No Patent No Titel 2601 DE102004059673A1 Elektronische Grundeinheit für ein System on Chip 2602 DE102005045076A1 Licht-Emittierende-Diode-Blitzmodul mit verbesserter Spektralemission 2603 DE102004061337A1 Sensor und Verfahren zur Montage eines Sensorchips auf einem Träger 2604 DE19952604B4 Vorrichtung zum Ausbilden eines Beschichtungsfilms 2605 DE112004001163T5 Halbleiteranordnung eines vertikalen Typs 2606 DE10007414B4 Verfahren zur Durchkontaktierung eines Substrats für Leistungshalbleitermodule durch Lot und mit dem Verfahren hergestelltes Substrat 2607 EP1662589 Organische lichtemittierende Vorrichtung mit Polarisator 2608 DE202006003004U1 Packungs-Basisplatte für eine Ableitung von starker Abwärme von LED-Dioden (lichtemittierende Diode) mit einer hohen Leuchtstärke 2609 DE102004061936A1 Anordnung eines Halbleitermoduls und einer elektrischen Verschienung 2610 DE102004063134A1 Organische elektrolumineszentes Bauelement mit erhöhter Lebensdauer 2611 DE102004061908A1 Schaltungsanordnung auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Schaltungsanordnung 2612 EP1662559 Halterungsmethode und diese verwendende Verarbeitungsmethode 2613 DE69734341T2 Leiterplatte für Leistungsmodul 2614 DE10260286B4 Verwendung eines Defekterzeugnungsverfahrens zum Dotieren eines Halbleiterkörpers 2615 DE112004001527T5 Verfahren und Lasersysteme zur Verbindungsbearbeitung unter Verwendung von Laserimpulsen mit speziell zugeschnittenen Leistungsprofilen 2616 DE102005057070A1 6F2 Auswahltransistor-Anordnung und Halbleiterspeicherbauelement 2617 EP1661188 MAGNETORESISTIVER DIREKTZUGRIFFSSPEICHER MIT VERRINGERTER SCHALTFELDVARIATION 2618 DE112004001568T5 Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben 2619 DE69734078T2 Verfahren zur Reinigung einer porösen Fläche eines Halbleitersubstrats 2620 DE69734131T2 ZWEISCHICHTIGE ELEKTRONENINJEKTIONSELEKTRODE ZUR VERWENDUNG IN EINER ELEKTROLUMINESZENZVORRICHTUNG 2621 DE102004062698A1 Magnetischer Vektorsensor 2622 DE102005055437A1 MRAM mit schaltbarer ferromagnetischer Offset-Schicht 2623 DE69833140T2 Abscheidung einer Diffusionsbarriereschicht 2624 DE202005000979U1 Elektro-optisches Element mit gesteuerter, insbesondere uniformer Funktionalitätsverteilung 2625 DE102004060980A1 Vorrichtung und Verfahren zur Trocknung von Substraten 2626 EP1662576 MEHRSCHICHTIGER STRUKTURKÖRPER AUF ZINKOXIDBASIS UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 2627 DE60114494T2 Organisches elektrolumineszentes Element und Verfahren zur Herstellung desselben 2628 DE102004061929A1 Verfahren zum strukturierten Ausbilden eines organischen Halbleitermaterialbereichs und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschaltungsanordnung mit einem organischen Halbleitermaterialbereich 2629 DE112004000769T5 Laser-Chipschneidvorrichtung 2630 DE69534487T2 Herstellungsverfahren für Kompressionshalbleiterbauelement 2631 DE102005052756A1 Halbleitervorrichtung 2632 DE112004001510T5 Speicherzellenstruktur mit einer Nitridschicht mit reduziertem Ladungsverlust und Verfahren zur Herstellung derselben 2633 DE102004063406B4 Vorrichtung und Anordnung zum Verhindern von Plasmaladungsschäden 2634 DE112004001232T5 Fensteranordnung 2635 DE112004000753T5 Verfahren zum Reduzieren der Kurzkanaleffekte in Speicherzellen und zugehörige Struktur 2636 DE69635128T2 Stabilisierung und Isolation einer hybriden Bildebene-Matrix 2637 DE202006003030U1 Maske für die selektive Plasma-Oberflächenbehandlung von Bauteilen 2638 DE102004063578B4 Verfahren zur Ausbildung von Dual Gate Elektroden bei Anwendung des Damaszener Gate Prozesses 2639 EP1232530 HALBLEITERBAUELEMENT, ELEKTRONISCHES BAUTEIL, SENSORSYSTEM UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES 2640 DE60022860T2 WAFERBEARBEITUNGSSYSTEM 2641 DE102004040524B4 Thyristor mit gleichmäßigem Zündverhalten 2642 DE102004060365A1 Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung 2643 EP0913859 HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR DESSEN HERSTELLUNG 2644 EP1659646 Strukturierte Verkapselung für einen Flachbildschirm 2645 DE69927360T2 ABLÖSEN VON MONOKRISTALLINEN SCHICHTEN AUSGEHEND VON EINER IONENIMPLANTATION 2646 DE102005056872A1 Mehrchipmodul mit Leistungssystem und Durchgangslöchern 2647 DE102004049356B4 Halbleitermodul mit einem internen Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben 2648 DE112004000919T5 Zwischenschicht für ein Solarzellenmodul und Solarzellenmodul, bei dem die Zwischenschicht eingesetzt wird 2649 DE102005056892A1 Elektronikmodul für eine Systemplatine mit Durchgangslöchern 2650 DE102005012994A1 Fotodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung 2651 DE112004001585T5 Zaunfreies Ätzen einer Iridium-Barriere mit einem steilen Böschungswinkel 2652 DE102004061307A1 Halbleiterbauteil mit Passivierungsschicht 2653 DE102004060210A1 Verfahren zur Herstellung einer Trenndiffusionszone 2654 DE102004060367A1 Chipbaustein und Verfahren zur Herstellung eines Chipbausteins 2655 DE69734151T2 FESTSTOFFTEMPERATURGEREGELTER SUBSTRATHALTER 2656 DE112004001583T5 Klebefolie und Verfahren zur Bildung eines Metallfilms unter Verwendung derselben 2657 DE102004041417B4 Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung 2658 DE102004059884A1 Verfahren zur Flip-Chip-Montage von Mikrochips und damit hergestellte elektronische Baugruppe 2659 DE112004001117T5 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung 2660 EP1656701 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN 2661 DE10122837B4 Leistungshalbleiter-Modul 2662 DE102004059640A1 Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung 2663 EP1657754 Verbindungshalbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung 2664 DE69735011T2 Verfahren zur Herstellung einer piezoelektrischen Dünnschichtanordnung 2665 EP1656693 MASKIERUNGSVERFAHREN 2666 DE69233550T2 Plastikumhüllte integrierte Halbleiterschaltung mit einer Verdrahtungschicht 2667 EP1656696 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES TRANSISTORS MIT EINER INTEGRIERTEN METALLSILIZID-GATE-ELEKTRODE 2668 DE102004061093A1 Verfahren zur Herstellung einer Elektrode 2669 EP1657759 Verfahren zur Ansteuerung eines magnetostriktiven Aktors sowie Positions-steuerbare Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens 2670 EP1657747 Herstellungsverfahren von sehr feuchtigkeitsempfindlichen elektronischen Vorrichtungen 2671 DE69831202T2 Realisierung eines intermetallischen Kondensators 2672 DE102004058958A1 Material mit hoher Bandlücke und Dielektrizitätskonstante 2673 DE102004059651A1 Verfahren zur Bildung einer kristallinen Schicht auf einem Silizium-Substrat 2674 EP1655789 Piezoelektrischer Einkristall mit Domänenkontrolle und dessen Herstellungsverfahren 2675 DE102005057981A1 Leistungshalbleitervorrichtung 2676 EP1654769 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEGIERUNGS-HALBLEITERFILMEN DER GRUPPE IB-IIIA-VIA-QUATERNÄR ODER HÖHER 2677 DE102004037826B4 Halbleitervorrichtung mit miteinander verbundenen Halbleiterbauelementen 2678 DE69635566T2 Monolithisches Keramikbauelement und seine Herstellung 2679 DE102004058878A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements 2680 DE112004000877T5 Verfahren zur Herstellung von Widerstandsstrukturen 2681 DE102004061327A1 Vertikaler Bipolartransistor 2682 DE60112726T2 Halbleiter-Photodetektor mit hoher Verstärkung und Herstellungsverfahren 2683 DE102004039883B3 Transparentes Element, insbesondere Verbundglaselement, und Verfahren zum Tausch eines Verbrauchers darin 2684 DE102005007423B3 Verfahren zur Integration eines elektronischen Bauteils oder dergleichen in ein Substrat 2685 DE102004059524A1 Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers 2686 DE69928916T2 PROZESS ZUR ENTFERNUNG VON ORGANISCHEM MATERIAL 2687 DE112004000060T5 Schaltelement, Verfahren zum Ansteuern des Schaltelements, überschreibbare integrierte Logikschaltung und Speicherelement 2688 DE102004059389A1 Kontaktierung eines Halbleiterbauelements 2689 EP1214743 VERFAHREN ZUR FERTIGUNG VON SPEICHER- UND LOGIKTRANSISTOREN 2690 EP1654767 ÜBERGANGSMETALLEGIERUNGEN ZUR VERWENDUNG ALS GATEELEKTRODE UND DIESE LEGIERUNGEN ENTHALTENDE BAUELEMENTE 2691 DE102004058743A1 Piezoelektrischer Transformator und Verfahren zu dessen Herstellung 2692 DE60205719T2 Verfahren zur katalytischen chemischen Gasphasenabscheidung von Siliziumnitrid. 2693 DE69927108T2 Halbleiteranordnung mit einem Leitungsdraht 2694 DE102005012396B3 Verfahren zum Montieren eines Chips, insbesondere Flipchips, auf einem Substrat 2695 DE69927143T2 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 2696 DE102005056900A1 Laminiertes, piezoelektrisches Element und Herstellungsverfahren dafür 2697 EP1654768 VERFAHREN ZUR VERBESSERUNG ELEKTRISCHER EIGENSCHAFTEN AKTIVER BIPOLARBAUELEMENTE 2698 DE10335099B4 Verfahren zum Verbessern der Dickengleichförmigkeit von Siliziumnitridschichten für mehrere Halbleiterscheiben 2699 DE102004058806A1 Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltungsstrukturen 2700 DE102005057648A1 Verfahren für die Montage eines Halbleiterchips auf einem Substrat |< << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  >> >|

IPC A Täglicher Lebensbedarf B Arbeitsverfahren; Transportieren C Chemie; Hüttenwesen D Textilien; Papier E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen G Physik H Elektrotechnik Anmelder Datum Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com