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No Patent No Titel
1 DE102007018010A1 Verfahren zum Plasmaätzen mit Mustermaske
2 DE69933124T2 Schützende Metallschicht für Struktur auf Halbleitersubstraten beim Ätzen mit KOH
3 DE202006003030U1 Maske für die selektive Plasma-Oberflächenbehandlung von Bauteilen
4 DE102004057536B3 Verfahren zum Herstellen von Öffnungen mit wenigstens zwei voneinander unterschiedlichen Strukturgrößen in einer Schicht
5 DE102004052644A1 Abschattungseinrichtung für den Randbereich eines Halbleiterwafers
6 DE102004040798A1 Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur
7 DE102004041679A1 Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einer strahlungsempfindlichen Schicht und ein strukturiertes Halbleitersubstrat mit Oberflächenstruktur
8 DE102004031111A1 Verfahren zum Herstellen sublithografischer Strukturen und sublithografische Schaltungselemente
9 DE102004032677A1 Verfahren zum Herstellen einer Maske auf einem Substrat
10 DE69830141T2 Grabenätzen mittels Borosilikatglas-Maske
11 DE102004017747A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und ein strukturiertes Substrat
12 DE102004012280B4 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
13 DE102004012280A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur
14 DE102004004879A1 Maskierungsvorrichtung zur Maskierung beim Trockenätzen und Verfahren zur Herstellung einer Hartmaske
15 DE102004006545B3 Verfahren zum Aufweiten eines Grabens in einer Halbleiterstruktur
16 DE102004059034A1 Ein Verfahren zum Herstellen einer Hartmaske in einem Kondensatorbauelement und eine Hartmaske zur Verwendung in einem Kondensatorbauelement
17 DE69528406T2 Abdichtung für die kontrollierte Auflösung eines Wafers im Mikro-Bearbeitungsverfahren
18 DE69419186T2 Verfahren zur Ätzung eines halbleitenden Substrats
19 DE69323979T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
20 DE69126149T2 Trockenätzverfahren
21 DE69404339T2 Verfahren zur Herstellung eines Metallkontaktes auf einem Reliefmuster eines Halbleitersubstrates, mit einer Stufe zum plastischen Fliessen einer lichtempfindlichen Harzschicht
22 DE69219280T2 Verfahren zur Ätzung eines tiefen Grabens
23 DE68927542T2 Herstellung von Siliciumstrukturen durch einseitigen Mehrschritt-Ätzprozess
24 DE68924285T2 Erzeugung von richtungsbestimmten Löchern in Silizium.
25 DE69008693T2 Methode zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit angeschrägten Öffnungen.
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