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No Patent No Titel
101 DE10102350A1 Integrierter Speicher mit mehreren Speicherzellenfeldern sowie Verfahren zum Betrieb des integrierten Speichers
102 DE10062110A1 Integrierter Speicher mit einem Zellenfeld und Ladungsausgleichseinrichtungen sowie Verfahren zum beschleunigten Schreiben eines Datums in einen integrierten Speicher
103 DE19530100C2 Integrierte Dram-Schaltung mit Reihenkopierschaltung und Verfahren
104 EP0744073 EINE SYNCHRONE NAND-DRAM-SPEICHERARCHITEKTUR
105 DE10032236C2 Schaltungsanordnung zum Umschalten einer Receiverschaltung insbesondere in DRAM-Speichern
106 DE69521721T2 VERBESSERTER HALBLEITERSPEICHER MIT EINEM ZEILENAUSWAHLSIGNAL AUSGEBENDEM ZEILENDEKODERS
107 DE69521656T2 Dynamischer Speicher
108 DE69615712T2 ZELLENGEGENPLATTENEINSTELLUNG FÜR DRAM-LESEOPERATION
109 EP0554453 HALBLEITER-SPEICHER-VORRICHTUNG
110 EP0960422 VERFAHREN ZUR MINIMIERUNG DER ZUGRIFFSZEIT BEI HALBLEITERSPEICHERN
111 DE10032236A1 Schaltungsanordnung zum Umschalten einer Receiverschaltung insbesondere in DRAM-Speichern
112 DE10033441A1 Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Korrektursignalen in integrierten dynamischen Halbleiterspeichern
113 DE10031948A1 DRAM-Interface für Latenz
114 DE10126084A1 Halbleiterspeichervorrichtung
115 DE19605826C2 Dynamische Halbleiterspeichereinrichtung, in der drei Betriebsmoden festlegbar sind
116 DE3943808C2 Serienzugriff - Halbleiterspeichervorrichtung
117 DE10124112A1 Halbleiterspeicher für Hochgeschwindigkeitsbetrieb
118 DE19944040C2 Integrierter Speicher mit zwei Burstbetriebsarten
119 EP0886865 ZELLENGEGENPLATTENEINSTELLUNG FÜR DRAM-LESEOPERATION
120 DE19934500C2 Synchroner integrierter Speicher
121 DE10049349A1 Halbleiterspeichervorrichtung, die ihre Stromversorgungsspannung verringern kann
122 DE19929174C2 Integrierte Schaltung mit einem Kommandodekoder
123 EP0704850 Dynamischer Speicher
124 EP0811985 VERBESSERTER HALBLEITERSPEICHER MIT EINEM ZEILENAUSWAHLSIGNAL AUSGEBENDEM ZEILENDEKODERS
125 DE10047176A1 Halbleiterspeicheranordnung, welche mit einer Erzeugungseinrichtung für ein internes Taktsignal für eine spezielle Betriebsart ausgestattet ist
126 DE19960557A1 Integrierter dynamischer Halbleiterspeicher mit zeitlich gesteuertem Lesezugriff
127 DE19960558A1 Halbleiterspeicher vom wahlfreien Zugriffstyp (DRAM)
128 DE10019805A1 Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung mit reduziertem Stromverbrauch im Lesebetrieb
129 DE10049362A1 Taktsynchrone Halbleitervorrichtung mit verringerter Taktzugriffszeit
130 DE10049934A1 Integriertes Schaltkreisbauelement mit mehreren Speicherzellenfeldern
131 DE10043650A1 Takterzeugerschaltung und Halbleiterspeichervorrichtung
132 DE19944040A1 Integrierter Speicher mit zwei Burstbetriebsarten
133 DE19934500A1 Synchroner integrierter Speicher
134 DE19940923A1 Ein-/Ausleseverfahren zur Speicherung/Ausgabe eines Signalmusters unter Verwendung eines dynamischen Halbleiterspeichers
135 DE19829288C2 Dynamische Halbleiter-Speichervorrichtung und Verfahren zur Initialisierung einer dynamischen Halbleiter-Speichervorrichtung
136 DE19719116C2 Verfahren und Schaltkreis zum Erzeugen von internen Pulssignalen in einem synchronen Speicher
137 DE10015253A1 Halbleiter-Speichervorrichtung und Schreibdaten-Maskierungsverfahren dafür
138 DE19933539A1 Integrierter Speicher
139 DE19929174A1 Integrierte Schaltung mit einem Kommandodekoder
140 DE10016986A1 Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zur Lese-/Schreibsteuerung hierfür
141 DE19934501C1 Synchroner integrierter Speicher
142 DE10010440A1 Synchrones dynamisches Speicherbauelement mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zur CAS-Latenzsteuerung
143 EP1020868 INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNGSANORDNUNG
144 DE29724263U1 Schaltkreis zum Erzeugen von internen Pulssignalen in einem synchronen Speicher
145 DE69421233T2 Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit Eingangsignalschaltung von niedriger Leistung, reagierend auf ein sehr schnelles Eingangsignal von niedriger Intensität
146 DE19953323A1 CAS-Verzögerungssteuerschaltung
147 DE69422254T2 Dynamische Speicheranordnung mit mehreren internen Speisespannungen
148 DE19634485C2 Synchrone dynamische Halbleiterspeichereinrichtung, die eine Fließbandverarbeitungs-Multi-Bit-Vorausles- Architektur verwendet
149 DE29724147U1 Schaltkreis zum Erzeugen von internen Pulssignalen in einem synchronen Speicher
150 DE29623846U1 Impulsmodusendeerkennungseinheit
151 DE19842852A1 Integrierter Speicher
152 DE19910899A1 Dynamische Halbleiterspeichervorrichtung mit niedrigem Stromverbrauchsmodus
153 EP0647946 Dynamische Speicheranordnung mit mehreren internen Speisespannungen
154 DE19904542A1 Schaltbare Multi Bit Halbleiterspeichervorrichtung
155 DE19829288A1 Dynamische Halbleiter-Speichervorrichtung und Verfahren zur Initialisierung einer dynamischen Halbleiter-Speichervorrichtung
156 DE19752664C2 Synchrone Halbleitervorrichtung mit Speicherchips in einem Modul zur Steuerung eines Freigabesignals als Auslöser beim Lesen von Daten
157 DE69229104T2 Stroboskopische Signale in Halbleiterspeicheranordnungen
158 DE19822750A1 Halbleiterspeicher mit differentiellen Bitleitungen
159 EP0640981 Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit Eingangsignalschaltung von niedriger Leistung, reagierend auf ein sehr schnelles Eingangsignal von niedriger Intensität
160 DE69417281T2 Verfahren und Schaltung zur Verbesserung von Steuerzeit- und Störabstand in einem DRAM Speicher
161 DE69033061T2 Speicher mit mehrfacher Eingangs-/Ausgangswahl
162 DE19916348A1 Synchrone Halbleiter-Speichervorrichtung mit Reaktion auf ein externes Maskiersignal zum Erzwingen des Eintritts eines Datenanschlusses in einen Hochimpedanzzustand und ihr Steuerverfahren
163 EP0935252 INTEGRIERTE SPEICHERSCHALTUNGSANORDNUNG MIT LOGISCHER SCHALTUNGSKOMPATIBLER STRUKTUR
164 DE19653114C2 Synchron-Halbleiterspeichervorrichtung, bei der ein Burstzähler gemeinsam für ein Datenschreiben und für ein Datenlesen verwendet wird
165 EP0553547 Stroboskopische Signale in Halbleiterspeicheranordnungen
166 DE19839570A1 Synchrones Halbleiterspeicherbauteil mit programmierbarer Latenzzeit
167 DE69227539T2 Dynamischer RAM-Speicher mit Möglichkeit einen Schreibe-/Lesesteuertypus zu bestimmen während der letzten Stufe des Herstellungsverfahrens
168 EP0677849 Speicher mit mehrfacher Eingangs-/Ausgangswahl
169 EP0618588 Verfahren und Schaltung zur Verbesserung von Steuerzeit- und Störabstand in einem DRAM Speicher
170 DE19829813A1 Integrierte Logikhalbleiterschaltungsvorrichtung mit einem eingebetteten dynamischen Direktzugriffsspeicher
171 DE19622398C2 Synchronhalbleiterspeichereinrichtung
172 DE19645437C2 Synchronhalbleiterspeichereinrichtung mit einer internen Schaltungseinrichtung, die nur dann betriebsberechtigt ist, wenn in normaler Reihenfolge Befehle angelegt sind
173 DE19625884C2 DRAM mit niedrigen Energieverbrauch aufweisender Bitleitungs-Auswahlschaltung
174 DE69321993T2 Bitleitungsabtastung in Halbleiterspeicheranordnungen
175 DE69320229T2 DRAM mit geringem Leistungsverbrauch
176 DE19821215A1 Mehrfach-Bank-Halbleiterspeichervorrichtung
177 DE19813743A1 Taktschiebeschaltungsvorrichtung und Synchron-Halbleiterspeichervorrichtung, die dieselbe verwendet
178 DE69410526T2 Synchrone Halbleiterspeicheranordnung mit einer Eingangsschaltung zur Herstellung eines konstanten Hauptsteuersignals, um einem Zeitgeber zu erlauben, Steuersignale zu verriegeln
179 DE19807298A1 Synchrone Halbleiterspeichereinrichtung
180 EP0571209 Bitleitungsabtastung in Halbleiterspeicheranordnungen
181 EP0513968 Dynamischer RAM-Speicher mit Möglichkeit einen Schreibe-/Lesesteuertypus zu bestimmen während der letzten Stufe des Herstellungsverfahrens
182 DE4336887C2 Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und Verfahren zum Treiben einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung
183 DE19751268A1 Datenleseschaltung
184 DE19755707A1 Integrierte Halbleiterschaltung mit in einem Einzelchip integrierten synchronen DRAM-Kern und Logik-Schaltkreis sowie Verfahren zum Prüfen des synchronen DRAM-Kerns
185 EP0563521 DRAM mit geringem Leistungsverbrauch
186 DE19740329A1 Halbleiterspeicherbauelement mit Mehrfachbank
187 DE19752664A1 Synchrone Halbleitervorrichtung mit Speicherchips in einem Modul zur Steuerung eines Freigabesignals als Auslöser beim Lesen von Daten
188 DE19738963A1 Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
189 DE69409146T2 Dynamischer Direktzugriffhalbleiterspeicher
190 DE69223711T2 Speicherzelle
191 DE19742700A1 Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung mit mehreren Bänken
192 DE19750927A1 Verfahren zum kontinuierlichen Auslesen einer Datenfolge aus einem Speicher
193 DE19752161A1 Halbleiterspeichersystem, unter Verwendung einer taktsynchronen Halbleitervorrichtung, und Halbleiterspeichervorrichtung zur Verwendung in demselben
194 EP0623931 Synchrone Halbleiterspeicheranordnung mit einer Eingangsschaltung zur Herstellung eines konstanten Hauptsteuersignals, um einem Zeitgeber zu erlauben, Steuersignale zu verriegeln
195 DE19525572C2 Abfrageschaltung zum Verfolgen des Ladungstransfers duch Zugriffstransistoren in einem dynamischen Schreib-/Lese-Speicher
196 DE4322359C2 Halbleiterspeichereinrichtung
197 DE69222606T2 Bitleitungs- und Gegenplattenfesthaltungsschaltung, insbesondere für DRAM
198 EP0615249 Dynamischer Direktzugriffhalbleiterspeicher
199 DE19507574C2 Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung mit Selbstvorladefunktion
200 DE19741195A1 Aufzeichnungs- und/oder Wiedergabevorrichtung und Aufzeichnungsvorrichtung
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