PatentDe  


No Patent No Titel
1 DE102006019935A1 SOI-Transistor mit reduziertem Körperpotential und ein Verfahren zur Herstellung
2 DE69932564T2 Herstellungsverfahren für eine ultradünne, elektrostatische SOI-Entladungsschutzvorrichtung
3 DE102006015076A1 Halbleiterbauelement mit SOI-Transistoren und Vollsubstrattransistoren und ein Verfahren zur Herstellung
4 DE69932783T2 TFT Matrix Paneel
5 DE102005062976A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Elementen und verfahrengemäß hergestelltes Halbleiter-Element
6 DE69735919T2 EIN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MONOLITHISCHEN MIKROWELLENSCHALTUNG MIT DICKEN LEITERN
7 DE102005061304A1 Verfahren zum Herstellen einer Kontaktfleckelektrode, Verfahren zum Herstellen eines Flüssigkristalldisplays unter Verwendung derselben sowie durch dieses Verfahren hergestelltes Flüssigkristalldisplay
8 DE102005010944A1 Verfahren zur Herstellung eines Trägerscheibenkontaktes in grabenisolierten integrierten SOI Schaltungen mit Hochspannungsbauelementen
9 DE112004001117T5 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
10 DE102004044444A1 Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung und Schicht-Anordnung
11 DE102005030359A1 Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilms sowie damit hergestellte LCDs
12 DE102004031119A1 Verfahren zum Herstellen einer Schicht-Anordnung und Schicht-Anordnung
13 DE102005026320A1 Dünnfilm-Transistorschaltung, Verfahren zur Entwicklung von Dünnfilmtransistoren, Entwicklungsprogramm für Dünnfilm- Transistorschaltungen, Aufzeichnungsmedium für das Entwicklungsprogramm, Datenbank für die Entwicklungsbibliothek und Bildschirmgerät
14 DE102004005951B4 Verfahren zur Herstellung von vertikal isolierten Bauelementen auf SOI-Material unterschiedlicher Dicke
15 DE102005001168A1 Erzeugen einer Mehrzahl von Dünnfilmvorrichtungen
16 DE102004005506A1 Verfahren zur Erzeugung von aktiven Halbleiterschichten verschiedener Dicke in einem SOI-Wafer
17 DE102004005951A1 Verfahren zur Herstellung von vertikal isolierten Bauelementen auf SOI-Material unterschiedlicher Dicke
18 DE102004051839A1 Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistorarray-Substrats
19 DE69923613T2 Dünnschichttransistor-Herstellungsverfahren
20 DE102004048723A1 Herstellverfahren für ein Dünnschichttransistorarray-Substrat
21 DE102004031441A1 Verfahren zum Herstellen einer Schicht aus kristallinem Silicium, Verfahren zum Herstellen einer aktiven Schicht aus einer solchen Schicht, Verfahren zum Herstellen eines Schaltelements aus einer solchen aktiven Schicht sowie Schaltelement mit einer Schicht aus kristallinem Silicium
22 DE102004024924A1 Verfahren zum Herstellen polykristallinen Siliciums sowie Schaltbauteil unter Verwendung polykristallinen Siliciums
23 DE102004027152A1 Flüssigkristallanzeigevorrichtung, welche Dünnschichttransistoren mit polykristallinem Silizium aufweist, und Verfahren zum Herstellen derselben
24 DE102004022161A1 Element und Verfahren zur Herstellung eines Elements
25 DE69513628T2 HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER ARTIKEL AUS DÜNNSCHICHT-SCHALTUNGEN
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com