarkeit von Wolfram durch flüssiges Pr bei Temperaturen nahe dem Schmelzpunkt. Außerdem oxidiert das flüssige Pr bei Einwirkung von Luft rasch zu Pr2O3, einer der bekanntesten feuerfesten Substanzen.

Daher haben die Autoren von „Praseodymium alloy ion source for focused ion beam implantation in superconductors", Rev. Sci. Instrum. 67 (3), 1996, die ternäre Legierung Au-Si-Pr als Quellmaterial verwendet. Au ist jedoch ein ungeeignetes Quellmaterial für die Halbleiterindustrie: Wegen seiner raschen Diffusion verteilt sich Au schnell in dem Halbleitermaterial und verändert die elektrische Leitfähigkeit in unkontrollierbarer Weise.

In „Rare earth focused ion beam implantation utilizing Er and Pr liquid alloy ion sources" von L.C. Chao et al., J. Vac. Sci. Technol. B 17(6), November/Dezember 1999, wird eine LMAIS mit den binären Legierungen PrPt und PrAg auf einem Wolframdraht beschrieben. Aber auch diese Quellmaterialien führen Pt- oder Ag-Verunreinigungen in das Halbleitermaterial ein.

Schließlich beschreibt EP 0 620 582 die Verwendung der binären Legierung CoPr für eine Co-Ionenquelle. Bei dieser Anwendung wird das Pr jedoch nur zur Senkung des Schmelzpunktes verwendet.

Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, die mit der bisherigen Technik verbundenen Nachteile zumindest teilweise zu überwinden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Dieses Ziel wird durch einen Emitter nach Anspruch 1 und ein Herstellungsverfahren nach Anspruch 14 erreicht.

Weitere Vorteile, Merkmale, Aspekte und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den zugehörigen Zeichnungen.

Nach einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Emitter für eine Ionenquelle bereitgestellt, wobei der Emitter die binäre Legierung PrSi als Quellmaterial umfasst. Daher werden durch die Ionenquelle nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung nur Pr- und Si-Ionen sowie eine geringe Menge Cluster- und Molekülionen erzeugt. Dementsprechend werden keine Verunreinigungen in die Halbleitermaterialien eingeführt, wenn sie mit einem von dieser Ionenquelle erzeugten Ionenstrahl bearbeitet werden. Außerdem sind Pr-Ionen sehr viel schwerer als Si-Ionen. Daher kann Pr bei der Strukturierung von Halbleiteroberflächen für die schnelle Oberflächenzersetzung verwendet werden, während die leichteren Si-Ionen für die Feinzersetzung benutzt werden können. Auf diese Weise ermöglicht die binäre Legierung PrSi sowohl die schnelle als auch die feine Oberflächenzersetzung mit einer einzigen Ionenquelle. Schließlich ist die binäre Legierung PrSi im Gegensatz zu reinem Pr ausreichend stabil, wenn sie der Einwirkung von Luft ausgesetzt wird, so dass die PrSi-Ionenquelle ohne weiteres hergestellt und montiert werden kann.

Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der Emitter ein Filament und eine Nadel auf, die vorzugsweise aus Wolfram oder Tantal hergestellt sind. Das Filament/die Nadel ist mit einer Siliziumschicht beschichtet, wobei die Beschichtung vorzugsweise durch Sputtern erfolgt. Diese Siliziumschicht verbessert die Benetzungseigenschaften des Filament-/Nadelmaterials im Hinblick auf PrSi, so dass sich der Emitter problemlos mit dem PrSi-Quellmaterial benetzen und beladen lässt. Insbesondere ist die zum Benetzen nötige Temperatur deutlich niedriger, wenn die Siliziumschicht auf das Filament/die Nadel aufgebracht wird. Außerdem stellt die Verwendung von Silizium für diese Beschichtungsschicht sicher, dass keine Verunreinigungen in ein Silizium-Halbleitermaterial eingeführt werden, auch wenn Material aus der Beschichtungsschicht emittiert wird.

Nach einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist die Siliziumschicht eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 1.500 nm auf. Dies stellt sicher, dass die Mikrostruktur des Filaments/der Nadel erhalten bleibt. Insbesondere ist die Siliziumschicht ausreichend dünn, damit auf dem Filament/der Nadel gebildete Mikrorillen für den Transport von flüssigem Quellmaterial zur Emitterspitze sich nicht zusetzen. Andererseits weist die Siliziumschicht eine ausreichende Dicke auf, damit das Material des Filaments/der Nadel vollständig beschichtet wird und auch während des Betriebs beschichtet bleibt.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Emitters für eine Ionenquelle bereitgestellt. Das Herstellungsverfahren umfasst das Bereitstellen eines Filaments/einer Nadel, das Bereitstellen der binären Legierung PrSi in einem geschmolzenen (flüssigen) Zustand, das Benetzen des Filaments/der Nadel mit dem flüssigen PrSi und schließlich das Beladen des Filaments/der Nadel mit einem Tröpfchen des flüssigen PrSi.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Einige der vorstehend angegebenen und weitere detailliertere Aspekte der Erfindung sind in der nachstehenden Beschreibung beschrieben und zum Teil in den Abbildungen gezeigt.

1 zeigt eine charakteristische Kurve für einen Emitter nach der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

2 zeigt das Massenspektrum des erzeugten Ionenstrahls nach der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

3 zeigt eine Vergrößerung des unteren Teils des Massenspektrums in 2.

4 zeigt eine charakteristische Kurve für einen Emitter nach der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

5 zeigt eine charakteristische Kurve für einen Emitter nach der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

6 zeigt einen Emitter vom Filament- und Nadeltyp und einen Emitter vom Kapillartyp

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN Erste Ausführungsform

Filament und Nadel wurden aus einem Wolframdraht mit einer Dicke von 0,2 mm hergestellt und dann aneinander punktgeschweißt. Die Spitze der Nadel wurde geläppt, und zur Spitze hin verlaufende Mikrorillen wurden zum Transport von flüssigem Quellmaterial zur Spitze erzeugt. Danach wurde eine Siliziumschicht mit einer Dicke von 700 nm durch Sputtern auf das Filament und die Nadel aufgebracht.

Ein PrSi-Quellmaterial mit 11 % Si und 89 % Pr wurde bereitgestellt. Es wurde unter hohem Vakuum in einem direkt beheizten Tantaltiegel geschmolzen. Die eutektische Legierung PrSi weist einen Schmelzpunkt von 732°C auf. Ein Vorteil der eutektischen Legierung PrSi ist der, dass der Schmelzpunkt niedriger ist als bei allen anderen Anteilen von Pr und Si. Darüber hinaus wird dieser Anteil von Pr und Si in dem Ionenstrahl konstant aufrechterhalten, so dass keiner der Bestandteile vor dem anderen vollständig verbraucht wird.

Danach wurden das vorgewärmte beschichtete Filament und die vorgewärmte beschichtete Nadel mit der eutektischen PrSi-Schmelze in Kontakt gebracht. Aufgrund der Kohäsionskraft beginnt das flüssige PrSi-Material auf das Filament und die Nadel zu fließen, wodurch sich eine dünne Schicht flüssiges PrSi auf dem Filament und der Nadel bildet. Dadurch werden das beschichtete Filament und die beschichtete Nadel mit der flüssigen Legierung PrSi benetzt. Nach dem Benetzen wurden das Filament und die Nadel mit einem Tröpfchen flüssiges PrSi beladen. Im Allgemeinen hat das Tröpfchen ein Volumen von etwa 1 bis 3 mm3. Das Benetzen und das Beladen können bei einer Temperatur im Bereich von 732 bis 1.100°C erfolgen.

Die charakteristische Kurve für die vorliegende Ausführungsform der Erfindung ist in 1 gezeigt. Dabei geben die Quadrate den Strahlstrom bei Erhöhung der Extraktionsspannung und die Kreise den Strahlstrom bei Senkung der Extraktionsspannung an.

Die in 1 gezeigte Strahlstromcharakteristik ist nicht zu steil, so dass der Strahlstrom der Quelle im Bereich von 1 bis 30 &mgr;A wirksam geregelt werden kann. Auch die Einschaltspannung der Ionenquelle ist ziemlich moderat.

2 zeigt ein Massenspektrum des PrSi-Emitters nach der vorliegenden Ausführungsform der Erfindung. Darin ist gezeigt, dass 141Pi1+- und 141Pr2+-Ionen die Hauptfraktion bilden, wie aus dem Anteil von Pr und Si in der binären Legierung zu erwarten. Außerdem sind 28Si1+- und 28Si2+-Ionen die vorherrschende Si-Ionenspezies.

3 zeigt eine differenziertere Analyse des Massenspektrums in 2, wobei es eine vergrößerte Ansicht der kleineren Fraktionen von Ionenspezies in dem Ionenstrahl zeigt. Auch hier sind die 29Si2+- und 30Si2+-Ionen der Si-Linie klar zu erkennen. Außerdem sind in dem Ionenstrahl ionisierte 28Si2 1+-Moleküle enthalten. Außerdem sind auch PrSi1+-, PrSi2+- und sogar PrSi2 1+-Moleküle in dem Ionenstrahl enthalten. Es ist zu beachten, dass es nur ein einziges Isotop von 141Pr gibt.

Zweite Ausführungsform

Filament und Nadel wurden aus einem Wolframdraht mit einer Dicke von 0,2 mm hergestellt und dann aneinander punktgeschweißt. Die Spitze der Nadel wurde geläppt, und zur Spitze hin verlaufende Mikrorillen wurden zum Transport von flüssigem Quellmaterial zur Spitze erzeugt. Danach wurde eine Siliziumschicht mit einer Dicke von 500 nm durch Sputtern auf das Filament und die Nadel aufgebracht.

Ein PrSi-Quellmaterial mit 11 % Si und 89 % Pr wurde bereitgestellt. Es wurde unter hohem Vakuum in einem direkt beheizten Wolframtiegel geschmolzen.

Danach wurden das vorgewärmte beschichtete Filament und die vorgewärmte beschichtete Nadel mit der eutektischen PrSi-Schmelze in Kontakt gebracht. Aufgrund der Kohäsionskraft beginnt das flüssige PrSi-Material auf das Filament und die Nadel zu fließen, wodurch sich eine dünne Schicht flüssiges PrSi auf dem Filament und der Nadel bildet. Dadurch werden das beschichtete Filament und die beschichtete Nadel mit der flüssigen Legierung PrSi benetzt. Nach dem Benetzen wurden das Filament und die Nadel mit einem Tröpfchen flüssiges PrSi beladen. Im Allgemeinen hat das Tröpfchen ein Volumen von etwa 1 bis 3 mm3. Das Benetzen und das Beladen können bei einer Temperatur im Bereich von 732 bis 1.100°C erfolgen.

Der Emitter wurde mit einem Heizstrom von 3,0 A in einem Vakuum von 1·10–6 Torr erwärmt. Eine Extraktionsspannung im Bereich von 3,0 bis 4,0 kV wurde angelegt, um Emissionsströme im Bereich von 5 bis 30 &mgr;A zu erzeugen. Das Massenspektrum für die zweite Ausführungsform ist nahezu identisch mit dem in 2 und 3.

Nachdem der größte Teil der ersten PrSi-Ladung aufgrund der Ionenemission verbraucht war, wurde eine zweite Beladung desselben Emitters vorgenommen. Der Emitter wurde mit einem Heizstrom von 3,2 A in einem Vakuum von 8·10–6 Torr erwärmt. Eine Extraktionsspannung im Bereich von 2,8 bis 3,8 kV wurde angelegt, um Emissionsströme im Bereich von 3 bis 20 &mgr;A zu erzeugen. Auch das Massenspektrum für die zweite Ladung ist nahezu identisch mit dem in 2 und 3.

Damit wurde gezeigt, dass ein Emitter nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wiederverwendbar ist.

Dritte Ausführungsform

Filament und Nadel wurden aus einem Wolframdraht mit einer Dicke von 0,2 mm hergestellt und dann aneinander punktgeschweißt. Die Spitze der Nadel wurde geläppt, und zur Spitze hin verlaufende Mikrorillen wurden zum Transport von flüssigem Quellmaterial zur Spitze erzeugt. Danach wurde eine Goldschicht mit einer Dicke von 300 nm auf das Filament und die Nadel aufgedampft.

Ein PrSi-Quellmaterial mit 11 % Si und 89 % Pr wurde bereitgestellt. Es wurde unter hohem Vakuum in einem direkt beheizten Tantaltiegel geschmolzen. Danach wurden das vorgewärmte beschichtete Filament und die vorgewärmte beschichtete Nadel mit der eutektischen PrSi-Schmelze in Kontakt gebracht. Aufgrund der Kohäsionskraft beginnt das flüssige PrSi-Material auf das Filament und die Nadel zu fließen, wodurch sich eine dünne Schicht flüssiges PrSi auf dem Filament und der Nadel bildet. Dadurch werden das beschichtete Filament und die beschichtete Nadel mit der flüssigen Legierung PrSi benetzt. Nach dem Benetzen wurden das Filament und die Nadel mit einem Tröpfchen flüssiges PrSi beladen. Im Allgemeinen hat das Tröpfchen ein Volumen von etwa 1 bis 3 mm3. Das Benetzen und das Beladen können bei einer Temperatur im Bereich von 732 bis 1.100°C erfolgen.

Die charakteristische Kurve für die dritte Ausführungsform der Erfindung ist in 4 gezeigt. Dabei geben die Quadrate den Strahlstrom bei Erhöhung der Extraktionsspannung und die Kreise den Strahlstrom bei Senkung der Extraktionsspannung an. Die in 4 gezeigte Strahlstromcharakteristik ist nahezu linear, so dass der Strahlstrom der Quelle im Bereich von 5 bis 30 &mgr;A effektiv geregelt werden kann. Die Einschaltspannung der Ionenquelle ist jedoch höher als bei der ersten Ausführungsform.

Vierte Ausführungsform

Filament und Nadel wurden aus einem Wolframdraht mit einer Dicke von 0,2 mm hergestellt und dann aneinander punktgeschweißt. Die Spitze der Nadel wurde geläppt, und zur Spitze hin verlaufende Mikrorillen wurden zum Transport von flüssigem Quellmaterial zur Spitze erzeugt. Danach wurde eine Goldschicht mit einer Dicke von 500 nm auf das Filament und die Nadel aufgedampft.

Ein PrSi-Quellmaterial mit 11 % Si und 89 % Pr wurde bereitgestellt. Es wurde unter hohem Vakuum in einem direkt beheizten Tantaltiegel geschmolzen. Danach wurden das vorgewärmte beschichtete Filament und die vorgewärmte beschichtete Nadel mit der eutektischen PrSi-Schmelze in Kontakt gebracht. Aufgrund der Kohäsionskraft beginnt das flüssige PrSi-Material auf das Filament und die Nadel zu fließen, wodurch sich eine dünne Schicht flüssiges PrSi auf dem Filament und der Nadel bildet. Dadurch werden das beschichtete Filament und die beschichtete Nadel mit der flüssigen Legierung PrSi benetzt. Nach dem Benetzen wurden das Filament und die Nadel mit einem Tröpfchen flüssiges PrSi beladen. Im Allgemeinen hat das Tröpfchen ein Volumen von etwa 1 bis 3 mm3. Das Benetzen und das Beladen können bei einer Temperatur im Bereich von 732 bis 1.100°C erfolgen.

Die charakteristische Kurve für die vierte Ausführungsform der Erfindung ist in 5 gezeigt. Dabei geben die Quadrate den Strahlstrom bei Erhöhung der Extraktionsspannung und die Kreise den Strahlstrom bei Senkung der Extraktionsspannung an. Die in 5 gezeigte Strahlstromcharakteristik ist nicht steil, so dass der Strahlstrom der Quelle im Bereich von 2,5 bis 30 &mgr;A effektiv geregelt werden kann. Die Einschaltspannung der Ionenquelle ist jedoch höher als bei der dritten Ausführungsform.


Anspruch[de]
Emitter für eine Ionenquelle, wobei der Emitter die binäre Legierung PrSi umfaßt. Emitter nach Anspruch 1, wobei die binäre Legierung PrSi die Form PrxSi1-x, x = 0,89±0,10, aufweist. Emitter nach Anspruch 1 oder 2, wobei die binäre Legierung PrSi eutektisch ist. Emitter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Emitter vom Filament-und-Nadel-Typ, vom Reservoirtyp mit Nadel, vom Reservoirtyp ohne Nadel oder vom porösen Typ ist. Emitter nach Anspruch 4, wobei das Filament und/oder die Nadel aus Wolfram, Tantal, Titan oder Nickel hergestellt sind. Emitter nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Filament und/oder die Nadel mit einer Zwischenschicht beschichtet sind. Emitter nach Anspruch 6, wobei die Zwischenschicht Silizium als überwiegenden Bestandteil aufweist. Emitter nach Anspruch 6, wobei die Zwischenschicht Gold als überwiegenden Bestandteil aufweist. Emitter nach Anspruch 4, wobei der Emitter vom porösen Typ ist und die Granalien vor dem Pressen mit Si oder Au beschichtet worden sind. Emitter nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die Zwischenschicht eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 1500 nm aufweist. Emitter nach einem der Ansprüche 6 bis 8 oder 10, wobei die Zwischenschicht eine Dicke von 300 nm, 500 nm oder 700 nm aufweist. Emitter nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Nadel und das Filament Mikrorillen umfassen, die in einer Richtung zur Nadelspitze hin verlaufen. Emitter nach Anspruch 12, wobei die Mikrorillen durch Ätzen oder Schleifen erzeugt werden. Verfahren zur Herstellung eines Emitters für eine Ionenquelle, umfassend die Schritte:

Bereitstellen eines Filaments und einer Nadel;

Bereitstellen einer Schmelze von PrSi;

Benetzen des Filaments und der Nadel mit der Schmelze von PrSi;

Beladen des Filaments und der Nadel mit einem Tröpfchen der Schmelze von PrSi nachdem das Filament und die Nadel mit der Schmelze von PrSi benetzt worden sind.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei die geschmolzene binäre Legierung PrSi die Form PrxSi1-x, x = 0,89±0,10, aufweist. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei die geschmolzene binäre Legierung PrSi eutektisch ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Filament und die Nadel aus Wolfram, Tantal, Titan oder Nickel hergestellt wurden. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei das Filament und die Nadel vor dem Benetzen des Filaments und der Nadel mit einer Zwischenschicht beschichtet werden. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Zwischenschicht Silizium oder Gold als überwiegenden Bestandteil aufweist. Verfahren nach Anspruch 19, wobei die Zwischenschicht eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 1500 nm aufweist. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei die Zwischenschicht eine Dicke von 300 nm, 500 nm oder 700 nm aufweist. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, wobei das Material der Zwischenschicht auf dem Filament und der Nadel durch Sputtern oder Verdampfen erzeugt wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei das Benetzen und Beladen des Filaments und der Nadel bei Temperaturen im Bereich von 732°C bis 1100°C ausgeführt werden.






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