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No Patent No Titel
1 DE102006028718A1 Verfahren zur Vereinzelung von Halbleiterwafern zu Halbleiterchips
2 DE102006007293A1 Verfahren zum Herstellen eines Quasi-Substratwafers und ein unter Verwendung eines solchen Quasi-Substratwafers hergestellter Halbleiterkörper
3 DE112005001596T5 Verfahren zum Verbinden von Scheiben aus (Al, In, Ga)N und Zn(S, Se)für optoelektronische Anwendungen
4 DE69832567T2 Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
5 DE60022860T2 WAFERBEARBEITUNGSSYSTEM
6 DE19906224B4 Abzugsvorrichtung
7 DE10355728B4 Verbinden von Halbleiterscheiben gleichen Durchmessers zum Erhalt einer gebondeten Scheibenanordnung
8 DE102004012618B3 Vorrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer Folie auf eine Kontaktfläche eines Wafers
9 DE10355728A1 Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Halbleitersubstraten mit vergrabenen Schichten durch Verbinden von Halbleiterscheiben (Bonden)
10 DE10347464A1 Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von bei der Herstellung von Halbleitern verwendeten Gegenständen
11 DE69627613T2 Verfahren zur Rückgewinnung von Substraten
12 DE69902860T2 Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterbauelements
13 DE19943101C2 Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe
14 DE19900805C2 Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Reinstwasser
15 DE68929298T2 Verfahren und Einrichtung zur Verarbeitung einer feinen Struktur
16 DE19943101A1 Gebondete Halbleiterscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung
17 DE19906224A1 Abzugsvorrichtung
18 DE19839023A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von epitaxierten Halbleiterscheiben mit einer Schutzschicht
19 DE19922397A1 Kühl-/Heizvorrichtung für Halbleiterverarbeitungsflüssigkeiten
20 DE19901426A1 Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
21 DE19716374A1 Brechen von Reinstsilicium auf Eis
22 DE29715757U1 Scheibe aus einer hochreinen Keramik zur Verwendung in Anlagen zur Durchführung von Prozessen zur Herstellung von Halbleitern in Form von Wafern mit einem Durchmesser von über 200 mm
23 DE19631333A1 Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von elektronischen Funktionsschichten im Niederdruckplasma
24 DE19543893C1 Verfahren zum Ausrichten von in einem Substrat zu erzeugenden Strukturen
25 DE69116227T2 Endpunktdetektor für Polierarbeiten
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