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Patente IPC-Klasse H01L 21/306
 
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No Patent No Titel
1 DE602004006043T2 Gruppe III-Nitridschichten mit strukturierten Oberflächen
2 DE602005001875T2 Alkalische Reinigungsmittel zur Reinigung nach einer chemisch-mechanischen Planarisierung
3 DE69934986T2 VERFAHREN FÜR ANISOTROPES ÄTZEN
4 DE102006004430A1 Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung in einem Ätzsystem durch Gasflusssteuerung auf der Grundlage von CD-Messungen
5 DE69737237T2 VERFAHREN ZUR TROCKENÄTZUNG
6 DE102005047081A1 Verfahren zum beschleunigten Ätzen von Silizium
7 DE102005041877A1 Verfahren zur Herstellung siliziumhaltiger Oberflächen und optoelektronische Bauelemente
8 DE102005040288B3 Verfahren zur Verringerung einer Desorption von HBr bei der Hertellung von Halbleiterbauelementen
9 DE102005051812A1 Vorrichtung zum Ätzen von Schichten auf Halbleiterwafern und Verfahren zum Ätzen solcher Schichten sowie Verwendung eines Spektrometers
10 DE69932010T2 Verfahren zur Freigabeverbesserung einer Halbleiterplatte
11 DE69834856T2 Reinigen von Halbleiterscheiben und Mikroelektronik-Substraten
12 DE102005025123A1 Verfahren und Einrichtung zur nasschemischen Behandlung von großflächigen Substraten, insbesondere zur Herstellung von Solarzellen
13 DE202006008303U1 Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Halbleitersubstraten aus Silizium
14 DE112004001425T5 Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von scheibenförmigen Teilen
15 DE69734078T2 Verfahren zur Reinigung einer porösen Fläche eines Halbleitersubstrats
16 DE102004045956A1 Ätzhalterung für ein Substrat und Ätzsystem mit einer Ätzhalterung
17 DE102004036803A1 Verfahren zum Ätzen einer Schicht auf einem Substrat
18 DE69733102T2 Reinigungsmittel
19 DE102005027212A1 Spülzusammensetzung und Verfahren zum Spülen und Herstellen von Siliziumwafern
20 DE102004063066A1 Vorrichtung und Verfahren zur Waferplanierung
21 DE102004007167A1 Verfahren zum Herstellen geätzter Strukturen
22 DE102004011394B3 Verfahren zur Herstellung von schnellwachsenden Poren in n-Typ Silizium
23 DE69916728T2 Verfahren zur Reinigung eines Halbleitersubstrats
24 DE102004024893A1 Vorrichtung und Verfahren zum Ätzen eines Wafer-Rands
25 DE69725245T2 Verfahren zur Ätzung von Substraten
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