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No Patent No Titel
1 DE102006007611A1 Halbleiterbauelement mit versetzungsbasiertem vergrabenen Leitbahnsystem
2 EP1604402 LAMPE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LAMPE
3 EP0879479 AUFTRENNBARE VERBINDUNGSBRÜCKE (FUSE) UND VERBINDBARE LEITUNGSUNTERBRECHUNG (ANTI-FUSE), SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND AKTIVIERUNG EINER FUSE UND EINER ANTI-FUSE
4 DE69523092T2 Verfahren zur Herstellung elektronischer Teile mit einer Luftbrückenverbindung
5 EP0684647 Verfahren zur Herstellung elektronischer Teile mit einer Luftbrückenverbindung
6 EP1114458 VERGRABENE LOKALE VERBINDUNGSSTRUKTUR
7 EP1032041 Halbleiteranordnung mit einem internen Leitermuster
8 EP0698293 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT STROMANSCHLÜSSEN FÜR HOHE INTEGRATIONSDICHTE
9 DE69307274T2 Halbleitervorrichtung und Wafer-Struktur mit einer planaren Verbindungsstruktur, vergraben durch Wafer-Bonding
10 EP0596824 Halbleitervorrichtung und Wafer-Struktur mit einer planaren Verbindungsstruktur, vergraben durch Wafer-Bonding
11 DE19500392A1 Integrierte Schaltungsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
12 DE69009820T2 Halbleiteranordnung mit eindimensionalen Dotierungsleitern und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.
13 EP0390274 Halbleiteranordnung mit eindimensionalen Dotierungsleitern und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiteranordnung.
14 DE4140180A1 Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
15 EP0371861 Halbleiterstruktur hoher Dichte und Verfahren zur Herstellen derselben.
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IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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