PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102007019523A1 27.12.2007
Titel Halbleiterleistungsmodul
Anmelder Hitachi, Ltd., Tokyo, JP
Erfinder Soga, Tasao, Tokyo, JP;
Kawase, Daisuke, Tokyo, JP;
Suzuki, Kazuhiro, Tokyo, JP;
Morisaki, Eiichi, Tokyo, JP;
Saito, Katsuaki, Tokyo, JP;
Shimokawa, Hanae, Tokyo, JP
Vertreter BEETZ & PARTNER Patentanwälte, 80538 München
DE-Anmeldedatum 25.04.2007
DE-Aktenzeichen 102007019523
Offenlegungstag 27.12.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.12.2007
IPC-Hauptklasse H01L 23/373(2006.01)A, F, I, 20070926, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 23/42(2006.01)A, L, I, 20070926, B, H, DE   H01L 23/48(2006.01)A, L, I, 20070926, B, H, DE   
Zusammenfassung Aufgrund der Umweltprobleme ist die Verwendung von bleifreiem Lötmaterial grundlegend geworden. Ein Leistungsmodul wird durch Löten von Substraten mit großen Flächen ausgebildet. Es ist bekannt, dass bei Sn-3Ag-0,5Cu, das kaum kriecht und sich in Bezug auf eine große Verformung, gefolgt von einer Wölbung des Substrats, verformt, die Lebensdauer bezüglich des Temperaturzyklustests beträchtlich verkürzt ist und der konventionelle Modulaufbau sich in der Situation befindet, in der es schwierig ist, eine hohe Zuverlässigkeit zu sichern. Somit ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Zusammensetzungen auszuwählen, aus der eine Erhöhung der Lebensdauer bei geringer Umformgeschwindigkeit erwartet werden kann. Bei Sn-Lötmaterial wird durch Dotieren mit 3 bis 7% In und mit 2 bis 4,5% Ag die Wirkung einer verzögerten Rissbildung bei niedriger Umformgeschwindigkeit festgestellt und als repräsentative Zusammensetzung, die bei hohen Temperaturen stabil ist, wird Sn-3Ag-0,5Cu-5In ausgewählt. Weiterhin ist zur Verbesserung der Stabilität ein Verfahren zum teilweisen Beschichten eines Lötmetallendabschnitts mit einem Harz gezeigt.

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsmodul und insbesondere ein Halbleiterleistungsmodul mit einem Basissubstrat, einem keramischen Isoliersubstrat und einem Halbleiterchip, die mit Lötmetall verbunden sind.

Im Allgemeinen ist ein Halbleiterleistungsmodul so aufgebaut, dass ein Si-Chip, ein Isoliersubstrat aus AlN, Al2O3 oder dergleichen, ein Cu-Basissubstrat oder dergleichen mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit verlötet und mit Siliciumgel gefüllt werden.

Für ein IGBT-Modul mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit wird ein AlN-Isoliersubstrat/Cu-Basissubstrat verwendet. Als Lötmetall zum nachträglichen Einpassen des AlN-Isoliersubstrats und des Cu-Basissubstrats ist bisher eutektisches Pb-60Sn-Lötmetall verwendet worden.

Selbst wenn bei einem groß dimensionierten Substrat unmittelbar nach dem Löten eine große Wölbung auftritt, wird die Wölbung durch Kriechen gemindert, das dem eutektischen Pb-60Sn-Lötmetall eigen ist, und die Wölbung verringert sich im Lauf der Zeit. Im äußersten Umfangsabschnitt des Lötmetalls folgt die Lötmetallstruktur der Verformung des Substrats und der Spannung, und eine Rissbildung tritt nicht leicht auf. Daher haben sich keine Probleme hinsichtlich der Lebensdauer ergeben.

Inzwischen wird aufgrund der Umweltprobleme die Eliminierung von Pb verlangt und in Japan wird Sn-3Ag-0,5Cu in weitem Umfang bei der Konfektionierung von Haushaltsgeräten, in der Kommunikation, bei Computer und dergleichen eingesetzt.

Jedoch erfordert das Leistungsmodul das Löten eines Substrats mit großer Fläche und es wird festgestellt, dass mit Sn-3Ag-0,5Cu, das in Bezug auf eine große Verformung, auf die die Wölbung eines Substrats folgt, kaum eine Kriechverformung verursacht, beträchtlich eine Verringerung der Lebensdauer in Bezug auf den Wärmezyklus und TFT-Tests auftritt. Daher befindet sich der konventionelle Modulaufbau in der Situation, dass es schwierig ist, die Zuverlässigkeit sicherzustellen.

Hinsichtlich einer Sn-Ag-Cu-In-Lötmetallzusammensetzungskomponente ist das US-Patent Nr. 5 520 752 bekannt.

Andererseits ist bei der Konfiguration mit dem AlN-Isoliersubstrat und dem Cu-Basissubstrat die Lebensdauerverlängerung des Leistungszyklus das Langzeitproblem. Aufgrund des Abblätterns eines Al-Drahtverbindungsabschnitts tritt nämlich Drahtbruch auf und dies beschränkt die Lebensdauer des gesamten Moduls.

Aufgrund der Rücksichtnahme auf die Umwelt wird die Verwendung von bleifreiem Lötmetall wesentlich und Sn-3Ag-0,5Cu-Lötmetall, das im Allgemeinen verwendet wird, muss erfolgreich für ein Leistungsmodul eingesetzt werden. Der Nachteil des Sn-3Ag-0,5Cu-Lötmetalls, das einen Kriechwiderstand aufweist, aber keine Kriechverformung durchführen kann, muss überwunden werden, um die Lebensdauer sicherzustellen.

Somit wird durch Auftragen eines Epoxidharzes (nachstehend manchmal einfach als Harz abgekürzt) mit einer Haftung, das geeignete physikalische Eigenschaften aufweist, auf den Umfang eines äußersten Umfangsabschnitts eines Lötmetalls, der der Ausgangspunkt des Auftretens einer Rissbildung ist, der Bruchmechanismus verändert, das Auftreten von Rissen im Lötmetall wird verhindert und verzögert und die Rissbildungsgeschwindigkeit kann verlangsamt werden. Um die Lebensdauer des AlN-Isoliersubstrats und des Cu-Basissubstrats zu erhöhen, wird ein Harz mit einem Elastizitätsmodul, das beide hinsichtlich der Spannungsbelastung beschränken kann und einen linearen Ausdehnungskoeffizienten nahe demjenigen von Lötmetall, Cu, AlN und dergleichen aufweist, auf den Endabschnitt aufgetragen. Dadurch kann die Wärmezykluslebensdauer von Sn-3Ag-0,5Cu-Lötmetall bedeutend erhöht werden.

Der Aufbau, der das gesamte Leistungsmodul mit einem Epoxidharz bedeckt und beim Temperaturzyklustest und dergleichen hohe Zuverlässigkeit sicherstellt, ist bereits gezeigt (siehe zum Beispiel JP-A-2004-165281).

Das Problem bei dem Aufbau, der das gesamte Leistungsmodul mit einem Epoxidharz abdichtet, ist das Problem der Wölbung des Moduls, wenn es vergrößert wird.

Bei dem Modul tritt nämlich eine Wölbung auf, die durch das Mengenverhältnis in Bezug auf das dicke Cu-Basissubstrat mit hoher Biegesteifigkeit und die physikalischen Eigenschaften des Epoxidharzes beeinflusst wird. Zuerst ist bei der Wölbung, welche auftritt, wenn das Cu-Basissubstrat und das keramische Substrat verlötet werden, im frühen Stadium eine Eigenspannung vorhanden und die Wölbung betrifft die Fließzuverlässigkeit des Lötprozessschritts. Außerdem tritt des Weiteren die Wölbung in Bezug auf die physikalischen Eigenschaften des Harzes und der Harzdicke auf. Jede Wölbung muss innerhalb eines bestimmten Umfangs unterdrückt werden.

In diesem Zusammenhang betrifft bei dem Verfahren zur Beschichtung von lediglich dem Umfangsabschnitt des Lötmetalls mit einem Harz die Wölbung nicht die Steifigkeit der Harzbeschichtungsdicke. Daher hat das auf den Umfang aufgetragene Harz weniger Einfluss auf die Wölbung und dieses Verfahren weist ein geringeres Problem im Vergleich zu dem Aufbau auf, der das gesamte Modul harzformt. Andererseits erhöht dieses Verfahren die Spannungslast auf den Umfangsharzabschnitt. Das Harz hat den Hauptzweck, die direkte Verstärkung des Lötmetalls durch Beschichten des Lötmetallabschnitts am äußersten Umfangsabschnitt, wo sich die Spannung beträchtlich konzentriert, zu bewirken. Dies ist der Aufbau, bei dem Lötmetall und das Harz am Umfangsabschnitt Spannung und Belastung übernehmen, die aufgrund des Wärmeausdehnungsgefälles zwischen dem Cu-Basissubstrat und dem keramischen Substrat auftreten, da das Harz auf dem Mittelabschnitt des Moduls nicht vorhanden ist.

Um die Lebensdauer eines Leistungszyklus zu erhöhen, ist es andererseits notwendig, die Lebensdauer des Al-Drahtverbindungsteils zu erhöhen. Um die Lebensdauer des Drahtverbindungs-(nachstehend als WB abgekürzt)-Teils zu erhöhen, muss eine Wärmeermüdung des WB-Teils durch EIN/AUS-Schalten verhindert werden oder die Verschlechterung aufgrund von Wärmeermüdung verzögert werden. Der langfristige Gebrauch erhöht die Temperatur des Umfangs des WB-Teils nach und nach und dadurch beschleunigt er die Verschlechterung durch Ermüdung des WB-Teils.

Somit ist die erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Halbleiterleistungsmoduls mit vorteilhafter Zuverlässigkeit, das eine Beschleunigung der Verschlechterung durch Ermüdung verhindert, indem es einen Temperaturanstieg des Drahtverbindungsteils verhindert, und die Lötmetalllebensdauer bedeutend erhöht.

Es wurde festgestellt, dass, da Sn-3Ag-0,5Cu-Lötmetall nicht zur Kriechverformung imstande ist, obwohl es Kriechwiderstand aufweist, es das Auftreten einer Wölbung eines großen Substrats eines Leistungsmoduls und dergleichen durch Kriechen nicht mindern kann, und da als Ergebnis stets eine hohe Spannung auf das Lötmetall wirkt, wird die Lebensdauer des Lötmetalls entgegen den Erwartungen kurz. Daher wurde der Wärmezyklustest mit der Konfiguration mit einer sehr geringen Beanspruchungsrate mit dem Modell durchgeführt, das einer echten Sache mit hoher Wärmekapazität gleichwertig ist, die Lebensdauer wurde bei jedem viel versprechenden Sn-Lötmetall mit Realisierbarkeit ausgewertet und die Lötmetallzusammensetzung wurde ausgewählt.

Eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Halbleiterleistungsmoduls, das dazu entworfen ist, die Lebensdauer des zwischen einem keramischen Substrat und einem Basissubstrat gegen die Temperaturänderung einer intermittierenden Energiezufuhr und eines intermittierenden Temperaturzyklus zu erhöhen.

Zusammenfassung der Erfindung

Zur Lösung der vorstehend beschriebenen ersten Aufgabe ist ein Halbleiterleistungsmodul der vorliegenden Erfindung ein Leistungsmodul, das durch Verbinden eines Basissubstrats aus Cu oder dergleichen und eines keramischen Isoliersubstrats und eines Halbleiterchips mit Lötmetall und durch Einfüllen eines weichen Harzes, wie zum Beispiel Siliciumgel, ausgebildet wird, und es ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Epoxidharz auf den Umfang eines Lötmetallendabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats, den Umfang eines Endabschnitts des keramischen Isoliersubstrats am Umfang und einen Teil einer Oberfläche des Basissubstrats am Umfang so aufgetragen ist, dass es sie einhüllt.

Zur Lösung der vorstehend beschriebenen zweiten Aufgabe ist ein Halbleiterleistungsmodul der vorliegenden Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass zum Löten des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats bleifreies Lötmetall verwendet wird, das zusammengesetzt ist aus: Ag: 2 Massenprozent bis 4,5 Massenprozent, Cu: 0 Massenprozent bis 2,0 Massenprozent, In: 3 Massenprozent bis 7 Massenprozent und zum Rest Sn.

Die Lötfolie (150 &mgr;m dick) jeder Art von Zusammensetzung, die für viel versprechend gehalten wurde, wurde nämlich auf das Cu-Basissubstrat platziert, darauf wurde das Al2O3-Isoliersubstrat mit der kupferplattierten Elektrode platziert und ein Reflow-Löten wurde unter Reduktionsatmosphäre durchgeführt.

Das in 1 gezeigte Modellsubstrat, bei dem das Al2O3-Substrat 1 und das Cu-Basissubstrat miteinander verbunden wurden, wurde dem Wärmezyklustest von -40 bis 125°C unterzogen und die Rissausbreitungsgeschwindigkeit nach dem Ablauf des langen Zyklus wurde durch Querschnittsbeobachtung gemessen. Als Ergebnis wird beim Wärmezyklustest die ausgezeichnete Zusammensetzung festgestellt und der Bruchmechanismus geklärt, wodurch die bleifreie Lötmetallzusammensetzung ausgewählt wird, die als Lötmetall nach dem Einbau des Leistungsmoduls geeignet ist.

Ferner wird, wenn eine höhere Zuverlässigkeit erforderlich ist, durch teilweises Auftragen des Epoxidharzes mit den geeigneten physikalischen Eigenschaften auf den Umfang des äußersten Umfangsabschnitts des Lötmetalls, der der Ausgangspunkt für das Auftreten einer Rissbildung ist, der Bruchmechanismus verändert und das Auftreten von Rissen im Lötmetall wird verhindert und verzögert, wodurch die Temperaturzykluslebensdauer bemerkenswert erhöht werden kann.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Leistungsmodul erhalten werden, das eine Beschleunigung der Verschlechterung durch Ermüdung durch Reduzieren des Temperaturanstiegs am Drahtverbindungsabschnitt verhindert und eine vorteilhafte Zuverlässigkeit aufweist, wobei die Lötmetalllebensdauer bemerkenswert erhöht ist.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist bleifreies Lötmetall aus Sn ein Lötmetall, das kaum kriecht, sondern durch Umformen einer festen In-Lösung in einen Sn-Kristall weniger Brüchigkeit aufweist, und die Wirkung einer Verzögerung der Rissentwicklung kann selbst in dem Zustand festgestellt werden, in dem die Beanspruchungsrate so langsam wie diejenige im Wärmezyklustest ist. Weiterhin weist das Lötmetall die stabile Zusammensetzung selbst bei hoher Temperatur auf, ohne dass eine eutektische Niedertemperaturphase auftritt, das Lötmetall kann den langfristigen Test bei hoher Temperatur aushalten. Für verschiedene Arten der Metallisierung kann eine gemeinsame Grenzflächenfestigkeit erwartet werden, die so hoch wie die Festigkeit von Sn-Ag-Cu ist.

Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.

Kurze Beschreibung der mehreren Ansichten der Erfindung

1 ist eine Schnittansicht eines Testauswertungsmodells, bei dem ein Al2O3-Substrat und ein Cu-Basissubstrat miteinander verbunden sind;

2 ist eine Schnittansicht eines Beispiels, bei dem ein Endabschnitt eines AlN-Isoliersubstrats teilweise nicht mit einem Harz verstärkt ist, die ein Beispiel eines Halbleiterleistungsmoduls der vorliegenden Erfindung zeigt;

3 ist eine Schnittansicht eines Beispiels, bei dem ein Harz auf den Endabschnitt des AlN-Isoliersubstrats so aufgetragen ist, dass es ihn einhüllt, die ein Beispiel des Halbleiterleistungsmoduls der vorliegenden Erfindung zeigt;

4 ist eine Ansicht, die ein Beispiel zeigt, bei dem Grübchen bzw. Vertiefungen in dem Cu-Basissubstrat ausgebildet sind;

5 ist eine Ansicht, die ein weiteres Beispiel zeigt, in dem Vertiefungen in dem Cu-Basissubstrat ausgebildet sind;

6 ist eine Schnittansicht des Halbleiterleistungsmoduls gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

7(a) und 7(b) sind beide Schnittansichten des Halbleiterleistungsmoduls, die ein modifiziertes Beispiel der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;

8 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterleistungsmoduls gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

9(a), 9(b) und 9(c) sind alle Schnittansichten des Halbleiterleistungsmoduls, die ein modifiziertes Beispiel der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;

10(a) ist eine Schnittansicht eines Halbleiterleistungsmoduls gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 10(b) ist eine Schnittansicht und eine Draufsicht, die ein Beispiel des Chipabschnitts zeigen, und 10(c) ist eine Schnittansicht und eine Draufsicht, die ein weiteres Beispiel des Chipabschnitts zeigen;

11(a) ist eine Schnittansicht eines Halbleiterleistungsmoduls gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, 11(b) ist eine Draufsicht desselben und 11(c) und 11(d) sind Schnittansichten, die jeweils Beispiele des Cu-Basissubstrats zeigen; und

12(a) und 12(b) sind beide Draufsichten des Halbleiterleistungsmoduls, die modifizierte Beispiele der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung wird nun auf der Grundlage von in den Zeichnungen gezeigten Beispielen beschrieben.

Beispiel 1

1 zeigt einen Abschnitt eines Testauswertungsmodells, in dem jede Art gewalzter Lötfolie von 150 &mgr;m zwischen dem Al2O3-Substrat 1 (t0,3) mit darauf verbundenem Cu von 0,3 mm und einem Cu-Basissubstrat 2 (t4) platziert und bei einer Löttemperatur von maximal 245°C unter Reduktionsatmosphäre reflow-gelötet wird.

Sieben Arten von Lötfolien, die als (1) bis (7) in Tabelle 1 gezeigt sind, die sich in ihren Eigenschaften unterscheiden, wurden verwendet und der Wärmezyklustest mit dem Modellaufbau wurde in Bezug auf die viel versprechende Zusammensetzung durchgeführt. Die Zusammensetzung war so, dass durch Einschließen von 5% In im Sn-Ag-Cu-Lötmetall die Löttemperatur um etwa 10°C im Vergleich zu dem Sn-3Ag-0,5Cu gesenkt werden konnte, das die Basis für ein Lötmetall 4 niedriger Temperatur nach dem Einbau ist, und es wurde das Sicherstellen einer ausreichenden Festigkeit an der Verbindungsgrenzfläche betrachtet.

Es ist bekannt, dass die Zugabe von In eine weniger schädliche Wirkung auf die gemeinsame Festigkeit bei verschiedenen Arten der Metallisierung, auf mechanische Eigenschaften eines Grundmaterials und dergleichen durch Zugabe einer sehr kleinen Menge hat, anders als die Zugabe von Bi. Aufgrund der festen Lösung in das Sn-Kristall ist die Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur genauso hoch wie diejenige von Sn-Ag-Cu. Jedoch führt die Zugabe einer großen Menge In zu weiterer fester Lösung von In in die Sn-Matrix und erhöht daher die innere Spannung und erschwert die Ausdehnung des Lötmetalls. Im Fall von In ist In ein weicheres Element als Sn, das das Basismaterial ist. Daher ist bekannt, dass die Erhöhung der Festigkeit gering, die Reduzierung der Ausdehnung gering und die schädliche Wirkung auf die mechanische Festigkeit durch die Zugabe von In weniger ist (beispielsweise Ninomiya; Japan Institute of Electronics Packaging, 26. Seminar, 26.1.2000). Mit der Zugabe von etwa 5% In oder mehr beginnt die Reduzierung der Festigkeit an der gemeinsamen Grenzfläche.

Die Rauheitseigenschaften des getesteten und bewerteten Lötmetalls sind nachstehend gezeigt.

(1) Sn-3Ag-0,5Cu:

Die typische Zusammensetzung von bleifreiem Lötmetall, die Festigkeit und Viskosität aufweist und den Aufbau hat, bei dem sich das nadelförmige Ag3Sn zu einer Netzform entwickelt.

(2) Sn-0,7Cu:

Eutektisches Sn-0,7Cu-Lötmetall weist einen Zustand auf, in dem sich Cu6Sn5 in der Sn-Matrix verteilt, aber im Vergleich zur Menge von Ag3Sn eines eutektischen Sn-Ag-Lötmetalls eine kleinere Menge Cu6Sn5 aufweist, und Cu6Sn5 führt nicht so sehr zu einer Erhöhung der Festigkeit wie Ag3Sn. Daher ist das eutektische Sn-0,7Cu-Lötmetall von relativ niedriger Festigkeit und von ausgezeichneter Ausdehnung und besitzt daher die Eigenschaft der ausgezeichneten Verformbarkeit.

(3) Sn-1,5Ag-0,5Cu:

Die Ag-Menge liegt im Zwischenbereich zwischen (1) und (2), weist den Aufbau auf, der nicht zu einem solchen Ausmaß gewachsen ist, dass das Netz von Ag3Sn gebildet wird, und besitzt die Zwischeneigenschaften zwischen ihnen beiden. Aus dem Grund, dass sie die Spannungslast auf LSI im Vergleich zu dem Lötmetall, das 3% Ag beinhaltet, reduzieren kann, wird sie in Lötperlenverbindungen und dergleichen eingesetzt.

(4) Sn-3Ag-0,5Cu-5In:

Die Zusammensetzung, in der die typische Zusammensetzung von Sn-3Ag-0,5Cu zu 5% In zugegeben wird, und der Schmelzpunkt wird durch Einschluss von In gesenkt. Da In weich ist, wird die Festigkeit bei Raumtemperatur nur etwas höher als bei Sn-3Ag-0,5Cu und die Ausdehnung nimmt etwas ab. Jedoch steigt die Ausdehnung (31%) bei hoher Temperatur (125°C) auf mehr als bei Sn-3Ag-0,5Cu (20%) an und daher hat sie die Möglichkeit, der Kriechverformung bei hoher Temperatur zu entsprechen.

(5) Sn-0,5Cu-5In:

Da das Sn-Cu-Kristall selbst von reicher Verformbarkeit ist, ist dies die Zusammensetzung, in der das Sn-Cu-Eutektikum, das weich und von ausgezeichneter Ausdehnung ist, zu 5% In zugegeben wird. Dies ist das Lötmetall, dessen Schmelzpunkt durch Einschließen von In, das von ausgezeichneter Ausdehnung und niedriger Festigkeit ist, niedrig wird. Dadurch ist dies die Zusammensetzung, die unter der Erwartung eines Lötmetalls von ausgezeichneten Kriecheigenschaften und niedriger Spannungslast hergestellt wird.

(6) Sn-1,5Ag-0,5Cu-5In:

Dies ist die Zwischen-Zusammensetzung zwischen (4) und (5), befindet sich in dem Zustand, in dem das Netz von Ag3Sn nicht gebildet ist, wird zu 5% In zugegeben und besitzt einen Schmelzpunkt, der durch den Einschluss von In gesenkt wird.

(7) Sn-37Pb-Eutektikum (zum Vergleich):

Dies ist das Lötmetall, das konventionell zum Verbinden der keramischen Isoliersubstrate und Cu-Basissubstrate von Leistungsmodulen verwendet worden ist.

Tabelle 1 ist das Ergebnis der Messung der Risslänge in Bezug auf die Gesamtlänge der Verbindungen durch Querschnittsbeobachtung nach dem Durchlauf von 2500 Zyklen des Wärmezyklus von -55 bis 125°C und der Organisierung der Rissentwicklungsgeschwindigkeiten.

Tabelle 1 Rissausbreitungsgeschwindigkeit von Lötmetall

Das folgende neue Wissen ist aus dem Ergebnis, der Rissausbildungssituation durch Querschnittsbeobachtung, der Beobachtung der Aufbauänderung, des Klärungsexperiments des Mechanismus und dergleichen erworben worden.

  • 1) In; durch Einschluss von 5% In verringert sich die Rissausbreitungsgeschwindigkeit von Sn-Lötmetall.
  • (2) Beim Sn-Lötmetall wird die Rissausbreitungsgeschwindigkeit des Lötmetalls einschließlich 3% Ag ((1)) niedriger als diejenige, die 0% Ag beinhaltet ((2)), und diejenige, die 1,5% Ag beinhaltet ((3)).
  • 3) Im Vergleich zu Sn-Lötmetall nimmt das konventionelle Sn-37Pb-Eutektikum in der Rissausbreitungsgeschwindigkeit beträchtlich ab.

Im Ergebnis ist festgestellt worden, dass die Zusammensetzung, in der In fest in das Lötmetall aufgelöst wird, in dem sich das Netz des nadelförmigen Ag3Sn fest entwickelt hat, ausgezeichnet ist. Dies ist die Tatsache, die nach allgemeinem Verständnis nicht erwartet werden kann.

Zu Anfang zog der vorliegende Erfinder in Betracht, dass das Lötmetall, in dem In in Sn-0,7Cu beinhaltet war, das von geringer Festigkeit und ausgezeichneter Ausdehnung war, ausgezeichnet war, und das Lötmetall, in dem In in Sn-3Ag-0,5Cu beinhaltet war, das von hoher Festigkeit war, minderwertiger war [siehe zum Beispiel JP-A-2001-35978]. Der vorstehend beschriebene Inhalt weist Wiederholbarkeit im Experiment auf und ist das Ergebnis, das bis jetzt nach allgemeinem Verständnis nicht vorausgesehen werden kann.

Somit hat der vorliegende Erfinder den Lebensdauer erhöhenden Mechanismus wie folgt untersucht und hat das neue Wissen erworben.

  • 1. Der Grund für die Verringerung der Rissausbreitung durch In-Dotierung;

Gemäß der Querschnittbeobachtung der Rissausbreitung im Sn-Lötmetall ohne In weist der Riss die starke Tendenz auf, linear, wenn auch sensorisch, auf derselben Ebene zu wachsen (anscheinend eine scharfe Ausbreitung). Es scheint nämlich zu bedeuten, dass der Lötmetallabschnitt mit Ausnahme des Risswegs weniger Spannungsentlastung aufweist. Durch Einschließen von In wird In gründlich in dem gesamten Bereich der Sn-Matrix fest aufgelöst und daher wird der Beanspruchungszustand des Umfangs an die benachbarten Matrices durch diese Matrix übertragen. Des Weiteren wird im Beanspruchungskonzentrationsabschnitt eine Reduktionswirkung bei mikroskopischen Rissen erwartet.

Als Ergebnis des relativen Vergleichs der Querschnittsbeobachtung wird überlegt, dass durch Einschließen von In die Festigkeit und Viskosität des ursprünglichen Sn-Lötmetalls verloren gehen und die Spannung in die anderen Richtungen als der Rissausbreitungsrichtung verstreut und gelöst wird, wodurch die lineare Ausbreitung des Risses verzögert wird (anscheinend mangelt es der Ausbreitung an Schärfe).

Bei der Stoßprüfung (Charpy) wurde bestätigt, dass durch die Zugabe von In zum Sn-Lötmetall die Stoßabsorptionsenergie verringert wird. Durch Zugabe von ungefähr 5% In verringert sie sich so sehr wie diejenige des Sn-37Pb-Eutektikums. Es ist unklar, ob sich das Stoßprüfungsergebnis immer direkt auf die Rissausbreitung bezieht oder nicht, aber die Dämpfungskapazität des Absorbierens der Stoßenergie des Materials wird als das Phänomen betrachtet, das als Ergebnis der festen Lösung von In in den Sn-Kristall, wenn auch indirekt, auftritt.

Es ist bekannt, dass das zu Bi zugegebene Lötmetall brüchig ist und mit der Zugabe einer sehr kleinen Menge zeigt es eine äußerst niedrige Stoßenergie bei -50°C. Der Reduzierungsgrad des Stoßwerts durch die Zugabe von Bi scheint extrem niedrig zu sein und Brüchigkeit zu zeigen, anders als die Energieabsorption durch In. Wenn Bi zur Verbesserung der Funktionsfähigkeit eingeschlossen ist, sind 0,5% oder weniger und höchstens 1% oder weniger bevorzugt. In diesem Bereich ist das Problem der Versprödung kaum vorhanden und die Zuverlässigkeit als Leistungsmodul kann sichergestellt werden.

Wenn mehr In eingeschlossen ist, kann erwartet werden, dass sich die Spannungsverteilungs (Spannungsrelaxations)-Wirkung zeigt. Gemäß dem Parallelzustandsdiagramm sind ungefähr 12% In in Sn fest gelöst. Mit einer In-Menge, die kleiner als 12% ist, ist es wahrscheinlich, dass sich eine eutektische Phase (117°C) bei niedriger Temperatur und eine In-Phase durch eine Übergangsänderung der Temperatur und dergleichen mit der Zusammensetzung nahe zu ihr ablagern und die Zusammensetzung kann nicht als die Zusammensetzung bezeichnet werden, die imstande ist, den strengen Bedingungen des Leistungsmoduls standzuhalten.

Wenn mehr In fest in eine Sn-Festlösung gelöst ist, werden eine Reduzierung der mechanischen Eigenschaften, eine Reduzierung der Festigkeit der gemeinsamen Grenzfläche mit der Metallisierung und dergleichen verursacht und die obere Grenze von In wird auf 7% gesetzt. Mit 7% oder weniger In ist die Sn-Festlösung selbst bei hoher Temperatur auf einem Niveau von 150°C stabil. Andererseits nimmt mit weniger In die Wirkung der Zerstreuung der Spannungskonzentration durch In ab und daher wird die untere Grenze auf 3% gesetzt. Dementsprechend beträgt die korrekte Spanne von In, die zur Verbindung des Isoliersubstrats mit dem Basissubstrat des Leistungszyklus geeignet ist, 7%>In>3%.

  • 2. Der Grund, warum das Lötmetall mit ausreichend Ag in dem zu In zugegebenen Lötmetall überlegen ist.

In dem Lötmetall mit viel Ag ist der nadelförmige Kristall von Ag3Sn zu einer Netzform ausgebildet und daher liegt Ag3Sn, das bei hoher Temperatur stabil ist, als die Verstärkungswirkung des Verbundmaterials vor. Diese Wirkung wird als eine Rissausbreitung verhindernd betrachtet. Als Ergebnis wird geschätzt, dass bei (5) Sn-0,5Cu-5In und (6) Sn-1,5Ag-0,5Cu-5In die Rissausbreitung schneller als in (4) Sn-3Ag-0,5Cu-5In mit einer großen Ag-Zugabemenge ist. (6) mit Einschluss von 1,5% Ag ist schlechter als (5) mit Einschluss von 0% Ag und die Rissausbreitungsgeschwindigkeit ist die höchste. Es wird nämlich in Betracht gezogen, dass, da Ag3Sn nicht zu einer Netzform ausgebildet und die Festigkeit erhöht wird, die Rissausbreitung entsprechend schneller zu sein scheint als (5) mit Einschluss von 0% Ag.

Die Obergrenze der Zugabe von Ag wurde auf 4,5% gesetzt, was im praktischen Umfang liegt, wobei Kosten oder dergleichen berücksichtigt wurden. Die Untergrenze der Zugabe von Ag betrug mindestens 2% oder mehr unter Berücksichtigung des Pegels ohne Ausbildung des Ag3Sn-Netzes.

Dementsprechend beträgt die korrekte Spanne von Ag 4,5%>Ag>2%.

  • 3. Der Grund, warum das konventionelle Sn-37Pb-Eutektikum im Vergleich zu Sn-Lötmetall bedeutend ausgezeichnet ist:

    Im niedrigen Zyklusermüdungstest wird es für eine bekannte Tatsache gehalten, dass Sn-3Ag-0,5Cu dem Sn-37Pb-Eutektikum überlegen ist [beispielsweise Kariya; Nonlinear Properties of Solder Alloys and Reliability of Thermal Fatigue, Japan Institute of Electronics Packaging, Bd. 8, Nr. 2 (2005)]. Es wurde untersucht, warum das eutektische Sn-37Pb-Lötmetall im Wärmezyklustest des Verbindungsabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und dem Basissubstrat des Leistungsmoduls, trotz der obigen Tatsache, hinsichtlich der Lebensdauer überlegen war.

Die Dehnungsmessgeräte wurden mit dem keramischen Isoliersubstrat und der Oberfläche des Cu-Basissubstrats verbunden, die das Lötmetall des Leistungsmetalls sandwichartig einschlossen, und es wurde die Dehnungsgeschwindigkeit im Wärmezyklus gemessen. Als Ergebnis wurde festgestellt, dass die Dehnungsgeschwindigkeit am höchsten war und 1,5 bis 2 × 10-6/s zum Zeitpunkt des Wechsels von einer hohen Temperatur zu einer niedrigen Temperatur zeigte und sehr langsam war.

Selbst die Chipmontageabschnitte, deren Dehnungsgeschwindigkeit in Komponentenverbindungen der Kommunikations-, Computer- und Haushaltgeräte bisher als langsam betrachtet wurde, wurde als auf einem Niveau von 10-4/s als die langsamste betrachtet, obwohl die offiziellen Daten nicht gesehen wurden.

Der Grund, warum die Dehnungsgeschwindigkeiten des keramischen Isoliersubstrats und des Cu-Basissubstrats des Leistungsmoduls niedrig sind, ist, dass die Wärmekapazität des Cu-Basissubstrats und dergleichen, die dem Leistungsmodul eigen ist, groß ist. Für einen schnellen Temperaturwechsel wird der Chipabschnitt durch Kühlen von der Oberfläche beeinflusst, aber in dem Abschnitt in der Umgebung des Cu-Basissubstrats wird die Dehnungsgeschwindigkeit kaum 1,5 bis 2 × 10-6/s oder höher.

Beim Vergleich der mechanischen Charakteristiken und der metallografischen Eigenschaften von Lötmetall bei dieser Dehnungsgeschwindigkeit und bei einer niedrigeren Dehnungsgeschwindigkeit als dieser Dehnungsgeschwindigkeit wird festgestellt, dass ein offensichtlicher Unterschied zwischen Sn-3Ag-0,5Cu und dem Sn-37Pb-Eutektikum auftritt. Beim Vergleich beider Charakteristiken und Eigenschaften gibt es viele Vergleichsdaten bei einer hohen Dehnungsgeschwindigkeit von 10-4/s oder höher und es ist verständlich, dass sich in diesem Umfang Sn-3Ag-0,5Cu als etwa 1,5-mal so ausgezeichnet wie das Sn-37Pb-Eutektikum erweist.

Das eutektische Sn-37Pb-Lötmetall beginnt bei einer niedrigen Dehnungsgeschwindigkeit auf einem Niveau von etwa 10-4/s oder weniger ein Superplastizitätsphänomen zu zeigen (beispielsweise M.M.I. Ahmed; Journal of Materials Science Letters 2, 1983, 59 bis 62), und die Spannung nimmt ab, während die Ausdehnung abrupt zunimmt. Das Lötmetall kann sich nämlich im Lötabschnitt des keramischen Isoliersubstrats und des Cu-Basissubstrats des Leistungsmoduls durch das Kriechphänomen, das dem eutektischen Sn-37Pb-Lötmetall eigen ist, an den Wärmezyklustest des großflächigen Verbindungsabschnitts, gefolgt von der Verformung des Moduls, anpassen.

Andererseits ist das Sn-Lötmetall (Sn-Ag-Cu-Lötmetall ist ein Teil davon) im Grunde genommen eine Ansammlung von Sn-Kristallen und temperaturstabil, kann aber nicht kriechen, selbst wenn die Dehnungsgeschwindigkeit niedrig wird, und die Spannung verringert sich nicht. Sn-Lötmetall ist nämlich als ein Lötmetall bekannt, das kaum kriecht (beispielsweise das vorgenannte Dokument von Kariya).

Dementsprechend kann Sn-Lötmetall die Wölbung des Moduls unter denselben Bedingungen im Temperaturzyklustest nicht mindern und eine höhere Beanspruchung als diejenige des eutektischen Sn-37Pb-Lötmetalls wirkt stets auf das Sn-Lötmetall. Es ist denkbar, dass das Sn-Lötmetall aus diesem Grund eine kürzere Lebensdauer als eutektisches Sn-37Pb-Lötmetall hat.

Unter Berücksichtigung dieser Phänomene wurde als Adaptierung zur Pb-Eliminierung des Leistungsmoduls Sn-3A-0,5Cu-5In als repräsentative Zusammensetzung im Sn-Lötmetall ausgewählt, die bei hoher Temperatur stabil ist, von der eine Erhöhung des Lebensdauerzyklus bis zu einem gewissen Ausmaß erwartet werden kann.

Der Grund, warum Cu eingeschlossen ist, liegt darin, dass bei Übernahme des ternären Eutektikums Sn-Ag-Cu der Schmelzpunkt etwas niedriger als bei Sn-Ag-Lötmetall gemacht werden kann. Des Weiteren gibt es die Fälle der Verbindung mit der Cu-Elektrode auf dem Keramiksubstrat und der direkten Verbindung mit dem Cu-Basissubstrat und der Cu-Verbrauch durch das Lötmetall wird verhindert. Durch Zugabe von Cu zur Ni-Metallisierung wird hohe Festigkeit bereitgestellt, selbst nachdem es bei hoher Temperatur stehen gelassen wurde. Des Weiteren ist durch Verbessern der festen Lösung durch Cu, Verbessern der Ausfällung von (Cu, Ni)6Sn5 oder dergleichen und dergleichen das zu Cu zugegebene Lötmetall stark im Vergleich zum Lötmetall ohne Cu (beispielsweise Ito et al.; Mate 2002). Die Zugabemenge von Cu beträgt normalerweise 0,5 bis 0,8% und wenn 1% überschritten wird, reduziert sich die Ausdehnung, aber vom Blickpunkt der Ermüdungsfestigkeit wird 2% als Grenze gesetzt (zum Beispiel Hirata et al.; Mate 99, S. 425).

Die Wirkung der In-Zugabe ändert sich nicht, selbst wenn das obige Sn-Ag-Cu-Lötmetall zu einer sehr kleinen Menge Bi, Ni, Al, Ge, Zn, Sb oder dergleichen zugegeben wird. Die Zugabe einer sehr kleinen Menge von jedem von diesen hat die Bedeutung, dass separate Eigenschaften von jedem von ihnen gezeigt werden.

Der Zweck der Ni-Zugabe ist die Verhinderung des Ni-Verbrauchs durch das Lötmetall und Stabilisierung durch Unterdrücken des Wachstums der zwischenmetallischen Verbundschicht, nachdem sie bei hoher Temperatur stehen gelassen wurde. Die feste Lösung der Ni-Zugabemenge zum Lötmetall beträgt ungefähr 0,15% und unter der Berücksichtigung, dass der Einschluss einer großen Ni-Menge zur Verringerung der Benetzbarkeit führt, wird die Ni-Zugabemenge auf 0,2% gesetzt.

Der Zweck der Zugabe von Al ist die Erlangung der Rissverzögerungswirkung durch Umformen von Festigkeit und Duktilität sowie die Erzeugung von sehr kleinem Submorphen (zum Beispiel Suzuki et al.; Mate 2004, S. 149). Insbesondere die Zugabe von Ge hat die Aufgabe, Oxidation zu verhindern, und die Wirkung kann im Fall einer Verbindung unter Einsatz einer Folie, in der kein Flussmittel verwendet ist, erwartet werden.

Der Zweck der Zugabe von Zn ist die Umformung der Aufbau, und da Zn ein Material ist, das die Benetzbarkeit verhindert, wird die Zn-Zugabemenge auf 1% oder weniger gesetzt.

Sb wird im Allgemeinen zur Verbesserung der Festigkeit und Verhinderung der Vergröberung von Kristall eingesetzt und bevorzugt ist eine Zugabemenge zu Sn-Ag-Cu von 0,4%.

Beispiel 2

Als Nächstes ist als Mittel zur weiteren Erhöhung der Temperaturzykluslebensdauer des Verbindungsabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Cu-Basissubstrats vorstellbar, den verbundenen äußeren Umfangsabschnitt teilweise mit einem Epoxidharz mit geeigneten physikalischen Eigenschaften zu beschichten und es zu verstärken. Der Grund, warum das zu In zugegebene Lötmetall besonders verwendet wird, liegt darin, dass die Wölbungsminderungshandlung und dergleichen für das Substrat im Lötvorgang erwartet werden kann und die Verwendung von zu In zugegebenem Lötmetall zu einer Verbesserung des Verbindungsgehalts führt.

2 ist ein Beispiel, in dem ein AlN-Isoliersubstrat-Endabschnitt nicht teilweise mit einem Harz verstärkt ist, und zeigt einen Schnittaufbau eines Leistungsmoduls, das Pb-freies Lötmetall von Sn-3Ag-0,5Cu-5In verwendet. Der Modulaufbau selbst ändert sich nicht von dem konventionellen Aufbau. 3 zeigt einen Aufbau, in dem ein Epoxidharz 3 teilweise am Endabschnitt eines AlN-Isoliersubstrats 11 in 2 zu seiner Verstärkung beschichtet ist.

In der Konfiguration des AlN-Isoliersubstrats 11/Cu-Basissubstrats 2 erfolgte die Verbindung von Anschlüssen an einen Si-Chip 5, der hinsichtlich der Wärmeermüdung einer strengen Bedingung unterliegt, durch ein Verfahren mit einer Al-Drahtverbindung 6 als dem konventionellen, und zum Löten des Chips wurde ein Pb-5Sn-Hochtemperatur-Lötmetall 7 verwendet. Eine Elektrode 8 des AlN-Substrats ist Cu oder Al (im Fall von Al, Ni oder Ni/Au wird eine Plattierung auf die Oberfläche aufgetragen, um die Benetzbarkeit des Lötmetalls sicherzustellen). Eine Sn-3Ag-0,5Cu-5In-Folie der Zusammensetzung des vorliegenden Beispiels wird zwischen das AlN-Substrat, mit dem der Chip mit dem Hochtemperatur-Lötmetall 7 verbunden ist, und dem Cu-Basissubstrat 2 geladen und mit ihnen unter Reduktionsatmosphäre verbunden. Danach wird ein Sn-3Ag-0,5Cu-Lötmetall 19 in einer Paste oder dergleichen der Elektrode des AlN-Substrats zugeführt und Komponenten, ein Führungsdraht 18 oder dergleichen, werden mit ihr reflow-verbunden.

3 zeigt das Leistungsmodul mit dem Epoxidharz 3, das auf den Endabschnitt des AlN-Isoliersubstrats 11 so aufgetragen ist, dass es ihn einhüllt. Nach dem Aushärten des Epoxidharzes 3 wird Siliciumgel 20 in ein Kunststoffgehäuse 17 gefüllt, um das gesamte Modul zu bedecken. Es wird bevorzugt, dass das Epoxidharz 3 gleichmäßig auf den Umfang des Lötmetalls 4 nach dem Einbau aufgetragen wird und daher wird ein Töpferharz verwendet, das ein Epoxidharz und leicht aufzutragen ist und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Als Beschichtungsform der Epoxidharzes 3 ist ein Kehlabschnitt nicht auf die Beschichtungsaufbau in 3 begrenzt, sondern auch das Auftragen des Epoxidharzes 3 auf lediglich den Abschnitt unter dem Substrat ist ebenfalls wirksam.

Ein Vertiefungsloch 14 in Form eines entfalteten Fächers, das vorgesehen ist, um die Haftung zwischen dem Epoxidharz 3 und dem Cu-Basissubstrat 2 zu verbessern, kann in dem gesamten Umfang bereitgestellt werden. Weiterhin können die Vertiefungen 14 in lediglich den Abschnitten an vier Ecken des AlN-Isoliersubstrats 11 vorgesehen sein, das hinsichtlich der Spannung einer strengen Bedingung unterliegt, wie in 4 gezeigt, und die Vertiefungen 14 können in den Abschnitten an den vier Ecken des AlN-Isoliersubstrats 11 und den mittigen Abschnitten der Seiten vorgesehen sein, wie in 5 gezeigt.

Da das Harz die Spannungslast an den Endabschnitten des Umfangs des AlN-Isoliersubstrats 11 trägt, sind die von dem Harz geforderten Bedingungen folgende: (a) die Haftung des Harzes ist wesentlich, (b) das Harz sollte ein hohes Elastizitätsmodul einschließen und soviel Flexibilität, dass es verformbar ist, (c) der lineare Ausdehnungskoeffizient des Harzes liegt nahe demjenigen von Cu und das Wärmebeanspruchungsgleichgewicht des Harzes liegt zwischen demjenigen von Cu (&agr; = 17,5 × 10-6/°C) und AlN (&agr; = 4,3 × 10-6/°C), (d) das Harz ist von ausgezeichneter Stabilität (hohe Tg: Glasübergangstemperatur) bei hoher Temperatur, und dergleichen.

Die physikalischen Eigenschaften des Harzes liegen vorzugsweise im Bereich des Elastizitätsmoduls; 300 bis 3000 kgf/mm2, und des linearen Ausdehnungskoeffizienten; 6 bis 25 × 10-6/°C.

Beispiel 3

Es ist festgestellt worden, dass, solange Pb-freies Sn-Lötmetall verwendet wird, das Leistungsmodul dem Wärmezyklus und TFT des Langzeit-Zuverlässigkeitstests nicht standhalten kann, wenn nur das Lötmetall gegen die Verschlechterung aufgrund der Wärmeermüdung des Lötmetalls zwischen dem AlN-Isoliersubstrat und dem Cu-Basissubstrat steht.

6 zeigt ein Beispiel der Form des Auftragens und Abdeckens des Harzes 3 auf den Umfang des Lötabschnitts 4 des AlN-Isoliersubstrats 1 und des Cu-Basissubstrats 2, das hinsichtlich der Wärmeermüdung einer strengen Bedingung unterliegt und von dem in der durch das AlN-Isoliersubstrat und das Cu-Basissubstrat 2 ausgebildeten Form eine bemerkenswerte Verbesserungswirkung bei der Verstärkung der Zuverlässigkeit durch ein Harz erwartet werden kann.

Wie in der Zeichnung gezeigt ist, übernimmt die Elektrodenführung von Chip 5 das Verfahren der Drahtverbindung 6 des Al-Drahts wie im konventionellen Leistungsmodul und ist weiterhin mit einer externen Verbindungsanschlussführung 18 mit einem Lötmetall 19 nach dem Einbau verbunden. Zum Löten des Chips 5 wurde ein Pb-5Sn-Lötmetall 7 mit hoher Schmelzpunkttemperatur eingesetzt. Die Elektrode 8 des AlN-Isoliersubstrats 1 besteht aus Cu oder Al (im Fall von Al, Ni oder Ni/Au wird auf die Oberfläche eine Plattierung für die Benetzbarkeit mit dem Lötmetall aufgetragen. Die Plattierung kann auch lediglich auf dem Lötmetallabschnitt aufgetragen werden).

Da gewünscht wird, dass das Harz 3 auf den Umfang der Lötmetallabschnitte 4 so gleichmäßig wie möglich aufgetragen wird, wird ein Töpferharz verwendet, das Epoxid ist und mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten leicht aufgetragen wird. Es wird gewünscht, dass das Harz 3 so aufgetragen wird, dass eine Harzkehle im Umfang des Lötabschnitts 4 ausgebildet wird.

Die physikalischen Eigenschaften des Harzes liegen vorzugsweise im Bereich des Elastizitätsmoduls; 300 bis 3000 kgf/mm2, und des lineare Ausdehnungskoeffizienten; 6 bis 25 × 10-6/°C. Als das Elastizitätsmodul des Harzes 3 ist das Elastizitätsmodul von 300 kgf/mm2 oder mehr erforderlich, das den Umfang hinsichtlich der Spannung einschränken kann, und es wird angenommen, dass der Maximalwert bei etwa 3000 kgf/mm2 liegt. Wenn das Elastizitätsmodul zu hoch ist, ist zuviel Füllstoff enthalten. Daher hat das Harz keine Verformbarkeit für die Wölbung des Substrats und weist die Möglichkeit auf, ein brüchiges Keramiksubstrat zu zerbrechen.

Als bevorzugte physikalische Eigenschaft des Harzes befindet sich der lineare Ausdehnungskoeffizient zwischen dem AlN-Isoliersubstrat 1 und dem Cu-Basissubstrat 2 oder befindet sich nahe dem Cu-Basissubstrat 2. Der Grund des Angleichens des linearen Ausdehnungskoeffizienten an den linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen denjenigen des AlN-Isoliersubstrats 1 und dem Cu-Basissubstrat 2 liegt darin, dass das Harz ein mechanisches Gleichgewicht begünstigt und die Wärmespannung, die erzeugt wird, reduziert, aber eine große Menge Füllstoff ist aufgrund der Eigenschaften des Harzes beinhaltet und die Fließfähigkeit wird schlechter und die Funktionsfähigkeit nimmt ab. Da das Elastizitätsmodul hoch wird, ist das Harz nicht für den Aufbau mit großer Wölbung geeignet und ist für einen Aufbau von kleiner Größe mit weniger Wölbung geeignet. Der Grund, warum der lineare Ausdehnungskoeffizient an denjenigen nahe des Cu-, Al- und dergleichen Basissubstrats angeglichen wird, liegt darin, dass das Harz ein Harz ist, dessen linearer Ausdehnungskoeffizient hoch gemacht wird, und daher nimmt die Fließfähigkeit des Harzes zu, da es nur eine kleine Menge Füllstoff erfordert, und es ist auch in der Funktionsfähigkeit ausgezeichnet. Da das Harz von ausgezeichneter Flexibilität ist, wird es leicht an das Substrat mit großer Wölbung angepasst. Nach dem Aushärten des Harzes 3 wird das Innere des Gehäuses 17 mit dem Siliciumgel 20 gefüllt.

7(a) und 7(b) zeigen die Formen der Harzbeschichtung auf dem Umfang des AlN-Isoliersubstrats 1, die Form der linken Seite der 7A ist die Beschichtung des Harzes 3 auf eine solche Weise, dass es den Endabschnitt des AlN-Isoliersubstrats 1 einhüllt. Die Formen oder dergleichen, die auf der rechten Seite der 7A und links und rechts von 7(b) gezeigt sind, sind ebenfalls wirksam.

Da das Harz 3 die Spannungslast am Endabschnitt des Umfangs des AlN-Isoliersubstrats 1 trägt, sind die von dem Harz 3 geforderten Bedingungen folgende: (a) das Harz weist eine hohe Haftung auf, (b) das Harz beinhaltet ein hohes Elastizitätsmodul und soviel Flexibilität, dass es verformbar ist, (c) hinsichtlich des linearen Ausdehnungskoeffizienten ist das Harz nahe bei Cu und liegt zwischen Cu (&agr; = 17,5 × 10-6/°C) und AlN (&agr; = 4,3 × 10-6/°C) im Wärmespannungsgleichgewicht, (d) das Harz ist von ausgezeichneter Stabilität (hohe Tg: Glasübergangstemperatur) bei hoher Temperatur, und dergleichen.

Beispiel 4

Die Entsprechung des Sn-Lötmetalls zwischen dem AlN-Isoliersubstrat 1 und dem Cu-Basissubstrat 2 durch den Temperaturzyklustest und den TFT-Test wurde in Beispiel 3 gezeigt.

Es hat bei dem Aufbau vor der Beseitigung von Pb bisher die Erfahrung gegeben, dass die Randausgestaltung mit sichergestellter Zuverlässigkeit hergestellt wird, und es kann nicht gesagt werden, dass sie in einem ausreichend zufriedenstellenden Zustand ist. Wir befinden uns nun in Umständen, wo eine längere Lebensdauer von den Produkten erwartet wird, von denen hohe Zuverlässigkeit erwartet wird. Der Faktor, der die Lebensdauer des Leistungszyklus bestimmt, ist nicht die Lebensdauer des Pb-5Sn-Hochtemperatur-Lötmetalls, welches den Chip 5 und das AlN-Substrat 1 verbindet, sondern die Lebensdauer bis zum Ermüdungsversagen des Drahtverbindungsabschnitts (WB).

Somit wird als der Aufbau, der hohe Zuverlässigkeit unter Verwendung des WB-Verfahrens der vorliegenden Technik erreicht, eine Cu-Platte 13, die eine hoch wärmeleitende Metallplatte ist, an die obere Oberfläche des Chips 5 gelötet, die Elektrode wird von der Oberfläche der Cu-Platte 13 entfernt, die Unterfläche der Cu-Platte 13, der Umfang des Chips 5, der Umfang des Lötmetallabschnitts 4, die Oberseite des AlN-Isoliersubstrats 1 des Umfangs und die Oberseite der Elektrode 8 auf dem AlN-Substrat 1 werden mit dem Harz 3 bedeckt und jeweils und teilweise, wie in 8 gezeigt, unabhängig mit dem Harz 3 verstärkt, und dadurch wird auf eine Zunahme des Lebenszyklus in allen Zuverlässigkeitstests, die der Leistungszyklustest, der TFT-Test und der Wärmezyklustest sind, abgezielt.

9(a) bis 9(c) zeigen drei Beispielmodelle, bei denen sich die Harzbeschichtungsformbeispiele für die Umfänge der Chips 5 und die Umfange der AlN-Isoliersubstrate 1 unterscheiden. 9A und 9B sind Beispiele, bei denen die Beschichtungsformen auf der Seite des AlN-Isoliersubstrats 1 geändert sind. In 9B ist die Cu-Platte 13 auf dem Chip 5 zu einer Hutform geändert, die eine ausgezeichnete Wärmeabstrahlungskapazität hat, und die auf den Lötmetallabschnitt 4 zwischen dem Chip 5 und der Cu-Platte 13 ausgeübte Belastung wird klein gemacht, um die Haftung mit dem Harz 3 zu erhöhen.

Der Nachteil der Verwendung der Cu-Platte 13 auf dem Chip 5 ist, dass die Lebensdauer des Lötmetallabschnitts 4 zwischen dem Chip 5 und der Cu-Platte 13 kurz ist, aber durch Einsetzen des Aufbaus mit teilweiser Verstärkung mit dem Harz 3 wird die Lebensdauer verglichen mit dem herkömmlichen Aufbau bei dem Wärmezyklus und TFT gesteigert, und deshalb funktioniert dieses Verfahren gut. 9C zeigt das Beispiel, bei dem die Seite des Chips 5 geändert ist und zwei Arten von Kehlformen an der Seite des AlN-Isoliersubstrats 1 ausgebildet sind.

Indem die Cu-Platte 13 neuartig auf den Chip 5 gelötet wird und indem die Drahtverbindung von der Oberseite der Cu-Platte 13 genommen wird, wird der Wärmeabstrahlungseffekt durch die Wärmeabstrahlung der Cu-Platte 13 mit hervorragender Wärmeleitfähigkeit bereitgestellt. Bis jetzt hat, wenn die Lebensdauer des Leistungszyklus dem Ende nahe war, der Temperaturanstieg in dem WB-Teil zugenommen, um seine Lebensdauer zu verkürzen.

Der Temperaturanstieg in dem WB-Teil wird durch diese Aufbau gemildert, und die Lebensdauer kann dementsprechend verlängert werden. Die Wirkung der Zunahme der Lötmetall-Lebensdauer kann auch erwartet werden, indem der Umfang des Lötmetallabschnitts 4 zwischen dem Chip 5 und dem AlN-Isoliersubstrat 1 direkt teilweise beschichtet wird, ohne die Cu-Platte 13 vorzusehen.

Beispiel 5

10A zeigt einen Aufbau, der ein Beispiel für den Lötprozess zeigt. Das in der Zeichnung gezeigte Beispiel ist das Beispiel für das Durchführen des Lötens durch Positionieren und Befestigen einer Folie aus einem Pb-5Sn-Hochtemperatur-Lötmetall 7 (Schmelzpunkt; 310 bis 314°C) auf dem AlN-Isoliersubstrat 1, des Si-Chips 5 darauf, einer Folie aus einem Pb-5Sn-Hochtemperatur-Lötmetall 9 darauf und der Cu-Platte 13 weiterhin darauf durch Verwendung einer Kohlenstoff-Schablone und dergleichen und durch Durchschicken von diesen durch den Schmelzofen.

Weiterhin wird eine Folie aus einem Sn-Lötmetall (beispielsweise Sn-3Ag-0,5Cu (Schmelzpunkt; 217 bis 221°C)) zwischen dem mit dem Chip 5 beladenen AlN-Isoliersubstrat 1 und dem Cu-Basissubstrat 2 platziert, und in dem Schmelzofen wird bei maximal 245°C das Löten durchgeführt. Die maximale Löttemperatur ist nicht begrenzt, wird aber durch Berücksichtigung des Wärmewiderstands, der Benetzbarkeit, der Schmelztrennbarkeit und dergleichen der Komponenten bestimmt.

Durch Löten unter Reduktionsatmosphäre ist der Reinigungsvorgangsschritt des Flussmittels nicht erforderlich, und somit können die Drahtverbindung 6 und das Beschichten des Harzes 3 unmittelbar nach dem Löten durchgeführt werden.

Das Verfahren zur Reinigung durch Verwendung einer Lötmetallpaste oder dergleichen oder das Verfahren ohne Reinigung kann eingesetzt werden. Nach der Drahtverbindung wird ein Epoxidharz mit zweckmäßigen physikalischen Eigenschaften auf die Seitenfläche des Umfangs des Chips 5, den Lötmetallabschnitt 7, einen Teil der Oberfläche des AlN-Isoliersubstrats 1, den Umfang des AlN-Isoliersubstrats 1, den Lötmetallabschnitt 4 und einen Teil der Oberfläche des Cu-Basissubstrats 2 aufgetragen und danach ausgehärtet. Das Verfahren zum Durchführen der Drahtverbindung nach dem Aushärten des Harzes kann eingesetzt werden.

Die Cu-Platte 13 auf dem Chip 5 kann in zwei oder mehr aufgeteilt sein, um die Elektrode von dem Chip 5 zu nehmen, und kann mit dem Harz 3 integriert sein.

10(b) und 10(c) zeigen Beispiele, die jeweils Cu in einer Plattenform verwenden, die gebildet wird, indem ein blockförmiges Cu, das zuvor zweigeteilt worden ist, mit einem Isolierharz 11 zusammen verbunden wird, wobei ein Spalt die Isolierung zwischen ihnen sicherstellt, und indem es quer zu einer festen Dicke in eine Plattenform geschnitten wird. Ein Lötmetall kann durch das Verfahren zum Zuführen von diesem im getrennten Zustand zwischen die beiden Elektroden oder durch das Verfahren zum Zuführen von diesem durch eine Folie und Verhindern von Kurzschlüssen zwischen den angrenzenden Elektroden durch Schmelztrennung bereitgestellt werden. Unter dem Isolierharz 11, das die Cu-Platte 13 bindet, ist unmittelbar nach dem Löten ein Raum 12 vorhanden, aber das Harz tritt manchmal in den Raum 12 ein, wenn der Umfang des Chips 5 mit dem Harz beschichtet wird, oder der Raum ist frei, wie er es in einigen Fällen ist. Nach der Drahtverbindung der Al-Drähte auf der Ni-Plattierung auf der Cu-Platte 13 wird die Moduloberfläche mit Siliciumgel gefüllt.

Beispiel 6

11(a) zeigt ein Schnittmodell eines Aufbaus, bei dem ein Epoxidharz auf den Umfang des Chips 5 und den Umfang des AlN-Isoliersubstrats 1 geschichtet wird.

Bei dem Außenumfangsabschnitt des AlN-Isoliersubstrats 1, auf den eine große Spannung dimensionell wirkt, ist eine Maßnahme zur Steigerung der Haftung des mit Ni plattierten Cu-Basissubstrats 2, welches das Haftungsproblem hat, und dem Harz 3 erforderlich.

Aus der Notwendigkeit des Sicherstellens der Haftung mit dem Cu-Basissubstrat 2 wird ein Haftvermittler oder dergleichen in das Harz 3 gegeben, aber dies hilft nicht immer.

Somit kann durch Bereitstellen einer Anzahl von in 11(c) gezeigten ausgeschrägten Löchern 14 im Umfang des Lötmetallabschnitts 4 auf dem Cu-Basissubstrat 2 die Trennung an der Verbindungsschnittstelle bei dem Wärmezyklus- und TFT-Tests verhindert werden. Dadurch kann, wenn eine starke Spannung auf die Oberfläche des Cu-Basissubstrats 2 wirkt, ein Bruch in dem Innenabschnitt des Harzes anstatt der Schnittstelle verursacht werden. Demgemäß kann ein Bruch mit einer Anzahl von Festigkeitsveränderungen, die durch den Substratoberflächenzustand verursacht werden, verhindert und die Bruchfestigkeit nahe bei der stabilen Harzmasse sichergestellt werden.

Die feinen Nuten 15 von 11(b), ausgeschrägten Löcher (Vertiefungen) 14 von 11(c) und kompliziert geformten Löcher einschließlich der ausgeschrägten Abschnitte 10 von 11(d) können durch zweistufiges Pressen (siehe beispielsweise JP-A-7-273270) gebildet werden. Die Vertiefungen können so ausgebildet sein, dass sie übereinander liegen, und falls sie übereinander liegen, sind die feinen Nuten 15 nicht notwendig. Die Vertiefungsbearbeitung ist nicht auf das Cu-Basissubstrat 2 beschränkt, und eine ähnliche Wirkung kann von den Al-, Cu-C-, Al-C- und Al-SiC-Basissubstraten erwartet werden.

Die Wirkung des Harzes kann die Lebensdauer beträchtlich erhöhen, indem eine auf das Lötmetall wirkende Spannung durch Eindämmen des AlN-Isoliersubstrats im Hinblick auf eine Spannung in Übereinstimmung mit dem Elastizitätsmodul und dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Bereichs 3 unterdrückt wird.

Deshalb ist ein stärkeres Haften des Harzes 3 an dem Cu-Basissubstrat 2 besser. Insbesondere im Fall des AlN-Isoliersubstrats 1 ist der Unterschied des linearen Ausdehnungskoeffizienten zu dem Cu-Basissubstrat 2 groß. Deshalb hängt bei dem Wärmezyklustest und dergleichen die Lebensdauer des Moduls von der Lötmetalllebensdauer des Verbindungsabschnitts ab. Deshalb ist bei diesem Aufbau die Bedeutung einer beträchtlichen Steigerung der Lebensdauer des Lötmetalls durch teilweises Bedecken und Verstärken des Umfangs des AlN-Isoliersubstrats 1 mit einem Harz, das zweckmäßige physikalische Eigenschaften hat, groß.

Die in 12(a) und 12(b) gezeigten Beispiele sind Beispiele, bei denen ein Epoxidharz teilweise auf die vier Eckabschnitte, wo die Spannung sich leicht konzentriert, oder die vier Eckabschnitte und die Zwischenabschnitte der vier Seiten und dergleichen anstatt den gesamten Umfang des Lötmetallendabschnitts des AlN-Isoliersubstrats 1 und des Cu-Basissubstrats 2 aufgetragen wird und dies ebenfalls effektiv ist. Weiterhin kann durch Anwenden der Vertiefungsnutbearbeitung auf die Oberfläche des beschichteten Cu-Basissubstrats 2 eine Belastungsverstärkung durch das Harz gefördert werden. 12(a) zeigt ein Beispiel, bei dem die Nutarbeit auf die vier Eckabschnitte angewandt ist, wohingegen 12(b) das Beispiel zeigt, bei dem eine Nutarbeit in den vier Eckabschnitten und den Zwischenabschnitten der vier Seiten vorgesehen ist.

Beispiel 7

Ein Al2O3-Substrat und ein Cu-Basissubstrat wurden mit Sn-3Ag-0.5Cu gelötet, und der Wärmezyklustest wurde bei -40 bis 125°C bei dem Aufbau, wie er ist, ohne Harz und bei dem Aufbau, bei dem das Harz teilweise auf dem Umfang des Lötmetallabschnitts aufgetragen ist, durchgeführt.

Im Ergebnis zeigte der teilweise mit Harz beschichtete Aufbau eine beträchtliche Zunahme der Lebensdauer. Weiterhin ist bei der Analyse gemäß der zweidimensionalen finiten Elementemethode, wobei das Lötmetall als Elastoplastizität eingestellt ist, beim Vergleichen der maximalen äquivalenten Belastung des Lötmetalls auf dem äußersten Umfang bestätigt worden, dass die maximale äquivalente Belastung des teilweise mit Harz beschichteten Aufbaus im Vergleich zu dem Aufbau ohne Harz beträchtlich abnimmt, und es ist bestätigt worden, dass die Entsprechung mit der tatsächlichen Lebensdauer erhalten werden kann.

Als Nächstes kann als Ergebnis der Beurteilung des Aufbaus, bei dem das Harz teilweise nur auf den Lötmetallumfang unter dem Chip aufgetragen ist, und des Aufbaus ohne Harz in Bezug auf den Pb-5Sn-Hochtemperatur-Lötmetallabschnittumfang unter dem Si-Chip in ähnlicher Weise eine hohe Verlässlichkeit der teilweise mit Harz beschichteten Aufbau bestätigt werden.

Weiterhin kann bestätigt werden, dass bei dem Aufbau, bei dem die Chipseite die in 11(a) gezeigte Cu-Hutform hat und das Harz teilweise aufgetragen ist, die Lebensdauer verglichen mit dem Aufbau ohne Harz lang ist.

In diesem Fall ist die Auswahl der Cu-Hutform und Größe auf dem Chip wichtig. Bei der teilweise mit Harz beschichteten Aufbau ist der Wert der maximalen äquivalenten Belastung des Lötmetalls relativ groß, aber die Lebensdauer ist lang. Deshalb wird in Betracht gezogen, dass durch eine Relaxation der Spannungskonzentration durch das Harz und eine Änderung des Bruchmechanismus die Eindämmungskraft des Harzes an dem Ausgangspunkt eines Risses einen Einfluss auf die Verzögerung des Auftretens eines Risses und die Verzögerung der Entwicklungsgeschwindigkeit eines Risses hat.

Somit sind bis jetzt verschiedene Arten von Beispielen beschrieben worden, und bei einer Anpassung an eine Pb-Eliminierung ist die Verwendung eines Sn-Lötmetalls als das Lötmetall nach dem Einbau des Leistungsmoduls wesentlich, aber es ist schwierig, eine hohe Zuverlässigkeit nur mit einem Lötmaterial zu erzielen.

Somit kann wie bei den Beispielen durch teilweises Verstärken des Außenumfangsabschnitts des Lötmetalls mit dem Harz die Lebensdauer gesteigert werden, wobei die Harzmenge verringert wird. Die Wirkung der teilweisen Harzverstärkung in dem Lötmetallabschnitt nach dem Einbau in dem Aufbau in einem harten Zustand in Bezug auf eine Spannung wird insbesondere in bemerkenswerter Weise gezeigt. Wenn der Lötmetallabschnitt auf der Chipseite teilweise mit einem Harz verstärkt wird, zeigt sich die Wirkung des Harzes mehr in dem in Bezug auf eine Spannung schwierigen Materialzustand. Weiterhin ist in dem Lötmetallabschnitt auf der Chipseite der Cu-Hut auf dem Chip vorgesehen, eine Drahtverbindung wird von der Oberseite von diesem erhalten und der Umfang des Lötmetallabschnitts wird teilweise mit dem Harz verstärkt, wodurch die Wirkung erzeugt wird, die nicht nur zur Zunahme der Temperaturzyklus- und TFT-Lebensdauer des chipseitigen Lötmetalls, sondern auch zur Zunahme der Lebensdauer des Leistungszyklus führt, welches das Problem des Drahtverbindungsverfahrens ist.

Merkmale, Komponenten und spezifische Einzelheiten der Aufbauen der oben beschriebenen Ausführungsformen können ausgetauscht oder kombiniert werden, um weitere für die jeweilige Anwendung optimierte Ausführungsformen zu bilden. Soweit diese Modifikationen für den Fachmann leicht ersichtlich sind, sollen sie um der Kürze der vorliegenden Beschreibung willen durch die obige Beschreibung implizit offenbart sein, ohne dass jede mögliche Kombination explizit spezifiziert wird.

Es sollte weiterhin durch den Fachmann verstanden werden, dass, obwohl die vorhergehende Beschreibung anhand von Ausführungsformen der Erfindung erfolgt ist, die Erfindung nicht auf diese beschränkt ist und verschiedene Änderungen und Modifikationen erfolgen können, ohne dass von der Idee der Erfindung und dem Umfang der beigefügten Ansprüche abgewichen wird.


Anspruch[de]
Halbleiterleistungsmodul mit einem Basissubstrat, einem keramischen Isoliersubstrat und einem Halbleiterchip, die mit Lötmetall und einem darin eingefüllten Harz verbunden sind, wobei ein Epoxidharz auf den Umfang eines Lötmetallendabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats, den Umfang eines Endabschnitts des keramischen Isoliersubstrats am Umfang und einen Teil einer Oberfläche des Basissubstrats am Umfang so aufgetragen ist, dass es sie einhüllt. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 1, wobei ein Epoxidharz auf einem Teil der Oberfläche des Basissubstrats aufgetragen ist, an dem eine Vertiefungsnutarbeit so ausgeführt wird, dass es sie einhüllt. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine hoch wärmeleitende Metallplatte an eine obere Oberfläche des Halbleiterchips gelötet und eine Elektrode von einer Oberfläche der Metallplatte entfernt ist und eine Unterfläche der wärmeleitenden Metallplatte, ein Umfang des Halbleiterchips, ein Umfang eines Lötabschnitts, eine Oberseite des keramischen Isoliersubstrats im Umfang und eine Oberseite einer Elektrode auf dem keramischen Isoliersubstrat mit einem Epoxidharz beschichtet sind. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 1, wobei ein Epoxidharz teilweise auf vier Eckabschnitte des Lötmetallendabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats oder die vier Eckabschnitte und Zwischenabschnitte von vier Seiten aufgetragen ist und eine Vertiefungsnutarbeit an der Oberfläche des mit dem Epoxidharz beschichteten Basissubstrats ausgeführt wird. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 1, wobei der Umfang des Halbleiterchips im Voraus mit einem Polyimidharz beschichtet wird, bevor er mit dem Epoxidharz beschichtet wird. Halbleiterleistungsmodul, das durch Verbinden eines Basissubstrats und eines keramischen Isoliersubstrats und eines Halbleiterchips mit Lötmetall ausgebildet ist, wobei zum Löten des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats bleifreies Lötmetall verwendet wird, das zusammengesetzt ist aus: Ag: 2 Massenprozent bis 4,5 Massenprozent, Cu: 0 Massenprozent bis 2,0 Massenprozent, In: 3 Massenprozent bis 7 Massenprozent und zum Rest Sn. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 6, wobei in dem bleifreien Lötmetall eine sehr kleine Menge von mindestens einer Art von Bi, Zn, Ge, Al, Ni und Sb eingeschlossen ist. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 6 oder 7, wobei Siliciumgel eingefüllt wird und ein Epoxidharz teilweise auf den Umfang eines Lötmetallendabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats, dem Umfang des keramischen Isoliersubstrats im Umfang und einen Teil einer Oberfläche des Basissubstrats im Umfang so aufgetragen ist, dass es sie einhüllt. Halbleiterleistungsmodul nach Anspruch 6 oder 7, wobei Siliciumgel eingefüllt wird und ein Epoxidharz teilweise auf den Umfang eines Lötmetallendabschnitts des keramischen Isoliersubstrats und des Basissubstrats, den Umfang des keramischen Isoliersubstrats im Umfang und einen Teil einer Oberfläche des Basissubstrats, an dem Vertiefungsnutarbeit durchgeführt wird, im Umfang so aufgetragen ist, dass es sie einhüllt.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com