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No Patent No Titel
1 DE69737262T2 Herstellungsverfahren für einen Vorder-Hinterseiten-Durchkontakt in mikro-integrierten Schaltungen
2 DE69836451T2 Mikroelektronische Struktur von einem schwierig zu ätzenden Material und metallisierte Löcher
3 DE69934392T2 Verfahren zur Herstellung einer mikrointegrierten Struktur mit vergrabener Verdrahtung, speziell eines Mikroaktuators für ein Festplattenlaufwerk
4 DE10208787B4 Verfahren zum Füllen von teilweise bauchigen tiefen Gräben oder tiefen Gräben mit einer Flankensteilheit von 90° oder größer und dieses verwendende Verfahren zur Herstellung von MOS-Feldeffekttransistoren und IGBTs
5 DE60211190T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITER-SCHICHTSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE STRUKTUR
6 DE102005009020A1 Verfahren zur Erzeugung einer vergrabenen Halbleiterschicht
7 DE102004050740A1 Halbleitergegenstand und Verfahren zur Herstellung
8 DE69133446T2 BiCMOS-Verfahren mit Bipolartransistor mit geringem Basis-Rekombinationsstrom
9 DE10208787A1 Verfahren zum Füllen von Trenches und dieses verwendende Verfahren zur Herstellung von MOS-Feldeffekttransistoren, IGBTs und Halbleiterspeicherbausteinen
10 DE69625007T2 Halbleiterelement-Herstellungsverfahren
11 DE69622781T2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit vergrabener Kontaktstruktur
12 DE69033940T2 Verfahren zur Herstellung vergrabener Zonen für integrierte Schaltungen
13 DE19639697C2 Bipolar- oder MOS-Transistor mit vergrabener Diffusionsbarriere und Herstellungsverfahren dafür
14 DE69230514T2 Verfahren zur Herstellung eines vergrabenen Kontaktes aus Polysilizium
15 DE3752286T2 In einem tiefen Graben formierte Isolation mit Kontakt an der Oberfläche des Substrates
16 DE69131390T2 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen
17 DE69225248T2 Verfahren zum Verarbeiten eines Halbleitersubstrats
18 DE19646148A1 Planares Halbleiterbauelement mit niederohmiger vergrabener Schicht
19 DE69308727T2 Herstellungsverfahren von einer Halbleitervorrichtung mit einer begrabenen Kontaktstruktur
20 DE19639697A1 Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
21 DE69026587T2 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
22 DE68924363T2 Dielektrisch isolierte Bauelemente mit hoher Geschwindigkeit mit vergrabenen Silicid-Gebieten und Verfahren zu deren Herstellung.
23 DE3750048T2 Bauelement mit integrierter Schaltung und einer Zwischenschaltungsleitung.
24 DE3788486T2 Verfahren zur Herstellung einer monolithischen Hochspannungshalbleiterschaltung.
25 DE3872590T2 CMOS-integrierte Schaltung mit Substratkontakt an der Oberfläche und Verfahren zu ihrer Herstellung.
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