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No Patent No Titel
2601 DE102004059673A1 Elektronische Grundeinheit für ein System on Chip
2602 DE102005045076A1 Licht-Emittierende-Diode-Blitzmodul mit verbesserter Spektralemission
2603 DE102004061337A1 Sensor und Verfahren zur Montage eines Sensorchips auf einem Träger
2604 DE19952604B4 Vorrichtung zum Ausbilden eines Beschichtungsfilms
2605 DE112004001163T5 Halbleiteranordnung eines vertikalen Typs
2606 DE10007414B4 Verfahren zur Durchkontaktierung eines Substrats für Leistungshalbleitermodule durch Lot und mit dem Verfahren hergestelltes Substrat
2607 EP1662589 Organische lichtemittierende Vorrichtung mit Polarisator
2608 DE202006003004U1 Packungs-Basisplatte für eine Ableitung von starker Abwärme von LED-Dioden (lichtemittierende Diode) mit einer hohen Leuchtstärke
2609 DE102004061936A1 Anordnung eines Halbleitermoduls und einer elektrischen Verschienung
2610 DE102004063134A1 Organische elektrolumineszentes Bauelement mit erhöhter Lebensdauer
2611 DE102004061908A1 Schaltungsanordnung auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Schaltungsanordnung
2612 EP1662559 Halterungsmethode und diese verwendende Verarbeitungsmethode
2613 DE69734341T2 Leiterplatte für Leistungsmodul
2614 DE10260286B4 Verwendung eines Defekterzeugnungsverfahrens zum Dotieren eines Halbleiterkörpers
2615 DE112004001527T5 Verfahren und Lasersysteme zur Verbindungsbearbeitung unter Verwendung von Laserimpulsen mit speziell zugeschnittenen Leistungsprofilen
2616 DE102005057070A1 6F2 Auswahltransistor-Anordnung und Halbleiterspeicherbauelement
2617 EP1661188 MAGNETORESISTIVER DIREKTZUGRIFFSSPEICHER MIT VERRINGERTER SCHALTFELDVARIATION
2618 DE112004001568T5 Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben
2619 DE69734078T2 Verfahren zur Reinigung einer porösen Fläche eines Halbleitersubstrats
2620 DE69734131T2 ZWEISCHICHTIGE ELEKTRONENINJEKTIONSELEKTRODE ZUR VERWENDUNG IN EINER ELEKTROLUMINESZENZVORRICHTUNG
2621 DE102004062698A1 Magnetischer Vektorsensor
2622 DE102005055437A1 MRAM mit schaltbarer ferromagnetischer Offset-Schicht
2623 DE69833140T2 Abscheidung einer Diffusionsbarriereschicht
2624 DE202005000979U1 Elektro-optisches Element mit gesteuerter, insbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung
2625 DE102004060980A1 Vorrichtung und Verfahren zur Trocknung von Substraten
2626 EP1662576 MEHRSCHICHTIGER STRUKTURKÖRPER AUF ZINKOXIDBASIS UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
2627 DE60114494T2 Organisches elektrolumineszentes Element und Verfahren zur Herstellung desselben
2628 DE102004061929A1 Verfahren zum strukturierten Ausbilden eines organischen Halbleitermaterialbereichs und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung mit einem organischen Halbleitermaterialbereich
2629 DE112004000769T5 Laser-Chipschneidvorrichtung
2630 DE69534487T2 Herstellungsverfahren für Kompressionshalbleiterbauelement
2631 DE102005052756A1 Halbleitervorrichtung
2632 DE112004001510T5 Speicherzellenstruktur mit einer Nitridschicht mit reduziertem Ladungsverlust und Verfahren zur Herstellung derselben
2633 DE102004063406B4 Vorrichtung und Anordnung zum Verhindern von Plasmaladungsschäden
2634 DE112004001232T5 Fensteranordnung
2635 DE112004000753T5 Verfahren zum Reduzieren der Kurzkanaleffekte in Speicherzellen und zugehörige Struktur
2636 DE69635128T2 Stabilisierung und Isolation einer hybriden Bildebene-Matrix
2637 DE202006003030U1 Maske für die selektive Plasma-Oberflächenbehandlung von Bauteilen
2638 DE102004063578B4 Verfahren zur Ausbildung von Dual Gate Elektroden bei Anwendung des Damaszener Gate Prozesses
2639 EP1232530 HALBLEITERBAUELEMENT, ELEKTRONISCHES BAUTEIL, SENSORSYSTEM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES
2640 DE60022860T2 WAFERBEARBEITUNGSSYSTEM
2641 DE102004040524B4 Thyristor mit gleichmäßigem Zündverhalten
2642 DE102004060365A1 Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung
2643 EP0913859 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR DESSEN HERSTELLUNG
2644 EP1659646 Strukturierte Verkapselung für einen Flachbildschirm
2645 DE69927360T2 ABLÖSEN VON MONOKRISTALLINEN SCHICHTEN AUSGEHEND VON EINER IONENIMPLANTATION
2646 DE102005056872A1 Mehrchipmodul mit Leistungssystem und Durchgangslöchern
2647 DE102004049356B4 Halbleitermodul mit einem internen Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben
2648 DE112004000919T5 Zwischenschicht für ein Solarzellenmodul und Solarzellenmodul, bei dem die Zwischenschicht eingesetzt wird
2649 DE102005056892A1 Elektronikmodul für eine Systemplatine mit Durchgangslöchern
2650 DE102005012994A1 Fotodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung
2651 DE112004001585T5 Zaunfreies Ätzen einer Iridium-Barriere mit einem steilen Böschungswinkel
2652 DE102004061307A1 Halbleiterbauteil mit Passivierungsschicht
2653 DE102004060210A1 Verfahren zur Herstellung einer Trenndiffusionszone
2654 DE102004060367A1 Chipbaustein und Verfahren zur Herstellung eines Chipbausteins
2655 DE69734151T2 FESTSTOFFTEMPERATURGEREGELTER SUBSTRATHALTER
2656 DE112004001583T5 Klebefolie und Verfahren zur Bildung eines Metallfilms unter Verwendung derselben
2657 DE102004041417B4 Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung
2658 DE102004059884A1 Verfahren zur Flip-Chip-Montage von Mikrochips und damit hergestellte elektronische Baugruppe
2659 DE112004001117T5 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
2660 EP1656701 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN
2661 DE10122837B4 Leistungshalbleiter-Modul
2662 DE102004059640A1 Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
2663 EP1657754 Verbindungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung
2664 DE69735011T2 Verfahren zur Herstellung einer piezoelektrischen Dünnschichtanordnung
2665 EP1656693 MASKIERUNGSVERFAHREN
2666 DE69233550T2 Plastikumhüllte integrierte Halbleiterschaltung mit einer Verdrahtungschicht
2667 EP1656696 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES TRANSISTORS MIT EINER INTEGRIERTEN METALLSILIZID-GATE-ELEKTRODE
2668 DE102004061093A1 Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
2669 EP1657759 Verfahren zur Ansteuerung eines magnetostriktiven Aktors sowie Positions-steuerbare Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
2670 EP1657747 Herstellungsverfahren von sehr feuchtigkeitsempfindlichen elektronischen Vorrichtungen
2671 DE69831202T2 Realisierung eines intermetallischen Kondensators
2672 DE102004058958A1 Material mit hoher Bandlücke und Dielektrizitätskonstante
2673 DE102004059651A1 Verfahren zur Bildung einer kristallinen Schicht auf einem Silizium-Substrat
2674 EP1655789 Piezoelektrischer Einkristall mit Domänenkontrolle und dessen Herstellungsverfahren
2675 DE102005057981A1 Leistungshalbleitervorrichtung
2676 EP1654769 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEGIERUNGS-HALBLEITERFILMEN DER GRUPPE IB-IIIA-VIA-QUATERNÄR ODER HÖHER
2677 DE102004037826B4 Halbleitervorrichtung mit miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen
2678 DE69635566T2 Monolithisches Keramikbauelement und seine Herstellung
2679 DE102004058878A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
2680 DE112004000877T5 Verfahren zur Herstellung von Widerstandsstrukturen
2681 DE102004061327A1 Vertikaler Bipolartransistor
2682 DE60112726T2 Halbleiter-Photodetektor mit hoher Verstärkung und Herstellungsverfahren
2683 DE102004039883B3 Transparentes Element, insbesondere Verbundglaselement, und Verfahren zum Tausch eines Verbrauchers darin
2684 DE102005007423B3 Verfahren zur Integration eines elektronischen Bauteils oder dergleichen in ein Substrat
2685 DE102004059524A1 Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers
2686 DE69928916T2 PROZESS ZUR ENTFERNUNG VON ORGANISCHEM MATERIAL
2687 DE112004000060T5 Schaltelement, Verfahren zum Ansteuern des Schaltelements, überschreibbare integrierte Logikschaltung und Speicherelement
2688 DE102004059389A1 Kontaktierung eines Halbleiterbauelements
2689 EP1214743 VERFAHREN ZUR FERTIGUNG VON SPEICHER- UND LOGIKTRANSISTOREN
2690 EP1654767 ÜBERGANGSMETALLEGIERUNGEN ZUR VERWENDUNG ALS GATEELEKTRODE UND DIESE LEGIERUNGEN ENTHALTENDE BAUELEMENTE
2691 DE102004058743A1 Piezoelektrischer Transformator und Verfahren zu dessen Herstellung
2692 DE60205719T2 Verfahren zur katalytischen chemischen Gasphasenabscheidung von Siliziumnitrid.
2693 DE69927108T2 Halbleiteranordnung mit einem Leitungsdraht
2694 DE102005012396B3 Verfahren zum Montieren eines Chips, insbesondere Flipchips, auf einem Substrat
2695 DE69927143T2 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
2696 DE102005056900A1 Laminiertes, piezoelektrisches Element und Herstellungsverfahren dafür
2697 EP1654768 VERFAHREN ZUR VERBESSERUNG ELEKTRISCHER EIGENSCHAFTEN AKTIVER BIPOLARBAUELEMENTE
2698 DE10335099B4 Verfahren zum Verbessern der Dickengleichförmigkeit von Siliziumnitridschichten für mehrere Halbleiterscheiben
2699 DE102004058806A1 Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltungsstrukturen
2700 DE102005057648A1 Verfahren für die Montage eines Halbleiterchips auf einem Substrat
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