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1 DE102004017166B4 Verfahren zur Herstellung von Bipolar-Transistoren
2 DE102006061174A1 Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors
3 DE102005041879A1 Verfahren zur Herstellung eines IGBT mit einer Isolationsschicht zwischen Body-Zone und Driftzone und IGBT
4 DE102005035648A1 Hochleistungsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung
5 DE102004053393B4 Verfahren zur Herstellung einer vertikal integrierten Kaskodenstruktur und vertikal integrierte Kaskodenstruktur
6 DE102006028342A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
7 DE102005013982A1 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors und nach einem derartigen Verfahren hergestellter Bipolartransistor
8 DE102006009961A1 Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
9 DE112004002033T5 Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleitersubstrats
10 DE102004055147A1 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit dotierter extrinsischer Basis
11 DE102004053393A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergegenstandes und Halbleitergegenstand
12 DE102004053394A1 Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
13 DE102004039209A1 Verfahren zur Herstellung einer n-dotierten Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement mit einer Feldstoppzone
14 DE102004021241A1 Verfahren zur Herstellung eines planaren Spacers, eines zugehörigen Bipolartransistors und einer zugehörigen BiCMOS-Schaltungsanordnung
15 DE102004017166A1 Verfahren zur Herstellung des Basisanschlusses von Bipolar-Transistoren
16 DE102004013478A1 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit verbessertem Basisanschluss
17 DE69729927T2 Bipolartransistor mit einem nicht homogenen Emitter in einer BICMOS integrierter Schaltung
18 DE102004001239A1 Selbstjustierte, epitaktische Emitterstruktur für einen Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung derselben
19 DE69532055T2 Halbleitervorrichtungen sowie ihre Herstellung unter Verwendung der Kristallorientierungsabhängigheit der Datierungs
20 DE69624976T2 Verfahren zur Herstellung von MOS-Leistungstransistoren
21 DE69901752T2 Methode zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Eigenschaften zur Unterdrückung der Verschlechterung von Transistor-Charakteristiken
22 DE69524516T2 Verfahren zur Herstellung eines Bipolatransistors
23 DE69520849T2 Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors
24 DE69511343T2 Verfahren zur Herstellung eines für IGBT geeigneten Halbleiterplättchens
25 DE69700248T2 Verfahren zur Herstellung des extrinsischen Basisbereichs eines NPN-Transistors mit einer bipolaren Hochfrequenztechnologie
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