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1 DE102006024175B3 Verfahren zum Herstellen von primären Mehrschichtelektroden
2 DE69736054T2 Vorläufer mit einem Alkoxyalkylvinylsilanligand für die Abscheidung von Kupfer und Verfahren hierfür
3 DE69635854T2 Herstellungsverfahren für eine Wolframnitridschicht und metallische Leiterbahnen
4 DE69832134T2 Verfahren zur Herstellung einer leitenden Elektrode für eine Halbleitervorrichtung
5 DE69734447T2 STABILISIERUNG DER GRENZFLÄCHE ZWISCHEN TIN UND AL LEGIERUNGEN
6 DE69833140T2 Abscheidung einer Diffusionsbarriereschicht
7 DE69635299T2 Herstellungsverfahren von Schottky Elektroden auf Halbleitervorrichtungen
8 DE102004062472A1 Verfahren zur Herstellung einer Metallverbindungsleitung unter Verwendung einer bei niedriger Temperatur gebildeten Barrierenmetallschicht
9 DE102004003760A1 Transparente und leitfähige Oxidschicht, Herstellung sowie Verwendung derselben in einer Dünnschichtsolarzelle
10 DE102004017411A1 In-situ-Metallbarriereablagerung für Sputterätzen auf einer Verbindungsstruktur
11 DE69429951T2 Herstellungsverfahren für Halbleiteranordnung unter Verwendung der selektiven CVD-Methode
12 DE69330921T2 Herstellungsverfahren von dünnem Film
13 DE69427959T2 Integrierte Schaltung mit verbesserter Kontaktbarriere
14 DE69424717T2 Verbindungsverfahren einer Verdrahtung mit einem Halbleitergebiet und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
15 DE69231389T2 Verfahren zur Herstellung eines elektrischer Kontaktes über einem Silizium-Halbleiterplättchen
16 DE69229983T2 Halbleiterschaltung mit einem Kontakt mit niedrigem Widerstand und ihr Herstellungsverfahren
17 DE69230025T2 Verfahren zur Herstellung von metallischen Kontakten mit hoher Stabilität für eine integrierte Schaltung mit einer oder mehreren metallisierten Schichten
18 DE69228525T2 Verfahren zur Bildung von Siliziden bei der Herstellung von integrierten Schaltungen
19 DE69227534T2 Verfahren zur Herstellung einer Silizidschicht durch Ionenimplantation
20 DE69227666T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER SCHALTUNGEN MIT NEBENEINANDER GEFORMTEN ELEKTRODEN
21 DE69319993T2 Methode zur Herstellung eines Metallkontaktes
22 DE69226098T2 Lokale Kontaktverbindungen für integrierte Schaltungen
23 DE69225693T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LADUNGSÜBERTRAGUNGSANORDNUNG MIT EINEM ÜBERLAUFSYSTEM
24 DE69223868T2 Verfahren zur Herstellung von Elektroden eines Halbleiterbauelements
25 DE69222347T2 Verfahren zum selektiven Abscheiden einer TiNx-Schicht durch MOCVD auf einem Halbleiterbauelement
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