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No Patent No Titel
1 DE69935495T2 Herstellungsverfahren für vergrabene Kanäle und Hohlräume in Halbleiterscheiben
2 EP1049157 Herstellungsverfahren für vergrabene Kanäle und Hohlräume in Halbleiterscheiben
3 DE69930099T2 Herstellung von vergrabenen Hohlräumen in einer einkristallinen Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe
4 EP1672687 Herstellung von luftgefüllten tiefen Gräben und verwandte Anwendungen
5 EP1043770 Herstellung von vergrabenen Hohlräumen in einer einkristallinen Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe
6 EP1625616 VERWENDUNG VON LEERRÄUMEN ZWISCHEN ELEMENTEN IN HALBLEITERSTRUKTUREN ZUR ISOLIERUNG
7 EP1589572 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit einem Isolationsgraben und entsprechende integrierte Schaltung
8 EP1581967 ERZEUGEN HERMETISCH DICHT GESCHLOSSENER, DIELEKTRISCH ISOLIERENDER TRENNGRAEBEN (TRENCHES)
9 WO2004051739 Erzeugen hermetisch dicht geschlossener dielektrisch isolierender Trenngraeben (trenches)
10 EP1480266 Verfahren zur Herstellung integrierten Schaltungen mit gestapelten Bauteilen und entsprechende integrierte Schaltungen.
11 DE10317748A1 Teststruktur zur Überprüfung von Isoliergrabenätzungen in SOI Scheiben und Verfahren zur Durchführung
12 EP1427011 Verfahren zur Herstellung von Mikrokanälen in einer integretierten Struktur
13 EP1427010 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates mit mindestens einem vergrabenen Hohlraum und mit dem Verfahren hergestelltes Bauteilen
14 EP1418618 Vefahren zur Herstellung von Höhlen zwischen Multischichtmetallisierungen
15 EP1304734 Isolationsgraben und dessen Herstellungsverfahren
16 DE10131704A1 Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterkörpers
17 DE10014660C2 Halbleiteranordnung mit einer durch einen Hohlraum von einer Driftstrecke getrennten Trenchelektrode
18 DE10014660A1 Halbleiteranordnung
19 DE19983426T1 Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit getrennten Schaltungselementausbildungsschichten unterschiedlicher Dicke
20 DE10019705A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen desselben
21 EP1084511 SUBSTRAT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
22 DE19812199C1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und eine mindestens zwei Halbleiterelemente umfassende Halbleiteranordnung
23 DE4201910C2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur für eine integrierte Leistungsschaltung mit einem vertikalen Leistungsbauelement
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