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Dokumentenidentifikation DE102006029750A1 03.01.2008
Titel Trenchtransistor
Anmelder Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
Erfinder Lanzerstorfer, Sven Gustav, Dr., Feldkirchen, AT;
Kotz, Dietmar, Moosburg, AT;
Peri, Mattias-Hermann, Dr., Wernberg, AT;
Krischke, Norbert, 80638 München, DE
Vertreter Müller - Hoffmann & Partner Patentanwälte, 81667 München
DE-Anmeldedatum 28.06.2006
DE-Aktenzeichen 102006029750
Offenlegungstag 03.01.2008
Veröffentlichungstag im Patentblatt 03.01.2008
IPC-Hauptklasse H01L 29/78(2006.01)A, F, I, 20060628, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/784(2006.01)A, L, I, 20060628, B, H, DE   
Zusammenfassung Ein Trenchtransistor weist ein aktives Gebiet (1), das von einem Randtrench (2) umschlossen ist, auf, wobei in den Randtrench (2) eine auf Gatepotenzial liegende Randelektrode (11) eingebettet ist, und das aktive Gebiet (1) eine Mesastruktur (3) aufweist, die zumindest teilweise an den Randtrench (2) angrenzt. Der an den Randtrench (2) angrenzende Bereich der Mesastruktur (3) ist zumindest teilweise elektrisch deaktiviert, indem innerhalb dieses deaktivierten Bereichs a) die Mesastruktur mit einer Mesa-Isolationsschicht (13) bedeckt ist, und b) kein Sourcegebiet (S) vorgesehen ist.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft einen Trenchtransistor mit einem aktiven Gebiet, das von einem Randtrench umschlossen ist, wobei in den Randtrench eine auf Gatepotenzial liegende Randelektrode eingebettet ist, und das aktive Gebiet eine Mesastruktur aufweist, die zumindest teilweise an den Randtrench angrenzt. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Trenchtransistors.

Trenchtransistoren der oben bezeichneten Art werden auch als Trenchtransistoren mit „geschlossenem Design" bezeichnet. 1 zeigt eine Prinzipskizze einer möglichen Ausführungsform eines Trenchtransistors mit geschlossenem Design (Draufsicht). Zu sehen ist ein aktives Gebiet 1 eines Trenchtransistors, das von einem Randtrench 2 umschlossen ist. Das aktive Gebiet 1 weist eine Mesastruktur auf, die hier aus mehreren, parallel zueinander angeordneten Mesastreifen 3 besteht. Die Mesastreifen 3 sind durch Gatetrenches 4 voneinander getrennt.

In 2a ist eine perspektivische Darstellung des mit "D" gekennzeichneten Bereichs in 1 gezeigt. Dargestellt ist außerdem ein Teil eines Randabschlusses 5, der das aktive Gebiet (genauer gesagt den Randtrench 2) zumindest teilweise umgibt. Der Randabschluss 5 besteht aus mehreren mit einer Isolationsschicht (Feldoxidschicht) überzogenen Mesastreifen (Oxidrand) 3', die durch Randabschlusstrenches 6 voneinander getrennt sind.

In 2a ist ein Prozessstadium des Trenchtransistors gezeigt, bevor innerhalb der Trenchstruktur (bestehend aus Randtrench 2 und Gatetrenches 4) eine Feldelektrodenstruktur aus mehreren Feldelektroden 7 eingebettet ist, die mittels einer Feldoxidschicht 8 gegenüber dem Halbleiterkörper 9 isoliert sind (siehe 2b). Die Feldoxidschicht 8 wird durch Oxidation des gesamten Halbleiterkörpers 9 und anschließendem Rückätzen der so erzeugten Oxidschicht in die Trenchstruktur hinein hergestellt. Die verbleibenden Freiräume zwischen den Feldoxidschichtbereichen werden mit elektrisch leitendem Material (z. B. Polysilizium) gefüllt, um die Feldelektroden 7 zu erzeugen. Nun wird erneut der Halbleiterkörper 9 (zumindest die Mesastruktur) oxidiert, um eine Gateoxidschicht 10 zu erzeugen, wobei verbleibende Freiräume zwischen den Gateoxidschichtbereichen mit elektrisch leitendem Material (z. B. Polysilizium) gefüllt werden, um eine Gateelektrodenstruktur aus mehreren Gateelektroden 11 herzustellen. Anschließend bzw. vor Ausbilden der Gateoxidschicht 10 werden innerhalb der Mesastreifen 3 Sourcegebiete S sowie Bodygebiete B erzeugt, die bis an die Stirnseiten 12 der Mesastreifen 3 reichen. Damit ist der in 2b schematisch skizzierte Trenchtransistor hergestellt (in 2b ist eine verkleinerte Querschnittsdarstellung des in 2a gezeigten Trenchtransistors entlang der Schnittlinie A dargestellt, wobei in der 2a aber die Trenchfüllungen zur besseren Darstellung der einzelnen Trenches weggelassen sind).

Nachteilig an dem in 2b gezeigten Trenchtransistor ist, dass an den Stirnseiten 12 aufgrund der innerhalb des Randtrenches 2 vorgesehenen Gateelektrode 11 und aufgrund der Source- und Bodygebiete S, B, die bis an die Stirnseiten 12 der Mesastreifen 3 reichen, Kanäle innerhalb des Bodygebiets B erzeugt werden können, d. h. an den Stirnseiten elektrische Ströme zwischen dem Sourcegebiet S und dem Halbleiterkörper 9 induziert werden, wenn die Gateelektrode 11 zusammen mit den innerhalb der Gatetrenches 4 vorgesehenen Gateelektroden 11auf Gatepotenzial liegt. Die elektrischen Ströme an den Stirnseiten 12 sind jedoch unerwünscht.

Zur Vermeidung der elektrischen Ströme an den Stirnseiten 12 ist es beispielsweise bekannt, die Sourcegebiete S nicht bis an die Stirnseiten 12 reichen zu lassen, sondern in den an die Stirnseiten 12 angrenzenden Bereichen der Mesastreifen 3 lediglich Bodygebiete B auszubilden. Hierzu wird im Stand der Technik beispielsweise während der Erzeugung der Sourcegebiete eine eigene Source-Fotomaske verwendet. Nachteilig hierbei ist, dass das Erzeugen der Sourcegebiete S dadurch unnötig aufwändig wird.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist, einen Trenchtransistor sowie ein dafür geeignetes Herstellungsverfahren anzugeben, bei dem die voranstehend dargelegten Probleme bezüglich der Leckströme an den Stirnseiten der Mesastreifen vermieden werden können, andererseits jedoch eine einfache Herstellung des Trenchtransistors ermöglicht wird.

Zur Lösung dieser Aufgabe stellt die Erfindung einen Trenchtransistor gemäß Patentanspruch 1 bereit. Weiterhin stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Trenchtransistors gemäß Patentanspruch 9 bereit. Vorteilhafte Ausgestaltungen bzw. Weiterbildungen des Erfindungsgedankens finden sich in den Unteransprüchen.

Der erfindungsgemäße Trenchtransistor weist ein aktives Gebiet auf, das von einem Randtrench umschlossen ist, wobei in den Randtrench eine auf Gatepotenzial liegende Randelektrode eingebettet ist, und das aktive Gebiet eine Mesastruktur aufweist, die zumindest teilweise an den Randtrench angrenzt. Der an den Randtrench angrenzende Bereich der Mesastruktur ist zu mindest teilweise elektrisch deaktiviert, indem innerhalb des deaktivierten Bereichs a) die Mesastruktur mit einer Mesa-Isolationsschicht bedeckt ist, und b) kein Sourcegebiet vorgesehen ist.

Vorteil des erfindungsgemäßen Trenchtransistors ist, dass die Mesa-Isolationsschicht gleichzeitig als Fotomaske zur Erzeugung der Sourcegebiete herangezogen werden kann, d. h., keine eigene Source-Fotomaske zur Aussparung der Sourcegebiete im Bereich der Mesastruktur, die an den Randtrench angrenzt, notwendig ist.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Mesa-Isolationsschicht zusammen mit der Feldelektroden-Isolationsschicht, die zur Isolation einer in die Randtrenches und/oder in die Gatetrenches eingebetteten Feldelektrodenstruktur gegenüber der Mesastruktur dient, in einem Prozessschritt hergestellt (d. h. die Mesa-Isolationsschicht ist Teil der Feldelektroden-Isolationsschicht). Vorteil hierbei ist, dass zur Erzeugung der Feldelektroden-Isolationsschicht (insbesondere beim Rückätzprozess derselben in die Trenchstruktur hinein) ohnehin eine Maske zum Einsatz kommt, die erfindungsgemäß gleichzeitig zur Herstellung der Mesa-Isolationsschicht dient. Mit anderen Worten: Die zur Erzeugung der Feldelektroden-Isolationsschicht benötigte Maske wird so ausgelegt, dass der deaktivierte Bereich der Mesastruktur nicht von der Feldelektroden-Isolationsschicht befreit wird, sondern ein Rest der Feldelektroden-Isolationsschicht als Mesa-Isolationsschicht auf dem deaktivierten Bereich verbleibt.

Die Mesa-Isolationsschicht und die Feldelektroden-Isolationsschicht können beispielsweise durch Oxidation der Mesastruktur erzeugt werden.

Die Mesastruktur kann beliebig ausgestaltet sein. Beispielsweise ist es möglich, die Mesastruktur in Form mehrerer streifenförmige Mesagebiete auszulegen, deren Stirnseiten an den Randtrench angrenzen. In diesem Fall sollte die Mesa-Isolationsschicht die Stirnseiten sowie die an die Stirnseiten angrenzenden Bereiche der Längsseiten und der Oberseiten der Mesagebiete bedecken. Unterhalb des Bereichs der Mesa-Isolationsschicht, der die Oberseiten der Mesagebiete bedeckt, sollten keine Sourcegebiete ausgebildet sein. Unterhalb des Bereichs der Mesa-Isolationsschicht, der die Oberseiten der Mesagebiete bedeckt, können Bodygebiete ausgebildet sind, die jeweils bis zu den Stirnseiten der Mesagebiete reichen (zur Vermeidung des so genannten "Punch-Effekts"). Die laterale Ausdehnung der Mesa-Isolationsschicht sollte, ausgehend von einer Stirnseite eines Mesagebiets in Richtung der jeweils anderen Stirnseite des Mesagebiets, in einem Bereich zwischen 0,1 &mgr;m und 2 &mgr;m liegen. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diesen Bereich beschränkt.

Die Erfindung stellt weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Trenchtransistors bereit, ausgehend von einem Halbleiterkörper, in dem vorgesehen sind:

  • – ein aktives Gebiet, das von einem Randtrench umschlossen wird,
  • – eine innerhalb des aktiven Gebiets vorgesehene Mesastruktur, die zumindest teilweise an den Randtrench angrenzt, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
  • – Erzeugen einer die Mesastruktur bedeckenden Isolationsschicht,
  • – Rückätzen der Isolationsschicht in den Randtrench und/oder in eine die Mesastruktur durchsetzende/einfassende Gatetrenchstruktur, wobei die im Randbereich und in der Gatetrenchstruktur verbleibenden Reste der Isolationsschicht zur Isolation einer in die Trenches einzubringenden Feldelektrodenstruktur gegenüber dem Halbleiterkörper dienen, und wobei das Rückätzen so erfolgt, dass der an den Randtrench angrenzende Bereich der Mesastruktur zumindest teilweise durch die Isolationsschicht bedeckt ist,
  • – Ausbilden von Bodygebieten und Sourcegebieten in der Mesastruktur unter Verwendung der Isolationsschicht als Maske.

Die Isolationsschicht kann beispielsweise durch Oxidation der Mesastruktur erzeugt werden.

Die Mesastruktur kann mehrere streifenförmige Mesagebiete aufweisen, deren Stirnseiten an den Randtrench angrenzen. In diesem Fall sollte das Rückätzen so erfolgen, dass die Isolationsschicht nach dem Rückätzen die Stirnseiten sowie die an die Stirnseiten angrenzenden Bereiche der Längsseiten und der Oberseiten der Mesagebiete bedeckt. Unterhalb des Bereichs der Isolationsschicht, der die Oberseiten der Mesagebiete bedeckt, können Bodygebiete ausgebildet werden, die jeweils bis zu den Stirnseiten der Mesagebiete reichen, indem unter Verwendung der Isolationsschicht als Maske Dotierstoffe des einen Leitungstyps in die Mesastruktur eingebracht werden, und anschließend ein Temperprozess ausgeführt wird, der bewirkt, dass die eingebrachten Dotierstoffe bis zu den jeweiligen Stirnseiten diffundieren. Unterhalb des Bereichs der Isolationsschicht, der die Oberseiten der Mesagebiete bedeckt, sollten die Sourcegebiete so ausgebildet werden, dass diese nicht bis zu den Stirnseiten der Mesagebiete reichen, indem unter Verwendung der Isolationsschicht als Maske Dotierstoffe des anderen Leitungstyps in die Mesastruktur eingebracht werden. Die laterale Ausdehnung der Mesa-Isolationsschicht kann beispielsweise so gewählt sein und das Einbringen der Dotierstoffe des anderen Leitungstyps so erfolgen, dass der laterale Abstand der Sourcegebiete von den Stirnseiten in einem Bereich zwischen 0,1 &mgr;m und 2 &mgr;m liegt.

Der eine Dotiertyp ist hierbei vorzugsweise der p-Dotiertyp, der andere Dotiertyp der n-Dotiertyp. In diesem Fall ist der Dotiertyp des Halbleiterkörpers der andere Dotiertyp. Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren in beispielsweiser Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:

1 eine Prinzipskizze einer Draufsicht auf einen Trenchtransistor gemäß dem Stand der Technik,

2a eine perspektivische Ansicht eines Ausschnitts des in 1 gezeigten Trenchtransistors,

2b eine Schnittdarstellung des in 2a gezeigten Trenchtransistors entlang der Schnittlinie A mit "gefüllten" Trenches,

3a eine perspektivische Darstellung einer möglichen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Trenchtransistors, und

3b eine Schnittdarstellung des in 3a gezeigten Trenchtransistors entlang der Schnittlinie A mit "gefüllten" Trenches.

In den Figuren sind identische bzw. einander entsprechende Bereiche sowie Bauteile/Bauteilgruppen mit denselben Bezugsziffern gekennzeichnet. Weiterhin können sämtliche Ausführungsformen invers dotiert ausgestaltet sein, d. h. n-Gebiete werden durch p-Gebieten ersetzt und umgekehrt.

In 3a ist ein Ausschnitt eines erfindungsgemäßen Trenchtransistors in perspektivischer Ansicht gezeigt. Das Prozessstadium des in 3a gezeigten Trenchtransistors entspricht dem des in 2a gezeigten Trenchtransistors, jedoch mit dem Unterschied, dass die Feldoxidschicht 8 nicht vollständig in die Trenchstruktur hinein zurückgeätzt wurde, sondern so rückgeätzt wurde, dass die Stirnseiten 12 sowie die an die Stirnseiten 12 angrenzenden Bereiche der Mesastreifen 3 von einem Feldoxidschichtrest als einer Mesa-Isolationsschicht 13 bedeckt sind.

In 3b ist eine verkleinerte Querschnittsdarstellung des in 3a gezeigten Trenchtransistors gezeigt, wobei jedoch wie in 2b die Trenchfüllungen zusätzlich eingebracht sind, welche in 3a wie in 2a zur Vereinfachung der Darstellung weggelassen sind. Auch sind in 3a die in der Ebene hinter der Isolationsschicht 13 liegenden Teile zu ihrer Verdeutlichung in Strichlinien dargestellt. Der Unterschied zu der in 2b gezeigten Ausführungsform ist, dass die an die Stirnseiten 12 angrenzenden Bereiche der Oberflächen sowie entsprechende Seitenflächen der Mesastreifen 3 nicht freiliegen (2b), sondern mit einem Feldoxidschichtrest (Mesa-Isolationsschicht 13) bedeckt sind. Des Weiteren sind an der Stirnseite 12 keine Sourcegebiete S, sondern lediglich Bodygebiete B ausgebildet: Die Mesa-Isolationsschicht 13 wird erfindungsgemäß als Maske zur Erzeugung der Sourcegebiete S verwendet, so dass die laterale Ausdehnung der Sourcegebiete S nicht bis an die Stirnseiten 12 heranreicht (es erfolgt vorzugsweise kein Temperprozess). Im Gegensatz hierzu wird zur Erzeugung des Bodygebiets nach Einbringen entsprechender Dotierstoffe in die Mesastreifen 3 ein Temperprozess durchgeführt, der so ausgelegt ist, dass die eingebrachten Dotierstoffe bis an die Stirnseiten 12 diffundieren und somit die in 3b gezeigten Bodygebiete B entstehen.

Die laterale Ausdehnung C der Mesa-Isolationsschicht 13 sollte so beschaffen sein, dass die unter Verwendung der Mesa-Isolationsschicht 13 erzeugten Sourcegebiete einen lateralen Abstand von 0,1 &mgr;m bis 2 &mgr;m zu den Stirnseiten 12 aufweisen.

In der folgenden Beschreibung sollen weitere Aspekte der Erfindung näher erläutert werden.

Ziel der Erfindung ist die Vermeidung von erhöhten Leckströmen, Schultern in der Eingangskennlinie sowie eine Verbesserung der Avalanche-Festigkeit und der Ausfallsverteilung bei Gateoxidtests (SSQ, E-const, HTGS) von Trench-Leistungstransistoren.

Bei Trench-Leistungstransistoren mit einem geschlossenen Design (Verwendung eines Randtrenches liegt auch an den Mesastirnseiten und insbesondere um die Ecken der Mesa ein Gateoxidbereich vor. Da während der Erzeugung der Sourcegebiete üblicherweise keine eigene Maske verwendet wird, erstrecken sich die Sourcegebiete bis zur Stirnseite der Mesa, womit diese und deren vertikalen Kanten aktives Kanalgebiet darstellen. Je nach Absättigung der Grenzfläche SiO2 kann dadurch ein Leckstrom unterhalb der Einsatzspannung fließen, wodurch eine Schulter in der Eingangskennlinie entsteht.

Um diese Effekte zu vermeiden, ist z. B. bekannt, die Source-Implantation mittels eigener Fototechnik an den Ecken auszusparen. In der Druckschrift JP2004-055976-A ist offenbart, an den Ecken p+-doterte Gebiete zu erzeugen, um die Ecken zu deaktivieren. Es wurde auch erkannt, dass die Avalanche-Festigkeit von Systemen ohne Mesastirnseiten-Abschattung bei der Source-Implantation geringer ist als bei vergleichbaren Tansistoren mit Abschattung. Eine Aufschmelzung im Bereich der Mesastirnseiten konnte beobachtet werden.

Erfindungsgemäß werden die Mesastirnseiten der Trenchtransistoren inaktiv ausgestaltet. Damit ist insbesondere gemeint, dass weder Gateoxid- noch Sourcegebiete im Bereich der Mesastirnseiten vorhanden sind. Ein Vorteil der Erfindung ist, dass dafür keine eigene Fototechnik eingeführt werden muss. Die Abdeckung des an den Randtrench angrenzenden Bereichs der Mesastruktur mit Feldoxid (Mesa-Isolationsschicht) sowie die Positionierung der Kantenlage der Mesa-Isolationsschicht auf der Mesastruktur sollten so ausgestaltet sein, dass durch die Body-Diffusion ein ausreichend dotiertes p-Gebiet bis zur Mesastirnseite entsteht, so dass kein "Punchen" eintritt, und andererseits die Sourcegebiete weit genug von den Stirnseiten entfernt sind.

Ein wesentlicher Aspekt der Erfindung liegt demnach darin, die Mesastirnseiten von Trench-Leistungstransistoren mit Feldoxid abzudecken, so dass diese Bereiche elektrisch inaktiv werden.

Beispielsweise kann die Feldoxidkante einen Abstand im Bereich zwischen 0,1 &mgr;m und 2,0 &mgr;m zur Mesastirnseite hin aufweisen. Damit ist je nach Prozessführung die Spannungsfestigkeit des Bauelements gewährleistet und gleichzeitig die Mesastirnseite elektrisch deaktiviert.

2a zeigt den Stand der Technik mit aktiven Mesastirnseiten (nach der Feldoxidätzung). In weiterer Folge wird die gesamte Mesa mit Gateoxid umschlossen.

3a zeigt die erfindungsgemäße Struktur mit inaktiven Mesastirnseiten durch Abdeckung mit Feldoxid über die Mesakanten hinein (Richtung Zellenfeld).

1
aktives Gebiet
2
Randtrench
3, 3'
Mesastreifen
4
Gatetrench
5
Randabschluss
6
Randabschlusstrench
7
Feldelektroden
8
Feldoxidschicht
9
Halbleiterkörper
10
Gateoxidschicht
11
Gateelektrode
12
Stirnseite
13
Mesa-Isolationsschicht
B
Body
C
laterale Ausdehnung
D
Bereich
S
Source


Anspruch[de]
Trenchtansistor mit einem aktiven Gebiet (1), das von einem Randtrench (2) umschlossen wird, wobei in den Randtrench (2) eine auf Gatepotenzial liegende Randelektrode (11) eingebettet ist, und das aktive Gebiet eine Mesastruktur (3) aufweist, die zumindest teilweise an den Randtrench (2) angrenzt, dadurch gekennzeichnet, dass der an den Randtrench (2) angrenzende Bereich der Mesastruktur (3) zumindest teilweise elektrisch deaktiviert ist, indem innerhalb des deaktivierten Bereichs a) die Mesastruktur mit einer Mesa-Isolationsschicht (13) bedeckt ist, und b) kein Sourcegebiet (S) vorgesehen ist. Trenchtransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesa-Isolationsschicht (13) zusammen mit der Feldelektroden-Isolationsschicht (8), die zur Isolation einer in die Randtrenches (2) und/oder in die Gatetrenches (4) eingebetteten Feldelektrodenstruktur (7) gegenüber der Mesastruktur dient, in einem Prozessschritt hergestellt ist. Trenchtransistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesa-Isolationsschicht (13) und die Feldelektroden-Isolationsschicht (8) durch Oxidation der Mesastruktur (3) erzeugt werden. Trenchtransistor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesastruktur (3) mehrere streifenförmige Mesagebiete aufweist, deren Stirnseiten (12) an den Randtrench (2) angrenzen. Trenchtransistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesa-Isolationsschicht (13) die Stirnseiten (12) sowie die an die Stirnseiten angrenzenden Bereiche der Längsseiten und der Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt. Trenchtransistor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Bereichs der Mesa-Isolationsschicht (13), der die Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt, keine Sourcegebiete (S) ausgebildet sind. Trenchtransistor nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Bereichs der Mesa-Isolationsschicht (13), der die Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt, Bodygebiete (B) ausgebildet sind, die jeweils bis zu den Stirnseiten (12) der Mesagebiete (3) reichen. Trenchtransistor nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die laterale Ausdehnung (C) der Mesa-Isolationsschicht (13), ausgehend von einer Stirnseite (12) eines Mesagebiets (3) in Richtung der jeweils anderen Stirnseite des Mesagebiets (3), in einem Bereich zwischen 0,1 &mgr;m und 2 &mgr;m liegt. Verfahren zur Herstellung eines Trenchtransistors, ausgehend von einem Halbleiterkörper (9), in dem vorgesehen sind:

– ein aktives Gebiet (1), das von einem Randtrench (2) umschlossen wird,

– eine innerhalb des aktiven Gebiets (1) vorgesehene Mesastruktur (3), die zumindest teilweise an den Randtrench (2) angrenzt,

gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:

– Erzeugen einer die Mesastruktur (3) bedeckenden Isolationsschicht (8, 13),

– Rückätzen der Isolationsschicht in den Randtrench (2) und/oder in eine die Mesastruktur (3) durchsetzende/einfassende Gatetrenchstruktur (4), wobei die im Randbereich (2) und in der Gatetrenchstruktur (4) verbleibenden Reste der Isolationsschicht (8) zur Isolation einer in die Trenches einzubringenden Feldelektrodenstruktur (7) gegenüber dem Halbleiterkörper (9) dienen, und wobei das Rückätzen so erfolgt, dass der an den Randtrench (2) angrenzende Bereich der Mesastruktur (3) zumindest teilweise durch die Isolationsschicht (1) bedeckt ist,

– Ausbilden von Bodygebieten (B) und Sourcegebieten (S) in der Mesastruktur (3) unter Verwendung der Isolationsschicht als Maske.
Verfahren nach Anspruch 13„ dadurch gekennzeichnet, dass die Isolationsschicht (8) durch Oxidation der Mesastruktur (3) erzeugt wird. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesastruktur (3) mehrere streifenförmige Mesagebiete aufweist, deren Stirnseiten (12) an den Randtrench (2) angrenzen. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Rückätzen so erfolgt, dass die Isolationsschicht (13) nach dem Rückätzen die Stirnseiten (12) sowie die an die Stirnseiten angrenzenden Bereiche der Längsseiten und der Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Bereichs der Isolationsschicht (13), der die Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt, Bodygebiete (B) ausgebildet werden, die jeweils bis zu den Stirnseiten (12) der Mesagebiete (3) reichen, indem unter Verwendung der Isolationsschicht (13) als Maske Dotierstoffe des einen Leitungstyps in die Mesastruktur (3) eingebracht werden, und anschließend ein Temperprozess ausgeführt wird, der bewirkt, dass die eingebrachten Dotierstoffe bis zu den jeweiligen Stirnseiten (12) diffundieren. Trenchtransistor nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Bereichs der Isolationsschicht (13), der die Oberseiten der Mesagebiete (3) bedeckt, Sourcegebiete (S) ausgebildet werden, die nicht bis zu den Stirnseiten (12) der Mesagebiete (3) reichen, indem unter Verwendung der Isolationsschicht (13) als Maske Dotierstoffe des anderen Leitungstyps in die Mesastruktur (3) eingebracht werden. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die laterale Ausdehnung (C) der Mesa-Isolationsschicht (13) so gewählt ist und das Einbringen der Dotierstoffe des anderen Leitungstyps so erfolgt, dass der laterale Abstand der Sourcegebiete (S) von den Stirnseiten (12) in einem Bereich zwischen 0,1 &mgr;m und 2 &mgr;m liegt.






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