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No Patent No Titel
1 EP1859449 ANSTEUERUNG EINER SPEICHERMATRIX VON WIDERSTANDSHYSTERESEELEMENTEN
2 EP1859450 STEUERUNG EINER SPEICHERMATRIX MIT WIDERSTANDSHYSTERESE-ELEMENTEN
3 EP1771861 ZUGRIFF AUF PHASENÄNDERUNGSSPEICHER
4 EP1835508 PRAM und entsprechendes Betriebsverfahren sowie System
5 EP1835509 Speicherzelle, Speicher mit einer Speicherzelle und Verfahren zum Einschreiben von Daten in eine Speicherzelle
6 DE102007012781A1 Speicherarray mit hoher Dichte zur Niedrigenergie-Anwendung
7 EP1829043 PMC-SPEICHER MIT VERBESSERTER HALTEZEIT UND SCHREIBGESCHWINDIGKEIT
8 EP1807840 INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT PHASENÄNDERUNGS-SPEICHERZELLEN UND VERFAHREN ZUM ADRESSIEREN VON PHASENÄNDERUNGS-SPEICHERZELLEN
9 DE112005002286T5 Steuern von Speicherbauelementen mit variablen Widerstandseigenschaften
10 EP1800314 SPEICHER MIT LEITFÄHIGEN OXIDEN GEMISCHTER VALENZ
11 EP1797566 INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT SPEICHERZELLEN MIT EINEM PROGRAMMIERBAREN WIDERSTAND UND VERFAHREN ZUM ADRESSIEREN VON SPEICHERZELLEN MIT EINEM PROGRAMMIERBAREN WIDERSTAND
12 EP1797565 RESISTIVES SPEICHERELEMENT MIT HEIZVORRICHTUNG
13 DE202007002581U1 Speicherstick
14 EP1769507 WIDERSTANDSVARIABLER SPEICHERBAUSTEIN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
15 DE102006006792B3 Speicher und Verfahren zum Auslesen von Daten
16 EP1763038 Verfahren zum Schreiben von Daten in eine Speicherzelle eines RAM-Speichers mit leitfähigem Pfad, Speicherschaltkreis und Speicherschaltkreis mit leitfähigem Pfad
17 EP1759392 ELEKTRISCHE EINRICHTUNG MIT EINEM IN REIHE MIT EINER DURCHSCHLAGDIODE GESCHALTETEN PROGRAMMIERBAREN WIDERSTAND UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
18 EP1758128 Wiederprogrammierbarer Schalter mit Phasenwechselmaterial
19 EP1758127 Wiederprogrammierbarer Schalter mit Phasenwechselmaterial
20 EP1755125 Betriebsverfahren für eine programmierbare Metallisierungs-Speicherzelle und Schaltkreis
21 EP1755126 Speichervorrichtung, die mehr als zwei Zustände in eine Speicherzelle programmiert
22 EP1744323 Phasenwechsel- Speicherzelle mit Nanodrahtelektrode
23 DE102004053602B4 Speichersystem und Verfahren zur Steuerung eines Speicherbauelements, um verschiedenartige Charakteristika auf ein und demselben Speicherbauelement zu erzielen
24 DE102005018347B4 Flash-Speicherzelle, Flash-Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür
25 EP1727151 Verfahren für den Betrieb eines PMC-Speichers und CBRAM-Schaltung
26 DE102005030142B3 Bistabile Kippstufe mit nichtflüchtiger Zustandsspeicherung
27 DE102004030230B4 Verfahren zur Aktualisierung der Betriebssoftware für eine Einrichtung mit einem programmierbaren Logikbaustein
28 EP1710807 Phasenwechselspeicher mit rohrförmiger Heizstruktur sowie deren Herstellungsverfahren
29 EP1708202 Phasenänderungsspeicher
30 EP1696441 Phasenwechselspeichervorrichtung und Herstellungsverfahren
31 EP1688958 Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung von Festkörper-Elektrolytzellen
32 EP1686590 Integrierter Halbleiterspeicher mit einer Anordnung nichtflüchtiger Speicherzellen und Verfahren
33 EP1684306 Phasenwechselspeicheranordnung und Datenschreibverfahren
34 DE102005023911A1 Halbleiterschaltungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben der Halbleiterschaltvorrichtung
35 DE102004059642A1 Resistives Speicherelement und Verfahren hierfür
36 EP1640994 Speicheranordnung mit unipolaren and bipolaren Auswahlschaltungen
37 DE60204600T2 Verfahren und Vorrichtung zur Softprogrammverfikation in einem Speicherbaustein
38 EP1617437 Phasenwechselspeicher sowie Programmier- und Betriebsverfahren
39 DE102004041907B3 Resistive Speicheranordnung, insbesondere CBRAM-Speicher
40 DE102004037152A1 Speicherzelle, Speichereinrichtung sowie Verfahren zu deren Betrieb
41 DE102004041894B3 Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektrolytmaterials und Herstellungsverfahren dafür
42 DE102004058132B3 Speicherschaltung sowie Verfahren zum Bewerten eines Speicherdatums einer CBRAM-Widerstandsspeicherzelle
43 DE102004019860B4 Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen
44 DE10026276B4 Halbleiterschaltungsanordnung
45 DE102004026003B3 Resistive Speicherzellen-Anordnung
46 DE102004030297A1 Verfahren zum Hochfahren einer SOPC-Schaltungseinheit
47 DE102004030230A1 Verfahren zur Aktualisierung der Betriebssoftware für eine Einrichtung mit einem programmierbaren Logikbaustein
48 DE10052292B4 Halbleiterspeicher mit Datenspeicher und elektrisch lösch- und programmierbarer Array-Logik
49 DE102004024610B3 Festkörperelektrolytschaltelement
50 DE102005018347A1 Flash-Speicherzelle, Flash-Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür
51 DE102004019860A1 Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen
52 DE102004015928A1 Schreib-/Lösch-Verfahren für resistiv schaltende Speicherbauelemente
53 EP1566810 Resistivenspeicheranordnung mit stabilem Schreibverfahren
54 EP1559110 STEUERUNG VON SPEICHERARRAYS UNTERVERWENDUNG VON ZENERDIODENARTIGEN BAUELEMENTEN
55 DE102004020575B3 Halbleiterspeicherbauelement in Cross-Point-Architektur
56 DE102004001285A1 Umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung
57 DE102004063583A1 Nichtflüchtige Speichervorrichtung
58 DE102004040506A1 Adressierschaltung für ein Kreuzungspunkt-Speicherarray, das Kreuzungspunkt-Widerstandselemente umfasst
59 EP1468424 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR SOFT-PROGRAMMVERIFIKATION IN EINEM SPEICHERBAUSTEIN
60 EP1533815 3D RRAM
61 DE102004039977A1 Programmierverfahren und Treiberschaltung für eine Phasenwechselspeicherzelle
62 EP1463061 Speicheranordnung
63 EP1426975 Halbleiterspeicheranordnung und Datenschreibverfahren
64 EP1426974 Halbleiterspeicheranordnung und Löschverfahren für Speichermatrix
65 DE10338984A1 Betriebsverfahren für ein Flash-Speicherbauelement mit SONOS-Zellen
66 DE10347975A1 Einrichtung der programmierbaren Logik
67 DE10329627A1 Flash-Speicherbaustein
68 DE10207300B4 Integrierter Festwertspeicher, Verfahren zum Betreiben eines solchen Festwertspeichers sowie Herstellungsverfahren
69 DE10207300A1 Integrierter Festwertspeicher, Verfahren zum Betreiben eines solchen Festwertspeichers sowie Herstellungsverfahren
70 DE20301718U1 Kompaktes Krankengeschichtespeichergerät
71 DE10233194A1 Verfahren zum Beschreiben/Löschen nichtflüchtiger Halbleiterspeichervorrichtungen
72 DE10196002T1 Synchroner Flashspeicher mit simultanem Schreib-und Lesebetrieb
73 DE10155416A1 Halbleiter-Permanentspeicher
74 DE10052292A1 Halbleiterspeicher mit Datenspeicher und elektrisch lösch- und programmierbarer Array-Logik
75 DE69615995T2 ELEKTRISCH LÖSCHBARER UND PROGRAMMIERBARER FESTWERTSPEICHER MIT NICHTUNIFORMER DIEELEKTRISCHER DICKE
76 DE19639629C2 Programmierbare, monolithische, integrierte Logikschaltung und Verfahren zum Implementieren derselben
77 DE10028422A1 Nichtflüchtige NOR-Zweitransistor-Halbleiterspeicherzelle sowie dazugehörige NOR-Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
78 DE10026276A1 Halbleiterschaltungsanordnung
79 EP0777902 ELEKTRISCH LÖSCHBARER UND PROGRAMMIERBARER FESTWERTSPEICHER MIT NICHTUNIFORMER DIEELEKTRISCHER DICKE
80 DE10100939A1 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und Datenhalteverfahren derselben
81 DE10046022A1 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Konstruktion zum Speichern mehrwertiger Daten und Datenablagesystem, das diese nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung enthält
82 DE10031806A1 Flash-Speicherschaltung
83 EP1089289 Speicherschaltung mit seriellem Zugriff
84 EP1085518 Elektrisch programmier- und löschbare Festwertspeicherarchitektur
85 EP1079394 HALBLEITERSPEICHER
86 DE10023154A1 Verfahren zum Löschen programmierbarer Zusammenschaltungszellen
87 EP1041577 Nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung und Methode zur Datenlöschkontrolle
88 DE69228905T4 Halbleiterspeichergerät
89 DE19782214A1 Verbesserte Schnittstelle für Flash-Eeprom-Speicher-Arrays
90 DE19911101A1 Nicht-flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung
91 DE19851813A1 System und Verfahren zum Bewerten der Abnutzung eines Flash-Speichers
92 DE19808525A1 Integrierte Schaltung
93 DE69228905T2 Halbleiterspeichergerät
94 DE19860506A1 System und Verfahren zum Programmieren eines nichtflüchtigen Speichers
95 DE19857610A1 Verfahren zur Programmierung von leistungsunabhängigen Speicherbausteinen mit einer Zellenmatrix von Nicht-Und-Typ
96 EP0529234 Halbleiterspeichergerät
97 DE19880311T1 Nichtflüchtige Speicherstruktur
98 DE19819439A1 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung
99 DE19820491A1 Nichtflüchtige Halbleiterspeichereinrichtung und Speicherzelle in einer solchen
100 DE19818989A1 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung
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