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Dokumentenidentifikation DE602004005731T2 27.12.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001671361
Titel VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PLATTENFÖRMIGEN STRUKTUR INSBESONDERE AUS SILIZIUM, VERWENDUNG DES VERFAHRENS UND DER SO HERGESTELLTEN PLATTENFÖRMIGEN STRUKTUR INSBESONDERE AUS SILIZIUM
Anmelder Tracit Technologies, Moirans, FR
Erfinder BRUEL, Michel, F-38113 Veurey Voroize, FR
Vertreter Rüger und Kollegen, 73728 Esslingen
DE-Aktenzeichen 602004005731
Vertragsstaaten AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR
Sprache des Dokument FR
EP-Anmeldetag 23.09.2004
EP-Aktenzeichen 047874250
WO-Anmeldetag 23.09.2004
PCT-Aktenzeichen PCT/FR2004/002398
WO-Veröffentlichungsnummer 2005034218
WO-Veröffentlichungsdatum 14.04.2005
EP-Offenlegungsdatum 21.06.2006
EP date of grant 04.04.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 27.12.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/20(2006.01)A, F, I, 20061205, B, H, EP
IPC-Nebenklasse C30B 33/02(2006.01)A, L, I, 20061205, B, H, EP   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Herstellung mehrschichtiger Platten und der Herstellung dünner Plättchen.

Auf dem Gebiet der Nanotechnologie, insbesondere der mikroelektronischen und optoelektronischen Mikrotechnologie, ist es üblich, Siliziumplättchen, die an eine isolierende Schicht angefügt sind, und insbesondere Strukturen zu verwenden, die eine isolierende Schicht enthalten, die zwischen einem auf Silizium basierenden Substrat und einem auf Silizium basierenden Superstrat eingefügt ist.

Die US 6.417.075 B1 beschreibt ein Herstellungsverfahren für eine derartige mehrschichtige Struktur, die Hohlräume aufweist, die die Trennung durch Gravieren einer der Schichten erlauben.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, die nach dem Stand der Technik vorhandenen Verfahren und Strukturen zu verbessern, deren Leistung zu steigern und deren Anwendungen vielseitiger zu gestalten.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist zunächst ein Verfahren zur Herstellung einer plattenförmigen Struktur, die mindestens ein Substrat, ein Superstrat und wenigstens eine zwischen dem Substrat und dem Superstrat eingefügte Zwischenschicht enthält.

Gemäß der vorliegenden Erfindung gehören zu dem vorliegenden Verfahren die Schritte: Auswählen einer Zwischenschicht, die mindestens ein Basismaterial enthält, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden, und Unterziehen der Struktur einer Wärmebehandlung, so dass die Zwischenschicht in dem Temperaturbereich dieser Wärmebehandlung plastisch verformbar ist, und die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen in der Zwischenschicht hervorruft.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ruft die Wärmebehandlung vorzugsweise schwächende Mikroblasen oder Mikrohohlräume der Zwischenschicht hervor.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ruft die Wärmebehandlung vorzugsweise einen Bruch der Zwischenschicht und infolgedessen eine Trennung des Substrats und des Superstrats hervor.

Eine weitere Aufgaben der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Trennung des Substrats und des Superstrats mittels der durch das oben erwähnte Verfahren gewonnenen Struktur.

Gemäß einer Abwandlung der vorliegenden Erfindung kann dieses Verfahren zur Trennung den Schritt aufweisen, Kräfte zwischen dem Substrat und dem Superstrat auszuüben, um infolge der Anwesenheit der Mikroblasen oder Mikrohohlräume den Bruch in der zwischen dem Substrat und dem Superstrat angeordneten Zwischenschicht hervorzurufen.

Gemäß noch einer Abwandlung der vorliegenden Erfindung kann dieses Trennungsverfahren den Schritt aufweisen die Zwischenschicht chemisch zu ätzen, um infolge der Anwesenheit der Mikroblasen oder Mikrohohlräume die zumindest teilweise Entfernung dieser zwischen dem Substrat und dem Superstrat angeordneten Zwischenschicht zu erzielen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können das Substrat und das Superstrat vorteilhafterweise auf einkristallinem Silizium basieren, und die Zwischenschicht kann vorteilhafterweise auf dotiertem Siliziumdioxid basieren.

Noch eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumplättchen, mit den Schritten: Erzeugen einer Struktur, die ein auf Silizium basierendes Substrat, ein auf Silizium basierendes Superstrat und eine dielektrische Zwischenschicht aufweist, die mindestens ein Basismaterial umfasst, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden; anschließendes Unterziehen der Struktur unter eine Wärmebehandlung, so dass die Zwischenschicht in dem Temperaturbereich der Wärmebehandlung plastisch verformbar ist, und dass die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen in der Zwischenschicht hervorruft.

Gemäß der vorliegenden Erfindung basiert das Basismaterial vorzugsweise auf Siliziumdioxid und die Störstellenatome basieren vorzugsweise auf Phosphor- und/oder Boratomen, die auf diese Weise eine Zwischenschicht von Phosphorsilikatglas (P.S.G.) oder von Bor-Phosphorsilikatglas (B.P.S.G.) bilden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Phosphoranteil vorteilhafterweise zwischen 6 und 14% betragen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Boranteil vorteilhafterweise zwischen 0 und 4% betragen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Wärmebehandlung vorzugsweise bei einer Temperatur zwischen 900°C und 1200°C durchgeführt.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren vorteilhafterweise den Schritt aufweisen, vor der Wärmebehandlung einen Schritt der Aufbringung der Zwischenschicht auf dem Substrat bzw. auf dem Superstrat auszuführen, und das Superstrat bzw. das Substrat mittels Haftung durch molekulare Adhäsion auf der Zwischenschicht anzubringen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren vorteilhafterweise einen zusätzlichen Schritt einer Reduzierung der Dicke des Substrats aufweisen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können das Substrat und das Superstrat vorteilhafterweise auf der der Zwischenschicht zugewandten Seite jeweils ein thermisches Siliziumoxid aufweisen.

Gemäß einer Abwandlung der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren vorteilhafterweise den Schritt aufweisen, Kräfte auf die Struktur auszuüben, um einen Bruch der Zwischenschicht, und infolgedessen dank der Anwesenheit der Mikroblasen oder Mikrohohlräume eine Trennung des Substrats von dem Superstrat hervorzurufen, um ein durch das Substrat gebildetes Plättchen und/oder ein durch das Superstrat gebildetes Plättchen zu erhalten.

Gemäß einer Abwandlung der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren vorteilhafterweise den Schritt beinhalten, die Zwischenschicht der Struktur chemisch zu ätzen, um infolge der Anwesenheit der Mikroblasen oder Mikrohohlräume eine Trennung des Substrats von dem Superstrat hervorzurufen, um ein durch das Substrat gebildetes Siliziumplättchen und/oder ein durch das Superstrat gebildetes Siliziumplättchen zu erhalten.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Verfahren vorteilhafterweise den Schritt beinhalten, in dem Substrat und/oder in dem Superstrat auf der der Zwischenschicht zugewandten Seite erhabene Abschnitte zu realisieren.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind die erhabenen Abschnitte vorzugsweise geradlinig und erstrecken sich bis zu den Rändern der Struktur.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind wenigstens einige der Mikroblasen oder Mikrohohlräume vorzugsweise offene Zellen und bilden zumindest für bestimmte unter diesen Kanäle.

Weiter besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung in einer Verwendung des Verfahrens zur Herstellung von Platten aus Silizium auf einem Isolator (S.O.I.) mit Blick auf die Herstellung von elektronischen integrierten Schaltkreisen und/oder optoelektronischen integrierten Schaltkreisen.

Noch eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist eine plattenförmige Struktur, die mindestens ein Substrat, ein Superstrat und wenigstens eine zwischen dem Substrat und dem Superstrat eingefügte Zwischenschicht enthält.

Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Zwischenschicht mindestens ein Basismaterial, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden, so dass die Zwischenschicht unter der Wirkung einer Wärmebehandlung plastisch verformbar wird, und die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen in der Zwischenschicht hervorruft.

Gemäß der vorliegenden Erfindung basieren das Substrat und das Superstrat vorzugsweise auf einkristallinem Silizium, und die Zwischenschicht basiert auf dotiertem Siliziumdioxid.

Gemäß der vorliegenden Erfindung basiert das Basismaterial vorzugsweise auf Siliziumdioxid, und die Störstellenatome basieren vorzugsweise auf Phosphor- oder Boratomen, die auf diese Weise eine Zwischenschicht von Phosphorsilikatglas (P.S.G.) oder von Bor-Phosphorsilikatglas (B.P.S.G.) bilden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt der Phosphoranteil vorzugsweise zwischen 8 und 14%.

Gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt der Boranteil vorzugsweise zwischen 0 und 4%.

Gemäß der vorliegenden Erfindung weisen das Substrat und/oder das Superstrat in der Zwischenschicht vorzugsweise erhabene Abschnitte auf.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind die erhabenen Abschnitte vorzugsweise geradlinig und erstrecken sich bis zu den Rändern.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind wenigstens gewisse der Mikroblasen oder Mikrohohlräume offene Zellen und bilden, zumindest für bestimmte unter diesen Kanäle.

Die vorliegende Erfindung wird verständlicher nach dem Studium von Strukturen und Herstellungsverfahren derartiger Strukturen, die nicht beschränkend zur Veranschaulichung beschrieben und in den Zeichnungen dargestellt sind:

1 zeigt einen Querschnitt einer erfindungsgemäßen Struktur in einem Ausgangszustand;

2 zeigt eine aufgebrochene Schnittansicht der Struktur nach 1 in der Fertigung;

3 repräsentiert einen Schnitt der Struktur nach 1 in einer späteren Herstellungsphase;

4 und 5 zeigen eine Schnittansicht der Struktur nach 1 in einer sekundären Herstellungsphase;

und 6 zeigt eine Abwandlung der Herstellung der Struktur nach 1.

In 1 ist eine plattenförmige Struktur 1 gezeigt, die beispielsweise einen Durchmesser von etwa zweihundert Millimeter aufweist.

Diese Struktur enthält ein scheibenförmiges Substrat 2, ein scheibenförmiges Superstrat 3 und eine zwischen dem Substrat 2 und dem Superstrat 3 eingefügte Zwischenschicht 4.

Im Allgemeinen basiert die Zwischenschicht 4 auf wenigstens einem Basismaterial, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von den Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden, und sie weist eine Zusammensetzung auf, so dass, wenn die Struktur 1 einer angemessenen Wärmebehandlung unterzogen wird, irreversibel eine Entstehung von insbesondere gashaltigen Mikroblasen oder Mikrohohlräumen hervorgerufen wird, wodurch sich diese Zwischenschicht 4 verändert und schwammartig wird, um dementsprechend zum Dickerwerden neigt.

Unter Bezugnahme auf 2 wird im Folgenden ein Ausführungsbeispiel einer Struktur 1 beschrieben.

Das Substrat 2 kann auf einer Scheibe aus monokristallinem Silizium basieren, deren Dicke einige hundert Mikrometer betragen kann, beispielsweise zwischen 500 und 1000 Mikrometer.

Optional, allerdings vorzugsweise, wird als Nächstes die Erzeugung eines Films 5 aus thermischem Siliziumoxid auf einer Fläche des Substrats 2 durchgeführt.

Dieser Film 5 kann bei einer Temperatur zwischen 950 und 1100°C in einem Oxidationsofen erzeugt werden und kann eine Dicke von etwa 0,5 Mikrometer aufweisen.

Anschließend wird auf der oxidierten Oberfläche 5 des Superstrats 2 die Abscheidung einer Siliziumschicht durchgeführt, die einen hohen Prozentsatz an Phosphor und/oder Bor enthält oder damit dotiert ist, um die Zwischenschicht 4 zu erhalten, die auf einem Material des Typs Phosphorsilikatglas (PSG) oder Bor-Phosphorsilikatglas (BPSG) basiert.

Beispielsweise kann der Prozentsatz an Phosphor in dem die Zwischenschicht 4 bildenden Material zwischen 6 und 14% liegen. Eine derartige Abscheidung kann gemäß bekannten Techniken in Abscheidungsvorrichtungen wie CVD, LPCVD oder PECVD verwirklicht werden.

Die Dicke der auf diese Weise geschaffenen Zwischenschicht 4 kann im Bereich von 5 Mikrometer liegen.

Optional, allerdings vorzugsweise, kann die Fläche der Zwischenschicht 4 einer an sich bekannten chemischen Reinigungsbehandlung, beispielsweise einer chemischen Reinigung des Typs RCA unterworfen werden.

Optional, allerdings vorzugsweise, kann vor oder nach der Reinigungsbehandlung ein mechanisch-chemischer Polierschritt (CMP) an der Zwischenschicht 4 durchgeführt werden.

Gleichermaßen kann das Superstrat 3 auf einer Siliziumscheibe basieren, die optional einen Film 6 aus thermischem Siliziumoxid aufweist und optional einer chemischen Reinigungsbehandlung RCA und optional einem mechanisch-chemischen Polierschritt (CRP) unterworfen wurde.

In entsprechender Weise könnte die Zwischenschicht 4 auf der oxidierten Oberfläche 6 des Superstrats 3 erzeugt werden.

Daran anschließend wird als Nächstes das Zusammenfügen des Substrats 2 und des Superstrats 3 durchgeführt, indem die oxidierte Oberfläche 3 des Superstrats 3, möglicherweise durch die Ausübung von vorzugsweise punktuellen Andruckkräften zwischen dem Substrat 2 und dem Superstrat 3 unterstützt, mit der Zwischenschicht 4 in Kontakt gebracht wird, um eine Haftung durch molekulare Adhäsion zu erzielen.

Um die Stärke der Zwischenverbindung eventuell zu steigern, kann die auf diese Weise zusammengesetzte Struktur 1 unter Bedingungen einer verfestigenden Wärmebehandlung unterworfen werden, die nicht eine Umwandlung der Zwischenschicht 4, d.h. die Ausbildung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen, wie sie weiter unten erläutert werden, bewirken.

Danach entsteht eine Struktur 1, die aus einem auf Silizium basierenden Substrat 2 und einem auf Silizium basierenden Superstrat 3 aufgebaut ist, die durch eine Zwischenschicht 4 aus einem elektrisch isolierenden Material getrennt sind.

Unter Bezugnahme auf ist zu sehen, dass die Dicke des Superstrats 3 viel geringer als die Dicke des Substrats 2 sein kann und zwischen dem Bruchteil eines Mikrometers und einigen Dutzenden von Mikrometern betragen kann.

Ein derartiges dünnes Substrat 3 kann zunächst für die Herstellung der Struktur 1 verwendet werden, wie sie mit Bezug auf 2 beschrieben ist.

Indessen kann ein derartiges dünnes Superstrat 3 in einer Abwandlung durch Reduzierung der Dicke eines dicken Superstrats 3 gewonnen werden, das zunächst für die Herstellung der Struktur 1 herangezogen wird, wie sie mit Bezug auf 2 beschrieben ist. Eine solche Reduzierung der Dicke lässt sich mittels bekannter Techniken wie Schleifen, chemisches Ätzen oder mechanisch-chemisches Polieren durchführen und kann auch durch eine spanabhebende Technik erreicht werden, beispielsweise durch das gegenwärtig im Handel unter dem Namen SMART-CUT® bekannte Verfahren, das eine ionische Dotierung von Protonen in einer Dosierung in der Größenordnung von 516 C m-2 in dem Superstrat 3 voraussetzt, bevor die nach dem Stand der Technik vorgesehenen Haftung durch molekulare Adhäsion verwirklicht wird.

Es könnte auch ein Arbeitsschritt einer Reduzierung der Dicke des Substrats 2 durchgeführt werden.

Wie in 4 gezeigt, kann die Struktur 1 anschließend einer Wärmebehandlung in einem Ofen, beispielsweise bei einer Temperatur zwischen 900 und 1100°C, unterworfen werden.

Aufgrund der im Vorausgehenden erwähnten ausgewählte Materialien, bewirkt die Durchführung einer solchen Wärmebehandlung in dem ausgewählten Temperaturbereich, dass die Zwischenschicht 4 plastisch verformbar wird, und ruft irreversibel die Entstehung einer gashaltigen Phase, die Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 in der Zwischenschicht 4 enthält, und dementsprechend eine Steigerung der Dicke dieser Schicht 4 hervor.

Die Menge und das Volumen der Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 hängen von der Zusammensetzung der Zwischenschicht 4 und von den Bedingungen der Wärmebehandlung ab, der die Struktur 1 unterworfen wird.

Beispielsweise ausgehend von 5 Mikrometern kann die Dicke der Zwischenschicht nach der Behandlung Werte im Bereich zwischen 15 und 20 Mikrometern erreichen.

Wie in 5 gezeigt, können die Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 ein geeignetes Volumen aufweisen, so dass sie auf der dem Substrat 2 und/oder dem Superstrat zugewandten Seite offen sind, und dass sie darüber hinaus möglicherweise, untereinander Durchgänge aufweisen, um an den Außenkanten der Zwischenschicht 4 offene Kanäle zu bilden.

Wie in 6 gezeigt, kann es besonders vorteilhaft sein, beispielsweise durch Gravur in dem Substrat 2 und/oder in dem Superstrat 3 vorzugsweise geradlinige erhabene Abschnitte 8 auszubilden, so dass diese erhabenen Abschnitte 8 rechteckige Zinnen bilden. Diese Anordnung kann die Entstehung Mikroblasen oder Mikrohohlräumen 7 fördern, die miteinander verbundene Kanäle bilden.

Die oben beschriebene Struktur 1, die in ihrer Zwischenschicht 4 Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 enthält, lässt sich vielseitig einsetzen.

Sie kann unverändert für die Ausbildung elektronischer oder optoelektronischer integrierter Schaltkreise auf dem auf Silizium basierenden Superstrat 3 verwendet werden, das über die Zwischenschicht 4, die einen elektrischen Isolator bildet, auf einem dicken Substrat 2 angebracht ist, wobei die Kapazität zwischen der durch das Superstrat 3 gebildeten Oberflächenschicht und der durch das Substrat 2 gebildeten Trägerschicht aufgrund der Anwesenheit der Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 besonders gering ist.

In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die Kanäle, die möglicherweise, jedoch beabsichtigt in der Zwischenschicht 4 durch Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 erzeugt sind, genutzt, um ein Kühlfluid zwischen dem Substrat 2 und dem Superstrat 3 strömen zu lassen, um die Struktur 1 zu kühlen.

In einer weiteren besonders vorteilhaften Anwendung basiert die Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 enthaltende Struktur 1 auf einer Struktur, die aufgrund der Tatsache, dass die Anwesenheit von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen 7 in der Zwischenschicht 4 die physikalische oder chemische Beständigkeit dieser Schicht schwächt, zerlegbar ist.

In der Praxis kann durch Ausübung von Kräften zwischen dem Substrat 2 und dem Superstrat 3 durch ein beliebiges bekanntes Mittel, beispielsweise, indem zwischen das Substrat 2 und das Superstrat 3 eine dünne Klinge oder unter hohem Druck ein Wasserstrahl eingeführt wird, durch Brechen des Materials der Zwischenschicht 4 zwischen den Mikroblasen oder Mikrohohlräumen 7 der Bruch der Zwischenschicht 4 hervorgerufen und dementsprechend die Trennung des dann eine Scheibe bildenden Substrats 2 und des dann ein Scheibe bildenden Superstrats 3 herbeigeführt werden.

Ferner kann, beispielsweise mittels einer Fluorwasserstoffsäurelösung, die dank der vorhandenen Mikroblasen oder Mikrohohlräume 7 ohne weiteres in der Lage ist, zwischen das Substrat 2 und das Superstrat 3 einzudringen, ausgehend von den Rändern der Zwischenschicht 4 ein chemisches Ätzen derselben durchgeführt werden.

Dementsprechend wird ausgehend von der mit Bezug auf 3 beschriebenen Struktur 1 schließlich ein durch das dünnes Superstrat 3 gebildete dünne Siliziumscheibe erzeugt werden.

Das auf diese Weise gewonnene dünne Siliziumplättchen 3 kann über eine seiner Seiten an einem beispielsweise aus Kunststoff hergestellten beliebigen endgültigen Nutzträger befestigt werden, um flexible elektronische und/oder optoelektronische Schaltkreise zu verwirklichen.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielfältige Abwandlungen der Verwirklichung sind möglich, ohne den in den beigefügten Ansprüchen definierten Schutzbereich zu verlassen.


Anspruch[de]
Verfahren zur Herstellung einer plattenförmigen Struktur, die mindestens ein Substrat (2), ein Superstrat (3) und wenigstens eine zwischen dem Substrat und dem Superstrat eingefügte Zwischenschicht (4) enthält, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren die Schritte gehören: Auswählen einer Zwischenschicht (4), die mindestens ein Basismaterial enthält, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden, und Unterziehen der Struktur (1) einer Wärmebehandlung, so dass die Zwischenschicht in dem Temperaturbereich dieser Wärmebehandlung plastisch verformbar ist, und die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen (7) in der Zwischenschicht hervorruft. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung schwächende Mikroblasen oder Mikrohohlräume der Zwischenschicht erzeugt. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung einen Bruch der Zwischenschicht und infolgedessen eine Trennung des Substrats und des Superstrats hervorruft. Verfahren zur Trennung des Substrats und des Superstrats der durch das Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche gewonnenen Struktur, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren der Schritt gehört, zwischen dem Substrat (2) und dem Superstrat (3) Kräfte auszuüben, um infolge der vorhandenen Mikroblasen oder Mikrohohlräume den Bruch der Zwischenschicht zwischen dem Substrat und dem Superstrat hervorzurufen. Verfahren zur Trennung des Substrats und des Superstrats der durch das Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3 gewonnenen Struktur, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren der Schritt gehört, die Zwischenschicht (4) der gewonnenen Struktur chemisch zu ätzen, um eine zumindest teilweise Entfernung dieser zwischen dem Substrat und dem Superstrat angeordneten Zwischenschicht zu erreichen. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) und das Superstrat (3) auf monokristallinem Silizium basieren, und dass die Zwischenschicht (4) auf dotiertem Siliziumdioxid basiert. Verfahren zur Herstellung von Siliziumplättchen, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren die Schritte gehören:

– Verwirklichung einer plattenförmigen Struktur (1), die ein auf Silizium basierendes Substrat (2), ein auf Silizium basierendes Superstrat (3) und eine dielektrische Zwischenschicht (4) aufweist, die mindestens ein Basismaterial umfasst, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden;

– anschließendes Unterzeihen der Struktur einer Wärmebehandlung, so dass die Zwischenschicht in dem Temperaturbereich der Wärmebehandlung plastisch verformbar ist, und dass die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen (7) in der Zwischenschicht (4) hervorruft.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Basismaterial auf Siliziumdioxid basiert und die Störstellenatome Phosphor- oder Boratome sind, die auf diese Weise eine Zwischenschicht von Phosphorsilikatglas (P.S.G.) oder von Bor-Phosphorsilikatglas (B.P.S.G.) bilden. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Phosphoranteil zwischen 6 und 14% beträgt. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Boranteil zwischen 0 und 4% beträgt. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 900 und 1200°C durchgeführt wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren die Schritte gehören, vor der Wärmebehandlung einen Schritt der Abscheidung der Zwischenschicht (4) auf dem Substrat (2) bzw. auf dem Superstrat (3) auszuführen, und das Superstrat bzw. das Substrat an der Zwischenschicht (4) mittels Haftung durch molekulare Adhäsion anzubringen. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat und das Superstrat auf der der Zwischenschicht (4) zugewandten Seite jeweils ein thermisches Siliziumoxid (5, 6) aufweisen. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren der Schritt gehört, Kräfte auf die Struktur (1) auszuüben, um einen Bruch der Zwischenschicht und infolgedessen wegen der vorhandenen Mikroblasen oder Mikrohohlräume (7) eine Trennung des Substrats und des Superstrats hervorzurufen, um ein durch das Substrat (2) gebildetes Plättchen/Scheibe und/oder ein durch das Superstrat (3) gebildetes Plättchen/Scheibe zu erhalten. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren der Schritt gehört, die Zwischenschicht (4) der Struktur (1) chemisch zu ätzen, um infolge der vorhandenen Mikroblasen oder Mikrohohlräume eine Trennung des Substrats und des Superstrats hervorzurufen, um ein durch das Substrat (2) gebildetes Plättchen/Scheibe und/oder ein durch das Superstrat (3) gebildetes Plättchen/Scheibe zu erhalten. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zu dem Verfahren der Schritt gehört, in dem Substrat (2) und/oder in dem Superstrat (3) auf der der Zwischenschicht (4) zugewandten Seite erhabene Abschnitte (8) zu erzeugen. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erhabenen Abschnitte (8) geradlinig sind und sich bis zu den Rändern der Zwischenschicht (4) erstrecken. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens gewisse der Mikroblasen oder Mikrohohlräume (7) offene Zellen sind und zumindest für bestimmte unter diesen Kanäle bilden. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren einen zusätzlichen Schritt einer Reduzierung der Dicke des Superstrats (3) und/oder des Substrats aufweist. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche zur Herstellung von Scheiben aus Silizium auf Isolator (S.O.I.) mit Blick auf die Herstellung elektronischer und/oder optoelektronischer integrierter Schaltkreise. Plattenförmige Struktur, die mindestens ein Substrat (2), ein Superstrat (3) und wenigstens eine zwischen dem Substrat und dem Superstrat eingefügte Zwischenschicht (4) enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (4) mindestens ein Basismaterial enthält, in dem als Störstellen bezeichnete Atome oder Moleküle verteilt sind, die sich von Atomen oder Molekülen des Basismaterials unterscheiden, so dass die Zwischenschicht (4) unter der Wirkung einer Wärmebehandlung plastisch verformbar ist, und die Anwesenheit der ausgewählten Störstellenatome oder -moleküle in dem ausgewählten Basismaterial irreversibel die Entstehung von Mikroblasen oder Mikrohohlräumen (7) in der Zwischenschicht (4) hervorruft. Struktur nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) und das Superstrat (3) auf monokristallinem Silizium basieren, und dass die Zwischenschicht (4) auf dotiertem Siliziumdioxid basiert. Struktur gemäß einem der Ansprüche 21 und 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Basismaterial auf Siliziumdioxid basiert und die Störstellenatome auf Phosphor- oder Boratomen basieren, die auf diese Weise eine auf Phosphorsilikatglas (P.S.G.) oder auf Bor-Phosphorsilikatglas (B.P.S.G.). basierende Zwischenschicht bilden. Struktur nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Phosphoranteil zwischen 8 und 14% beträgt. Struktur nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Boranteil zwischen 0 und 4% beträgt. Struktur nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat und/oder das Superstrat vorspringende Abschnitte (8) in der Zwischenschicht (4) aufweisen. Struktur nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die vorspringenden Abschnitte (8) geradlinig sind und sich bis zu den Rändern erstrecken. Struktur nach einem der Ansprüche 21 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens gewisse der Mikroblasen oder Mikrohohlräume (7) auf offenen Zellen basieren und zumindest für bestimmte unter diesen Kanäle bilden.






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