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Patente IPC-Klasse H01L 21/20
 
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No Patent No Titel
1 DE602004005731T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PLATTENFÖRMIGEN STRUKTUR INSBESONDERE AUS SILIZIUM, VERWENDUNG DES VERFAHRENS UND DER SO HERGESTELLTEN PLATTENFÖRMIGEN STRUKTUR INSBESONDERE AUS SILIZIUM
2 DE102004024924B4 Verfahren zum Herstellen polykristallinen Siliciums, Verfahren zum Herstellen einer Ausrichtungsmarkierung, sowie Verfahren zum Herstellen eines Schaltelements
3 DE102006010273A1 Verfahren zur Herstellung einer verspannten Schicht auf einem spannungskompensierten Schichtstapel mit geringer Defektdichte und Schichtstapel
4 DE102006008929A1 Nitridhalbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
5 DE102006055895A1 Ätzbeständiges Heizgerät und Zusammenbau desselben
6 DE102006004870A1 Halbleiterschichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtstruktur
7 DE112005001847T5 Verfahren und Vorrichtung zur Bildung eines kristallisierten Films
8 DE102006045914A1 Halbleitervorrichtung, Verfahren zu deren Fertigung und Verfahren zu deren Bewertung
9 DE69834292T2 GEHÄUSE FÜR LASERDIODENREIHE
10 DE602004003910T2 Pufferstruktur für Heteroepitaxie auf einem Siliciumsubstrat
11 DE102005046057A1 Verfahren zum Erzeugen einer im wesentlichen einkristallinen Struktur auf einem Fremdsubstratelement sowie zugehöriges Bauelement
12 DE69934271T2 Verfahren zur Wiedergewinnung eines abgetrennten Wafers und zur Wiedergewinnung verwendeter Siliziumwafer
13 DE102005041643A1 Halbleitersubstrat sowie Verfahren und Maskenschicht zur Herstellung eines freistehenden Halbleitersubstrats mittels der Hydrid-Gasphasenepitaxie
14 DE102005036669A1 Verfahren zur Behandlung von Halbleitersubstratoberflächen, die mittels intensiven Lichtimpulsen kurzzeitig aufgeschmolzen werden
15 DE69834878T2 Integrierte Leistungsschaltung, Verfahren zu desser Herstellung, und Umformer mit solch einer Schaltung
16 DE102006027841A1 Herstellung von III-Nitrid-Halbleiter-Bauteilen
17 DE112004002373T5 Strained-Transistor-Integration für CMOS
18 DE112004001776T5 Ein Bauelement und ein Verfahren zum Ausbilden eines ferroelektrischen Kondensatorbauelements
19 DE112004001438T5 Herstellungsverfahren für einen FeRAM-Kondensator und ein durch das Verfahren ausgebildeter FeRAM-Kondensator
20 DE102004059651A1 Verfahren zur Bildung einer kristallinen Schicht auf einem Silizium-Substrat
21 DE102004057764A1 Technik zur Herstellung eines Substrats mit kristallinen Halbleitergebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften, die über einem kristallinen Vollsubstrat angeordnet sind
22 DE102004048332A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, Halbleiteranordnung und Hochfrequenzschaltung
23 DE112004000383T5 Galliumnitrid-Einkristallsubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
24 DE69917819T2 SOI Substrat
25 DE69903783T2 Nitrid-Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
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