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No Patent No Titel
1 EP1160359 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Oxid-Einkristalles
2 EP1509642 ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLSTÄBEN MIT DEFINIERTEM QUERSCHNITT UND KOLUMNARER POLYKRISTALLINER STRUKTUR MITTELS TIEGELFREIER KONTINUIERLICHER KRISTALLISATION
3 DE60119607T2 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Oxid-Einkristallen
4 EP1743960 SELBSTBESCHICHTETER EINKRISTALL UND HERSTELLUNGSVORRICHTUNG UND -VERFAHREN DAFÜR
5 DE10220964B4 Anordnung zur Herstellung von Kristallstäben mit definiertem Querschnitt und kolumnarer polykristalliner Struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher Kristallisation
6 DE60117720T2 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines flachen Körpers aus Oxid-Einkristall
7 EP1686201 Vorrichtung zur Kristallziehung nach unten
8 EP1170403 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines flachen Körpers aus Oxid-Einkristall
9 DE10220964A8 Anordnung zur Herstellung von Kristallstäben mit definiertem Querschnitt und kolumnarer polykristalliner Struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher Kristallisation
10 DE10220964A1 Anordnung zur Herstellung von Kristallstäbchen mit definiertem Querschnitt und kolumnarer polykristalliner Struktur mittels tiegelfreier kontinuierlicher Kristallisation
11 DE69623837T2 Verfahren und Vorrichtung zur Einkristallzüchtung
12 EP1217103 Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen
13 DE69707374T2 Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von Siliciumkristallen in Plattenformen für Solarzellen
14 EP1143041 Verfahren zur Herstellung eines flachen Körpers aus Oxid-Einkristall
15 EP1138808 Verfahren zur Herstellung eines flachen Körpers aus Oxid-Einkristall
16 DE69800323T2 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Körpers aus einkristallinem Verbundoxid
17 DE69605507T2 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung Einkristallen vom Typ Oxid
18 DE19538020A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium
19 DE4323793A1 Verfahren zur Herstellung von Stäben oder Blöcken aus beim Erstarren sich ausdehnendem Halbleitermaterial durch Kristallisieren einer aus Granulat erzeugten Schmelze sowie Vorrichtung zu seiner Durchführung
20 DE4216519A1 Fließzonenverfahren zur Herstellung von monokristallinem Silicium aus teilchenförmigem Silicium
21 DE3531610A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliciumstäben
22 DE3321201C2 Tiegel zum Kristallziehen
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