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1 DE102006029701A1 Halbleiterbauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
2 DE102005059035B4 Isolationsgrabenstrukturen für hohe Spannungen
3 DE102005059034B4 SOI-Isolationsgrabenstrukturen
4 DE112005002324T5 Verfahren zum Herstellen eines Silicon-On-Insulator (SOI) Wafers mit einer Ätzstoppschicht
5 DE102006013209A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Oxidschichten und Halbleiterbauelement mit Oxidschichten
6 DE102007008779A1 Verfahren zur Herstellung von Isolationsgebieten von Halbleiteranordnungen und Strukturen derselben
7 DE102007007071A1 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben
8 DE102006007053A1 Optimierte Isolationsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
9 DE102006060996A1 Verfahren zur Herstellung von Isolationsbereichen in Halbleiteranordnungen sowie zugehörige Strukturen
10 DE102007003197A1 Halbleiterbauelement vom Grabenisolationstyp und Herstellungsverfahren
11 DE112005002310A5 Zweistufiger Oxidationsprozess für Halbleiterscheiben
12 DE102005063129A1 Grabenisolationsstruktur für ein Halbleiterbauelement mit reduzierter Seitenwandverspannung und Verfahren zur Herstellung desselben
13 DE102005063108A1 Technik zur Herstellung eines Isolationsgrabens als eine Spannungsquelle für die Verformungsverfahrenstechnik
14 DE102005063130A1 Grabenisolationsstruktur mit unterschiedlicher Verspannung
15 DE102006060886A1 SOI-Baustein mit mehrfachen Kristallorientierungen
16 DE102005059034A1 Isolationsgrabenstruktur
17 DE102005059035A1 Isolationsgrabenstruktur für hohe Spannungen
18 DE102006048270A1 Verfahren zum Ausbilden eines isolierenden Grabens mit einem dielektrischen Material
19 DE102006037710A1 Verfahren zur Herstellung einer Grabenisolation eines Halbleiterbauelements
20 DE112005000512T5 Verfahren zur Verringerung der Ausbildung von STI-Einkerbungen während der Halbleiterherstellung
21 DE102005027459A1 Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit einer Mehrzahl von überstehend gefüllten Isolationsgräben und entsprechende Halbleiterstruktur
22 DE102006021070A1 Tiefe Grabenisolationsstrukturen und Verfahren der Ausbildung derselben
23 DE102004063946A1 Transistor
24 DE102005022574A1 Halbleiterspeicherbauelement mit Isolationsgrabenstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren
25 DE102004063148A1 Isolierverfahren bei Halbleiter-Bauelementen
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